本發(fā)明實(shí)施例涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示器是一種通過(guò)電場(chǎng)改變液晶分子的排列狀態(tài)來(lái)調(diào)制背光的透過(guò)情況以實(shí)現(xiàn)顯示的顯示器件。

目前，用戶對(duì)液晶顯示器的性能要求越來(lái)越高，例如不斷追求更高的分辨率、亮度和對(duì)比度，更大的屏幕尺寸，更快的響應(yīng)速度等性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置，本發(fā)明實(shí)施例可以提高像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容。

本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，其包括：信號(hào)線；公共電極線，其與所述信號(hào)線的延伸方向相同；晶體管，其包括半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括源極區(qū)和漏極區(qū)；第一存儲(chǔ)電極，其與所述公共電極線絕緣、與所述半導(dǎo)體層的漏極區(qū)連接；以及第二存儲(chǔ)電極，其與所述公共電極線連接且與所述第一存儲(chǔ)電極絕緣。在該像素結(jié)構(gòu)中，所述第一存儲(chǔ)電極和所述第二存儲(chǔ)電極都包括設(shè)置于所述信號(hào)線和所述公共電極線之間且彼此交疊的部分，以形成第一存儲(chǔ)電容。

例如，所述第一存儲(chǔ)電極還與所述公共電極線交疊，以形成第二存儲(chǔ)電容。

例如，所述第一存儲(chǔ)電極與所述半導(dǎo)體層同層設(shè)置。

例如，所述第二存儲(chǔ)電極與所述公共電極線同層設(shè)置。

例如，所述的像素結(jié)構(gòu)還包括第三存儲(chǔ)電極，所述第三存儲(chǔ)電極與所述第一存儲(chǔ)電極連接且與所述第二存儲(chǔ)電極絕緣，并且所述第三存儲(chǔ)電極與所述第二存儲(chǔ)電極彼此交疊以形成第三存儲(chǔ)電容。

例如，所述第三存儲(chǔ)電極通過(guò)過(guò)孔與所述第一存儲(chǔ)電極連接，所述過(guò)孔位于所述公共電極線與所述信號(hào)線之間。

例如，所述的像素結(jié)構(gòu)還包括像素電極，所述第三存儲(chǔ)電極設(shè)置于所述像素電極與所述第一存儲(chǔ)電極之間，并且所述第三存儲(chǔ)電極與所述像素電極連接。

例如，所述半導(dǎo)體層包括彼此連接且延伸方向相交的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部包括所述源極區(qū)，所述第二延伸部沿所述公共電極線延伸且與所述第一存儲(chǔ)電極連接。

例如，所述第二延伸部與所述公共電極線彼此絕緣并且彼此交疊，以形成第四存儲(chǔ)電容。

例如，所述的像素結(jié)構(gòu)還包括與所述公共電極線相交且與所述源極區(qū)連接的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述第一延伸部彼此交疊。

例如，所述第一延伸部包括依次連接的所述源極區(qū)、第一溝道區(qū)、連接區(qū)、第二溝道區(qū)和所述漏極區(qū)。

例如，所述信號(hào)線為柵線，所述第一溝道區(qū)與所述信號(hào)線彼此交疊。

例如，所述信號(hào)線包括凸出部，所述凸出部與所述第二溝道區(qū)彼此交疊。

本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例還提供一種陣列基板，其包括根據(jù)以上任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例還提供一種顯示裝置，其包括以上所述的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例在用于液晶顯示裝置中時(shí)，像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容除了包括由像素電極和公共電極形成的液晶電容之外，還包括由第一存儲(chǔ)電極和第二存儲(chǔ)電極形成的第一存儲(chǔ)電容，該第一存儲(chǔ)電容與液晶電容并聯(lián)以增大像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容，因此本發(fā)明實(shí)施例可以有效提高像素有效充放電時(shí)間和像素電壓保持能力、降低漏電流造成的電荷損失比例；另一方面，本發(fā)明實(shí)施例由于增大了像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容，可以有效改善因柵線、數(shù)據(jù)線等制作工藝波動(dòng)造成的驅(qū)動(dòng)電阻增大、閃爍(flicker)和串?dāng)_等不良；再一方面，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)利用信號(hào)線與公共電極線之間的區(qū)域形成第一存儲(chǔ)電容，充分利用了像素結(jié)構(gòu)中的閑置空間，減少了空間浪費(fèi)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。

