專利名稱:顯示基板、其制造方法以及包括其的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及顯示基板、其制造方法以及具有該顯示基板的顯示面板。更具體地說，本發(fā)明涉及用于液晶顯示器(LCD)的顯示基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是一種最廣泛使用的平板顯示器。LCD包括兩個(gè)設(shè)置有場形成電極的基板和放于兩個(gè)基板之間的液晶(LC)層。LCD通過將電壓施加到場發(fā)生電極而顯示圖像，施加電壓是為了在LC層中提供電場，其決定LC層中LC分子的定向，以影響經(jīng)過其中的光的極化。
典型的，一個(gè)基板包括多條柵極線、多條與柵極線交叉的數(shù)據(jù)線、由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的像素。每一像素包括像素電極和薄膜晶體管，以控制施加到像素電極的電壓。在制造過程中，薄膜晶體管陣列基板通常被暴露在約250℃至約400℃范圍內(nèi)的高溫下。例如，為了通過等離子化學(xué)氣相沉積工藝將傳統(tǒng)的柵極絕緣層和傳統(tǒng)的半導(dǎo)體層沉積到陣列基板上，陣列基板可以暴露在大于250℃的溫度下。
最近，已經(jīng)開發(fā)了由有機(jī)材料形成的薄膜晶體管陣列基板。這些基板可以在低溫下形成并且可以包括由有機(jī)絕緣材料形成的柵極絕緣層和由有機(jī)半導(dǎo)體材料形成的信道層。
然而，柵極絕緣層的表面在其上形成像素電極過程中可能被損壞。這種表面損壞可以引起在柵極絕緣層上形成的有機(jī)半導(dǎo)體的缺陷，導(dǎo)致像素電極透射率的降低。因此，需要有機(jī)薄膜晶體管的改進(jìn)方法，該方法降低與目前設(shè)計(jì)相關(guān)的柵極絕緣層的可能的表面損壞。

發(fā)明內(nèi)容在根據(jù)本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式
的示例性顯示基板中，該顯示基板包括底板、多條數(shù)據(jù)線、多條柵極線、像素、有機(jī)薄膜晶體管、以及像素電極。該數(shù)據(jù)線在該底板上并且以第一方向定向。該柵極線以與第一方向交叉的第二方向定向。該像素由該數(shù)據(jù)線和柵極線限定。該有機(jī)薄膜晶體管包括電連接至該數(shù)據(jù)線之一的源電極、電連接至該柵極線之一的柵電極、和有機(jī)半導(dǎo)體層。該像素電極設(shè)置在該像素內(nèi)并電連接至該有機(jī)薄膜晶體管。該像素電極包括透明的氧氮化物。
在根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)具體實(shí)施方式
的用于制造顯示基板的示例性方法中，該方法包括在底板上形成數(shù)據(jù)線，其中該數(shù)據(jù)線以第一方向定向；形成柵極線和電連接至該柵極線的柵電極，其中該柵極線以與第一方向交叉的第二方向定向；在該柵極線和柵電極上形成第一絕緣層；在該絕緣層上形成透明導(dǎo)體，其中該透明導(dǎo)體包含氧氮化物；以及圖案化該透明導(dǎo)體以形成電連接至該數(shù)據(jù)線的源電極、像素電極、以及與該像素電極一體形成的漏電極。
在根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)具體實(shí)施方式
的示例性的顯示面板中，該顯示面板包括陣列基板、彩色濾光片基板、和置于該陣列基板和該彩色濾光片基板之間的液晶層。該陣列基板包括像素、有機(jī)薄膜晶體管、以及像素電極。該像素由多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線限定。該數(shù)據(jù)線以第一方向定向，而該柵極線以與第一方向交叉的第二方向定向。該有機(jī)薄膜晶體管形成在該像素中并且包括電連接至該數(shù)據(jù)線之一的源電極、漏電極、以及電連接至該柵極線之一的柵電極。該像素電極電連接至該漏電極并且包括透明的氧氮化物。
參照以下詳細(xì)說明和附圖，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明的特征將變得更顯而易見，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式
的顯示基板的平面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式
