專利名稱:液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示(LCD)裝置，更具體地涉及LCD的陣列基板及其制造方法。
背景技術：
信息社會的快速發(fā)展產(chǎn)生了對具有諸如外形薄、重量輕和能耗低的特性的平板顯示器的需求。因為液晶顯示(LCD)裝置具有優(yōu)異的顏色再現(xiàn)性，所以LCD裝置處于活躍的發(fā)展中以用作平板顯示器。
通常，LCD裝置包括兩個基板，這兩個基板均在一個表面上具有電極。這兩個基板布置成使得其上具有電極的表面彼此面對，并且在這兩個基板之間插入液晶(LC)層。通過在電極間施加電壓而在電極之間產(chǎn)生電場。該電場改變液晶層中的液晶分子的配向，由此改變LCD裝置的透光率以顯示圖像。
LCD裝置可以有多種類型。有源矩陣(AM)型LCD裝置因為具有良好的分辨率并且在顯示運動圖像方面表現(xiàn)突出而引入注目，AM型LCD裝置具有以矩陣排列的薄膜晶體管(TFT)和與TFT相連的像素電極。
在LCD裝置中，像素電極形成在作為下基板的陣列基板上，并且公共電極形成在作為上基板的濾色器基板上。LCD裝置利用上基板與下基板之間施加的垂直電場來驅(qū)動LC分子。LCD裝置具有優(yōu)異的透射率和孔徑比特性，并且上基板上形成的公共電極用作地，從而可以防止因靜電導致LC單元受損。
LCD裝置的上基板還包括黑底(black matrix，BM)，以防止LCD裝置的除了像素電極之外的部分透光而出現(xiàn)漏光。
通過反復地進行光刻工序而形成作為LCD裝置的下基板的陣列基板，所述光刻工序包括淀積材料薄層并使用掩模對該薄層進行蝕刻。通常使用四個或五個掩模，其中掩模的數(shù)量代表了用于制造陣列基板的光刻工序的數(shù)量。
下面將參照附圖來描述現(xiàn)有技術的LCD裝置的陣列基板及其制造方法。
圖1是現(xiàn)有技術的LCD裝置的陣列基板的平面圖，而圖2是沿圖1的線I-I’剖取的剖視圖。
參照圖1和圖2，在LCD裝置的陣列基板中，在透明絕緣基板110上形成有水平的選通線121和從選通線121延伸出來的柵極122。
在透明絕緣基板110的包括選通線121和柵極122在內(nèi)的整個表面上形成柵絕緣層130，并且在柵絕緣層130上順次形成有源層141以及歐姆接觸層151和152。
在歐姆接觸層151和152上形成有與選通線121垂直交叉的數(shù)據(jù)線161、從數(shù)據(jù)線161延伸出來的源極162、與源極162面對的漏極163、以及與選通線121交疊的電容電極165，在源極162和漏極163之間夾著柵極122。
數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163以及電容電極165被鈍化層170覆蓋。鈍化層170具有分別使漏極163和電容電極165露出的第一接觸孔171和第二接觸孔172。
在鈍化層170的位于由彼此交叉的選通線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)中的部分上形成有像素電極181。像素電極181通過第一接觸孔171和第二接觸孔172而與漏極163和電容電極165相連。
可以通過使用五個掩模的光刻工藝來制造具有上述構(gòu)造的現(xiàn)有技術的用于LCD裝置的陣列基板。所述光刻工藝包括各種處理，例如清洗、涂布感光層、曝光和顯影處理以及蝕刻。
當光刻工序的數(shù)量減少時，制造時間顯著減少，制造成本降低，并且制造出的具有缺陷的裝置的比例也減少。因此，期望減少用于制造陣列基板的掩模的數(shù)量。

發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明針對一種用于LCD裝置的陣列基板及其制造方法，其基本上克服了由于現(xiàn)有技術的局限和缺點而導致的一個或多個問題。
本發(fā)明的優(yōu)點在于提供一種用于LCD裝置的陣列基板及其制造方法，該陣列基板簡化了制造工藝并減少了用于制造LCD裝置的掩模的數(shù)量。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的說明中進行闡述，這些特征和優(yōu)點可以通過說明書而部分地明了，或者可以通過本發(fā)明的實踐而體驗到。通過說明書、權(quán)利要求
書和附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，并且根據(jù)本文中所具體體現(xiàn)和廣泛描述的發(fā)明目的，提供了一種用于LCD裝置的陣列基板，該陣列基板包括形成在所述基板上的選通線、柵極、選通焊盤和像素電極；形成在所述基板上的除了所述像素電極之外的部分上的柵絕緣層；與和所述選通線交叉的數(shù)據(jù)線相連的源極、與所述源極面對的漏極、形成在所述數(shù)據(jù)線的一端處的數(shù)據(jù)焊盤、以及與所述像素電極和所述選通線部分交疊的電容電極；包括所述源極與所述漏極之間的溝道的半導體圖案；分別形成在所述選通焊盤、所述數(shù)據(jù)焊盤、所述電容電極和所述漏極中的第一、第二、第三和第四接觸孔；以及分別形成在所述第一、第二、第三和第四接觸孔中的第一、第二、第三和第四接觸電極。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種制造LCD裝置的陣列基板的方法，該方法包括在基板上形成透明導電層；在所述透明導電層上形成不透明導電層；對所述透明導電層和所述不透明導電層進行構(gòu)圖，以形成選通線、柵極、選通焊盤和透明像素電極，其中所述選通線、所述柵極和所述選通焊盤均包括所述不透明導電層的部分和所述透明導電層的部分；在所述基板上順次形成柵絕緣層、半導體層和數(shù)據(jù)金屬層；在所述數(shù)據(jù)金屬層上形成具有不同厚度的多個區(qū)域的第二光刻膠圖案；利用所述第二光刻膠圖案作為掩模而對所述柵絕緣層、所述半導體層和所述數(shù)據(jù)金屬層進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)焊盤、電容電極和至少一個接觸孔；在所述第二光刻膠圖案上形成接觸電極層和第三光刻膠層，并對所述第三光刻膠層進行灰化以在所述至少一個接觸孔內(nèi)形成灰化后的第三光刻膠圖案；使用灰化后的第三光刻膠圖案對所述接觸電極層進行蝕刻，以在所述至少一個接觸孔的每一個中形成接觸電極；對所述第二光刻膠圖案進行灰化以使所述數(shù)據(jù)金屬層的一部分露出，并使用所述第二光刻膠圖案對所述數(shù)據(jù)金屬層的露出部分進行蝕刻以在漏極和與所述數(shù)據(jù)線相連的源極之間形成溝道；以及除去灰化后的第二光刻膠圖案和灰化后的第三光刻膠圖案。
應當理解，上文的概述與下文的詳述都是示例性和解釋性的，旨在提供對如權(quán)利要求
所述發(fā)明的進一步解釋。
附圖幫助更好地理解本發(fā)明，并構(gòu)成本申請的一部分，附圖顯示了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是現(xiàn)有技術的LCD裝置的陣列基板的平面圖；圖2是沿圖1的線I-I’剖取的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的平面圖；圖4是沿著圖3的線II-II’、III-III’和IV-IV’剖取的剖視圖；以及圖5A至圖5K是表示用于制造LCD裝置的陣列基板的過程的圖。
具體實施方式下面將詳細地說明本發(fā)明的實施例，在附圖中示出了其示例。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的平面圖，而圖4是沿著圖3的線II-II’、III-III’和IV-IV’剖取的剖視圖。
參照圖3和圖4，根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD裝置的陣列基板包括水平布置在透明絕緣基板210上的選通線221、和從選通線221延伸出來的柵極222。
在形成了選通線221的層上形成有像素電極281。
通過在透明電極圖案281a上疊置不透明導電層222a而形成選通線221和柵極222。
像素電極281是透明導電電極。像素電極281可以由具有優(yōu)異透光率的透明導電材料形成，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。不透明導電層222a可以由從包括Cu、Al、AlNd、Mo、Cr、Ti、Ta和MoW的組中選擇的金屬形成。
選通焊盤277從選通線221延伸出來。通過在透明電極圖案281a上疊置不透明導電層222a而形成選通焊盤277。在選通焊盤277上隔著柵絕緣層230形成有島狀的半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層圖案279的疊置圖案。在半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層圖案279中形成有選通焊盤接觸孔253，以使不透明導電層222a露出。半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層圖案279均與選通焊盤接觸電極258側(cè)邊接觸，該選通焊盤接觸電極258通過選通焊盤接觸孔253與選通焊盤277接觸。
