本實(shí)用新型涉及液晶顯示器領(lǐng)域，具體地，涉及一種量子點(diǎn)板以及包括該量子點(diǎn)板的液晶顯示器。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的用于液晶顯示器的量子點(diǎn)板的結(jié)構(gòu)通常如圖1所示，包括從上到下依次貼附的量子點(diǎn)膜(包括上阻隔膜、紅綠量子點(diǎn)層和下阻隔膜)、抗水狀不良涂層、導(dǎo)光板和反射片。在使用的過程中，將藍(lán)色芯片LED置于導(dǎo)光板的側(cè)面發(fā)光，光源經(jīng)過導(dǎo)光板變成面光源，進(jìn)而激發(fā)紅綠量子點(diǎn)膜，配合部分穿透過去的藍(lán)光，形成寬頻譜、窄半波寬背光源，從而實(shí)現(xiàn)了高色域顯示。

由于量子點(diǎn)對水汽和氧氣具有敏感性(會破壞其結(jié)構(gòu)，降低其光轉(zhuǎn)換效率，甚至使其失效)，加上現(xiàn)在的量子點(diǎn)板大多使用聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)等對水汽和氧氣阻隔性能不好的高分子材料，因此，一般都使用上下兩層阻隔膜對量子點(diǎn)層進(jìn)行保護(hù)，即通常將上阻隔膜、量子點(diǎn)層和下阻隔膜構(gòu)成量子點(diǎn)膜來進(jìn)行生產(chǎn)和使用。并且，為了防止量子點(diǎn)膜與導(dǎo)光板之間出現(xiàn)的水狀吸附從而導(dǎo)致水狀不良的問題，還要在與導(dǎo)光板接觸的阻隔膜上進(jìn)行防止水狀吸附的涂層處理，這種抗水狀不良涂層的使用是現(xiàn)有的量子點(diǎn)板成本高昂的重要原因。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有的量子點(diǎn)板存在的上述問題，提供一種新型的量子點(diǎn)板以及該量子點(diǎn)板在液晶顯示器上的應(yīng)用。

本實(shí)用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使用現(xiàn)有的新型研發(fā)的對水汽和氧氣的阻隔性能較好的導(dǎo)光板代替目前常用阻隔性能不好的PC或PMMA導(dǎo)光板，可以將涂布有光激發(fā)材料的上阻隔膜直接貼附到阻隔性能較好的導(dǎo)光板上，從而將原有的量子點(diǎn)膜中的下阻隔膜省略，并且可以不進(jìn)行抗水狀不良涂層的處理，從而顯著地降低了成本，降低了背光模組的厚度，并保證了不存在水狀不良的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種量子點(diǎn)板，其中，該量子點(diǎn)板由依次貼附的上阻隔膜、光激發(fā)材料層、導(dǎo)光板和反射片組成，所述導(dǎo)光板為阻隔系數(shù)WVPR小于-2g/m²·24h的導(dǎo)光板。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)光板為玻璃導(dǎo)光板或經(jīng)過表面處理的非玻璃導(dǎo)光板。

優(yōu)選地，所述上阻隔膜、光激發(fā)材料層、導(dǎo)光板和反射片的厚度比為2-40：1：10-200：0.5-2。

優(yōu)選地，所述上阻隔膜的厚度為10-2000μm。

優(yōu)選地，所述光激發(fā)材料層的厚度為0.5-200μm。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)光板的厚度為100-5000μm。

優(yōu)選地，所述反射片的厚度為0.5-200μm。

優(yōu)選地，所述光激發(fā)材料層為量子點(diǎn)層。

優(yōu)選地，所述光激發(fā)材料層為紅、綠量子點(diǎn)層。

本實(shí)用新型還提供了一種液晶顯示器，其中，該液晶顯示器中的量子點(diǎn)板為本實(shí)用新型所述的量子點(diǎn)板。

通過本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案，將涂布有光激發(fā)材料的上阻隔膜直接貼附到阻隔性能較好的導(dǎo)光板上，省去了下阻隔膜和抗水狀不良涂層，從而顯著地降低了成本；顯著地降低了背光模組的厚度；同時(shí)確保了量子點(diǎn)層與導(dǎo)光板之間沒有水狀不良的問題。