的圖1的顯示基板沿線1-1’的顯示面板的截面圖。
圖3A至圖3E是示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式
的圖1的顯示基板的各種工序步驟的截面圖。
圖4A至4B是示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施方式
的顯示基板的各種工序步驟的截面圖。
圖5A至5F是根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
在多個(gè)測試條件下顯示基板的有機(jī)絕緣層的圖片。
圖6是展示根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
相應(yīng)于圖5A至5F的測量結(jié)果的圖。
圖7A至7F是用于根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施方式
的另外多個(gè)測試條件的顯示基板的有機(jī)絕緣層的圖片。
圖8是展示根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
相應(yīng)于圖7A至7F的測量結(jié)果的圖在不同圖中使用的相同參考標(biāo)記表示類似或相同的含義。
具體實(shí)施方式圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式
的顯示基板的平面圖。該顯示基板包括多條呈縱向的數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1，和呈橫向并與縱向交叉的多條柵極線GLn-1和GLn。數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1和柵極線GLn-1和GLn限定像素P。每一像素P包括像素電極155、有機(jī)薄膜晶體管OTFT、以及存儲電容器電極135。
數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1的末端部分包括用于接受施加的數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域。柵極線GLn-1和GLn的末端部分包括用于接收施加的柵極信號的柵極焊盤區(qū)域。例如，數(shù)據(jù)焊盤DPm形成在數(shù)據(jù)線DLm的末端，而柵極焊盤GPn形成在柵極線GLn的末端。
數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1和柵極線GLn-1和GLn可以包括銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、銀合金、鉬(Mo)、鉬合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、或其它材料。
數(shù)據(jù)焊盤DPm包括數(shù)據(jù)線DLm的末端部分113和與末端部分113電連接的接觸助件157。柵極焊盤GPn包括柵極線GLn的末端部分133和與末端部分133電連接的接觸助件159。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，像素電極155和接觸助件157和159包括相同的導(dǎo)電材料。
有機(jī)薄膜晶體管OTFT包括電連接至數(shù)據(jù)線DLm的源電極151、用柵極線GLn形成的柵電極131、以及與像素電極155一體形成的漏電極153。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，源電極151和漏電極153包括與像素電極155相同的導(dǎo)電材料。源電極151通過第一接觸孔181連接至數(shù)據(jù)線DLm。有機(jī)薄膜晶體管OTFT的信道160包括有機(jī)半導(dǎo)體層。在不同的具體實(shí)施方式
中，該有機(jī)半導(dǎo)體層可以包括并五苯、聚噻吩、或線性多環(huán)芳烴例如萘、蒽、或并四苯。柵極絕緣層形成在柵電極131上。
像素電極155形成在柵極絕緣層上并且可包括透明導(dǎo)電材料例如含有銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)、或鎵(Ga)的氧氮化物。該透明導(dǎo)電材料可以包括無定形銦錫氧氮化物(a-ITON)或銦鋅氧氮化物(IZON)。