圖1a為一種像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖1b為圖1a所示的像素結(jié)構(gòu)的電路圖；

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖一；

圖2b為圖2a中的第一存儲(chǔ)電極與半導(dǎo)體層的示意圖；

圖2c為圖2a中的第二存儲(chǔ)電極與公共電極線的示意圖；

圖2d為圖2a中的信號(hào)線的示意圖；

圖2e為沿圖2a中A-A和B-B的剖視示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖二；

圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖三；

圖4b為沿圖4a中A-A和B-B的剖視示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的電壓保持能力的示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的俯視示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板在工作時(shí)柵掃描信號(hào)的時(shí)序示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

圖1a為一種像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖1b為圖1a所示的像素結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖1a和圖1b所示，該像素結(jié)構(gòu)包括柵線5、數(shù)據(jù)線7、晶體管3和像素電極9。該晶體管3的半導(dǎo)體層3a包括兩個(gè)與遮光層4和柵線5交疊的溝道區(qū)，并且包括與數(shù)據(jù)線7通過(guò)過(guò)孔6c連接的源極區(qū)以及與像素電極9通過(guò)過(guò)孔6a連接的漏極區(qū)；該晶體管為雙柵極晶體管，包括如圖1b所示的源極晶體管MOS-1和漏極晶體管MOS-2。在液晶顯示器中，該像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容由像素電極和公共電極(公共電極在工作時(shí)被施加電壓Vcom)之間形成的液晶電容LC構(gòu)成。

本申請(qǐng)的發(fā)明人注意到，在大尺寸、高分辨率的液晶顯示器中，如圖1a和圖1b所示的像素結(jié)構(gòu)的因存儲(chǔ)電容不足而存在像素有效充放電時(shí)間不足、像素電壓保持能力不足等問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和顯示裝置，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，如圖2a至圖2e所示，該像素結(jié)構(gòu)包括：信號(hào)線51；公共電極線52，其與信號(hào)線51的延伸方向大致相同；晶體管30，其包括半導(dǎo)體層31，半導(dǎo)體層31包括源極區(qū)31a和漏極區(qū)31b；第一存儲(chǔ)電極11，其與公共電極線52絕緣(例如通過(guò)如圖2e所示的絕緣層62與公共電極線52絕緣)，并且與半導(dǎo)體層31的漏極區(qū)31b連接；第二存儲(chǔ)電極12，其與公共電極線52連接以在工作時(shí)被施加公共電極信號(hào)，并且與第一存儲(chǔ)電極11絕緣(例如通過(guò)絕緣層62與第一存儲(chǔ)電極11絕緣)。在該像素結(jié)構(gòu)中，第一存儲(chǔ)電極11和第二存儲(chǔ)電極12包括設(shè)置于信號(hào)線51和公共電極線52之間且彼此交疊的部分，以形成第一存儲(chǔ)電容。

本發(fā)明實(shí)施例在用于液晶顯示裝置中時(shí)，像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容除了包括由像素電極和公共電極形成的液晶電容之外，還包括由例如與像素電極不同層設(shè)置的第一存儲(chǔ)電極11和例如與公共電極不同層設(shè)置的第二存儲(chǔ)電極12形成的第一存儲(chǔ)電容，該第一存儲(chǔ)電容與液晶電容并聯(lián)以增大像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容，因此本發(fā)明實(shí)施例可以有效提高像素有效充放電時(shí)間和像素電壓保持能力、降低漏電流造成的電荷損失比例；另一方面，本發(fā)明實(shí)施例由于增大了像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容，可以有效改善因柵線、數(shù)據(jù)線等制作工藝波動(dòng)造成的驅(qū)動(dòng)電阻增大、閃爍(flicker)和串?dāng)_等不良；再一方面，與如圖1a所示的像素結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)利用信號(hào)線51與公共電極線52之間的區(qū)域形成第一存儲(chǔ)電容，充分利用了像素結(jié)構(gòu)中的閑置空間，減少了空間浪費(fèi)。

