陣列基板、透光鈍化膜及液晶顯示面板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種陣列基板、透光鈍化膜及液晶 顯示面板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 對于諸如FFS(Fringe Field Switching，邊緣場開關(guān)技術(shù)）模式的液晶顯示面板， 其陣列基板（即Array基板）的襯底基材上形成有三層薄膜，依次為公共電極層、鈍化層、 像素電極層。當(dāng)前，業(yè)界通常使用超過285°C的高溫濺射方法形成鈍化層。但是在高溫濺射 的過程中，用于形成鈍化層的鈍化材料的顆粒活性較高，導(dǎo)致在最終形成的鈍化層的表面 上產(chǎn)生較多顆粒狀的突起，從而嚴(yán)重影響液晶顯示面板的穿透率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板、透光鈍化膜及液晶顯示面板的制造方 法，以減少形成于鈍化層表面上的突起，提高穿透率。
[0004] 本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法，包括：在襯底基材上形成第一透 光導(dǎo)電膜；在不超過200°C的溫度于第一透光導(dǎo)電膜上形成透光鈍化膜；在透光鈍化膜上 形成第二透光導(dǎo)電膜。
[0005] 其中，所述在襯底基材上形成第一透光導(dǎo)電膜的步驟包括：在第一預(yù)設(shè)溫度下于 襯底基材上形成第一透光導(dǎo)電膜，并在形成第一透光導(dǎo)電膜后進(jìn)行退火，所述第一預(yù)設(shè)溫 度大于200 °C。
[0006] 其中，所述在襯底基材上形成第一透光導(dǎo)電膜的步驟包括：在非加熱狀態(tài)下于襯 底基材上形成第一透光導(dǎo)電膜。
[0007] 其中，所述在透光鈍化膜上形成第二透光導(dǎo)電膜的步驟包括：在第二預(yù)設(shè)溫度下 于透光鈍化膜上形成第二透光導(dǎo)電膜，并在形成第二透光導(dǎo)電膜后進(jìn)行退火，所述第二預(yù) 設(shè)溫度大于200 °C。
[0008] 其中，第一預(yù)設(shè)溫度和第二預(yù)設(shè)溫度相等。
[0009] 其中，所述在透光鈍化膜上形成第二透光導(dǎo)電膜的步驟包括：在非加熱狀態(tài)下于 透光鈍化膜上形成第二透光導(dǎo)電膜。
[0010] 其中，所述在不超過200°c的溫度于第一透光導(dǎo)電膜上形成透光鈍化膜的步驟還 包括：在透光鈍化膜上刻蝕形成接觸孔，以使第二透光導(dǎo)電膜通過接觸孔和陣列基板的薄 膜晶體管的源極或漏極電連接。
[0011] 其中，第一透光導(dǎo)電膜為公共電極層，且第二透光導(dǎo)電膜為像素電極層。
[0012] 本發(fā)明實施例還提供一種透光鈍化膜的制造方法，透光鈍化膜夾設(shè)于公共電極層 和像素電極層之間，且公共電極層臨近設(shè)置于陣列基板上，該方法包括：在200°C的溫度下 于公共電極層上形成透光鈍化膜。
[0013] 本發(fā)明實施例進(jìn)一步提供一種的液晶顯不面板的制造方法，包括：在襯底基材上 形成公共電極層；在200°C的溫度下于公共電極層上形成透光鈍化膜；在透光鈍化膜上形 成像素電極層。
[0014] 本發(fā)明實施例的陣列基板、透光鈍化膜及液晶顯示面板的制造方法，采用低溫形 成鈍化層，降低鈍化材料的顆?；钚?，從而減少產(chǎn)生于鈍化層的表面上的顆粒狀的突起，提 高液晶顯示面板的穿透率。
【附圖說明】
[0015] 圖1是本發(fā)明的陣列基板的制造方法一實施例的流程示意圖；