本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖是用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的量子點(diǎn)板的結(jié)構(gòu)簡圖。

圖2是本實(shí)用新型的量子點(diǎn)板的結(jié)構(gòu)簡圖。

附圖標(biāo)記說明

1上阻隔膜 2光激發(fā)材料層 3下阻隔膜 4抗水狀不良涂層

5導(dǎo)光板 6反射片

具體實(shí)施方式

以下對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。

在本文中所披露的范圍的端點(diǎn)和任何值都不限于該精確的范圍或值，這些范圍或值應(yīng)當(dāng)理解為包含接近這些范圍或值的值。對于數(shù)值范圍來說，各個(gè)范圍的端點(diǎn)值之間、各個(gè)范圍的端點(diǎn)值和單獨(dú)的點(diǎn)值之間，以及單獨(dú)的點(diǎn)值之間可以彼此組合而得到一個(gè)或多個(gè)新的數(shù)值范圍，這些數(shù)值范圍應(yīng)被視為在本文中具體公開。

在本實(shí)用新型中，在未作相反說明的情況下，使用的方位詞如“上、下”通常是指參考附圖所示的上、下。

本實(shí)用新型提供了一種量子點(diǎn)板，如圖2所示，其中，該量子點(diǎn)板由依次貼附的上阻隔膜1、光激發(fā)材料層2、導(dǎo)光板5和反射片6組成，所述導(dǎo)光板5為阻隔系數(shù)WVPR小于-2g/m²·24h的導(dǎo)光板。

在本實(shí)用新型中，優(yōu)選地，所述導(dǎo)光板5為阻隔系數(shù)WVPR小于-4g/m²·24h的導(dǎo)光板。

在本實(shí)用新型中，阻隔系數(shù)滿足上述要求的導(dǎo)光板即可以用于得到本實(shí)用新型的量子點(diǎn)板，目前新型研發(fā)出的玻璃導(dǎo)光板通?？梢詽M足上述阻隔系數(shù)的要求，另外，經(jīng)過表面處理的非玻璃導(dǎo)光板(例如PC或PMMA導(dǎo)光板)也可能實(shí)現(xiàn)上述阻隔系數(shù)的要求。因此，所述導(dǎo)光板5可以為玻璃導(dǎo)光板或經(jīng)過表面處理的非玻璃導(dǎo)光板。

在本實(shí)用新型中，最優(yōu)選地，所述導(dǎo)光板5為玻璃導(dǎo)光板。所述玻璃導(dǎo)光板可以商購得到，例如可以為購自康寧公司的玻璃導(dǎo)光板(例如牌號為Iris^TM、Lotus NXT、Willow，優(yōu)選為Iris^TM)。

在本實(shí)用新型中，所述上阻隔膜1、光激發(fā)材料層2、導(dǎo)光板5和反射片6的尺寸均可以按照本領(lǐng)域常規(guī)的尺寸進(jìn)行設(shè)置。

優(yōu)選地，所述上阻隔膜1、光激發(fā)材料層2、導(dǎo)光板5和反射片6的厚度比可以為2-40：1：10-200：0.5-2，更優(yōu)選為4-15：1：15-100：0.8-1.2。

優(yōu)選地，所述上阻隔膜1的厚度為10-2000μm，更優(yōu)選為40-1200μm。

優(yōu)選地，所述光激發(fā)材料層2的厚度為0.5-200μm，更優(yōu)選為5-180μm。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)光板5的厚度為100-5000μm，更優(yōu)選為500-4000μm。

優(yōu)選地，所述反射片6的厚度為0.5-200μm，更優(yōu)選為5-180μm。

在本實(shí)用新型中，所述上阻隔膜1可以為各種本領(lǐng)域常規(guī)的用于量子點(diǎn)膜的阻隔膜材料，例如為具有氧化物層的聚酯膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯PET)、氧化物(例如氧化硅、氧化鈦或氧化鋁)以及它們的組合。所述上阻隔膜可以商購得到，例如為購自明尼蘇達(dá)州圣保羅的3M公司(3M Company,St.Paul MN)(例如牌號為FTB3-M-125)、東麗公司和vitrflex公司的阻隔膜。

在本實(shí)用新型中，所述光激發(fā)材料層2的光激發(fā)材料可以為本領(lǐng)域各種能夠用在量子點(diǎn)板中的光激發(fā)材料，例如量子點(diǎn)、熒光材料等；最優(yōu)選地，所述光激發(fā)材料為量子點(diǎn)。即，最優(yōu)選地，所述光激發(fā)材料層2為量子點(diǎn)層。

在本實(shí)用新型中，所述量子點(diǎn)層中含有量子點(diǎn)。所述量子點(diǎn)可以為本領(lǐng)域常規(guī)使用的量子點(diǎn)，例如為紅色量子點(diǎn)、綠色量子點(diǎn)和藍(lán)色量子點(diǎn)，優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)層中含有紅量子點(diǎn)和綠量子點(diǎn)。所述量子點(diǎn)層中量子點(diǎn)的含量可以為常規(guī)的含量，例如為0.1-1重量％。

在本實(shí)用新型中，所述量子點(diǎn)的具體物質(zhì)可以為本領(lǐng)域的常規(guī)量子點(diǎn)物質(zhì)，例如為IIB-VIA族半導(dǎo)體化合物，可以選自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe中的至少一種。量子點(diǎn)材料隨著粒徑的增大，同一化學(xué)組成的材料發(fā)出的熒光光譜是由綠光向紅光方向紅移的。所采用的紅量子點(diǎn)材料和綠量子點(diǎn)材料可以是同一化學(xué)組成但粒徑不同的量子點(diǎn)材料，也可以為不同化學(xué)組成的量子點(diǎn)材料。通常地，紅量子點(diǎn)的粒徑范圍是6-9nm，綠量子點(diǎn)的粒徑范圍是2-5nm。

在本實(shí)用新型中，為了使量子點(diǎn)層能夠與所述上阻隔膜和上述導(dǎo)光板緊密貼合，所述量子點(diǎn)層中還可以含有粘合劑，所述粘合劑例如可以為聚羥基丙烯酸樹脂和/或聚氨酯丙烯酸樹脂。

在本實(shí)用新型中，所述量子點(diǎn)層中還可以含有其他常用的添加劑，在此不再贅述。

在本實(shí)用新型中，所述量子點(diǎn)層可以使用本領(lǐng)域商購得到的各種用于制備量子點(diǎn)膜的量子點(diǎn)涂布材料。例如可以為購自加利福尼亞州帕洛阿爾托的納米系統(tǒng)公司(Nanosys Inc.,Palo Alto,CA)、納晶科技股份有限公司和明尼蘇達(dá)州圣保羅的3M公司(3M Company,St.Paul MN)的量子點(diǎn)涂布材料。

在本實(shí)用新型中，所述反射片6使用本領(lǐng)域常規(guī)的反射片即可，可以商購得到，例如可以為購自明尼蘇達(dá)州圣保羅的3M公司(3M Company,St.Paul MN)的反射片。

本實(shí)用新型的量子點(diǎn)板(如圖2所示)與現(xiàn)有技術(shù)的量子點(diǎn)板(如圖1所示)相比，省去了如圖1所示的下阻隔膜3和抗水狀不良涂層4，從而顯著地降低了成本，降低了背光模組的厚度，并保證了不存在水狀不良的問題。

本實(shí)用新型還提供了一種液晶顯示器，其中，該液晶顯示器中的量子點(diǎn)板為本實(shí)用新型所述的量子點(diǎn)板。

在本實(shí)用新型中，所述液晶顯示器的結(jié)構(gòu)按照本領(lǐng)域常規(guī)的結(jié)構(gòu)即可。例如，所述液晶顯示器包括用于拓寬色域的背光模組，該背光模組包括光源和本實(shí)用新型的所述量子點(diǎn)板，所述光源置于所述導(dǎo)光板的一側(cè)，并垂直照射所述導(dǎo)光板的側(cè)面，從而光源經(jīng)過導(dǎo)光板變成面光源，進(jìn)而激發(fā)所述光激發(fā)材料層形成紅、綠等光色，配合部分穿透過去的原光色，形成寬頻譜、窄半波寬背光源，從而實(shí)現(xiàn)了寬色域顯示。

以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。另外需要說明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合，為了避免不必要的重復(fù)，本實(shí)用新型對各種可能的組合方式不再另行說明。此外，本實(shí)用新型的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本實(shí)用新型的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型所公開的內(nèi)容。