半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層260與選通焊盤277側(cè)邊接觸意味著半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層260的由通焊盤接觸孔253形成的側(cè)部均通過選通焊盤接觸電極258與選通焊盤277接觸。
半導體層241具有這樣的結(jié)構(gòu)順次疊置由非晶硅(a-Si)層形成的半導體層和通過注入雜質(zhì)離子而形成的半導體層。
另外，數(shù)據(jù)線261與選通線221交叉而限定像素區(qū)P。在像素區(qū)P中形成有從數(shù)據(jù)線261延伸出來的源極262、隔著柵極222與源極262面對的漏極263、以及與選通線221交疊的電容電極265。
在電容電極265與由選通線221延伸出的區(qū)域形成的電容下電極225之間的部分上形成有存儲電容。
漏極263通過穿過柵絕緣層230的漏接觸孔251而與像素電極281側(cè)邊接觸。像素電極281和漏極263通過漏接觸孔251而與漏接觸電極256接觸。
在順次疊置半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層260之后，利用衍射曝光統(tǒng)一地形成數(shù)據(jù)線261、電容電極265、源極262以及漏極263。半導體層241形成在數(shù)據(jù)線261下方，并且在源極262與漏極263之間除去數(shù)據(jù)金屬層260的預定部分，以使半導體層241的一部分露出而形成溝道。
電容電極265的一部分與選通線221的預定部分交疊，并且電容電極265的另一部分隔著柵絕緣層230形成在像素電極281之上。
像素電極281通過穿過柵絕緣層230和半導體層241的電容接觸孔252而與電容電極265側(cè)邊接觸。像素電極281和電容電極265均通過電容接觸孔252與電容接觸電極257側(cè)邊接觸。結(jié)果，在柵絕緣層230的位于電容電極265與選通線221之間的部分上形成了存儲電容。
當形成數(shù)據(jù)線261時，在數(shù)據(jù)線261的一端處形成數(shù)據(jù)焊盤278。數(shù)據(jù)焊盤278通過疊置半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層260而形成，并具有穿過柵絕緣層230、半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層260的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254。在數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254內(nèi)部形成有數(shù)據(jù)焊盤接觸電極259，以允許數(shù)據(jù)金屬層260與數(shù)據(jù)焊盤接觸電極259側(cè)邊接觸。
漏接觸電極256、電容接觸電極257、選通焊盤接觸電極258和數(shù)據(jù)焊盤上電極由諸如ITO和IZO的透明導電材料形成。
數(shù)據(jù)金屬層260可以由從包括Cu、Al、AlNd、Mo、Cr、Ti、Ta和MoW的組中選擇的材料形成。
對摻有雜質(zhì)的半導體層241進行蝕刻，并在形成于源極262與漏極之間的溝道上形成溝道鈍化層277a。
另外，還在源極262、漏極263、數(shù)據(jù)線261、電容電極265和選通焊盤277的數(shù)據(jù)金屬層260上形成氧化層277b。
圖5A至圖5K是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造LCD裝置的陣列基板的過程的圖，示出了與圖3的線II-II’、III-III’和IV-IV’相對應的剖視圖。
參照圖5A，在基板210上順次疊置透明導電材料層280和不透明導電層222a。如圖5B所示，使用第一掩模工序?qū)ΟB置的透明導電層280和不透明導電層222a進行構(gòu)圖，以形成具有疊置的透明電極圖案281a和不透明導電層222a的選通線221和柵極222。除去不透明導電層222a的一部分，以形成由透明導電材料形成的像素電極281。
透明導電材料可以是從包括ITO、IZO和銦錫鋅氧化物(ITZO)的組中選擇的一種。不透明導電層222a可以由從包括Cu、Al、AlNd、Mo、Cr、Ti、Ta和MoW的組中選擇的一種材料形成。
下面將詳細地描述第一掩模工序。
第一掩模工序可以使用衍射掩?；虬肷{(diào)掩模。在順次疊置有透明導電材料和柵金屬層的基板上形成第一光刻膠層290，并且在該基板上對準衍射掩模和半色調(diào)掩模之一。
衍射掩模和半色調(diào)掩模包括完全透射光的透射區(qū)、完全阻擋光的阻擋區(qū)，以及半透射區(qū)(當使用光衍射時，在光通過衍射掩模中的光柵時出現(xiàn)光的部分透射)。
使用衍射掩?；虬肷{(diào)掩模對第一光刻膠層290進行曝光并顯影，從而形成具有不同厚度的多個區(qū)域的第一光刻膠圖案。
參照圖5B，當通過使用具有不同厚度的多個區(qū)域的第一光刻膠圖案作為掩模的蝕刻工藝對透明導電材料和柵金屬層進行構(gòu)圖時，形成疊置有透明電極圖案281a和不透明導電層222a的選通線221、柵極222和選通焊盤277，并除去不透明導電層222a的部分以形成由透明導電材料形成的像素電極281。
隨后，如圖5C所示，在形成有選通線221和像素電極281的基板210上順次形成柵絕緣層230、半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層260?？梢栽跀?shù)據(jù)金屬層260上形成鈍化層。
這里，半導體層241具有這樣的結(jié)構(gòu)順次疊置由非晶硅(a-Si)層形成的半導體層和通過注入雜質(zhì)離子而形成的半導體層。
如圖5D至圖5I所示，利用第二掩模工序?qū)Π雽w層241和數(shù)據(jù)金屬層260進行構(gòu)圖，以形成TFT。
首先，如圖5D和圖5E所示，在包括柵絕緣層230、半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層260的基板210上形成第二光刻膠層291。使用衍射掩?；虬肷{(diào)掩模對第二光刻膠層進行構(gòu)圖，以形成具有不同厚度的多個區(qū)域的第二光刻膠圖案291。
通過參考上述第一掩模工序可以理解使用衍射掩模或半色調(diào)掩模來形成第二光刻膠圖案291的細節(jié)。
第二光刻膠圖案291包括具有第一厚度的區(qū)域291a和具有第二厚度(第一厚度大于第二厚度)的區(qū)域291b，并且使漏接觸孔251、電容接觸孔252、像素電極281、選通焊盤接觸孔253和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254露出。
使用第二光刻膠圖案291作為掩模對數(shù)據(jù)金屬層260、半導體層241和柵絕緣層230的通過漏接觸孔251、電容接觸孔252、像素電極281、選通焊盤接觸孔253和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254露出的部分進行蝕刻。
對數(shù)據(jù)金屬層260和半導體層241進行構(gòu)圖，以形成與選通線221交叉的數(shù)據(jù)線261、從數(shù)據(jù)線261延伸出去的源極262和漏極263(不與源極262間隔開)、形成在選通線221和像素電極281的部分上的電容電極265、形成在數(shù)據(jù)線261的一端處的數(shù)據(jù)焊盤278、以及島形地形成在選通焊盤277上的半導體層圖案和數(shù)據(jù)金屬層圖案279。
漏極263的一部分延伸到像素電極281上，以形成使像素電極281的預定部分露出的漏接觸孔251。
電容電極265隔著柵絕緣層230與像素電極281的一部分交疊，并且電容電極265包括使像素電極281的一部分露出的電容接觸孔252。
在選通焊盤277上隔著柵絕緣層230島狀地形成的半導體層圖案和數(shù)據(jù)金屬層圖案279包括使選通焊盤277的預定部分露出的選通焊盤接觸孔253。
數(shù)據(jù)焊盤278包括使基板210的預定部分露出的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254。
可以設置一個以上的漏接觸孔251、電容接觸孔252、選通焊盤接觸孔253和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254。
可以通過等離子體灰化來處理第二光刻膠層的表面，以改善第二光刻膠層291與如下面所述待形成在第二光刻膠層291上的諸如透明導電材料的接觸電極層255之間的附著性。在等離子體處理期間，第二光刻膠層291的表面的一部分被稍微腐蝕掉，以除去第二光刻膠層291上的聚合物層。使用氧(O)和氟(F)的蝕刻步驟可以在第二光刻膠層291的表面上形成薄聚合物層。通過來自第二光刻膠層291的C原子與來自蝕刻氣體的F之間的反應而形成該聚合物層?？梢栽谑褂玫诙饪棠z層291作為掩模來蝕刻數(shù)據(jù)金屬層、半導體層241和柵絕緣層230的步驟之后，進行等離子體處理。
隨后，參照圖5F，在基板210上形成接觸電極層255，并且在接觸電極層255上形成第三光刻膠層292。第三光刻膠層292可以具有從大約1μm到大約3μm范圍內(nèi)的厚度。
接觸電極層255可以由諸如ITO、IZO的透明導電材料和諸如從包括Mo、Ti、Ti合金的組中選擇的至少一種的金屬形成。
