本申請(qǐng)中實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造，具體涉及一種掩膜圖案的生成方法、半導(dǎo)體封裝器件及制造方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)步和半導(dǎo)體器件集成度的提高，再分布層（redistributed?layer，rdl）技術(shù)被廣泛應(yīng)用于高密度半導(dǎo)體封裝器件中。具體的，再分布層通常為形成于半導(dǎo)體基底上的金屬信號(hào)線層和絕緣層的堆疊結(jié)構(gòu)，其中，金屬信號(hào)線層的形狀和位置通過特定的掩膜圖案定義，以連接芯片內(nèi)部電路與外部引腳，實(shí)現(xiàn)芯片之間或芯片與其他組件之間的電氣連接及信號(hào)傳輸，因此，再分布層的設(shè)計(jì)和制造直接影響到半導(dǎo)體封裝器件的電氣性能、信號(hào)完整性和可靠性。

2、掩膜圖案的設(shè)計(jì)對(duì)提升再分布層的電學(xué)特性和機(jī)械穩(wěn)定性至關(guān)重要。然而，隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，尤其是針對(duì)28nm以下的工藝節(jié)點(diǎn)，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的掩膜圖案設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)出的掩膜圖案制造再分布層的過程中，容易出現(xiàn)覆蓋再分布層金屬信號(hào)線層的絕緣層薄膜部分脫落的問題，進(jìn)而引起電學(xué)泄漏，導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝器件的性能降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請(qǐng)的多個(gè)實(shí)施例提供了一種掩膜圖案的生成方法、半導(dǎo)體封裝器件及制造方法，以提升半導(dǎo)體封裝器件的性能。

2、在一個(gè)方面，本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例提供一種掩膜圖案的生成方法，所述方法用于制造半導(dǎo)體封裝器件，所述半導(dǎo)體封裝器件包括按照所述掩膜圖案形成于半導(dǎo)體基底上的再分布層；所述方法包括：接收初始掩膜圖案；在所述初始掩膜圖案中存在滿足第一內(nèi)角條件的目標(biāo)內(nèi)角情況下，對(duì)所述初始掩膜圖案中的目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，以使得構(gòu)成所述目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間形成圓弧過渡；其中，所述初始掩膜圖案經(jīng)過所述圓弧鈍化處理后形成圓弧鈍化掩膜圖案；所述第一內(nèi)角條件為內(nèi)角角度不大于90°；對(duì)所述圓弧鈍化掩膜圖案進(jìn)行邏輯運(yùn)算處理，得到目標(biāo)掩膜圖案。

3、可選的，在所述初始掩膜圖案中存在滿足第一內(nèi)角條件的目標(biāo)內(nèi)角情況下，對(duì)所述初始掩膜圖案中的目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，以使得構(gòu)成所述目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間形成圓弧過渡的步驟，包括：基于所述第一內(nèi)角條件對(duì)所述初始掩膜圖案的內(nèi)角進(jìn)行篩選，得到滿足所述第一內(nèi)角條件的目標(biāo)內(nèi)角；基于第二內(nèi)角條件對(duì)所述目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行篩選，得到滿足所述第二內(nèi)角條件的第一目標(biāo)內(nèi)角和不滿足所述第二內(nèi)角條件的第二目標(biāo)內(nèi)角；其中，所述第二內(nèi)角條件為目標(biāo)內(nèi)角的頂點(diǎn)與兩條邊形成的夾角區(qū)域內(nèi)存在指定窗口圖形，且所述夾角區(qū)域與所述指定窗口圖形之間存在指定位置關(guān)系；采用不同的圓弧鈍化處理方法對(duì)所述第一目標(biāo)內(nèi)角和所述第二目標(biāo)內(nèi)角分別進(jìn)行圓弧鈍化處理，以使構(gòu)成所述第一目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間的圓弧過渡圖形，與構(gòu)成所述第二目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間的圓弧過渡圖形不相同。

4、可選的，所述指定位置關(guān)系包括：所述指定窗口圖形與構(gòu)成所述目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間的距離不大于1m。

5、可選的，所述半導(dǎo)體封裝器件還包括鈍化層和過孔；所述鈍化層形成于所述再分布層靠近所述半導(dǎo)體基底的一側(cè)，所述過孔形成于所述再分布層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體基底的一側(cè)；所述指定窗口圖形包括鈍化層窗口圖形和過孔窗口圖形；所述鈍化層窗口圖形位于所述鈍化層中的鈍化層窗口在所述再分布層上的投影位置，所述過孔窗口圖形位于所述過孔在所述再分布層上的投影位置。

