本發(fā)明涉及激光直寫技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種數(shù)字微鏡器件傾斜掃描時的工作方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的激光直寫設(shè)備中，經(jīng)常使用到數(shù)字微鏡器件(Digital Micromirror Devices，簡稱DMD)，DMD是用數(shù)字電壓信號控制微鏡片執(zhí)行機械運動來實現(xiàn)光學(xué)功能的裝置.。目前的硅微加工技術(shù)已經(jīng)能夠加工出符合工藝要求的高質(zhì)量DMD芯片，在一個硅片上可一次制造成型幾十萬或上百萬個微反射鏡，這些微反射鏡一般呈矩形整列布置在DMD上。

現(xiàn)有技術(shù)中，DMD的使用方法是這樣的，DMD一般安裝在一個掃描軸上，DMD沿著掃描軸來回直線運動的方向叫掃描方向，或者DMD固定不動，待曝光物體在DMD下來回做直線運動，這個直線運動的方向也叫掃描方向。現(xiàn)有技術(shù)中，參照附圖1，數(shù)字微鏡器件1上的微鏡單元3組成的矩形陣列的列方向與掃描方向平行，數(shù)字微鏡器件1掃過待掃描區(qū)域2時，待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分為間距為PW1的掃描條帶，PW1等于微鏡單元3的間隔距離d。在激光制版工藝中，待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶越密集，掃描曝光的效果更好，圖像更清晰。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的在于提供一種數(shù)字微鏡器件傾斜掃描時的工作方法，可以提高數(shù)字微鏡器件上微鏡單元的掃描軌跡的密度，提高掃描曝光的質(zhì)量。

為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種數(shù)字微鏡器件傾斜掃描時的工作方法，一種數(shù)字微鏡器件傾斜掃描時的工作方法，所述的數(shù)字微鏡器件在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向成一定夾角；這個夾角會使數(shù)字微鏡器件的微鏡單元在感光材料件上的掃描軌跡更加密集。

優(yōu)選的，上述的數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向所成的夾角范圍為：7.1150°～ 7.1350°。

優(yōu)選的，上述的數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向所成的夾角范圍為：6.3302°～ 6.3502°。

優(yōu)選的，上述的數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向所成的夾角范圍為：5.7006°～ 5.7206°。

優(yōu)選的，上述的數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向所成的夾角范圍為：5.1844°～ 5.2044°。

優(yōu)選的，上述的數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向所成的夾角范圍為：4.7536°～ 4.7736°。

優(yōu)選的，上述的數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向所成的夾角范圍為：4.3887°～ 4.4087°。

優(yōu)選的，上述的數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向所成的夾角范圍為：4.0756°～ 4.0956°。

優(yōu)選的，上述的數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向所成的夾角范圍為：3.8041°～ 3.8241°。

優(yōu)選的，上述的數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向所成的夾角范圍為：3.5663°～ 3.5863°。

本發(fā)明的技術(shù)效果在于：當(dāng)數(shù)字微鏡器件的掃描方向與數(shù)字微鏡器件上微鏡陣列的行方向或列方向成一定夾角θ時，待掃描區(qū)域被微鏡單元細分的掃描條帶的間距為PW2，兩個相鄰的微鏡單元之間的距離為d，PW2=d×sinθ，現(xiàn)有技術(shù)中待掃描區(qū)域被微鏡單元細分的掃描條帶的間距為PW1，PW1=d；很顯然PW1大于PW2。因此采用一定的夾角的情況下，待掃描區(qū)域被微鏡單元細分的掃描條帶更加密集，掃描曝光效果更好。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的掃描方式示意圖；

圖2是本發(fā)明掃描方式的示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。

實施例1：

參照附圖2，數(shù)字微鏡器件1在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件1上微鏡陣列的列方向所成的夾角θ= 7.1250°，數(shù)字微鏡器件1上兩個相鄰的微鏡單元3之間的中心間距為d；此時在掃描方向上待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶的間距為PW2， PW2=d×sinθ=0.124d。相對于現(xiàn)有技術(shù)，微鏡單元3細分的掃描條帶有約8倍的密集度提高；單個掃描條帶上的每一點，數(shù)字微鏡器件1對其進行掃描，每經(jīng)過8行微鏡單元3，該點會被微鏡單元3重復(fù)覆蓋一次。

實施例2：

參照附圖2，數(shù)字微鏡器件1在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件1上微鏡陣列的列方向所成的夾角θ= 6.3402°，數(shù)字微鏡器件1上兩個相鄰的微鏡單元3之間的中心間距為d；此時在掃描方向上待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶的間距為PW2， PW2=d×sinθ=0.1104d。相對于現(xiàn)有技術(shù)，微鏡單元3細分的掃描條帶有約9倍的密集度提高；單個掃描條帶上的每一點，數(shù)字微鏡器件1對其進行掃描，每經(jīng)過9行微鏡單元3，該點會被微鏡單元3重復(fù)覆蓋一次。

