本發(fā)明涉及一種掩膜板使用方法，尤其涉及一種有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)共用掩膜板的方法。

背景技術(shù)：

光刻膠主要使用在光刻工藝中，由于響應(yīng)紫外線光的特性不同主要分為兩類：正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。光照后形成不可溶物質(zhì)的為負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑不可溶，經(jīng)過(guò)光照后形成可溶物質(zhì)的為正性膠。

目前，大多數(shù)薄膜晶體管(TFT)陣列基板制造過(guò)程中使用的有機(jī)膜與光刻膠均為正性，陣列基板制造過(guò)程中進(jìn)行的曝光工藝均需要使用掩膜板(Mask)，每一次曝光需要一塊掩膜板，而掩膜板價(jià)格昂貴，所以一個(gè)產(chǎn)品在購(gòu)買掩膜板上需要花費(fèi)大量資金。

掩膜板的基本構(gòu)造是在石英基板上沉積一層鉻膜，鉻膜鏤空的地方形成需要的特定圖形。鉻膜不透光，鏤空的地方可以透光。半曝光掩膜板中鉻膜鏤空的特定位置上有半透膜，半透膜可以透過(guò)部分光強(qiáng)。正常的掩膜板設(shè)計(jì)為一塊掩膜板上設(shè)計(jì)一個(gè)圖案形狀(Pattern)。

陣列基板制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行6-9次曝光，就需要6-9塊掩膜板，極大的增加了產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)成本。另外，曝光機(jī)的掩膜板容量小，增加掩膜板就增加了曝光機(jī)的負(fù)荷，同時(shí)閑置的掩膜板也需要進(jìn)行維護(hù)，增加人力和物力成本。如何減少使用掩膜板的數(shù)量，降低成本是急需解決的行業(yè)難題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：針對(duì)以上問(wèn)題，本發(fā)明提出一種有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)共用掩膜板的方法。

技術(shù)方案：為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)共用掩膜板的方法，包括以下步驟：(1)制作石英基板：石英基板上鍍一層鉻膜，鏤空區(qū)域?qū)?yīng)有機(jī)膜技術(shù)的過(guò)孔或空白區(qū)，半透膜區(qū)域?qū)?yīng)ITO薄膜技術(shù)的圖案；(2)對(duì)基板進(jìn)行負(fù)性有機(jī)膜涂布；(3)對(duì)基板進(jìn)行曝光，曝光時(shí)確保半透膜區(qū)域不會(huì)在顯影工藝中溶解；(4)對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影，不透光區(qū)域的有機(jī)膜被除去；(5)對(duì)基板進(jìn)行ITO沉積鍍膜；(6)對(duì)基板進(jìn)行正性光刻膠涂布、曝光；(7)對(duì)基板進(jìn)行顯影，鉻膜和半透膜區(qū)域的光刻膠存在，其余區(qū)域的光刻膠被除去；(8)對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，形成ITO所需的圖案。

使用正性有機(jī)膜和負(fù)性光刻膠也可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)共用掩膜板的設(shè)計(jì)。

有益效果：本發(fā)明的方法通過(guò)正負(fù)性有機(jī)膜和光刻膠的交叉使用，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)中掩膜板的共用，節(jié)省掩膜板的使用數(shù)量，也降低了曝光機(jī)的負(fù)荷，降低了生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1是使用負(fù)性有機(jī)膜和正性光刻膠的石英基板示意圖；

圖2是使用正性有機(jī)膜和負(fù)性光刻膠的石英基板示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的說(shuō)明。

本發(fā)明所述的有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)共用掩膜板的方法，在一塊掩膜板上設(shè)計(jì)兩種圖案形狀，以及設(shè)計(jì)掩膜板半透膜，通過(guò)正負(fù)性有機(jī)膜和正負(fù)性光刻膠的交叉使用，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)共用一塊掩膜板，從而節(jié)省了一塊掩膜板，同時(shí)降低了曝光機(jī)的負(fù)荷。同時(shí)本發(fā)明也沒(méi)有增加工藝流程和工藝難度，可以與現(xiàn)有工藝很好的匹配。

本發(fā)明適用于有機(jī)膜技術(shù)和ITO薄膜技術(shù)的各種顯示模式，下面以負(fù)性有機(jī)膜和正性光刻膠的設(shè)計(jì)方法為例，說(shuō)明有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)共用掩膜板的設(shè)計(jì)方法。如圖1所示，石英基板上鍍一層鉻膜，鏤空的位置對(duì)應(yīng)有機(jī)膜技術(shù)的過(guò)孔或空白區(qū)，半透膜對(duì)應(yīng)ITO薄膜技術(shù)的圖案。

有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)共用掩膜板的方法包括如下詳細(xì)步驟：

1.制作如圖1所示的符合設(shè)計(jì)要求的石英基板；

2.對(duì)基板進(jìn)行有機(jī)膜技術(shù)需要的負(fù)性有機(jī)膜涂布；

3.對(duì)基板進(jìn)行曝光，曝光時(shí)確保半透膜區(qū)域不會(huì)在顯影工藝中溶解；

4.對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影，由于采用的是負(fù)性有機(jī)膜，顯影時(shí)，鉻膜上不透光區(qū)域的有機(jī)膜就會(huì)被除去；

5.對(duì)基板進(jìn)行ITO薄膜技術(shù)需要的沉積鍍膜；

6.對(duì)基板進(jìn)行正性光刻膠的涂布和曝光；

7.對(duì)基板進(jìn)行顯影，鉻膜和半透膜擋住的地方，光刻膠存在，其余地方的光刻膠被除去；

8.對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，形成ITO所需的圖案。

使用正性有機(jī)膜和負(fù)性光刻膠也可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)膜技術(shù)與ITO薄膜技術(shù)共用掩膜板的設(shè)計(jì)，其使用的基板如圖2所示，方法類似，不再贅述。