本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、隨著人工智能等現(xiàn)代信息技術(shù)的發(fā)展，對芯片的需求越來越大，性能要求也越來越高，高性能芯片需要通過先進(jìn)的制造工藝來實(shí)現(xiàn)，當(dāng)前業(yè)界已實(shí)現(xiàn)3～2nm芯片的研發(fā)和量產(chǎn)。先進(jìn)工藝的研發(fā)中，對于套刻誤差的控制能力是影響量產(chǎn)以及產(chǎn)品良率的關(guān)鍵因素之一。通常套刻誤差需要控制在工藝節(jié)點(diǎn)的1/3以內(nèi)，先進(jìn)工藝的要求更高，大概需要在1/4～1/5左右，這對于套刻誤差的控制提出了巨大的挑戰(zhàn)。影響套刻誤差的因素有套刻標(biāo)識的設(shè)計(jì)、工藝、量測以及補(bǔ)償修正方法等，為了獲得更好的套刻誤差補(bǔ)償能力，晶圓廠逐步使用高階模型替代傳統(tǒng)的線性模型，以提高模型補(bǔ)償精度，由于高階模型需要更多的量測數(shù)據(jù)進(jìn)行表征，晶圓廠為提升模型準(zhǔn)確性會使用逐個晶圓逐個曝光場的方式進(jìn)行量測，降低了生產(chǎn)效率；另外，套刻誤差量測時不同的采樣方案也會對結(jié)果產(chǎn)生一定的影響，因此如何提高采樣方案的準(zhǔn)確度和適用性，至關(guān)重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，以提高套刻誤差補(bǔ)償模型的適用性，進(jìn)一步提高基于套刻誤差補(bǔ)償模型確定的采樣方案的準(zhǔn)確度和適用性，提高生產(chǎn)效率。

2、根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方法，包括：

3、獲取樣本晶圓的樣本量測數(shù)據(jù)，并確定預(yù)先構(gòu)建的初始套刻誤差補(bǔ)償模型中的待調(diào)整參數(shù)；

4、對所述待調(diào)整參數(shù)進(jìn)行分組，得到候選模型參數(shù)組和參考模型參數(shù)組，并基于所述初始套刻誤差補(bǔ)償模型，分別確定所述候選模型參數(shù)組對應(yīng)的候選套刻誤差補(bǔ)償模型，以及所述參考模型參數(shù)組對應(yīng)的參考套刻誤差補(bǔ)償模型；

5、根據(jù)所述樣本量測數(shù)據(jù)、所述候選套刻誤差補(bǔ)償模型和所述參考套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型；

6、對所述樣本量測數(shù)據(jù)進(jìn)行分組，得到候選量測數(shù)據(jù)組和參考量測數(shù)據(jù)組，并根據(jù)所述候選量測數(shù)據(jù)組、所述參考量測數(shù)據(jù)組和所述目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)采樣方案。

7、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化裝置，包括：

8、參數(shù)獲取模塊，用于獲取樣本晶圓的樣本量測數(shù)據(jù)，并確定預(yù)先構(gòu)建的初始套刻誤差補(bǔ)償模型中的待調(diào)整參數(shù)；

9、參數(shù)分組模塊，用于對所述待調(diào)整參數(shù)進(jìn)行分組，得到候選模型參數(shù)組和參考模型參數(shù)組，并基于所述初始套刻誤差補(bǔ)償模型，分別確定所述候選模型參數(shù)組對應(yīng)的候選套刻誤差補(bǔ)償模型，以及所述參考模型參數(shù)組對應(yīng)的參考套刻誤差補(bǔ)償模型；

10、目標(biāo)模型確定模塊，用于根據(jù)所述樣本量測數(shù)據(jù)、所述候選套刻誤差補(bǔ)償模型和所述參考套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型；

11、目標(biāo)采樣方案確定模塊，用于對所述樣本量測數(shù)據(jù)進(jìn)行分組，得到候選量測數(shù)據(jù)組和參考量測數(shù)據(jù)組，并根據(jù)所述候選量測數(shù)據(jù)組、所述參考量測數(shù)據(jù)組和所述目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)采樣方案。

12、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電子設(shè)備，包括：

13、一個或多個處理器；

14、存儲器，用于存儲一個或多個程序；

15、當(dāng)一個或多個程序被一個或多個處理器執(zhí)行，使得一個或多個處理器能夠執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例所提供的任意一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方法。

16、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)存儲有計(jì)算機(jī)指令，計(jì)算機(jī)指令用于使處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例所提供的任意一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方法。

17、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方案，通過獲取樣本晶圓的樣本量測數(shù)據(jù)，并確定預(yù)先構(gòu)建的初始套刻誤差補(bǔ)償模型中的待調(diào)整參數(shù)；對待調(diào)整參數(shù)進(jìn)行分組，得到候選模型參數(shù)組和參考模型參數(shù)組，并基于初始套刻誤差補(bǔ)償模型，分別確定候選模型參數(shù)組對應(yīng)的候選套刻誤差補(bǔ)償模型，以及參考模型參數(shù)組對應(yīng)的參考套刻誤差補(bǔ)償模型；根據(jù)樣本量測數(shù)據(jù)、候選套刻誤差補(bǔ)償模型和參考套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型；對樣本量測數(shù)據(jù)進(jìn)行分組，得到候選量測數(shù)據(jù)組和參考量測數(shù)據(jù)組，并根據(jù)候選量測數(shù)據(jù)組、參考量測數(shù)據(jù)組和目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)采樣方案。上述方案，通過對待調(diào)整參數(shù)進(jìn)行分組，基于參考套刻誤差補(bǔ)償模型，從各候選模型參數(shù)組對應(yīng)的候選套刻誤差補(bǔ)償模型中確定目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型，實(shí)現(xiàn)了在忽略模型中無關(guān)參數(shù)的基礎(chǔ)上，確定目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型，減少了后續(xù)使用的量測數(shù)據(jù)的數(shù)量，提高了目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型的適用性，同時，通過對樣本量測數(shù)據(jù)進(jìn)行分組，根據(jù)目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型、分組得到的候選量測數(shù)據(jù)組和參考量測數(shù)據(jù)組確定目標(biāo)采樣方案，實(shí)現(xiàn)了對基于套刻誤差的采樣方案的優(yōu)化，提高了確定的目標(biāo)采樣方案的準(zhǔn)確度和適用性，并且，本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了基于套刻誤差補(bǔ)償模型和套刻誤差采樣方案的聯(lián)合優(yōu)化，使得確定的目標(biāo)采樣方案更加適應(yīng)實(shí)際生產(chǎn)情況，提高了生產(chǎn)效率。

18、應(yīng)當(dāng)理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標(biāo)識本發(fā)明的實(shí)施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述樣本量測數(shù)據(jù)進(jìn)行分組，得到候選量測數(shù)據(jù)組和參考量測數(shù)據(jù)組，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述參數(shù)數(shù)量和所述樣本數(shù)量，確定樣本采樣數(shù)量區(qū)間，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述候選量測數(shù)據(jù)組、所述參考量測數(shù)據(jù)組和所述目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)采樣方案，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述參考修正量和所述候選修正量，從所述候選量測數(shù)據(jù)組中確定目標(biāo)量測數(shù)據(jù)組，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)各所述候選量測數(shù)據(jù)對應(yīng)的目標(biāo)修正量差值，從所述候選量測數(shù)據(jù)組中確定目標(biāo)量測數(shù)據(jù)組，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述樣本量測數(shù)據(jù)、所述候選套刻誤差補(bǔ)償模型和所述參考套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型，包括：

8.一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化裝置，其特征在于，包括：

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，該程序被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種基于套刻誤差的聯(lián)合優(yōu)化方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。該方法包括：獲取樣本量測數(shù)據(jù)，確定初始套刻誤差補(bǔ)償模型中的待調(diào)整參數(shù)；對待調(diào)整參數(shù)進(jìn)行分組，得到候選模型參數(shù)組和參考模型參數(shù)組，分別確定候選模型參數(shù)組對應(yīng)的候選套刻誤差補(bǔ)償模型，以及參考模型參數(shù)組對應(yīng)的參考套刻誤差補(bǔ)償模型；根據(jù)樣本量測數(shù)據(jù)、候選套刻誤差補(bǔ)償模型和參考套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型；對樣本量測數(shù)據(jù)進(jìn)行分組，得到候選量測數(shù)據(jù)組和參考量測數(shù)據(jù)組，并根據(jù)候選量測數(shù)據(jù)組、參考量測數(shù)據(jù)組和目標(biāo)套刻誤差補(bǔ)償模型，確定目標(biāo)采樣方案。提高了模型的適用性，提高了采樣方案的準(zhǔn)確度和適用性，提高了生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：仝怡,韋亞一,張利斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30