陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]現有的液晶顯示(Liquid Crystal Display，IXD)裝置中，陣列(Array)基板的透光區(qū)域里常需要設置用于在液晶層中產生特定電場的透明電極。其中，為了保持不同像素在顯示上的均一性，需要設置一加載有公共電壓Vcom的電極。由于公共電壓Vcom需要在陣列基板的表面上傳輸，因而會隨電極材料電阻的大小在距離電壓連接端較遠的位置處產生不同程度的壓降。
[0003]考慮到透明導電材料的電阻遠大于不透明金屬材料的電阻(比如氧化銦錫的方塊電阻約在35 Ω左右，而金屬的方塊電阻要小于0.5 Ω)，現有技術常會選擇電阻較小的不透明金屬材料來制成用于傳輸公共電壓Vcom的金屬線，使得所有像素中的公共電壓Vcom的均一性可以得到保障。但是，上述公共電壓金屬線的設置會不可避免地會在透光區(qū)域內占據一定面積，使得陣列基板上部分的透光區(qū)域成為不透光的區(qū)域，造成像素的開口率的減小以及顯示透過率的降低。

【發(fā)明內容】

[0004]針對現有技術中的缺陷，本發(fā)明提供一種陣列基板及顯示裝置，可以解決設置公共電壓金屬線會減小像素開口率的問題。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括多行掃描線和多列數據線，所述多行掃描線與所述多列數據線交叉限定出若干個像素單元；所述像素單元包括透光區(qū)域，所述透光區(qū)域內包括第一透明電極與第二透明電極；在任一所述像素單元中，還包括:
[0006]第一開關模塊，所述第一開關模塊的第一端與一列所述數據線相連，第二端與所述第一透明電極相連，第三端連接所述多行掃描線中與該像素單元對應的第一掃描線；所述第一開關模塊用于在第三端所接信號為第一電平時導通第一端與第二端；
[0007]第二開關模塊，所述第二開關模塊的第一端與所述第二透明電極相連，第二端和第三端分別連接除所述第一掃描線之外的任意一行所述掃描線；所述第二開關模塊用于在第三端所接信號為第二電平時導通第一端與第二端。
[0008]可選地，任一所述像素單元中的所述第二開關模塊的第二端和第三端連接所述多行掃描線中與該像素單元對應的第二掃描線；所述多行掃描線中，所述第一掃描線與所述第二掃描線為相鄰兩行的掃描線。
[0009]可選地，所述陣列基板還包括與所述多行掃描線相連的掃描驅動電路，所述掃描驅動電路用于向所述多行掃描線提供所述第二電平，還用于逐行地向掃描線提供一工作在所述第一電平上的脈沖信號。
[0010]可選地，所述第一透明電極與所述第二透明電極位于所述陣列基板的厚度方向上的不同位置處。
[0011]可選地，同一所述透明區(qū)域內，所述第一透明電極與所述第二透明電極在彼此的至少部分區(qū)域內相互交疊。
[0012]可選地，相互交疊的第一透明電極與第二透明電極構成存儲電容的兩個電極，該存儲電容用于保持所述第一透明電極上的電位。
[0013]可選地，所述第一透明電極包括至少一個開口部，并與所述第二透明電極在所述陣列基板的厚度方向上的不同位置處相對設置。
[0014]可選地，所述第一開關模塊為N型薄膜晶體管，所述第二開關模塊為P型薄膜晶體管；或者，所述第一開關模塊為P型薄膜晶體管，所述第二開關模塊為N型薄膜晶體管。
[0015]可選地，所述第一開關模塊和所述第二開關模塊位于所述透光區(qū)域之外。
[0016]第二方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任意一種的陣列基板。
[0017]由上述技術方案可知，本發(fā)明基于第二開關模塊的設置，可以使用其他行的掃描線來為第二透明電極提供所有像素單元的公共電壓Vcom，因而可以替代掉現有技術中減小像素開口率的公共電壓金屬線，解決設置公共電壓金屬線會減小像素開口率的問題。
[0018]而且，本發(fā)明適用于多種類型的顯示裝置，比如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)、ADS(Advanced Super Dimens1n Switch，高級超維場轉換型)、IPS(In-PlaneSwitching，平面轉換型)和VA(Vertical Alignment，垂直對準型)等，具有廣泛的應用場景。具體地，根據類型、結構設計以及制作工藝的不同，本發(fā)明可以對像素開口率起到10% -30%的提升效果，并可以對顯示透過率起到5% -20%的提升效果。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1是本發(fā)明一個實施例中一種陣列基板的局部結構示意圖；
[0021]圖2是本發(fā)明一個實施例中像素單元的局部電路結構圖；
[0022]圖3是本發(fā)明一個實施例中陣列基板在像素單元內的結構示意圖；
[0023]圖4是圖3所示的陣列基板在一個厚度位置處的剖面結構示意圖；
[0024]圖5是圖3所示的陣列基板在另一厚度位置處的剖面結構示意圖；
[0025]圖6是一種包括公共電壓金屬線的陣列基板在像素單元內的結構示意圖；
[0026]圖7是圖6所示的陣列基板在一個厚度位置處的剖面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0027]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0028]圖1是本發(fā)明一個實施例中一種陣列基板的局部結構示意圖，并具體示出了該陣列基板在俯視平面上的一部分區(qū)域作為示例。參見圖1，該陣列基板包括多行掃描線(如圖I中G1、G2、G3所示的相鄰的三行掃描線)和多列數據線(如圖1中D1、D2、D3、D4所示的相鄰的四列數據線)。從而，上述多行掃描線與上述多列數據線交叉限定出若干個像素單元，每個所述像素單元都包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域，例如圖1中由虛線方框表示的透光區(qū)域Al和圍繞該虛線方框的不透光區(qū)域A2所示。在圖1中未示出的是，該陣列基板在任一像素單元的上述透光區(qū)域內包括第一透明電極El與第二透明電極E2，還包括第一開關模塊Kl與第二開關模塊K2。
[0029]為敘述方便，下面以掃描線G1、G2與數據線D1、D2交叉限定出的像素單元為例，具體說明上述陣列基板在像素單元內的電路結構。圖2是該像素單元的局部電路結構圖。參見圖2:
[0030]第一開關模塊Kl包括第一端、第二端和第三端(在圖2中分別由①、②、③表不)，第一開關模塊Kl的第一端與一列數據線Dl相連，第二端與上述第一透明電極El相連，第三端連接上述多行掃描線中與該像素單元對應的第一掃描線G2。具體地，該第一開關模塊Kl用于在第三端所接信號為第一電平時導通第一端與第二端。
[0031]第二開關模塊K2也包括第一端、第二端和第三端(在圖2中分別由①、②、③表示)，第二開關模塊的第一端與上述第二透明電極E2相連，第二端和第三端分別連接除所述第一掃描線G2之外的任意一行