例如，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)還包括承載基板01，承載基板01的承載面承載有上述信號(hào)線、公共電極線、晶體管、第一存儲(chǔ)電極和第二存儲(chǔ)電極。本發(fā)明實(shí)施例中提及的“交疊”都是指在垂直于承載基板01的承載面的方向上的交疊。

例如，信號(hào)線51與公共電極線52可以同層設(shè)置，這樣二者可以通過(guò)對(duì)同一薄膜進(jìn)行圖案化處理形成，以簡(jiǎn)化制作工藝。例如，信號(hào)線51與公共電極線52都可以通過(guò)柵極金屬層形成。例如，信號(hào)線51可以為柵線，即信號(hào)線51在工作時(shí)被施加?xùn)艗呙栊盘?hào)。

例如，如圖2a所示，第一存儲(chǔ)電極11還與公共電極線52交疊，以形成第二存儲(chǔ)電容，從而進(jìn)一步增大像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容。

例如，第一存儲(chǔ)電極11可以與半導(dǎo)體層31同層設(shè)置。例如，如圖2b所示，第一存儲(chǔ)電極11與半導(dǎo)體層31可以一體成型，以簡(jiǎn)化像素結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)電極11和半導(dǎo)體層31同層設(shè)置，使得二者可以通過(guò)對(duì)同一薄膜進(jìn)行圖案化處理形成，以減少制作工藝。

例如，第二存儲(chǔ)電極12可以與公共電極線52同層設(shè)置。例如，如圖2c所示，第二存儲(chǔ)電極12與公共電極線52可以一體成型，以簡(jiǎn)化像素結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明實(shí)施例中，第二存儲(chǔ)電極12和公共電極線52同層設(shè)置，使得二者可以通過(guò)對(duì)同一薄膜進(jìn)行圖案化處理形成，以減少制作工藝。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)將第一存儲(chǔ)電極11與半導(dǎo)體層31同層設(shè)置、并且將第二存儲(chǔ)電極12與公共電極線52同層設(shè)置，只需要對(duì)像素結(jié)構(gòu)制作工藝中的用于制作半導(dǎo)體層和公共電極線的掩膜版進(jìn)行修改即可實(shí)現(xiàn)，不需要增加其它步驟，因此本發(fā)明實(shí)施例的制作工藝簡(jiǎn)單。

在本發(fā)明實(shí)施例中，晶體管30的漏極區(qū)31b與像素結(jié)構(gòu)的像素電極(如后面的圖4a和圖4b所示)連接，以控制像素結(jié)構(gòu)的液晶電容的工作狀態(tài)。由于第一存儲(chǔ)電極11與晶體管30的漏極區(qū)31b連接，因此，晶體管30還可以控制第一存儲(chǔ)電容的工作狀態(tài)。

例如，晶體管30的半導(dǎo)體層31可以采用低溫多晶硅材料、金屬氧化物或非晶硅等半導(dǎo)體材料制作。

例如，可以將晶體管30的半導(dǎo)體層31的平面形狀設(shè)置為L(zhǎng)形。例如，如圖2a和圖2b所示，半導(dǎo)體層31包括彼此連接且延伸方向相交的第一延伸部311和第二延伸部312，第一延伸部311包括源極區(qū)31a，第二延伸部312大致沿公共電極線52延伸且與第一存儲(chǔ)電極11連接。與圖1a所示的晶體管3中的U形半導(dǎo)體層3a相比，本發(fā)明實(shí)施例中的L形半導(dǎo)體層31占據(jù)的空間更小，從而與半導(dǎo)體層31同層設(shè)置的第一存儲(chǔ)電極11可以制作得更大，以獲得較大的存儲(chǔ)電容。