實施例3：

參照附圖2，數(shù)字微鏡器件1在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件1上微鏡陣列的列方向所成的夾角θ= 5.7106°，數(shù)字微鏡器件1上兩個相鄰的微鏡單元3之間的中心間距為d；此時在掃描方向上待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶的間距為PW2， PW2=d×sinθ= 0.0995d。相對于現(xiàn)有技術(shù)，微鏡單元3細分的掃描條帶有約10倍的密集度提高；單個掃描條帶上的每一點，數(shù)字微鏡器件1對其進行掃描，每經(jīng)過10行微鏡單元3，該點會被微鏡單元3重復(fù)覆蓋一次。

實施例4：

參照附圖2，數(shù)字微鏡器件1在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件1上微鏡陣列的列方向所成的夾角θ= 5.1944°，數(shù)字微鏡器件1上兩個相鄰的微鏡單元3之間的中心間距為d；此時在掃描方向上待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶的間距為PW2， PW2=d×sinθ= 0.09054d。相對于現(xiàn)有技術(shù)，微鏡單元3細分的掃描條帶有約11倍的密集度提高；單個掃描條帶上的每一點，數(shù)字微鏡器件1對其進行掃描，每經(jīng)過11行微鏡單元3，該點會被微鏡單元3重復(fù)覆蓋一次。

實施例5：

參照附圖2，數(shù)字微鏡器件1在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件1上微鏡陣列的列方向所成的夾角θ=4.7636°，數(shù)字微鏡器件1上兩個相鄰的微鏡單元3之間的中心間距為d；此時在掃描方向上待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶的間距為PW2， PW2=d×sinθ= 0.08301d。相對于現(xiàn)有技術(shù)，微鏡單元3細分的掃描條帶有約12倍的密集度提高；單個掃描條帶上的每一點，數(shù)字微鏡器件1對其進行掃描，每經(jīng)過12行微鏡單元3，該點會被微鏡單元3重復(fù)覆蓋一次。

實施例6：

參照附圖2，數(shù)字微鏡器件1在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件1上微鏡陣列的列方向所成的夾角θ=4.3987°，數(shù)字微鏡器件1上兩個相鄰的微鏡單元3之間的中心間距為d；此時在掃描方向上待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶的間距為PW2， PW2=d×sinθ= 0.07669d。相對于現(xiàn)有技術(shù)，微鏡單元3細分的掃描條帶有約13倍的密集度提高；單個掃描條帶上的每一點，數(shù)字微鏡器件1對其進行掃描，每經(jīng)過13行微鏡單元3，該點會被微鏡單元3重復(fù)覆蓋一次。

實施例7：

參照附圖2，數(shù)字微鏡器件1在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件1上微鏡陣列的列方向所成的夾角θ=4.0856°，數(shù)字微鏡器件1上兩個相鄰的微鏡單元3之間的中心間距為d；此時在掃描方向上待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶的間距為PW2， PW2=d×sinθ= 0.07125d。相對于現(xiàn)有技術(shù)，微鏡單元3細分的掃描條帶有約14倍的密集度提高；單個掃描條帶上的每一點，數(shù)字微鏡器件1對其進行掃描，每經(jīng)過14行微鏡單元3，該點會被微鏡單元3重復(fù)覆蓋一次。

實施例8：

參照附圖2，數(shù)字微鏡器件1在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件1上微鏡陣列的列方向所成的夾角θ=3.8141°，數(shù)字微鏡器件1上兩個相鄰的微鏡單元3之間的中心間距為d；此時在掃描方向上待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶的間距為PW2， PW2=d×sinθ= 0.06652d。相對于現(xiàn)有技術(shù)，微鏡單元3細分的掃描條帶有約15倍的密集度提高；單個掃描條帶上的每一點，數(shù)字微鏡器件1對其進行掃描，每經(jīng)過15行微鏡單元3，該點會被微鏡單元3重復(fù)覆蓋一次。

實施例9：

參照附圖2，數(shù)字微鏡器件1在對感光材料件進行掃描曝光時，其掃描方向與數(shù)字微鏡器件1上微鏡陣列的列方向所成的夾角θ=3.5763°，數(shù)字微鏡器件1上兩個相鄰的微鏡單元3之間的中心間距為d；此時在掃描方向上待掃描區(qū)域2被微鏡單元3細分的掃描條帶的間距為PW2， PW2=d×sinθ= 0.06238d。相對于現(xiàn)有技術(shù)，微鏡單元3細分的掃描條帶有約16倍的密集度提高；單個掃描條帶上的每一點，數(shù)字微鏡器件1對其進行掃描，每經(jīng)過16行微鏡單元3，該點會被微鏡單元3重復(fù)覆蓋一次。

應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明，所有根據(jù)本發(fā)明原理得出的其他實施例，均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。