本發(fā)明涉及顯示屏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、陣列基板制造方法及液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅(low temperature poly-silicon，簡稱為LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器有別于傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器而被廣泛應(yīng)用。目前LTPS-TFT陣列基板生產(chǎn)制造過程中，因為設(shè)計與工藝是搭配進行的，目前5mask工藝順序是依次形成M1(第一金屬層)、G-SiNx(絕緣層)/a-Si(半導(dǎo)體層)/N、歐姆接觸層、M2(第二金屬層)、PV鈍化層、ITO像素電極，在第一金屬層制作柵極，在第二金屬層制作源極和漏極，此設(shè)計在溝道蝕刻過程中，因為M2一般用A1材料，A1容易發(fā)生小丘凸起，M2容易出現(xiàn)尖端發(fā)電導(dǎo)致靜電釋放擊穿風(fēng)險。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種陣列基板，避免第二金屬層用于制作源極和漏極，產(chǎn)生離子轟擊穿透風(fēng)險，提升了陣列基板良率。

本發(fā)明提供的陣列基板，其包括形成于基板第一金屬層、絕緣層、像素電極、第一鈍化層及第二金屬層，所述第一鈍化層上設(shè)有過孔，所述第二金屬層通過所述過孔與所述像素電極連接；所述像素電極、TFT開關(guān)的源極和漏極在ITO材料層形成。

其中，所述第一金屬層為掃描線，所述第二金屬層為漏極線及數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線通過所述過孔與所述像素電極連接。

其中，所述掃描線為多個且縱向排布，所述數(shù)據(jù)線為多個且橫向排布，所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉形成多個像素單元。

其中，所述第二金屬層上覆蓋有第二鈍化層。

其中，所述過孔正投影于設(shè)于所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域。

其中，所述第二金屬層為鋁、鉬鋁合金制成。

其中，所述像素電極為透明導(dǎo)電材料制成。

本申請所述的液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板及夾持于所述陣列基板與彩膜基板之間的液晶層，所述陣列基板包括形成于基板的第一金屬層、絕緣層、像素電極、第一鈍化層及第二金屬層，所述第一鈍化層上設(shè)有過孔，所述第二金屬層通過所述過孔與所述像素電極連接。

其中，所述第一金屬層為掃描線，所述第二金屬層為漏極線及數(shù)據(jù)線，所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉形成多個像素單元，所述數(shù)據(jù)線通過所述過孔與所述像素電極連接。

其中，所述過孔正投影于設(shè)于所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域。

本發(fā)明提供一種陣列基板制造方法，包括，在基板上依次形成柵極、絕緣層及氧化物半導(dǎo)體層；

在所述氧化物導(dǎo)體層及所述絕緣層上形成ITO材料層；

圖案化所述ITO材料層形成源極、漏極及與漏極連接的像素電極；其中源極與漏極之間形成溝道；

在所述源極、漏極及像素電極上形成具有過孔的第一鈍化層；

形成覆蓋所述第一鈍化層的金屬層，并且該金屬層通過所述過孔與所述源極連接。

本發(fā)明所述的陣列基板的第二金屬層是形成于像素電極及第一鈍化層之后，避免第二金屬層形成于氧化物半導(dǎo)體層之上而在制造過程中使第二金屬層產(chǎn)生靜電穿透現(xiàn)象。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明較佳實施方式的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)示意圖，屬于透視圖，不同的剖面線代表不同的層；

圖2為圖1所述的陣列基板I-I方向剖視圖。

圖3是本發(fā)明陣列基板制造方法流程圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本申請所述的圖案化構(gòu)圖工藝包括成膜、顯影、曝光、蝕刻等構(gòu)圖工藝。

請參閱圖1與圖2，本申請?zhí)峁┮环N陣列基板，主要是指低溫多晶硅(low temperature poly-silicon，簡稱為LTPS)薄膜晶體管液晶陣列基板，其包括形成于基板10的第一金屬層211、絕緣層212、TFT開關(guān)210、與所述TFT210漏極2101連接的像素電極27、第一鈍化層214及第二金屬層215，所述第一金屬層211與第二金屬層215交叉設(shè)置且絕緣，所述第一鈍化層214上設(shè)有過孔216，所述過孔216位于所述第一金屬層211與第二金屬層215交叉位置，所述第二金屬層215通過所述過孔216與TFT開關(guān)210的源極213，進而使保證第二金屬層215將信號通過TFT開關(guān)傳遞給所述像素電極27。像素電極27、TFT開關(guān)的源極和漏極在ITO材料層形成