[0016] 圖2是本發(fā)明的陣列基板一實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0017] 圖3是本發(fā)明的陣列基板的制造方法另一實施例的流程示意圖；
[0018] 圖4是本發(fā)明的液晶顯示面板一實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖。
【具體實施方式】
[0019] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明所提供的示例性的實施例的技術(shù)方 案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0020] 圖1是本發(fā)明的陣列基板的制造方法一實施例的流程示意圖。所述方法用于形成 三層膜結(jié)構(gòu)，該三層膜結(jié)構(gòu)包括依次層疊的第一透光導(dǎo)電膜、透光鈍化膜和第二透光導(dǎo)電 膜，如圖1所示，所述方法包括：
[0021] Sll :在襯底基材上形成第一透光導(dǎo)電膜。
[0022] S12 :在不超過200°C的溫度于第一透光導(dǎo)電膜上形成透光鈍化膜。
[0023] S13 :在透光鈍化膜上形成第二透光導(dǎo)電膜。
[0024] 第一透光導(dǎo)電膜和第二透光導(dǎo)電膜的材料可以相同，例如兩者均可以為 IT0(Indium Tin Oxide，氧化銦錫）透明導(dǎo)電膜，透光鈍化膜是一種透光但不導(dǎo)電的鈍化薄 膜。在例如FFS模式的液晶顯示面板中，第一透光導(dǎo)電膜可以為公共電極層，且第二透光導(dǎo) 電膜為像素電極層，則對應(yīng)地，透光鈍化膜為設(shè)置于公共電極層和像素電極層之間的鈍化 層（Passivation Layer，又稱PV層或平坦鈍化層）。
[0025] 區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的使用超過285°C的高溫濺射方法形成透光鈍化膜（鈍化層），本 發(fā)明實施例采用不超過200°C的低溫形成鈍化層，能夠降低形成鈍化層的鈍化材料的顆粒 活性，從而減少產(chǎn)生于鈍化層的表面上的顆粒狀的突起，提高液晶顯示面板的穿透率。
[0026] 需要說明的是，本發(fā)明實施例形成的三層膜結(jié)構(gòu)并非直接形成于液晶顯示面板的 陣列基板上，即第一透光導(dǎo)電膜和襯底基材之間還可以有其他膜結(jié)構(gòu)，例如具有圖2所示 結(jié)構(gòu)剖視圖的陣列基板。
[0027] 如圖2所示，所述陣列基板20包括襯底基材21、金屬層22、第一鈍化層23、公共 電極層24、第二鈍化層25以及像素電極層26。其中：金屬層22形成于襯底基材21上；第 一鈍化層23形成于金屬層22上且形成有暴露金屬層22的表面的第一接觸孔01;公共電極 層24位于第一鈍化層23上且位于第一接觸孔O1的外圍，即第一鈍化層23在第一接觸孔 〇:周圍的預(yù)定范圍（尺寸為圖中所示b)內(nèi)未覆蓋公共電極層24;第二鈍化層25位于公共 電極層24以及公共電極層24所暴露的第一鈍化層23上，且第二鈍化層25形成有金屬層 22的表面的第二接觸孔O2，第二接觸孔O2和第一接觸孔0 4目通以構(gòu)成一接觸孔；像素電極 層26位于第二鈍化層25上以及第一接觸孔O1和第二接觸孔O 2內(nèi)，以使像素電極層26通 過第二接觸孔O2和第一接觸孔〇 i相通構(gòu)成的接觸孔與金屬層22電連接，金屬層12可以為 陣列基板20的薄膜晶體管的源極和漏極的一者。即，在透光鈍化膜上刻蝕形成接觸孔，以 使第二透光導(dǎo)電膜通過接觸孔和陣列基板20的薄膜晶體管的源極或漏極電連接。
[0028] 參閱圖3所示的本發(fā)明的陣列基板的制造方法，包括以下：<