例如，如圖2a所示，第二延伸部312與公共電極線52彼此絕緣并且彼此交疊，以形成第四存儲(chǔ)電容。由于第二延伸部312與公共電極線52之間形成第四存儲(chǔ)電容，像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容被進(jìn)一步增大；此外，通過(guò)使第二延伸部312與公共電極線52彼此交疊，有利于獲得面積更大的第一存儲(chǔ)電極11，從而獲得較大的存儲(chǔ)電容。

例如，如圖2a、圖2b和圖2e所示，第一延伸部311可以包括依次連接的源極區(qū)31a、第一溝道區(qū)31c、連接區(qū)31d、第二溝道區(qū)31e和漏極區(qū)31b。在這種情況下，晶體管30為雙柵極晶體管，以提高晶體管30的穩(wěn)定性。例如，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，晶體管30也可以為單柵極晶體管，在這種情況下，第一延伸部311也可以只包括依次連接的源極區(qū)31a、第一溝道區(qū)31c和漏極區(qū)31b。

例如，在半導(dǎo)體層31的采用低溫多晶硅材料制作的情況下，第一溝道區(qū)31c和第二溝道區(qū)31e都可以為非摻雜區(qū)，源極區(qū)31a、漏極區(qū)31b和連接區(qū)31d都可以為摻雜區(qū)。

例如，在信號(hào)線51為柵線的情況下，如圖2a所示，第一溝道區(qū)31c與信號(hào)線51彼此交疊。在本發(fā)明實(shí)施例中，利用柵線的與第一溝道區(qū)31c交疊的部分形成晶體管30的第一柵極，有利于簡(jiǎn)化晶體管30的結(jié)構(gòu)。

例如，在信號(hào)線51為柵線的情況下，如圖2a、圖2d和圖2e所示，信號(hào)線51包括與公共電極線52的延伸方向大致相同的主體部510和從主體部510伸出的凸出部511，主體部510與第一溝道區(qū)31c交疊，凸出部511與第二溝道區(qū)31e交疊。在本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)使柵線形成與第二溝道區(qū)31e交疊的凸出部511，可以形成晶體管30的第二柵極，并且使晶體管30的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。

例如，凸出部511的平面形狀可以為L(zhǎng)形。通過(guò)采用包括主體部510和L形凸出部511的信號(hào)線51形成晶體管30的兩個(gè)柵極，有利于減小半導(dǎo)體層31占用的空間，以獲得較大的第一存儲(chǔ)電容。

例如，如圖2a、圖2b和圖2e所示，本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)還可以包括遮光層41，其設(shè)置于半導(dǎo)體層31的面向承載基板01的一側(cè)并且與第一溝道區(qū)31c和第二溝道區(qū)31e交疊。例如，像素結(jié)構(gòu)還可以包括覆蓋遮光層41的緩沖絕緣層61，以將遮光層41與半導(dǎo)體層31絕緣。

例如，如圖3所示，像素結(jié)構(gòu)還包括與公共電極線52相交且與源極區(qū)31a連接(例如通過(guò)過(guò)孔60c連接)的數(shù)據(jù)線71，數(shù)據(jù)線71與第一延伸部311交疊。例如，在這種情況下，信號(hào)線51可以為柵線。在本發(fā)明實(shí)施例中，第一延伸部311與數(shù)據(jù)線71交疊，有利于增大與半導(dǎo)體層31同層設(shè)置的第一存儲(chǔ)電極11的面積，以獲得較大的存儲(chǔ)電容。

例如，如圖4a和圖4b所示，本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)還可以包括第三存儲(chǔ)電極13，第三存儲(chǔ)電極13與第一存儲(chǔ)電極11連接且與第二存儲(chǔ)電極12絕緣，并且第三存儲(chǔ)電極13與第二存儲(chǔ)電極12彼此交疊以形成第三存儲(chǔ)電容。在本發(fā)明實(shí)施例中，第三存儲(chǔ)電極13與第一存儲(chǔ)電極11連接，從而由第二、三存儲(chǔ)電極形成的第三存儲(chǔ)電容與由第一、二存儲(chǔ)電極形成的第一存儲(chǔ)電容并聯(lián)，以進(jìn)一步增大像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容。

例如，如圖4a和圖4b所示，第三存儲(chǔ)電極13通過(guò)過(guò)孔60a與第一存儲(chǔ)電極11連接，過(guò)孔60a位于公共電極線52與信號(hào)線51之間。例如，第三存儲(chǔ)電極13與第二存儲(chǔ)電極12之間設(shè)置有中間絕緣層63，過(guò)孔60a貫穿中間絕緣層63和絕緣層62。在本發(fā)明實(shí)施例中，第三存儲(chǔ)電極13與第一存儲(chǔ)電極11之間的整個(gè)連接過(guò)孔60a位于公共電極線52與信號(hào)線51之間，可以避免制作過(guò)孔60a時(shí)對(duì)公共電極線52造成損傷。

例如，如圖4a和圖4b所示，本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)還可以包括像素電極91，第三存儲(chǔ)電極13設(shè)置于像素電極91與第一存儲(chǔ)電極11之間，并且第三存儲(chǔ)電極13與像素電極91連接，例如二者通過(guò)至少貫穿覆蓋第三存儲(chǔ)電極13的絕緣層64的過(guò)孔60b連接。在本發(fā)明實(shí)施例中，由于第一存儲(chǔ)電極11與晶體管30的漏極區(qū)31b連接，通過(guò)第三存儲(chǔ)電極13將像素電極91與第一存儲(chǔ)電極11連接起來(lái)，可以實(shí)現(xiàn)像素電極91與漏極區(qū)31b之間的連接，與像素電極91和漏極區(qū)31b之間通過(guò)過(guò)孔直接連接的方式相比，本發(fā)明實(shí)施例可以減小像素電極91與漏極區(qū)31b之間的連接過(guò)孔的制作難度。

例如，如圖4a和圖4b所示，本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)還可以包括公共電極81。例如，公共電極81通過(guò)鈍化絕緣層65與像素電極91間隔開(kāi)，以在公共電極81與像素電極91之間形成液晶電容。

例如，公共電極81與第二存儲(chǔ)電極12可以與同一公共電極線52連接，也可以分別與不同的公共電極線連接；例如，公共電極81可以位于像素電極91之下，如圖4b所示，或者公共電極81也可以位于像素電極91之上。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖。如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)包括晶體管30，其例如為包括源極晶體管MOS-1和漏極晶體管MOS-2的雙柵極晶體管，該晶體管30的源極區(qū)連接數(shù)據(jù)線Da，且柵極連接?xùn)啪€Sc；該像素結(jié)構(gòu)還包括液晶電容LC和增加的存儲(chǔ)電容Cs，這兩個(gè)電容的一個(gè)電極板都與晶體管30的漏極區(qū)連接并且另一個(gè)電極板都被施加公共電極信號(hào)Vcom，因此，該像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容為L(zhǎng)C與Cs并聯(lián)之后的電容。與圖1a和圖1b所示的像素結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明實(shí)施例由于增加了電容Cs，因此增大了存儲(chǔ)電容。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的電壓保持能力的示意圖。在圖6中，Da表示數(shù)據(jù)信號(hào)，Sc表示柵掃描信號(hào)，Re表示實(shí)際的像素電壓，Vgl表示柵線的關(guān)斷電壓，Vcom表示公共電極信號(hào)，Vgh表示柵線的開(kāi)啟電壓，ΔV＝Vd-Vs表示像素電壓保持能力。與圖1a和圖1b所示的像素結(jié)構(gòu)相比，在采用相同的晶體管而具有相同的漏電流的情況下，由于本發(fā)明實(shí)施例增大了存儲(chǔ)電容，因此像素電壓保持能力增強(qiáng)；而且，即使保持像素電壓的電荷有很小的一部分分散在連接像素電極的寄生電容上，由于本發(fā)明實(shí)施例增大了存儲(chǔ)電容，因此可以減小寄生電容對(duì)像素電極的電壓的擾動(dòng)。

例如，在本發(fā)明的以上任一實(shí)施例中，緩沖絕緣層61、絕緣層62、中間絕緣層63、絕緣層64和鈍化絕緣層65都可以采用無(wú)機(jī)材料(例如Si₃N₄、SiO₂等)或有機(jī)材料(例如樹(shù)脂等)制作，例如，在絕緣層64為平坦層的情況下，其可以采用有機(jī)材料制作，以具有較大的厚度，從而起到平坦化作用；例如，像素電極91和公共電極81都可以采用諸如氧化銦鋅、氧化銦錫等透明導(dǎo)電金屬氧化物材料制作；例如，遮光層41、信號(hào)線51、公共電極線52和數(shù)據(jù)線71都可以采用諸如鋁、鋁合金、銅、銅合金、鈦、鋯、鉬、鉬鈮合金等金屬材料制作。

本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例還提供一種陣列基板，其包括以上任一項(xiàng)實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)。

例如，如圖7所示，在陣列基板中，像素結(jié)構(gòu)呈矩陣排列。每個(gè)像素結(jié)構(gòu)包括相鄰的信號(hào)線51a、51b，在該相鄰的信號(hào)線51a、51b之間設(shè)置有公共電極線52，信號(hào)線51a與公共電極線52之間的距離小于信號(hào)線51b到公共電極線52之間的距離；在每個(gè)像素結(jié)構(gòu)中，第一存儲(chǔ)電極11和第二存儲(chǔ)電極12設(shè)置于公共電極線52與距離其較近的信號(hào)線51a之間。

圖8為陣列基板在工作時(shí)柵掃描信號(hào)的時(shí)序示意圖。如圖8所示，柵極驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào)如CLK所示，例如，在陣列基板的工作過(guò)程中，可以分別從兩側(cè)對(duì)柵線G1、G2……Gx施加掃描信號(hào)，參見(jiàn)一側(cè)的掃描開(kāi)始信號(hào)STVR以及與該側(cè)相對(duì)的另一側(cè)的掃描開(kāi)始信號(hào)STVL。例如，在陣列基板的工作過(guò)程中，連接第二存儲(chǔ)電極的公共電極線可以一直被施加公共電極信號(hào)，通過(guò)與第一存儲(chǔ)電極連接的晶體管控制由第一、二存儲(chǔ)電極形成的第一存儲(chǔ)電容的工作狀態(tài)。

本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供一種顯示裝置，其包括以上實(shí)施例提供的陣列基板。

例如，該顯示裝置還包括黑矩陣，如圖7所示的公共電極線52與距離其較近的信號(hào)線51a以及它們之間的區(qū)域被黑矩陣遮擋，從而該區(qū)域?yàn)榉秋@示區(qū)。本發(fā)明實(shí)施例在該非顯示區(qū)設(shè)置由第一存儲(chǔ)電極和第二存儲(chǔ)電極形成的第一存儲(chǔ)電容，既增大了像素結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容，又充分利用了非顯示區(qū)的空間，以避免對(duì)開(kāi)口率造成影響。

例如，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

有以下幾點(diǎn)需要說(shuō)明：(1)本發(fā)明實(shí)施例附圖中，只涉及到與本發(fā)明實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)；(2)為了清晰起見(jiàn)，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度并非按照實(shí)際比例繪制，而是被一定程度放大；(3)在不沖突的情況下，本發(fā)明的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

以上所述僅是本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。