進一步的，所述第二金屬層215上覆蓋有第二鈍化層217。所述第二金屬層也可以是透明材料形成。

請一并參閱圖1，圖1為陣列基板部分俯視圖，本實施例以一個像素單元為例進行說明。

所述基板10通常為透明玻璃板。第一金屬層211上還形成有低溫多晶硅層、緩沖層等圖未示。所述絕緣層212采用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)與氮氧化硅(SiNxOy)中的一種制成。

所述第一金屬層211為掃描線21，所述第二金屬層215為數(shù)據(jù)線23。所述掃描線21為多個且縱向排布，所述數(shù)據(jù)線23為多個且橫向排布，所述掃描線21與所述數(shù)據(jù)線23交叉形成多個像素單元，參閱圖1，所述像素電極27位于像素單元內(nèi)。

本實施例中，所述第一鈍化層214上開設(shè)有所述過孔216，過孔216并位于所述掃描線21與所述數(shù)據(jù)線23交叉的區(qū)域。也就是說所述過孔216開設(shè)于位于所述掃描線21與所述數(shù)據(jù)線23交叉的區(qū)域的第一鈍化層214部分上。

本實施例中，所述第二金屬層215為鋁、鉬鋁合金制成。相較于現(xiàn)有技術(shù)第二金屬層形成于TFT開關(guān)210的氧化物半導(dǎo)體溝道層2103之后，本申請在陣列基板制作過程中，像素電極先形成，而第二金屬層215還未制成，而像素電極為ITO，無小丘凸起問題，所以避免了溝道蝕刻過程中第二金屬層(小丘凸起)誘發(fā)靜電擊穿第二金屬層。

本實施例中，所述像素電極為ITO(Indium tin oxide氧化銦錫)等透明導(dǎo)電材料制成。

本發(fā)明所述的陣列基板在制造過程中，工藝順序為依次形成第一金屬層211、絕緣層212、TFT開關(guān)、像素電極27、第一鈍化層214、第二金屬層215及第二鈍化層217。在第一鈍化層214設(shè)置過孔216使TFT開關(guān)的源極213通過過孔216與數(shù)據(jù)線23進行連接，避免在半導(dǎo)體層溝道2103蝕刻與第二金屬層215在同一層中制成，進而避免第二金屬層215產(chǎn)生離子轟擊擊穿數(shù)據(jù)線，，27。同時源極通過過孔216與第二金屬層215進行連接，保證數(shù)據(jù)信號正常傳輸?shù)较袼仉姌O27，保證了像素正常工作。

而且像素電極27是在第二金屬層215下方，ITO像素電極27比較薄，相較于像素電極27覆蓋過孔與第二金屬層215接觸導(dǎo)致接觸阻抗過高來說，本申請將像素電極27設(shè)于第二金屬層215下方，避免上述問題產(chǎn)生，提高了陣列基板品質(zhì)。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括所述的陣列基板、彩膜基板及夾持于所述陣列基板與彩膜基板之間的液晶層。

本發(fā)明還提供一種陣列基板制造方法，包括：

步驟S1，在基板上依次形成柵極、絕緣層及氧化物半導(dǎo)體層。

步驟S2，在所述氧化物導(dǎo)體層及所述絕緣層上形成ITO材料層。

步驟S3，圖案化所述ITO材料層形成源極、漏極及與漏極連接的像素電極；其中源極與漏極之間形成溝道。所述源極、漏極的形成通過圖案化構(gòu)圖工藝形成，其中包括了干蝕刻工藝，由于源極、漏極及與漏極連接的像素電極均是ITO材料形成，不存在干蝕刻過程中出現(xiàn)像金屬層因蝕刻形成凸起產(chǎn)生靜電擊穿的現(xiàn)象，保證了該步驟的品質(zhì)。

步驟S4，在所述源極、漏極及像素電極上形成具有過孔的第一鈍化層。所述第一鈍化層通過圖案化構(gòu)圖工藝形成，與現(xiàn)有技術(shù)相同。

步驟S5，形成覆蓋所述第一鈍化層的金屬層，并且該金屬層通過所述過孔與所述源極連接，同樣保證源極的功能。

以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。