6、可選的，采用不同的圓弧鈍化處理方法對(duì)所述第一目標(biāo)內(nèi)角和所述第二目標(biāo)內(nèi)角分別進(jìn)行圓弧鈍化處理，以使構(gòu)成所述第一目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間的圓弧過渡圖形，與構(gòu)成所述第二目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間的圓弧過渡圖形不相同的步驟，包括：采用外擴(kuò)圓弧鈍化處理方法對(duì)所述第一目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，形成外擴(kuò)圓弧過渡圖形；采用內(nèi)縮圓弧鈍化處理方法對(duì)所述第二目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，形成內(nèi)縮圓弧過渡圖形。

7、可選的，所述第一目標(biāo)內(nèi)角的頂點(diǎn)與兩條邊形成的夾角區(qū)域?yàn)榈谝荒繕?biāo)內(nèi)角圖形；采用外擴(kuò)圓弧鈍化處理方法對(duì)所述第一目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，形成外擴(kuò)圓弧過渡圖形的步驟，包括：將所述第一目標(biāo)內(nèi)角圖形內(nèi)任一點(diǎn)確定為第一中心點(diǎn)；基于所述第一中心點(diǎn)在所述第一目標(biāo)內(nèi)角圖形的基礎(chǔ)上形成外擴(kuò)修正圓弧；其中，所述外擴(kuò)修正圓弧與所述第一目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊相交；所述第一目標(biāo)內(nèi)角的頂點(diǎn)、所述第一目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊和所述外擴(kuò)修正圓弧圍成的圖形為外擴(kuò)圖形；所述第一目標(biāo)內(nèi)角的頂點(diǎn)位于所述外擴(kuò)修正圓弧上或所述外擴(kuò)圖形內(nèi)；在所述第一目標(biāo)內(nèi)角圖形的基礎(chǔ)上疊加所述外擴(kuò)圖形，形成所述外擴(kuò)圓弧過渡圖形。

8、可選的，所述第二目標(biāo)內(nèi)角的頂點(diǎn)與兩條邊形成的夾角區(qū)域?yàn)榈诙繕?biāo)內(nèi)角圖形；采用內(nèi)縮圓弧鈍化處理方法對(duì)所述第二目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，形成內(nèi)縮圓弧過渡圖形的步驟，包括：將所述第二目標(biāo)內(nèi)角圖形內(nèi)任一點(diǎn)確定為第二中心點(diǎn)；基于所述第二中心點(diǎn)在所述第二目標(biāo)內(nèi)角圖形的基礎(chǔ)上形成內(nèi)縮修正圓??；其中，所述內(nèi)縮修正圓弧與所述第二目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊相交，且所述內(nèi)縮修正圓弧位于所述第二目標(biāo)內(nèi)角圖形內(nèi)；所述第二目標(biāo)內(nèi)角的頂點(diǎn)、所述第二目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊和所述內(nèi)縮修正圓弧圍成的圖形為內(nèi)縮圖形；在所述第二目標(biāo)內(nèi)角圖形的基礎(chǔ)上去除所述內(nèi)縮圖形，形成所述內(nèi)縮圓弧過渡圖形。

9、可選的，所述初始掩膜圖案的內(nèi)角具有圖案長(zhǎng)度參數(shù)和內(nèi)角線寬參數(shù)；基于所述圖案長(zhǎng)度參數(shù)和所述內(nèi)角線寬參數(shù)對(duì)所述初始掩膜圖案中的目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，以使得構(gòu)成所述目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間形成圓弧過渡。

10、在另一個(gè)方面，本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體封裝器件，所述半導(dǎo)體封裝器件包括按照目標(biāo)掩膜圖案形成于半導(dǎo)體基底上的再分布層；其中，所述目標(biāo)掩膜圖案根據(jù)如上述實(shí)施例所述的掩膜圖案的生成方法生成。

11、在另一個(gè)方面，本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體封裝器件的制造方法，所述方法包括：提供半導(dǎo)體基底；在所述半導(dǎo)體基底上按照目標(biāo)掩膜圖案形成再分布層；其中，所述目標(biāo)掩膜圖案根據(jù)如上述實(shí)施例所述的掩膜圖案的生成方法生成。

12、在本申請(qǐng)?zhí)峁┑亩鄠€(gè)實(shí)施例中，在篩選出用于制造再分布層的初始掩膜圖案中不大于90°的目標(biāo)內(nèi)角的情況下，對(duì)目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，使得構(gòu)成目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間形成圓弧過渡，得到圓弧鈍化掩膜圖案，再對(duì)圓弧鈍化掩膜圖案進(jìn)行邏輯運(yùn)算處理，得到目標(biāo)掩膜圖案，實(shí)現(xiàn)的意想不到的效果包括：通過對(duì)掩膜圖案中不大于90°的目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，使得在按照目標(biāo)掩膜圖案制造再分布層的過程中，降低了沉積在目標(biāo)內(nèi)角附近的絕緣層薄膜所受應(yīng)力的集中程度，從而降低了絕緣層薄膜出現(xiàn)斷裂或脫落的可能性，提升了半導(dǎo)體封裝器件的性能。

技術(shù)特征：

1.一種掩膜圖案的生成方法，所述方法用于制造半導(dǎo)體封裝器件，所述半導(dǎo)體封裝器件包括按照所述掩膜圖案形成于半導(dǎo)體基底上的再分布層；其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述初始掩膜圖案中存在滿足第一內(nèi)角條件的目標(biāo)內(nèi)角情況下，對(duì)所述初始掩膜圖案中的目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，以使得構(gòu)成所述目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間形成圓弧過渡的步驟，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述指定位置關(guān)系包括：所述指定窗口圖形與構(gòu)成所述目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間的距離不大于1m。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝器件還包括鈍化層和過孔；所述鈍化層形成于所述再分布層靠近所述半導(dǎo)體基底的一側(cè)，所述過孔形成于所述再分布層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體基底的一側(cè)；所述指定窗口圖形包括鈍化層窗口圖形和過孔窗口圖形；所述鈍化層窗口圖形位于所述鈍化層中的鈍化層窗口在所述再分布層上的投影位置，所述過孔窗口圖形位于所述過孔在所述再分布層上的投影位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用不同的圓弧鈍化處理方法對(duì)所述第一目標(biāo)內(nèi)角和所述第二目標(biāo)內(nèi)角分別進(jìn)行圓弧鈍化處理，以使構(gòu)成所述第一目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間的圓弧過渡圖形，與構(gòu)成所述第二目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間的圓弧過渡圖形不相同的步驟，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一目標(biāo)內(nèi)角的頂點(diǎn)與兩條邊形成的夾角區(qū)域?yàn)榈谝荒繕?biāo)內(nèi)角圖形；采用外擴(kuò)圓弧鈍化處理方法對(duì)所述第一目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，形成外擴(kuò)圓弧過渡圖形的步驟，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二目標(biāo)內(nèi)角的頂點(diǎn)與兩條邊形成的夾角區(qū)域?yàn)榈诙繕?biāo)內(nèi)角圖形；采用內(nèi)縮圓弧鈍化處理方法對(duì)所述第二目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，形成內(nèi)縮圓弧過渡圖形的步驟，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述初始掩膜圖案的內(nèi)角具有圖案長(zhǎng)度參數(shù)和內(nèi)角線寬參數(shù)；基于所述圖案長(zhǎng)度參數(shù)和所述內(nèi)角線寬參數(shù)對(duì)所述初始掩膜圖案中的目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，以使得構(gòu)成所述目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間形成圓弧過渡。

9.一種半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝器件包括按照目標(biāo)掩膜圖案形成于半導(dǎo)體基底上的再分布層；其中，所述目標(biāo)掩膜圖案根據(jù)如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述掩膜圖案的生成方法生成。

10.一種半導(dǎo)體封裝器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種掩膜圖案的生成方法、半導(dǎo)體封裝器件及制造方法，該掩膜圖案的生成方法用于制造半導(dǎo)體封裝器件，該半導(dǎo)體封裝器件包括按照掩膜圖案形成于半導(dǎo)體基底上的再分布層。該掩膜圖案的生成方法包括：接收初始掩膜圖案；在初始掩膜圖案中存在滿足第一內(nèi)角條件的目標(biāo)內(nèi)角情況下，對(duì)初始掩膜圖案中的目標(biāo)內(nèi)角進(jìn)行圓弧鈍化處理，以使得構(gòu)成目標(biāo)內(nèi)角的兩條邊之間形成圓弧過渡；其中，初始掩膜圖案經(jīng)過圓弧鈍化處理后形成圓弧鈍化掩膜圖案；第一內(nèi)角條件為內(nèi)角角度不大于90°；對(duì)圓弧鈍化掩膜圖案進(jìn)行邏輯運(yùn)算處理，得到目標(biāo)掩膜圖案。通過本申請(qǐng)實(shí)施例，降低了再分布層的絕緣層薄膜斷裂或脫落的可能性，提升了半導(dǎo)體封裝器件的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：郭廷晃,胡迎賓,郭哲劭,孫飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晶芯成（北京）科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2