在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，存儲電容器電極135用柵極線GLn-1一體形成并與柵極線電連接。因此，存儲電容器電極135可以與柵極線GLn-1共用斷開電壓(gate-off voltage)。在另一具體實(shí)施方式
中，存儲電容器電極135可以與柵極線GLn-1分開形成，并使用單獨(dú)施加在存儲線上的電壓。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式
的圖1中的顯示基板沿線1-1’獲取的顯示面板的截面圖。參照圖1和圖2，該顯示面板包括陣列基板100(即顯示基板)、彩色過濾片基板200、以及插入到它們之間的液晶層300。陣列基板100包括其上形成有數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1的第一底板(base)101，包括數(shù)據(jù)焊盤DPm的末端部分113。底板絕緣層120形成在數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1和第一底板101上。底板絕緣層120可以包括無機(jī)材料例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)、或有機(jī)材料。柵極線GLn-1和GLn、柵電極131、以及存儲電容器電極135形成在底板絕緣層120上。
柵極絕緣層140形成在柵電極131和底板絕緣層120的部分上。柵極絕緣層140可以包括具有高介電常數(shù)的介電材料并且可以包括引發(fā)劑(initiator)例如聚合物(例如聚乙烯醇縮丁醛(PVB))、有機(jī)-無機(jī)混合物(例如有機(jī)硅烷)，或有機(jī)金屬材料(例如鈦酸有機(jī)酯)。該介電材料可以包括鐵電材料例如BaxSr1-xTiO3(鈦酸鍶鋇)、Ta2O5、Y2O3、TiO2、PbZrxTi1-xO3(PZT)、Bi4Ti3O12、BaMgF4、SrBi2(Ta1-xNBx)2O9、Ba(Zr1-xTix)O3(BZT)、BaTiO3、SrTiO3、Bi4Ti3O12、或其它材料。
透明導(dǎo)體被沉積并圖案化(patterned)以形成像素電極155、漏電極153、源電極151、以及接觸助件157和159。接觸助件157和159分別通過第二接觸孔183和第三接觸孔185電連接至數(shù)據(jù)線DLm和柵極線GLn的末端部分113和133。該透明導(dǎo)體可以包括透明導(dǎo)電材料，例如通過將氮加入到含In、Sn、Zn、Al、或Ga的氧化物而形成的氧氮化物。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，該透明導(dǎo)體包括a-ITON或IZON。
如果該透明導(dǎo)體包括無定形的銦錫氧化物(a-ITO)或無定形的銦鋅氧化物(a-IZO)，柵極絕緣層140的表面在透明導(dǎo)體的沉積和蝕刻期間可以被損壞。具體地說，可能會在柵極絕緣層140的表面上產(chǎn)生突起，從而導(dǎo)致在其上形成的有機(jī)半導(dǎo)體層161的缺陷。這可以降低有機(jī)薄膜晶體管OTFT的等級并降低像素電極155的透光率。
根據(jù)本發(fā)明的不同具體實(shí)施方式
，可以用氧氮化物來形成該透明導(dǎo)體，以便減少這種突起并降低與此相關(guān)的影響，這一點(diǎn)將會結(jié)合在下文進(jìn)一步描述的實(shí)例加以解釋。
有機(jī)半導(dǎo)體層161和阻擋層163按次序沉積并圖案化在漏電極153和源電極151之上以形成信道160。形成鈍化層170，以保護(hù)和隔離有機(jī)薄膜晶體管OTFT。
彩色濾光片基板200包括第二底板201、遮光圖案210(例如黑底(black matrixes))、彩色濾光片220、以及共用電極230。遮光圖案210形成在第二底板201上以防止漏光并描繪出像素P相應(yīng)的區(qū)域。彩色濾光片220形成在遮光圖案(模型)210和第二底板201的部分上并代表至少一種原色紅、綠、和/或藍(lán)?？梢栽诓噬珵V光片220和遮光圖案210上形成覆蓋層(overcoat)(未示出)，以使第二底板201的上表面更平坦。
共用電極230形成在彩色濾光片220上。像素電極155、共用電極230、以及在它們之間的液晶層300形成液晶電容器(CLC)。在像素電極155和共用電極230之間施加的電壓確定液晶層300的液晶分子的方向。
圖3A至圖3E示例性說明了用于制造圖1中的陣列基板的不同工序。參照圖1和圖3A，在第一底板101上沉積金屬層并圖案化以形成數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1以及末端部分113。如所示出的，數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1取向?yàn)榭v向，末端部分113顯示相當(dāng)大的寬度。底板絕緣層120形成在數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1上。
參照圖1和圖3B，在底板絕緣層120上形成柵極線GLn-1和GLn、柵電極131、柵極線GLn的末端部分133、以及存儲電極135。柵極絕緣層140形成在柵極線GLn和底板絕緣層120的一部分上。
參照圖1和圖3C，第一、第二、和第三接觸孔181、183和185分別通過光刻技術(shù)形成在柵極絕緣層140上。第一接觸孔181暴露數(shù)據(jù)線DLm的一部分以使數(shù)據(jù)線DLm電連接至源電極151。第二接觸孔183暴露數(shù)據(jù)線DLm的末端部分113的一部分以形成數(shù)據(jù)焊盤DPm。第三接觸孔185暴露柵極線GLn的末端部分133的一部分以形成柵極焊盤GPn。
透明導(dǎo)體150形成在第一、第二、和第三接觸孔181、183和185以及柵極絕緣層140上。透明導(dǎo)體150可以通過濺射工藝由例如a-ITON或IZON形成。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，透明導(dǎo)體150可以通過將3.7kW施加到包括氬、水蒸汽、氧、和/或氮的流入氣體而沉積。在這點(diǎn)上，可以以30標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘(sccm)的流速提供氬，用于等離子體放電?？梢苑謩e以30sccm、1.5sccm和0sccm的流速加入氮、水蒸汽、和氧。
如果用來形成透明導(dǎo)體150的氮的用量增加，柵極絕緣層140的表面缺陷降低，但是柵極絕緣層140的電阻增加。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，氮可以在約20sccm至約40sccm的范圍內(nèi)的流速下提供，以便降低表面缺陷而不顯著增加?xùn)艠O絕緣層140的電阻。
參照圖1和圖3D，透明導(dǎo)體150通過光刻工藝圖案化，以形成源電極151、漏電極153、像素電極155、以及接觸助件157和159。源電極151通過第一接觸孔181電連接至數(shù)據(jù)線DLm。接觸助件157通過第二接觸孔183電連接至數(shù)據(jù)線DLm的末端部分113上以形成數(shù)據(jù)焊盤DPm。接觸助件159通過第三接觸孔185電連接至柵極線GLn的末端部分133以形成柵極焊盤GPn。
參照圖1和圖3E，有機(jī)半導(dǎo)體層161和阻擋層163按次序形成在源電極151、漏電極153、以及柵極絕緣層140之上，并利用光刻工藝加以蝕刻以形成信道160。阻擋層163在后續(xù)工序中保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體層161。鈍化層170形成在柵極絕緣層140、源電極151、漏電極153、以及阻擋層163上，以保護(hù)有機(jī)薄膜晶體管OTFT。
圖4A至4B示例性說明了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施方式
制造陣列基板的不同工序步驟。將可以看出，圖4A至4B的陣列基板包括了類似于這些前述的圖3A至圖3E中有關(guān)陣列基板的各種結(jié)構(gòu)。
參照1和圖4A，金屬層沉積在第一底板401上被圖案化以形成數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1和末端部分413。如所示出的，數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1呈縱向，而末端部分413顯示相當(dāng)大的寬度。底板絕緣層420形成在數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1上。
柵極線GLn-1和GLn、柵電極431、和柵極線GLn的末端部分433、以及存儲電極135形成在底板絕緣層420上。柵極絕緣層440形成在柵極線GLn和底板絕緣層420的一部分上。
第一、第二、和第三接觸孔481、483、和485分別通過光刻工藝形成在柵極絕緣層440上。第一接觸孔481暴露數(shù)據(jù)線DLm的一部分以使數(shù)據(jù)線DLm電連接至源電極151。第二接觸孔483暴露數(shù)據(jù)線DLm的末端部分413的一部分以形成數(shù)據(jù)焊盤DPm。第三接觸孔485暴露柵極線GLn的末端部分433的一部分以形成柵極焊盤GPn。
透明導(dǎo)體450形成在第一接觸孔481、第二接觸孔483、和第三接觸孔485、以及柵極絕緣層440上。透明導(dǎo)體450可以通過例如濺射工藝而形成。透明導(dǎo)體450包括下層導(dǎo)體450a和上層導(dǎo)體450b。將可以看出，與圖3A至3E中的透明導(dǎo)體150相比，透明導(dǎo)體450顯示雙層結(jié)構(gòu)。
下層導(dǎo)體450a降低由后續(xù)工序引起的柵極絕緣層440的表面缺陷。上層導(dǎo)體450b增加透明導(dǎo)體450的透明度，從而改善了像素P的透光率。
在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，下層導(dǎo)體450a包括含In、Sn、Zn、Al、或Ga的氧氮化物。如果需要，下層導(dǎo)體450a可以包括a-ITON或IZON。例如，下層導(dǎo)體450a可以通過施加3.7kW輸入功率到包括氬、水蒸汽、氧、和/或氮的流入氣體而沉積。在這點(diǎn)上，可以以70sccm的流速提供氬，用于等離子體放電?？梢苑謩e以1.5sccm、0sccm和30sccm的流速加入水蒸汽、氧、和氮。
在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，上層導(dǎo)體450b包括含In、Sn、Zn、Al、或Ga的氧化物。如果需要，上層導(dǎo)體450b可以包括a-ITO或IZO。例如，上層導(dǎo)體450b可以通過施加3.7kW輸入功率到包括氬、水蒸汽、和/或氧的流入氣體而沉積。在這點(diǎn)上，可以以100sccm的流速提供氬用于等離子體放電。可以分別以1.5sccm和0.5sccm的流速加入水蒸汽和氧。
參照圖1和圖4B，利用光刻工藝圖案化透明導(dǎo)體450，以形成源電極451、漏電極453、像素電極455、以及接觸助件457和459。源電極451通過第一接觸孔481電連接至數(shù)據(jù)線DLm。漏電極453和像素電極455一體形成。接觸助件457通過第二接觸孔483電連接至數(shù)據(jù)線DLm的末端部分413，以形成數(shù)據(jù)焊盤DPm。接觸助件459通過第三接觸孔485電連接至柵極線GLn的末端部分433，以形成柵極焊盤GPn。
在源電極451、漏電極453、以及柵極絕緣層440上按次序形成有機(jī)半導(dǎo)體層461和阻擋層463。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，有機(jī)半導(dǎo)體層461包括并五苯、聚噻吩、或線性多環(huán)芳烴例如萘、蒽、或并四苯。阻擋層463在后續(xù)工序期間保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體層461。在柵極絕緣層440、源電極451、漏電極453、以及阻擋層463上形成鈍化層470，以保護(hù)和隔離有機(jī)薄膜晶體管OTFT。
下面實(shí)施例確證了在根據(jù)本發(fā)明不同具體實(shí)施方式
的透明導(dǎo)體中包括氧氮化物的效果。表1示出了實(shí)施例1至6，其中在不同實(shí)驗(yàn)條件下利用磁控管DC濺射將a-ITO沉積在柵極絕緣層上。圖5A至5F分別是在相應(yīng)于實(shí)施例1至6的實(shí)驗(yàn)條件下的有機(jī)絕緣層的圖片。圖6是展示相應(yīng)于圖5A至5F的測量結(jié)果的圖。
表1
在表1的實(shí)施例中，將氬用于等離子體放電，而用不同量的輸入功率、水蒸汽、和氧氣來沉積a-ITO，如表1所示。通過濕法蝕刻去除沉積的a-ITO后分析柵極絕緣層的表面。
在實(shí)施例1中，使用了3.4kw輸入功率、4磁掃描、1.5sccm的水蒸汽和0.5sccm的氧以形成a-ITO。這種條件是常用的標(biāo)準(zhǔn)。參照圖5A和圖6，實(shí)施例1的柵極絕緣層表面顯示高度在約1.9nm至約2.7nm范圍的突起a1。
在實(shí)施例2中，使用了1.85kw輸入功率、8磁掃描、1.5sccm的水蒸汽和0.5sccm的氧以形成a-ITO。將可以看出，實(shí)施例2的輸入功率小于實(shí)施例1的輸入功率。參照圖5B和圖6，實(shí)施例2的柵極絕緣層表面顯示高度在約1.6nm至約1.7nm范圍的突起a2。在這點(diǎn)上，將可以看出，由于輸入功率從3.7kw降低到1.85kw，在柵極絕緣層表面上的突起a2的高度降低了。
在實(shí)施例3至5中，調(diào)整了氧的流速。具體地說，在實(shí)施例3、4和5的a-ITO沉積中分別使用了0sccm、1.5sccm、和2.5sccm的氧流速。參照圖5C-E和圖6，將可以看出，隨著氧流速增加，在柵極絕緣層表面上的突起a3-a5的高度也增加了。在這點(diǎn)上，實(shí)施例5的突起a5(其在實(shí)施例3-5中使用最多的氧)顯示在約3.4nm至約3.5nm范圍內(nèi)的最大高度。
在實(shí)施例6中，使用了3.7kw輸入功率、4磁掃描、3sccm的水蒸汽和0.5sccm的氧以沉積a-ITO。在這點(diǎn)上，將可以看出，實(shí)施例6使用了比實(shí)施例1更多的水蒸汽量。參照圖5F和圖6，實(shí)施例6的柵極絕緣層表面顯示高度在約1.65nm至約1.75nm范圍內(nèi)的突起a6。因此，將可以看出，隨著水蒸汽(水汽，water vapor)用量從1.5sccm增加到3sccm，突起的高度降低了。
根據(jù)上面的結(jié)果，隨著輸入功率降低或水蒸汽量的增加，柵極絕緣層的表面粗糙度(即，在其上形成的突起的高度)降低了。然而，在制造顯示基板過程中控制輸入功率和加入的水蒸汽的量會額外增加制造工藝的復(fù)雜性。
表2示出了實(shí)施例7至12，其中，在不同實(shí)驗(yàn)條件下利用磁控管DC濺射將a-ITON沉積在有機(jī)絕緣層上。圖7A至7F分別是在相應(yīng)于實(shí)施例7至12的實(shí)驗(yàn)條件下的柵極絕緣層的圖片。圖8是展示相應(yīng)于圖7A至7F的測量結(jié)果的圖表。
表2
在表2的實(shí)施例中，氬用于等離子體放電而a-ITO用各種量的輸入功率和氮沉積，如表2所示。通過濕法蝕刻去除沉積的a-ITON后分析柵極絕緣層的表面。
在實(shí)施例7至9中，調(diào)整氮的用量。在實(shí)施例7中，使用了3.7kw輸入功率、4磁掃描、1.5sccm的水蒸汽、0sccm的氧、90sccm的氬、以及10sccm的氮以沉積a-ITON。參照圖7A和圖8，實(shí)施例7的柵極絕緣層表面顯示高度在約1.5nm至約2.5nm范圍的突起b1。將可以看出，突起b1的高度小于實(shí)施例1中的突起a1的高度。
在實(shí)施例8和9中，氮的用量分別變成20sccm和30sccm。參照圖7B、7C和圖8，實(shí)施例8的突起b2在約1.5nm至約1.8nm的高度內(nèi)變化，并且實(shí)施例9的突起b3顯示小于約1nm的高度。因此，從實(shí)施例7至9將看出，隨著氮用量的增加，柵極絕緣層的表面粗糙度(即，在其上形成的突起的高度)降低。
在實(shí)施例10中，使用了1.8kw輸入功率、8磁掃描、1.5sccm的水蒸汽、0sccm的氧、90sccm的氬、以及10sccm的氮以沉積a-ITON。輸入功率從實(shí)施例7的3.7kw降低到1.8kw。參照圖7D和圖8，實(shí)施例10的突起b4顯示約2nm的高度。
在實(shí)施例11中，使用了1.85kw輸入功率、8磁掃描、1.5sccm的水蒸汽、0sccm的氧、80sccm的氬、以及20sccm的氮以沉積a-ITON。參照圖7E和圖8，實(shí)施例11的突起b5顯示約1.5nm的高度。
根據(jù)上面的實(shí)施例可以看出，實(shí)施例10中的輸入功率(即1.85kw)小于實(shí)施例7的輸入功率(即，3.7kw)。然而，實(shí)施例7和10的突起b1和b4顯示類似的高度。還將看到，實(shí)施例11中的輸入功率(即1.85kw)小于實(shí)施例8的輸入功率(即，3.7kw)。然而，實(shí)施例8和11的突起b2和b5顯示類似的高度。
因此，將可以看出，隨著氮用量增加，柵極絕緣層的表面粗糙度(即，在其上形成的突起的高度)降低并且不依賴于輸入功率。尤其是，當(dāng)如實(shí)施例9中使用30sccm的氮時(shí)，柵極絕緣層的粗糙度顯著改善了。
在實(shí)施例12中，使用了1.85kw輸入功率、8磁掃描、3sccm的水蒸汽、0sccm的氧、0sccm的氮、以及100sccm的氬以沉積a-ITON。在這點(diǎn)上，將看到，在實(shí)施例12中使用的水蒸汽量高于實(shí)施例7～11，并且在實(shí)施例12中不加入氮。參照圖7F和圖8，實(shí)施例12的突起b6顯示的高度在約1.5nm至約2nm的范圍內(nèi)。因此，將可以看到，當(dāng)增加水蒸汽量而不加入任何的氮時(shí)，與實(shí)施例9使用30sccm的氮相比，柵極絕緣層的表面粗糙度沒有改善。然而，如在上面實(shí)施例中所示例說明的，由于增加了氮用量，因而改善了柵極絕緣層的表面粗糙度。
根據(jù)本文描述的本發(fā)明的各種具體實(shí)施方式
，包括氧氮化物的透明導(dǎo)體可以降低柵極絕緣層上的表面缺陷，從而降低形成在柵極絕緣層上的有機(jī)半導(dǎo)體層內(nèi)的缺陷。因此可以改善相關(guān)的有機(jī)薄膜晶體管的工作性能。此外，通過降低柵極絕緣層的表面粗糙度，可以改善在柵極絕緣層上形成的透明導(dǎo)體的透射率。
本領(lǐng)域技術(shù)人員將可以看出，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以對本發(fā)明的材料、裝置、結(jié)構(gòu)、以及方法進(jìn)行各種變化、替換和改變。據(jù)此，本發(fā)明的范圍并不限制為本文所說明和描述的具體實(shí)施方式
，因?yàn)樗鼈儍H僅是示例性的，本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)與所附的權(quán)利要求
的范圍充分等同。
權(quán)利要求
1.一種顯示基板，包括底板；在所述底板上的多條數(shù)據(jù)線，其中，所述數(shù)據(jù)線以第一方向定向；多條柵極線，其以與所述第一方向交叉的第二方向定向；像素，其由所述數(shù)據(jù)線和所述柵極線限定；有機(jī)薄膜晶體管，包括源電極，其電連接至所述數(shù)據(jù)線之一；柵電極，其電連接至所述柵極線之一；以及有機(jī)半導(dǎo)體層；以及像素電極，其設(shè)置在所述像素內(nèi)并電連接至所述有機(jī)薄膜晶體管，其中所述像素電極包括透明的氧氮化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的顯示基板，其中，所述透明的氧氮化物包括選自由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)、以及鎵(Ga)組成的組中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的顯示基板，進(jìn)一步包括在所述像素電極下面的絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求
3所述的顯示基板，其中，所述像素電極包括下層導(dǎo)體，其在所述絕緣層上并且包括所述透明的氧氮化物；以及上層導(dǎo)體，其在所述下層導(dǎo)體上并且包括透明的氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求
4所述的顯示基板，其中，所述透明氧化物包括選自由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)、以及鎵(Ga)組成的組中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的顯示基板，其中，所述源電極通過接觸孔電連接至所述數(shù)據(jù)線之一，并且其中所述源電極和像素電極由所述透明氧氮化物的層形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的顯示基板，其中，所述漏電極與所述像素電極一體形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的顯示基板，進(jìn)一步包括在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上的阻擋層。
9.一種用于制造顯示基板的方法，包括在底板上形成數(shù)據(jù)線，其中所述數(shù)據(jù)線以第一方向定向；形成柵極線和電連接至所述柵極線的柵電極，其中所述柵極線以與所述第一方向交叉的第二方向定向；在所述柵極線和柵電極上形成第一絕緣層；在所述絕緣層上形成透明導(dǎo)體，其中所述透明導(dǎo)體包括氧氮化物；以及圖案化所述透明導(dǎo)體以形成電連接至所述數(shù)據(jù)線的源電極、像素電極、以及與所述像素電極一體形成的漏電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的方法，進(jìn)一步包括在所述數(shù)據(jù)線和底板上形成第二絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的方法，其中，形成所述第一絕緣層包括形成接觸孔以暴露所述數(shù)據(jù)線的一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的方法，進(jìn)一步包括在所述源電極和漏電極上、以及在所述柵電極之上形成有機(jī)半導(dǎo)體層。
13.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的方法，進(jìn)一步包括在所述有機(jī)半導(dǎo)體層、所述源電極、以及所述漏電極上形成鈍化層。
14.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的方法，其中，所述形成透明導(dǎo)體包括以約20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘(sccm)至約40sccm的范圍內(nèi)的流速向所述第一絕緣層提供氮?dú)狻?br>15.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的方法，其中，所述氧氮化物包括選自由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)、以及鎵(Ga)組成的組中的至少一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的方法，其中，形成所述透明導(dǎo)體包括通過在所述第一絕緣層上沉積透明氧氮化物而形成下層導(dǎo)體；以及通過在所述下層導(dǎo)體上沉積透明氧化物而形成上層導(dǎo)體。
17.根據(jù)權(quán)利要求
16所述的方法，其中，所述透明氧化物包括選自由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋁(Al)、以及鎵(Ga)組成的組中的至少一種。
18.一種顯示面板，包括陣列基板，其包括像素，由多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線限定，其中，所述數(shù)據(jù)線以第一方向定向，而所述柵極線以與所述第一方向交叉的第二方向定向；形成在所述像素中的有機(jī)薄膜晶體管，其中所述有機(jī)薄膜晶體管包括源電極，其電連接至所述數(shù)據(jù)線之一；漏電極；以及柵電極，其電連接至所述柵極線之一；像素電極，其電連接至所述漏電極，其中所述像素電極包括透明氧氮化物；彩色濾光片基板，其在所述陣列基板之上；以及液晶層，其置于所述陣列基板和彩色濾光片基板之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求
18所述的顯示面板，其中，所述透明氧氮化物包括選自由In、Sn、Zn、Al和Ga組成的組中的至少一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求
18所述的顯示面板，其中，所述像素電極包括包括所述透明氧氮化物的下層導(dǎo)體，和包括所述透明氧化物的上層導(dǎo)體。
21.根據(jù)權(quán)利要求
18所述的顯示面板，其中，所述源電極和所述漏電極包括所述透明氧氮化物。
專利摘要
本發(fā)明提供了一種經(jīng)改進(jìn)的顯示基板以降低在有機(jī)薄膜晶體管的絕緣層上的表面缺陷。還提供了制造的相關(guān)方法。在一個(gè)實(shí)施例中，顯示基板包括底板、多條數(shù)據(jù)線、多條柵極線、由所述數(shù)據(jù)線和柵極線限定的像素、有機(jī)薄膜晶體管、以及像素電極。所述數(shù)據(jù)線在所述底板上并以第一方向定向。所述柵極線以與所述第一方向交叉的第二方向定向。所述有機(jī)薄膜晶體管包括電連接至數(shù)據(jù)線之一的源電極、電連接至柵極線之一的柵電極、以及有機(jī)半導(dǎo)體層。所述像素電極設(shè)置在所述像素內(nèi)并電連接至有機(jī)薄膜晶體管。所述像素電極包括透明的氧氮化物。
文檔編號G02F1/133GK1991555SQ200610168369
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月27日
發(fā)明者李制勛, 金泳敏, 金保成, 李埈泳, 康盛旭 申請人:三星電子株式會社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan