31.5mg/cm2的范圍中，這是基本上均一的。如上面解釋的那樣，可以通過(guò)根據(jù)顯影劑調(diào)節(jié)部件42的撓曲和S-B間隙最優(yōu)化溝槽44d的數(shù)量來(lái)改善濃度不均勻性。
[0056]〈第四實(shí)施例〉
[0057]接下來(lái)，將參照?qǐng)D解釋根據(jù)本發(fā)明的顯影器件和圖像形成裝置的第四實(shí)施例。對(duì)于與第一實(shí)施例重疊的描述部分，利用相同的附圖標(biāo)記省略其描述。圖11是示出本實(shí)施例的顯影套筒44的配置的示圖。
[0058]如圖11所示，作為設(shè)置在第一實(shí)施例的顯影套筒44上的溝槽44b的替代，在本實(shí)施例的顯影套筒44上設(shè)置溝槽44e。與顯影套筒44的旋轉(zhuǎn)軸(縱向方向)平行地形成縱向方向上的套筒44的中心部分的溝槽44e。另外，溝槽44e被形成，以使得隨著溝槽44e接近端部，它們向著顯影劑傳輸方向的下游側(cè)逐步地更傾斜。
[0059]由此，通過(guò)改變由顯影套筒44的軸向和溝槽44e形成的角度，與第二實(shí)施例類似地改變周邊方向上的溝槽壁表面44el的角度。利用該配置，可以改變周邊方向上的傳輸力，由此可實(shí)現(xiàn)縱向方向上的顯影劑的均一傳輸量。
[0060]在本實(shí)施例中，顯影套筒44具有Φ 20mm，顯影劑調(diào)節(jié)部件42具有Φ 6mm，并且切割極NI具有550G的法向磁通密度。采用其中在連接顯影套筒44的中心點(diǎn)與顯影劑調(diào)節(jié)部件42的中心點(diǎn)的直線上存在切割極NI的法線方向上的磁通密度的峰值的配置。另外，溝槽44e為V形，深度為50 μ m，且溝槽壁表面44el的溝槽壁表面角度α為45度。
[0061]在從縱向位置Omm到40mm的端部處由溝槽44e和旋轉(zhuǎn)軸(縱向方向)形成的角度為60度，在從縱向位置40mm到10mm的部分處由溝槽44e和旋轉(zhuǎn)軸(縱向方向)形成的角度為30度，在從縱向位置10mm到250mm的中心部分處由溝槽44e和旋轉(zhuǎn)軸(縱向方向)形成的角度為O度(與旋轉(zhuǎn)軸平行)，在從縱向位置250mm到290mm的部分處由溝槽44e和旋轉(zhuǎn)軸(縱向方向)形成的角度為30度，在從縱向位置290mm到310mm的部分處由溝槽44e和旋轉(zhuǎn)軸(縱向方向)形成的角度為60度。在縱向方向上不對(duì)稱的原因在于，由溝槽44e和旋轉(zhuǎn)軸(縱向方向)形成的角度根據(jù)顯影劑調(diào)節(jié)部件42的撓曲量和S-B間隙被最優(yōu)化。
[0062]圖12是示出相對(duì)于由旋轉(zhuǎn)軸與溝槽44e形成的角度的Μ/S值的變化(點(diǎn)線)以及相對(duì)于由旋轉(zhuǎn)軸與溝槽44e形成的角度的溝槽壁表面44el的角度α (實(shí)線)的曲線圖。當(dāng)Μ/S值在相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的溝槽44e的角度為O度時(shí)被設(shè)定為約28mg/cm2時(shí)，可通過(guò)設(shè)定以上的角度獲得大致均一的Μ/S分布。
[0063]在這種情況下，縱向方向上的顯影套筒44上的Μ/S不規(guī)則性落在28.0mg/cm2至30.5mg/cm2的范圍中。因此，通過(guò)根據(jù)顯影劑調(diào)節(jié)部件42的撓曲量即S-B間隙最優(yōu)化顯影套筒44的表面的溝槽深度，改善了濃度不均勻性。
[0064]在上述的第一到第三實(shí)施例中，通過(guò)蝕刻形成溝槽，但是，在本實(shí)施例中，通過(guò)拉拔成型(pultrus1n molding)或擠出成型(extrus1n molding)來(lái)形成溝槽44e。首先，在旋轉(zhuǎn)Φ20πιπι的鋁筒形基管(顯影套筒基管)的同時(shí)，將用于形成V形溝槽的刀片插入到設(shè)置在周邊上的拉拔模具。然后，僅在中心部分的附近停止旋轉(zhuǎn)。之后，在插入的相反方向上旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，向另一端部拔出刀片。然后，為了刮掉不必具有顯影劑傳輸能力的筒形基管的兩端處的溝槽，通過(guò)使用拋光裝置以約80 μπι至100 μπι的深度研磨兩端15_，執(zhí)行鏡面精加工(mirror-f inish)。
[0065]根據(jù)本發(fā)明，即使顯影劑調(diào)節(jié)部件被吸引到磁體部件并且顯影套筒與顯影劑調(diào)節(jié)部件之間的距離變小，也可以抑制輸出圖像的濃度不均勻性。
[0066]雖然已參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但要理解，本發(fā)明不限于公開(kāi)的示例性實(shí)施例。所附的權(quán)利要求的范圍要被賦予最寬的解釋。以包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
[0067]本申請(qǐng)要求在2014年2月4日提交的日本專利申請(qǐng)N0.2014-019312的權(quán)益，在此通過(guò)引用而并入其全部?jī)?nèi)容。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯影器件，包括: 顯影劑承載部件，承載包含調(diào)色劑和載體的兩組分顯影劑； 磁體部件，設(shè)置在顯影劑承載部件內(nèi)，磁體部件使得顯影劑承載部件通過(guò)磁力在顯影劑承載部件上承載兩組分顯影劑；以及 顯影劑調(diào)節(jié)部件，調(diào)節(jié)承載于顯影劑承載部件上的顯影劑的層厚，顯影劑調(diào)節(jié)部件由磁性材料制成，顯影劑調(diào)節(jié)部件在縱向方向上的兩個(gè)端部處被固定， 其中，在顯影劑承載部件的表面上形成溝槽，并且顯影劑承載部件的縱向方向上的中心部分處的溝槽的顯影劑傳輸力大于顯影劑承載部件的縱向方向上的端部處的溝槽的顯影劑傳輸力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影器件， 其中，溝槽被成形，以使得隨著顯影劑承載部件的縱向方向上的位置更靠近顯影劑承載部件的縱向方向上的中心部分，溝槽的顯影劑傳輸力變大。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯影器件， 其中，隨著顯影劑承載部件的縱向方向上的位置更靠近顯影劑承載部件的中心部分，溝槽的深度變深。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯影器件， 其中，隨著顯影劑承載部件的縱向方向上的位置更靠近顯影劑承載部件的中心部分，溝槽的旋轉(zhuǎn)方向上的上游側(cè)的溝槽壁表面的角度變大。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯影器件， 其中，隨著顯影劑承載部件的縱向方向上的位置更靠近顯影劑承載部件的中心部分，溝槽的數(shù)量變多。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯影器件， 其中，溝槽在顯影劑承載部件的縱向方向上的中心部分處與縱向方向平行地形成，并且隨著顯影劑承載部件的縱向方向上的位置更靠近端部，對(duì)于縱向方向更傾斜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影器件， 其中，溝槽的寬度大于顯影劑的載體的一個(gè)粒子的直徑，并且溝槽的深度大于所述直徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯影器件， 其中，溝槽的寬度大于顯影劑的載體的一個(gè)粒子的直徑，并且溝槽的深度大于所述直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯影器件， 其中，溝槽的寬度大于顯影劑的載體的一個(gè)粒子的直徑，并且溝槽的深度大于所述直徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯影器件， 其中，溝槽的寬度大于顯影劑的載體的一個(gè)粒子的直徑，并且溝槽的深度大于所述直徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯影器件， 其中，溝槽的寬度大于顯影劑的載體的一個(gè)粒子的直徑，并且溝槽的深度大于所述直徑。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯影器件， 其中，溝槽的寬度大于顯影劑的載體的一個(gè)粒子的直徑，并且溝槽的深度大于所述直徑。
13.一種圖像形成裝置，包括: 承載靜電潛像的圖像承載部件；以及 根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的顯影器件，所述顯影器件顯影在圖像承載部件上承載的靜電潛像。
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯影器件和圖像形成裝置。顯影器件包括：顯影劑承載部件，承載包含調(diào)色劑和載體的兩組分顯影劑；磁體部件，設(shè)置在顯影劑承載部件內(nèi)，磁體部件使得顯影劑承載部件通過(guò)磁力在顯影劑承載部件上承載兩組分顯影劑；以及顯影劑調(diào)節(jié)部件，調(diào)節(jié)承載于顯影劑承載部件上的顯影劑的層厚，顯影劑調(diào)節(jié)部件由磁性材料制成，顯影劑調(diào)節(jié)部件在縱向方向上的兩個(gè)端部處被固定，其中，在顯影劑承載部件的表面上形成溝槽，并且顯影劑承載部件的縱向方向上的中心部分處的溝槽的顯影劑傳輸力大于顯影劑承載部件的縱向方向上的端部處的溝槽的顯影劑傳輸力。
【IPC分類】G03G15-01, G03G15-09
【公開(kāi)號(hào)】CN104820350
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510047924
【發(fā)明人】重廣浩司
【申請(qǐng)人】佳能株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年8月5日
【申請(qǐng)日】2015年1月30日
【公告號(hào)】US20150220017