Coa基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種COA基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著平板顯示器件薄膜工藝(thin film transistor)技術(shù)和工藝的進步，液晶面板日益向高分辨高畫質(zhì)方面發(fā)展。其中，濾光層(包括彩色濾光片和黑矩陣)位于陣列基板的結(jié)構(gòu)(COA !Color filter on Array)，即COA基板，由于沒有對盒產(chǎn)生漏光的問題，可以有效減少黑矩陣寬度，從而提高了像素開口率，進而提高面板透過率。技術(shù)與主要靠液晶分子面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的超級多維場開關(guān)液晶顯示技術(shù)相結(jié)合，可以有效防止傾斜方向漏光，避免混色現(xiàn)象發(fā)生；因此該技術(shù)成為高分辨率產(chǎn)品中有競爭力的技術(shù)之一。
[0003]但是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在以下問題，由于黑矩陣采用黑色樹脂材料制備的，再制備黑矩陣的時，沉積完黑色樹脂材料掩模板上的對位標記無法精確的與COA基板上的對位標記進行對位，導致黑矩陣圖形的對位工藝難度較大。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的COA基板存在的上述問題，提供一種對位精度準提高、工藝難度降低的COA基板及其制備方法、顯示裝置。
[0005]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種COA基板的制備方法，包括在基底上方形成黑矩陣的步驟，所述形成黑矩陣的步驟包括:
[0006]在基底上方的形成透明材料層，并對所述透明材料層進行圖案化；
[0007]對圖案化的透明材料層進行炭化處理，形成黑矩陣。
[0008]優(yōu)選的是，所述透明材料層的材料為光刻膠。
[0009]優(yōu)選的是，所述炭化處理的方式為真空退火；其中，退火溫度為150?300攝氏度，時間為10?45分鐘。
[0010]優(yōu)選的是，所述炭化處理的方式為離子轟擊。
[0011]優(yōu)選的是，所述形成黑矩陣的步驟之前還包括:
[0012]在基底上，通過構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線的圖形；
[0013]在完成上述步驟的基底上形成阻擋層。
[0014]優(yōu)選的是，所述形成黑矩陣的步驟之后還包括:
[0015]通過構(gòu)圖工藝形成彩色濾光片的步驟。
[0016]進一步優(yōu)選的是，所述形成彩色濾光片的步驟之后還包括:
[0017]形成平坦化層的步驟；
[0018]在形成平坦化層的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的步驟。
[0019]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種COA基板，包括基底，設(shè)置在基底上的黑矩陣，所述COA基板是采用上述的制備方法制備的。
[0020]優(yōu)選的是，所述透明材料層的材料為光刻膠。
[0021]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示面板，其包括上述COA基板。
[0022]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述的顯示面板。
[0023]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0024]在本發(fā)明中黑矩陣的圖案是采用透明材料層圖案化后進行炭化得到的，而透明材料層由于其材料的特性，其可以透光，此時基底上的對位標記則可以看到，因此掩模板在對透明材料層曝光時，則可以與透明材料層精準對位，也就是無需將黑矩陣的圖形做大，因此可以提尚COA基板的開口率。
【附圖說明】
[0025]圖1為本發(fā)明的實施例2的COA基板的制備方法的工藝流程圖；
[0026]圖2為本發(fā)明的實施例2的COA基板的制備方法的流程圖；
[0027]圖3為本發(fā)明的實施例2的COA基板的制備方法中形成黑矩陣的流程圖；
[0028]圖4為本發(fā)明的實施例3的COA基板的示意圖。
[0029]其中附圖標記為:10、基底；1、薄膜晶體管；11、柵線；12、數(shù)據(jù)線；30、光刻膠；31、圖案化的光刻膠；32、黑矩陣；131、紅色濾光片；132、綠色濾光片；133、藍色濾光片；14、平坦化層；15、像素電極。
【具體實施方式】
[0030]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0031]實施例1:
[0032]本實施例提供一種COA基板的制備方法，包括在基底上方形成黑矩陣的步驟。形成黑矩陣的步驟具體包括:
[0033]在基底上方的形成透明材料層，并對所述透明材料層進行圖案化。
[0034]對圖案化的透明材料層進行炭化處理，形成黑矩陣。
[0035]在本實施例中，黑矩陣的圖案是采用透明材料層圖案化后進行炭化得到的，而透明材料層由于其材料的特性，其可以透光，此時基底上的對位標記則可以看到，因此掩模板在對透明材料層曝光時，則可以與透明材料層精準對位，也就是無需將黑矩陣的圖形做大，因此可以提尚COA基板的開口率。
[0036]其中，透明材料層的材料優(yōu)選為光刻膠，當然也可以采用其他透明且可炭化的材料。
[0037]具體結(jié)合下述實施例對COA基板的制備方法進一步說明。在下述實施例中以透明材料層的材料為光刻膠為例進行說明，但是透明材料層的材料為光刻膠并不構(gòu)成保護范圍的限定。
[0038]實施例2:
[0039]如圖1和2所示，本實施例提供一種COA基板的制備方法，其包括如下步驟:
[0040]步驟一、在基底10上通過構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管1、柵線11和數(shù)據(jù)線12的圖形，其中，薄膜晶體管I為頂柵型或底柵型均可。其中，以制備底柵型薄膜晶體管I為例，在基底10上通過濺射，曝光，顯影，刻蝕，剝離等工藝形成柵極和柵線11的圖形，在柵極和柵線11所在層上方通過等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD ；Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposit1n)等工藝形成柵極絕緣層，在柵極絕緣層上方通過派射，曝光，顯影，刻蝕，剝離等工藝形成有源層，在有源區(qū)之上通過濺射、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝形成源、漏極和數(shù)據(jù)線12的圖形，源、漏極與有源層連接。
[0041]其中，所述柵極(柵線11)的材料可以為鉬(Mo)、鉬鈮合金(MoNb)、鋁(Al)、鋁釹合金(AlNd)、鈦(Ti)和銅(Cu)中的一種或它們中多種材料形成的單層或多層復(fù)合疊層，優(yōu)先為Mo、Al或含Mo、Al的合金組成的單層或多層復(fù)合膜；厚度為10nm?500nm。
[0042]在本實施例中，所述柵極絕緣層的材料可以為硅的氧化物(S1x)、硅的氮化物(SiNx)、鉿的氧化物(HfOx)、硅的氮氧化物(S1N)、鋁的氧化物(AlOx)等中的一種或它們中兩種材料組成的多層復(fù)合膜。其厚度控制在100?600nm之內(nèi)，可依照實際情況做調(diào)整。
[0043]所述有源層材料可以是包含In (銦)、Ga (鎵)、Zn (鋅)、O (氧)、Sn (錫)等元素的薄膜通過濺射形成，