技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭露一種用于微影的三層型光阻結(jié)構(gòu)和其制造方法。形成一底層、一光敏層以及一中間層，其中中間層位于底層以及光敏層的中間。中間層會(huì)因?yàn)榻M成物的表面能差異而分層成兩層，下層的硅含量比上層高。當(dāng)使用負(fù)調(diào)顯影時(shí)可以在中間層上方加入具有極性轉(zhuǎn)換功能的改質(zhì)層避免光敏層塌陷。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以提升蝕刻后的線寬均勻度。

技術(shù)研發(fā)人員：劉朕與;張慶裕;林進(jìn)祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.27
技術(shù)公布日：2017.10.24