1.一種用于VSCEL或PIN陣列耦合的半球自聚焦透鏡光纖陣列，其特征在于，包括基板、蓋板和多根光纖，所述基板包括基板前段和基板后段，所述基板前段上表面高于所述基板后段上表面，所述基板前段上表面上設(shè)有多個(gè)與多根光纖一一對(duì)應(yīng)的V形槽，每根光纖均設(shè)置在與其對(duì)應(yīng)的V形槽內(nèi)，且每根光纖均從基板前段向前伸出后其端面上熔接有一段帶有自聚焦效果的聚光體，所述蓋板設(shè)置在基板前段上，且蓋板與每個(gè)V形槽均圍合成固定光纖的容置空間；所述聚光體包括與基板底面呈30-60°夾角的光學(xué)平面和銜接光學(xué)平面與聚光體底面的弧形球面；所述弧形球面的曲率半徑為75-125um。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于VSCEL或PIN陣列耦合的半球自聚焦透鏡光纖陣列，其特征在于，所述蓋板與基板后段之間的光纖上覆蓋有用于固定和保護(hù)光纖的尾膠，且所述尾膠的高度小于或等于蓋板的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于VSCEL或PIN陣列耦合的半球自聚焦透鏡光纖陣列，其特征在于，所述聚光體的長度大于0.15mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于VSCEL或PIN陣列耦合的半球自聚焦透鏡光纖陣列，其特征在于，所述基板前段和基板后段的交界處設(shè)有過度斜面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于VSCEL或PIN陣列耦合的半球自聚焦透鏡光纖陣列，其特征在于，每個(gè)V形槽的底面均與基板后段的上表面高度一致。