所選取的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度。
[0082]需要說明的是，上述第一、二、三層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形為廣義上的連續(xù)三層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形，并不僅僅限于最初形成的第一、二、三層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形1、2、3，因此，上述過程可以推廣至4次、5次甚至更多次曝光工藝中的任意連續(xù)三層的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的制造。
[0083]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖7，在4次以上曝光制程中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制造方法包括固定一前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形作為被對(duì)準(zhǔn)圖形，實(shí)現(xiàn)跨層次的對(duì)準(zhǔn)量測，具體如下:
[0084]光刻并刻蝕出用于固定的被對(duì)準(zhǔn)的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形01 ；
[0085]依據(jù)前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形01的套刻精度，依次建立與前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形01對(duì)準(zhǔn)的三層連續(xù)的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形11、12、13 ；
[0086]分別測量光刻對(duì)準(zhǔn)圖形11、12、13相對(duì)于前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形01的套刻精度。
[0087]上述過程中，三次光刻選取的被對(duì)準(zhǔn)圖形是固定的、唯一不變的，這樣的方式剔除了前層被對(duì)準(zhǔn)圖形改變帶來的不可預(yù)知性，減小了對(duì)準(zhǔn)精度的誤差與高階部分，保證了光刻工藝對(duì)準(zhǔn)精度的準(zhǔn)確性、唯一性，并且減少了占用空間。
[0088]綜上所述，本發(fā)明的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)及其制造方法，是一種多層次相互對(duì)準(zhǔn)精度圖形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及其制造方法，可運(yùn)用于多種光刻工藝制程之中，根據(jù)不同需求，隨意匹配，以達(dá)到不變應(yīng)萬變的對(duì)準(zhǔn)要求。首先這種結(jié)構(gòu)可有效地減少芯片生產(chǎn)過程中檢測圖形所占用的面積，節(jié)省的面積可用于增加額外的芯片面積，也可用于放置其它測試圖形。其次本發(fā)明還可對(duì)已原有無法量測的層次間建立對(duì)準(zhǔn)量測橋梁進(jìn)行量測，為事后風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估打下基礎(chǔ)。再者，本發(fā)明可以提高量測穩(wěn)定性，減小量測誤差。最后，本發(fā)明亦可用于先進(jìn)制程雙重曝光Double Patterning光刻層對(duì)準(zhǔn)精度量測，并可減小其對(duì)準(zhǔn)誤差和高階補(bǔ)償部分。
[0089]顯然，以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的方法和處理過程應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括在各層上按時(shí)間順序依次形成的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形；所有光刻對(duì)準(zhǔn)圖形在向任意層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形所在平面投影時(shí)，均相對(duì)同一中心呈中心對(duì)稱圖形，且所有光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的投影按照光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的形成順序由內(nèi)向外依次嵌套和擴(kuò)展；每層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形包含至少兩個(gè)相互垂直的方向上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形建立時(shí)，選取至少一層前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形用作被對(duì)準(zhǔn)圖形，所述當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形依據(jù)選取的各個(gè)前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的套刻精度而建立，并與選取的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形對(duì)準(zhǔn)，且所述當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于所選取的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形中相應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的套刻精度被用于后層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的建立。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光刻對(duì)準(zhǔn)圖形為通孔型、線型或溝道型結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，每層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的長寬尺寸相同或不同，每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的線寬相同或不同。
4.如權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰兩層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形構(gòu)成的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)包括內(nèi)框、外框、及內(nèi)框與外框間隔區(qū)的溝道及光刻膠。
5.如權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)為雙重曝光制程的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)時(shí)，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)包括一層用于被對(duì)準(zhǔn)的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形以及一層用于對(duì)準(zhǔn)的當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形，所述前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形為內(nèi)框，所述當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形為外框。
6.如權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)適用于I線光刻機(jī)、KrF光刻機(jī)、ArF光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)的至少一種。
7.—種權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 按時(shí)間順序依次光刻并刻蝕出至少一層用于被對(duì)準(zhǔn)的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形； 選取至少一層所述前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形用作當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形建立時(shí)的被對(duì)準(zhǔn)圖形，并根據(jù)所選取的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度，建立與所選取的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形均對(duì)準(zhǔn)的當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，根據(jù)所選取的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度，建立與所選取的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形均對(duì)準(zhǔn)的當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形，包括: 根據(jù)所選取的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度，在當(dāng)層建立內(nèi)框和外框； 分別測量所述內(nèi)框和外框相對(duì)于所選取的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度； 將測量的套刻精度的平均值作為當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度； 對(duì)當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形進(jìn)行蝕刻，以作為后層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的被對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記； 選取至少一層所述前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形和/或蝕刻后的當(dāng)層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形用作所述后層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形建立時(shí)的被對(duì)準(zhǔn)圖形，并根據(jù)所選取的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度，建立與所選取的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形均對(duì)準(zhǔn)的后層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述制造方法應(yīng)用于3次以上曝光制程時(shí)，包括: 光刻并刻蝕出用于被對(duì)準(zhǔn)的第一層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形； 依據(jù)第一層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度，建立與第一層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形對(duì)準(zhǔn)的第二層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形，并測量第二層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形相對(duì)于第一層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度； 對(duì)第二層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形進(jìn)行蝕刻，以作為第三層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的被對(duì)準(zhǔn)圖形； 選取第一層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形作為第三層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的被對(duì)準(zhǔn)圖形，依據(jù)所選取的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度，建立與所選取的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形對(duì)準(zhǔn)的第三層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形，并測量第三層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形相對(duì)于所選取的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述制造方法應(yīng)用于4次以上曝光制程時(shí)，包括: 光刻并刻蝕出用于固定的被對(duì)準(zhǔn)的前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形； 依據(jù)前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度，依次建立與前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形對(duì)準(zhǔn)的三層連續(xù)的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形； 分別測量三層連續(xù)的光刻對(duì)準(zhǔn)圖形相對(duì)于前層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的套刻精度。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)及其制造方法，是一種多層次相互對(duì)準(zhǔn)精度圖形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及其制造方法，所有光刻對(duì)準(zhǔn)圖形在向任意層光刻對(duì)準(zhǔn)圖形所在平面投影時(shí)，均相對(duì)同一中心呈中心對(duì)稱圖形，且所有光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的投影按照光刻對(duì)準(zhǔn)圖形的形成順序由內(nèi)向外依次嵌套和擴(kuò)展，可運(yùn)用于多種光刻工藝制程之中，根據(jù)不同需求，隨意匹配，以達(dá)到不變應(yīng)萬變的對(duì)準(zhǔn)要求，能夠滿足不同層次間光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的相互對(duì)準(zhǔn)要求，同時(shí)可以兼顧傳統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)量測和3次曝光、4次曝光所需的對(duì)準(zhǔn)量測，而且比較節(jié)省切割道的空間，降低成本。
【IPC分類】G03F9-00, G03F7-20
【公開號(hào)】CN104698773
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510149621
【發(fā)明人】王艷云, 毛智彪, 楊正凱, 羅華明
【申請(qǐng)人】上海華力微電子有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請(qǐng)日】2015年3月31日