透明導電材料通過漏接觸孔251、電容接觸孔252、選通焊盤接觸孔253和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254而與像素電極281、選通焊盤277、基板210的露出部分接觸。
如圖5G所示，對第三光刻膠層292進行灰化，之后僅留下第三光刻膠圖案292a的形成在狹孔(如漏接觸孔251、電容接觸孔252、選通焊盤接觸孔253和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254)中的部分，而第三光刻膠圖案292a的其它部分被除去。
隨后，如圖5H所示，對透明導電材料255的通過灰化后的第三光刻膠層292露出的部分進行蝕刻。
在蝕刻過程中，使用第三光刻膠圖案292a的形成在狹孔(如漏接觸孔251、電容接觸孔252、選通焊盤接觸孔253和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254)中的部分，分別在漏接觸孔251、電容接觸孔252、選通焊盤接觸孔253和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254中形成漏接觸電極256、電容接觸電極257、選通焊盤接觸電極258和數(shù)據(jù)焊盤接觸電極259。
漏極263通過穿過柵絕緣層230的漏接觸孔251而與像素電極281側(cè)邊接觸。此時，像素電極281和漏極263通過漏接觸孔251而與漏接觸電極256側(cè)邊接觸。
像素電極281通過穿過柵絕緣層230和半導體層241的電容接觸孔252而與電容電極265側(cè)邊接觸。像素電極281和電容電極265通過電容接觸孔252而與電容接觸電極257側(cè)邊接觸。
在電容電極265與包括選通線的延伸區(qū)域的電容下電極225之間形成有存儲電容。
選通焊盤277通過形成在選通焊盤接觸孔253內(nèi)部的選通焊盤接觸電極258而與半導體層241和數(shù)據(jù)金屬層260側(cè)邊接觸。
數(shù)據(jù)焊盤278包括數(shù)據(jù)焊盤接觸電極259，其形成在數(shù)據(jù)焊盤接觸孔254內(nèi)部以與數(shù)據(jù)金屬層260側(cè)邊接觸。
接著，如圖5I所示，對具有不同厚度的多個區(qū)域的第二光刻膠圖案291進行灰化以除去具有第二厚度的區(qū)域291b，從而可以對源極262與漏極263之間的數(shù)據(jù)金屬層260進行蝕刻以使半導體層241的溝道區(qū)域露出。
通過除去半導體層241的摻雜半導體層而形成溝道。
隨后，如圖5J所示，除去第二光刻膠圖案291a和第三光刻膠圖案292a。
最后，如圖5K所示，對基板210進行氣體等離子處理。此時，使半導體層241的位于溝道區(qū)域中的露出表面暴露到Ox(例如，O2)或Nx(例如，N2)等離子體中，以使離子態(tài)的Ox或Nx與半導體層中包含的Si反應，從而在半導體層的位于溝道區(qū)域中的部分上形成SiO2和SiNx之一的溝道鈍化層277a。
溝道鈍化層277a保護溝道區(qū)域的有源層不會受損。
通過防止受損，溝道鈍化層277a可以防止LCD裝置的缺陷并改善圖像質(zhì)量。
另外，使源極262、漏極263、選通焊盤277、數(shù)據(jù)焊盤278和選通線221的金屬暴露于離子態(tài)的氣體等離子體中，從而提供了用作鈍化層的氧化層277b。
因此，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以不形成用于陣列基板的單獨的鈍化層，而在形成溝道鈍化層277a時形成氧化層277b以提供鈍化層。通過避免形成用于陣列基板的單獨的鈍化層，不需要單獨的設備和材料，從而可減少制造成本并可實現(xiàn)薄型LCD裝置。
如上所述，由于可以僅利用兩個掩模工序來制造根據(jù)本發(fā)明實施例的用于LCD裝置的陣列基板，因此可以提高制造產(chǎn)量并可以降低制造成本。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的用于LCD裝置的陣列基板中，可以形成TFT的溝道鈍化層以消除或減少缺陷并提高LCD裝置的圖像質(zhì)量。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明實施例的制造過程中，用于制造LCD裝置的陣列基板的簡化工藝僅使用兩個掩模，從而通過減少掩模的數(shù)量而提高了制造產(chǎn)量并降低了制造成本。
本領域的技術人員很清楚，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明進行各種修改和變型。因而，如果這些修改和變型落入所附權(quán)利要求
及其等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明亦涵蓋這些修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種制造液晶顯示裝置的陣列基板的方法，該方法包括在基板上形成透明導電層；在所述透明導電層上形成不透明導電層；對所述透明導電層和所述不透明導電層進行構(gòu)圖，以形成選通線、柵極、選通焊盤和透明像素電極，其中所述選通線、所述柵極和所述選通焊盤均包括所述不透明導電層的部分和所述透明導電層的部分；在所述基板上順次形成柵絕緣層、半導體層和數(shù)據(jù)金屬層；在所述數(shù)據(jù)金屬層上形成具有不同厚度的多個區(qū)域的第二光刻膠圖案；利用所述第二光刻膠圖案作為掩模，對所述柵絕緣層、所述半導體層和所述數(shù)據(jù)金屬層進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)焊盤、電容電極和至少一個接觸孔；在所述第二光刻膠圖案上形成接觸電極層和第三光刻膠層，并對所述第三光刻膠層進行灰化以在所述至少一個接觸孔內(nèi)形成灰化后的第三光刻膠圖案；使用所述灰化后的第三光刻膠圖案對所述接觸電極層進行蝕刻，以在所述至少一個接觸孔的每一個中形成接觸電極；對所述第二光刻膠圖案進行灰化以使所述數(shù)據(jù)金屬層的一部分露出，并使用所述第二光刻膠圖案對所述數(shù)據(jù)金屬層的露出部分進行蝕刻，以在漏極和與所述數(shù)據(jù)線相連的源極之間形成溝道；以及除去所述灰化后的第二光刻膠圖案和所述灰化后的第三光刻膠圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其中，對所述透明導電層和所述不透明導電層進行構(gòu)圖還包括在所述不透明導電層上形成具有不同厚度的多個區(qū)域的第一光刻膠圖案；以及使用所述第一光刻膠圖案對所述透明導電層和所述不透明導電層進行構(gòu)圖，以形成所述選通線、所述柵極、所述選通焊盤和所述透明像素電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，該方法還包括對所述第二光刻膠圖案的表面進行灰化，以增強所述第二光刻膠圖案的附著性。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其中，所述至少一個接觸孔包括第一、第二、第三和第四接觸孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求
4所述的方法，其中，通過對所述數(shù)據(jù)金屬層、所述半導體層和所述柵絕緣層進行蝕刻，而分別在所述漏極、所述電容電極、所述選通焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤中形成所述第一、第二、第三和第四接觸孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求
4所述的方法，其中，所述第一、第二、第三和第四接觸孔各自的接觸電極分別與所述選通焊盤、所述數(shù)據(jù)焊盤、所述電容電極和所述漏極側(cè)邊接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其中，形成所述數(shù)據(jù)線、所述數(shù)據(jù)焊盤和所述電容電極包括疊置所述半導體層和數(shù)據(jù)金屬層；并且，通過疊置所述半導體層和數(shù)據(jù)金屬層而形成所述源極和所述數(shù)據(jù)電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其中，隔著所述柵絕緣層在所述選通焊盤上島狀地形成所述半導體層和所述數(shù)據(jù)金屬層的疊置圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，該方法還包括在對所述數(shù)據(jù)金屬層的露出部分進行蝕刻以形成溝道之后，對該溝道進行等離子處理以在該溝道的表面上形成由硅氧化物層和硅氮化物層之一構(gòu)成的溝道鈍化層。
10.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的方法，其中，對所述溝道進行等離子處理以形成所述溝道鈍化層包括在所述源極、所述漏極、所述選通焊盤、所述數(shù)據(jù)焊盤和所述選通線的表面上形成金屬氧化物層。
11.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其中，所述漏極通過形成在所述第一接觸孔內(nèi)的接觸電極而與所述像素電極接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其中，所述電容電極通過形成在所述第二接觸孔內(nèi)的接觸電極而與所述像素電極接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其中，形成在所述第三接觸孔內(nèi)的接觸電極與所述選通焊盤接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其中，形成在所述第四接觸孔內(nèi)的接觸電極與所述數(shù)據(jù)焊盤接觸。
15.一種液晶顯示裝置的陣列基板，該陣列基板包括形成在該基板上的選通線、柵極、選通焊盤和像素電極；形成在所述基板上的除了所述像素電極之外的部分上的柵絕緣層；與和所述選通線交叉的數(shù)據(jù)線相連的源極、與所述源極面對的漏極、形成在所述數(shù)據(jù)線的一端處的數(shù)據(jù)焊盤、以及與所述像素電極和所述選通線的部分交疊的電容電極；所述源極與所述漏極之間的包括溝道的半導體圖案；分別形成在所述選通焊盤、所述數(shù)據(jù)焊盤、所述電容電極和所述漏極中的第一、第二、第三和第四接觸孔；以及分別形成在所述第一、第二、第三和第四接觸孔中的第一、第二、第三和第四接觸電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，其中，所述第一、第二、第三和第四接觸電極分別與所述選通焊盤、所述數(shù)據(jù)焊盤、所述電容電極和所述漏極側(cè)邊接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，其中，所述選通線、所述柵極和所述選通焊盤均包括疊置的透明電極圖案和不透明電極層。
18.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，其中，所述數(shù)據(jù)線、所述源極、所述漏極、所述電容電極和所述數(shù)據(jù)焊盤均包括疊置的所述半導體圖案和不透明電極層。
19.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，該陣列基板還包括形成在所述選通焊盤上的所述半導體層和不透明電極層的疊置圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，該陣列基板還包括形成在所述溝道上的由硅氧化物層和硅氮化物層之一構(gòu)成的溝道鈍化層。
21.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，其中，在所述源極和漏極、所述選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤、以及所述選通線上形成有金屬氧化物層。
22.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，其中，所述漏極通過形成在所述第一接觸孔內(nèi)的第一接觸電極而與所述像素電極接觸。
23.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，其中，所述電容電極通過形成在所述第二接觸孔內(nèi)的第二接觸電極而與所述像素電極接觸。
24.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，其中，形成在所述第三接觸孔內(nèi)的第三接觸電極與所述選通焊盤接觸。
25.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的陣列基板，其中，形成在所述第四接觸孔內(nèi)的第四接觸電極與所述數(shù)據(jù)焊盤接觸。
專利摘要
本發(fā)明提供了一種LCD裝置的陣列基板及其制造方法。該陣列基板包括形成在該基板上的選通線、柵極、選通焊盤和像素電極；形成在所述基板上的暴露出選通線和像素電極的柵絕緣層；與和所述選通線交叉的數(shù)據(jù)線相連的源極、隔著溝道與所述源極面對的漏極、形成在所述數(shù)據(jù)線的一端處的數(shù)據(jù)焊盤、以及與所述像素電極和所述選通線的部分交疊的電容電極；構(gòu)成所述源極與所述漏極之間的溝道的半導體層；分別形成在所述選通焊盤、所述數(shù)據(jù)焊盤、所述電容電極和所述漏極中的第一、第二、第三和第四接觸孔；以及分別形成在所述第一到第四接觸孔中的第一到第四接觸電極。
文檔編號G02F1/136GK1991470SQ200610171484
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月28日
發(fā)明者李惠宣, 吳載映 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan