本發(fā)明關于一種顯示面板及其制造方法，特別關于一種具有較高穿透率的顯示面板及其制造方法。

背景技術：

隨著科技的進步，平面顯示裝置已經(jīng)廣泛的被運用在各種領域，尤其是液晶顯示裝置，因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優(yōu)越特性，已經(jīng)漸漸地取代傳統(tǒng)陰極射線管顯示裝置，而應用至許多種類的電子產(chǎn)品中，例如移動電話、便攜式多媒體裝置、筆記本電腦、液晶電視及液晶屏幕等等。

當顯示裝置的分辨率(或ppi)越來越高時，相對的顯示面板的穿透率(transmittance)、開口率(apertureratio)也會越來越低，使得顯示裝置比較耗能。因此，提高穿透率一直是顯示裝置業(yè)界努力的目標之一。

以液晶顯示裝置為例，液晶顯示裝置主要包含一顯示面板(lcdpanel)以及一背光模組(backlightmodule)，顯示面板與背光模組相對而設。顯示面板具有多個陣列排列的次像素單元，且當背光模組所發(fā)出光線均勻地分布到顯示面板時，可經(jīng)由顯示面板的各次像素單元顯示色彩而形成一影像。每一個次像素單元一般具有一元件設置區(qū)及一透光區(qū)，元件設置區(qū)是設置例如薄膜晶體管的區(qū)域，而透光區(qū)是為光線可穿透的區(qū)域，且顯示面板就是透過透光區(qū)來顯示影像畫面。然而，于基板上設置薄膜晶體管等元件的制造工藝中，需于元件設置區(qū)與透光區(qū)上分別沉積不同的中介薄膜層，例如分別沉積緩沖層、絕緣層或平坦化層等多層的薄膜，但是，當背光模組所提供的光線通過透光區(qū)內(nèi)的多層薄膜層時，光線會被這些膜層吸收或反射，造成顯示面板的穿透率降低。

因此，如何提供一種顯示面板及其制造方法，可具有較高的穿透率，已成為重要課題之一。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的為提供一種具有較高的穿透率的顯示面板及其制造方法。

本發(fā)明提出一種顯示面板，包括一薄膜晶體管基板，薄膜晶體管基板包括一基板、多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線以及一第一中介層。所述掃描線分別沿一第一方向延伸而設置于基板上，并與所述數(shù)據(jù)線交錯以定義出多個次像素單元，所述次像素單元包括沿第一方向相鄰設置的一第一次像素單元與一第二次像素單元，第一次像素單元具有一第一光穿透區(qū)與一第一元件設置區(qū)，第二次像素單元具有一第二光穿透區(qū)與一第二元件設置區(qū)。第一中介層設置于基板上，第一中介層具有一開口，該開口與第一光穿透區(qū)至少部分重疊，并且該開口與第二光穿透區(qū)至少部分重疊。

在一實施例中，所述掃描線包括一第一掃描線，所述數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)線，第一掃描線與第一數(shù)據(jù)線交錯而形成一交錯區(qū)，第一數(shù)據(jù)線具有與交錯區(qū)對應的一突起部，且第一數(shù)據(jù)線的突起部與基板之間具有第一中介層。

在一實施例中，第一數(shù)據(jù)線還具有與突起部連接的一直線延伸部，且突起部與基板之間的距離，大于直線延伸部與基板之間的距離。

在一實施例中，薄膜晶體管基板還包括一第二中介層，其設置于第一數(shù)據(jù)線的直線延伸部與基板之間。

在一實施例中，薄膜晶體管基板還包括一平坦化層，其連續(xù)性地設置于第一次像素單元的第一光穿透區(qū)與第一元件設置區(qū)，以及第二次像素單元的第二光穿透區(qū)與第二元件設置區(qū)，且第一中介層設置于平坦化層與基板之間。

在一實施例中，在第一光穿透區(qū)與第二光穿透區(qū)中，平坦化層至少有部分直接接觸基板。

在一實施例中，薄膜晶體管基板還包括一薄膜晶體管，其設置于基板上，并對應第一元件設置區(qū)或第二元件設置區(qū)設置，平坦化層覆蓋于薄膜晶體管上，且薄膜晶體管包含第一中介層與第二中介層。

在一實施例中，基板具有一顯示區(qū)及一周邊線路區(qū)，周邊線路區(qū)位于顯示區(qū)的外圍，第一次像素單元與第二次像素單元位于顯示區(qū)，平坦化層由顯示區(qū)延伸至周邊線路區(qū)，且位于周邊線路區(qū)的平坦化層至少部分直接接觸基板。

本發(fā)明提出一種顯示面板的制造方法，包括：提供一基板；在基板上形成一第一金屬層，以構成沿一第一方向延伸的多條掃描線及分別位于一第一像素單元與一第二 像素單元中的薄膜晶體管的一柵極，其中第一像素單元和第二像素單元彼此沿第一方向相鄰設置，第一次像素單元具有一第一光穿透區(qū)與一第一元件設置區(qū)，第二次像素單元具有一第二光穿透區(qū)與一第二元件設置區(qū)；在基板上形成些薄膜晶體管的一通道層；在基板上形成所述薄膜晶體管的一中介層；在中介層中形成一開口，使得開口與第一光穿透區(qū)至少部分重疊，并且開口與第二光穿透區(qū)至少部分重疊；以及在形成開口之后，在基板上形成一第二金屬層，以構成多條數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的一源極與一漏極，其中部分第二金屬層位于中介層的上方，且部分第二金屬層位于中介層的開口內(nèi)。

承上所述，于本發(fā)明的薄膜晶體管基板與顯示面板中，在光穿透區(qū)的對應位置上，有部分中介層被除去，使得數(shù)據(jù)線至少有部分直接接觸基板，且平坦化層至少有部分直接接觸基板。或者，數(shù)據(jù)線至少有部分與基板之間有第二中介層，且平坦化層至少有部分與基板之間有第二中介層。藉此，使得所述次像素單元的光穿透區(qū)具有數(shù)量較少、厚度較薄的中介層，故背光源所提供的光線通過薄膜晶體管基板的所述光穿透區(qū)時，光線被吸收或反射的比率較少，因此，可使薄膜晶體管基板與顯示面板具有較高的穿透率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例的一種薄膜晶體管基板的示意圖。

圖2a至圖2d分別是圖1的薄膜晶體管基板中，沿直線a-a、直線b-b、直線c-c、直線d-d的剖視示意圖。

圖3a至圖3d分別為圖1的薄膜晶體管基板中，沿直線a-a、直線b-b、直線c-c、直線d-d的另一剖視示意圖。

圖4為本發(fā)明另一實施態(tài)樣的薄膜晶體管基板的示意圖。

圖5a為本發(fā)明另一實施態(tài)樣的薄膜晶體管基板的示意圖。

圖5b為圖5a的薄膜晶體管基板中，沿直線e-e的剖視示意圖。

圖6為本發(fā)明較佳實施例的一種顯示面板的示意圖。

具體實施方式

以下將參照相關圖式，說明依本發(fā)明較佳實施例的顯示面板及其制造方法，其中 相同的元件將以相同的參照符號加以說明。本發(fā)明所有實施態(tài)樣的圖示只是示意，不代表真實尺寸與比例。此外，以下實施例的內(nèi)容中所稱的方位“上”及“下”只是用來表示相對的位置關系。再者，一個元件形成在另一個元件“上”、“之上”、“下”或“之下”可包括實施例中的一個元件與另一個元件直接接觸，或也可包括一個元件與另一個元件之間還有其他額外元件使一個元件與另一個元件無直接接觸。

請分別參照圖1、圖2a至圖2d所示，其中，圖1為本發(fā)明較佳實施例的一種薄膜晶體管基板1的示意圖，而圖2a至圖2d分別是圖1的薄膜晶體管基板1中，沿直線a-a、直線b-b、直線c-c、直線d-d的剖視示意圖。

薄膜晶體管基板1包括一基板11以及多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線，該些掃描線與該些數(shù)據(jù)線設置于基板11上。

基板11為可透光的材質(zhì)制成，在實施上，例如可為玻璃、石英或類似物、塑膠、橡膠、玻璃纖維或其他高分子材料，較佳的可為一硼酸鹽無堿玻璃基板。

該些掃描線分別沿一第一方向x延伸而設置于基板11上，并與該些數(shù)據(jù)線交錯以定義出至少兩個沿該第一方向x相鄰設置的一第一次像素單元p1與一第二次像素單元p2。于此，圖1的薄膜晶體管基板1是具有兩條掃描線(第一掃描線s1與第二掃描線s2)、三條數(shù)據(jù)線(第一數(shù)據(jù)線d1、第二數(shù)據(jù)線d2與第三數(shù)據(jù)線d3)分別交錯以定義出兩個沿第一方向x相鄰的第一次像素單元p1與第二次像素單元p2為例，且第一次像素單元p1與第二次像素單元p2的結構可為相同。其中，第一次像素單元p1至少包含第一掃描線s1、第二掃描線s2、第一數(shù)據(jù)線d1及第二數(shù)據(jù)線d2之間所圍設的區(qū)域；第二次像素單元p2至少包含第一掃描線s1、第二掃描線s2、第二數(shù)據(jù)線d2及第三數(shù)據(jù)線d3之間所圍設的區(qū)域。

第一掃描線s1與第二掃描線s2分別沿第一方向x延伸，而第一數(shù)據(jù)線d1、第二數(shù)據(jù)線d2及第三數(shù)據(jù)線d3分別沿一第二方向y延伸，且第一方向x與第二方向y之間具有一夾角，該夾角可為90度、銳角或鈍角。本實施例是以第一方向x與第二方向y之間的夾角θ為銳角(小于90度)為例。

如圖1及圖2a所示，第一次像素單元p1與第二次像素單元p2分別具有一光穿透區(qū)及一元件設置區(qū)，元件設置區(qū)鄰接光穿透區(qū)。第一次像素單元p1具有光穿透區(qū)a1及元件設置區(qū)b1。第二次像素單元p2具有光穿透區(qū)a2及元件設置區(qū)b2(未顯示)。舉例而言，當薄膜晶體管基板1與一對向基板及一液晶層組合而成為液晶顯示 面板時，光穿透區(qū)a1、a2即為背光源的光線可穿過第一次像素單元p1、第二次像素單元p2的區(qū)域，而元件設置區(qū)b1、b2即為第一次像素單元p1、第二次像素單元p2中，設置驅(qū)動元件(例如薄膜晶體管)的區(qū)域，亦為被例如黑色矩陣(bm)遮蔽而不透光的區(qū)域。于此，圖2a是顯示薄膜晶體管基板1的第一次像素單元p1的光穿透區(qū)a1及元件設置區(qū)b1的局部示意圖。

第一次像素單元p1與第二次像素單元p2分別包含一薄膜晶體管t、及一平坦化(planarization)層15，薄膜晶體管t與平坦化層15分別設置于基板11上。其中，薄膜晶體管t包括至少一中介層(中間介電層)，以使薄膜晶體管t內(nèi)的電極(柵極、源極、漏極)之間絕緣(以下會再詳細說明中介層)。在一些實施例中，薄膜晶體管t例如可包括：設置于基板上的一緩沖層12、一通道層cl、一第一柵極絕緣層131、一第二柵極絕緣層132、一柵極g、一第一層間介電層141、一第二層間介電層142、一源極與一漏極。

為了使像素單元的光穿透區(qū)有較高的穿透率，依據(jù)本發(fā)明一些實施例中，是將次像素單元的光穿透區(qū)中的中介層作部分移除。在形成薄膜晶體管的中介層之后，在該中介層中形成一開口，使得開口與第一次像素單元的第一光穿透區(qū)至少部分重疊，并且開口與第二次像素單元的第二光穿透區(qū)至少部分重疊。如此，光的路徑可經(jīng)過較少的中介膜層，使得像素單元的光穿透區(qū)有較高的穿透率，進而使得薄膜晶體管基板有較高的穿透率。

依據(jù)一些實施例，薄膜晶體管基板可依以下方式形成：在基板11上形成一第一金屬層、通道層、和中介層之后，接著，在中介層中形成一開口。其中，第一金屬層構成沿第一方向x延伸的多條掃描線與分別位于第一像素單元p1和第二像素單元p2中的薄膜晶體管的柵極g。

另外，在中介層中形成一開口，是于預先定義的光穿透區(qū)a1將中介層除去而形成該開口。于此，薄膜晶體管中所包括的中介層通常有多個膜層。依據(jù)一些實施例，可在第一、第二光穿透區(qū)的對應位置上，將所有多層的中介層除去。例如，在第一光穿透區(qū)a1、第二光穿透區(qū)a2的對應位置上，將設置于基板11上的緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142除去，直到露出基板11為止，以形成一開口op(如圖1、圖2a所示)，使緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介 電層142存在于元件設置區(qū)b1內(nèi)。如圖所示，中介層的開口op與第一光穿透區(qū)a1至少部分重疊，并且與第二光穿透區(qū)a2至少部分重疊。亦即，中介層仍可部分存在于第一光穿透區(qū)a1和第二光穿透區(qū)a2中。

形成開口op之后，接著，在基板11上形成一第二金屬層，以構成多條數(shù)據(jù)線(例如第一數(shù)據(jù)線d1、第二數(shù)據(jù)線d2、第三數(shù)據(jù)線d3)與薄膜晶體管的源極、漏極。接著，將平坦化層15覆蓋于薄膜晶體管t和基板11上。

請分別參照圖2b至圖2d所示，其中，圖2b至圖2d只顯示平坦化層15、基板11及位于平坦化層15與基板11之間的膜層。

如圖2b所示，在中介層的開口op的對應位置處，由于基板11上沒有中介層，第二金屬層會直接形成在基板11上。亦即，第一數(shù)據(jù)線d1與第二數(shù)據(jù)線d2形成于基板11上而直接接觸基板11。換言之，第一數(shù)據(jù)線d1與基板11之間、第二數(shù)據(jù)線d2與基板12之間并沒有上述的中介層(絕緣層、緩沖層或介電層)存在。另外，平坦化層15是由第一次像素單元p1的光穿透區(qū)a1延伸至第二次像素單元p2的光穿透區(qū)a2，并直接覆蓋在第一數(shù)據(jù)線d1、第二數(shù)據(jù)線d2及基板11上。

另外，如圖2c所示，于基板11上，由下而上依序為緩沖層12、通道層cl、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、柵極g(第一掃描線s1或第二掃描線s2)、第一層間介電層141與第二層間介電層142，且平坦化層15全部覆蓋在第二層間介電層142與基板11上，以達到平坦化的作用。

另外，如圖2d所示，第一掃描線s1與第一數(shù)據(jù)線d1交錯而形成一交錯區(qū)z，與交錯區(qū)z對應處的第一數(shù)據(jù)線d1稱為一突起部d11。同樣的，第二掃描線s2與第一數(shù)據(jù)線d1交錯而形成另一交錯區(qū)，與另一交錯區(qū)z對應處的第一數(shù)據(jù)線d1具有一另一突起部。另外，第一數(shù)據(jù)線d1的突起部d11與基板11之間具有至少一中介層。例如，突起部d11與基板11之間具有緩沖層12、通道層cl、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一掃描線s1或第二掃描線s2、第一層間介電層141與第二層間介電層142。因此，第一數(shù)據(jù)線d1的突起部d11并不直接接觸基板11。

此外，第一數(shù)據(jù)線d1還具有與突起部d11連接的一直線延伸部d12，第一數(shù)據(jù)線d1的直線延伸部d12是直接接觸基板11。亦即，第一數(shù)據(jù)線d1至少部分直接接觸基板11。其中，第一數(shù)據(jù)線d1的直線延伸部d12是對應于中介層的開口op。如圖2d所示，第一數(shù)據(jù)線d1的突起部d11和基板11之間的距離ds1，大于第一數(shù) 據(jù)線d1的直線延伸部d12與基板11之間的距離(因為直線延伸部d12直接接觸基板11，因此距離為0)。

另外，平坦層15是連續(xù)性地設置于第一次像素單元p1的第一光穿透區(qū)與第一元件設置區(qū)，以及第二次像素單元p2的第二光穿透區(qū)與第二元件設置區(qū)，并由元件設置區(qū)b1延伸至光穿透區(qū)a1。而且，于第一次像素單元p1的光穿透區(qū)a1與第二次像素單元p2的光穿透區(qū)a2中，平坦化層15至少有部分直接接觸基板11。如圖2c所示，在第一光穿透區(qū)a1、第二光穿透區(qū)a2的中介層的開口op的對應位置上，由于基板11上沒有中介層，平坦層15會填入中介層的開口op內(nèi)。因此，平坦層15會直接形成在基板11上。亦即，在第一光穿透區(qū)a1、第二光穿透區(qū)a2中，平坦層15至少有部分直接接觸基板11。平坦化層15的材質(zhì)可例如包含有機或無機絕緣材料，并例如為聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate,pen)、壓克力(poly-methylmethacrylate,pmma)、或聚酰亞胺(polyimide,pi)，或其它，于此，并不加以限定。

或者，依據(jù)一些實施例，也可在第一、第二光穿透區(qū)的對應位置上，將部分層的中介層除去。亦即，不需要將光穿透區(qū)中的緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142全部除去。請再參見圖1及圖3a所示，于預先定義的光穿透區(qū)a1中將至少一層中介層除去，而形成一開口op，且選擇性地在光穿透區(qū)a1中留下一第二中介層52。亦即，可留下緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141、第二層間介電層142中的至少一層或多層的組合。依據(jù)一些實施例，如圖3a所示，薄膜晶體管t是包括兩部分的中介層，一部分是在光穿透區(qū)a1對應位置上除去的第一中介層51，一部分是保留于第一中介層51的開口中的第二中介層52。例如，形成中介層的開口op時，可除去第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141、第二層間介電層142(以上合稱第一中介層51)，而在開口op中留下緩沖層12(稱第二中介層52)。

第一中介層51可為薄膜晶體管中任何一層中介層，亦可為多層中介層。同樣地，第二中介層52可為薄膜晶體管中任何一層中介層，亦可為多層中介層。例如，第一中介層51可為緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141、第二層間介電層142中的任何一者，或其組合。第二中介層52可為緩沖 層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141、第二層間介電層142中的任何一者，或其組合。第一中介層51的厚度可小于第二中介層52的厚度，第一中介層51的層數(shù)可小于第二中介層52的層數(shù)。

如圖3a及圖3c所示，中介層開口op的相對位置上，平坦層15并不直接接觸基板11，而有第二中介層52位于基板11與平坦層15之間。如圖3b所示，中介層開口op的相對位置上，第一數(shù)據(jù)線d1與第二數(shù)據(jù)線d2并不接接觸基板11，而是有第二中介層52位于基板11和第一數(shù)據(jù)線d1之間，并且位于基板11和與第二數(shù)據(jù)線d2之間。另外，如圖3d所示，中介層開口op的相對位置上，數(shù)據(jù)線d1的直線延伸部d12并不直接觸基板11，而有第二中介層52位于基板11與直線延伸部d12之間。此外，第一數(shù)據(jù)線d1的突起部d11與基板11之間的距離ds1，大于第一數(shù)據(jù)線d1的直線延伸部d12與基板11之間的距離ds2。

依據(jù)一些實施例，以下再說明薄膜晶體管基板的構造。請再參照圖2a所示，中介層設置于平坦化層15與基板11之間，并由元件設置區(qū)b1延伸至元件設置區(qū)b1與光穿透區(qū)a1的交接處(以下會再細說明)。上述中介層的材質(zhì)可分別包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或氧化鉿，或其組合。其中，中介層可以是緩沖層(bufferlayer)、層間介電層(interlayerdielectric,ild)或柵極介電層(gateinsulator,gi)，或其他名稱的絕緣材料層，或其組合。

詳而言之，第一次像素單元p1中的薄膜晶體管與第二次像素單元p2中的薄膜晶體管，可分別包含至少一中介層。例如，上述的中介層可為緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142的其中之一，或其組合。依據(jù)一實施例中，緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142皆設置于元件設置區(qū)b1，并由元件設置區(qū)b1延伸至元件設置區(qū)b1與光穿透區(qū)a1的交接處，或由元件設置區(qū)b1延伸至光穿透區(qū)a1的部分區(qū)域內(nèi)。

這里所指的“交接處”并不一定剛好是元件設置區(qū)b1與光穿透區(qū)a1的交接面，只要是鄰近于元件設置區(qū)b1與光穿透區(qū)a1的交接面的區(qū)域者均是本發(fā)明所稱的“交接處”。另外，由元件設置區(qū)b1延伸至元件設置區(qū)b1與光穿透區(qū)a1的交接處，是表示讓緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142位于元件設置區(qū)b1內(nèi)，而不位于光穿透區(qū)a1內(nèi)；或者，在 一些實施例中，也可讓緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142位于元件設置區(qū)b1內(nèi)，同時延伸至光穿透區(qū)a1的部分區(qū)域內(nèi)。另外，依據(jù)一實施例，可例如分別沉積緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142后，再利用例如蝕刻制造工藝于預先定義的光穿透區(qū)a1將中介層除去，例如將緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142蝕刻掉，直到露出基板11為止，藉此形成開口op。

在本實施例中，緩沖層12設置于基板11上，并對應元件設置區(qū)b1設置。緩沖層12可為一層或多層結構，其材質(zhì)可為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或氧化鉿，并不限制。其中，若為多層結構時，不同層的緩沖層12的材質(zhì)可為相同或不相同。

薄膜晶體管t設置于緩沖層12上，且對應元件設置區(qū)b1設置。本實施例是以邊緣場切換(fringefieldswitching,ffs)型式的薄膜晶體管為例，但本發(fā)明并不以此為限。薄膜晶體管t可為上柵極(topgate)型的薄膜晶體管，或為下柵極(bottomgate)型的薄膜晶體管。在本實施例中，薄膜晶體管t是以上柵極型的薄膜晶體管為例。其中，薄膜晶體管t具有一柵極g、一通道層cl、一漏極de及一源極(圖未顯示)。柵極g可與第一掃描線s1連接。通道層cl相對柵極g位置設置于緩沖層12上，且通道層cl位于柵極g與基板11之間。在實施上，通道層cl為一半導體層(例如硅半導體、鎵半導體、鍺半導體或其組合，或其它)，且其材料例如但不限于包含一氧化物半導體。前述的氧化物半導體包括氧化物，且氧化物包括銦、鎵、鋅及錫其中之一，例如為氧化銦鎵鋅(indiumgalliumzincoxide,igzo)。另外，漏極de與源極(源極與第一數(shù)據(jù)線d1連接)分別設置于通道層cl上，且漏極de與源極分別與通道層cl接觸，于薄膜晶體管t的通道層cl未導通時，兩者是電性分離。漏極de與源極的材質(zhì)可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。此外，部分用以傳輸驅(qū)動信號的導線，可以使用與漏極de與源極同層且同一制造工藝的結構，例如數(shù)據(jù)線。

柵極g與通道層cl對應設置，并位于通道層cl之上。柵極g的材質(zhì)為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。部分用以傳輸驅(qū)動信號的導線，可以使用與柵極g同層且同一制造工藝的結構，彼此電性相連，例如 掃描線。另外，第一柵極絕緣層131與第二柵極絕緣層132依序設置于緩沖層12上。其中，第一柵極絕緣層131完全覆蓋通道層cl，且第二柵極絕緣層132設置于第一柵極絕緣層131上，而柵極g設置于第二柵極絕緣層132上。在其他的實施例中，若薄膜晶體管t為下柵極型的薄膜晶體管時，則柵極g位于通道層cl與基板11之間，且柵極g與通道層cl之間可夾置至少一柵極絕緣層。

第一層間介電層141與第二層間介電層142依序設置于第二柵極絕緣層132上。其中，第一層間介電層141完全覆蓋柵極g及第二柵極絕緣層132，且第二層間介電層142覆蓋于第一層間介電層141上。

依據(jù)一些實施例，第一次像素單元p1與第二次像素單元p2還分別包含一共同電極層17、一鈍化層18及一像素電極層19，共同電極層17設置于平坦化層15上，鈍化層18設置并覆蓋于共同電極層17上，且像素電極層19設置于鈍化層18上，并覆蓋部分鈍化層18。于此，共同電極層17、鈍化層18及像素電極層19是依序形成于平坦化層15上，并對應于元件設置區(qū)b1及光穿透區(qū)a1設置。另外，像素電極層19是透過一通孔16與漏極de接觸而電連接。其中，是將漏極de設置于第一柵極絕緣層131、第一層間介電層141與第二層間介電層142所成的另一通孔而接觸通道層cl，且于平坦化層15及鈍化層18上形成此通孔16而露出漏極de后，將像素電極層19設置于通孔16內(nèi)而與漏極de接觸而電連接。

共同電極層17或像素電極層19的材質(zhì)可例如為銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、鋁鋅氧化物(azo)、鎘錫氧化物(cto)、氧化錫(sno2)、或氧化鋅(zno)等透明導電材料，并不限定。另外，鈍化層18的材料可為無機材質(zhì)，例如可為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質(zhì)的多層結構。

此外，于圖2d中，依序形成緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142等絕緣膜層于基板11上時，緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142的兩相對側邊的轉折處分別具有斜度(非直角，可稱倒角)，藉此可減少第一數(shù)據(jù)線d1或第二數(shù)據(jù)線d2形成于第二層間介電層142與基板11上時，轉折處發(fā)生斷線的風險。此外，平坦化層15是全面性的覆蓋于第二層間介電層142、基板11、該些數(shù)據(jù)線與該些掃描線上，以達到平坦化的作用。

承上，于薄膜晶體管基板1中，于光穿透區(qū)的對應位置上，中介層有部分被除去。 藉此，使得第一次像素單元p1的光穿透區(qū)與第二次像素單元p2的光穿透區(qū)具有較少的中介層，故背光源所提供的光線通過薄膜晶體管基板1的這些光穿透區(qū)時，光線被吸收或反射的比率較少，因此，可使薄膜晶體管基板1具有較高的穿透率。

另外，請參照圖4所示，其為本發(fā)明另一實施態(tài)樣的薄膜晶體管基板1a的示意圖。

與薄膜晶體管基板1主要的不同在于，圖4顯示的薄膜晶體管基板1a的掃描線共有3條(第一掃描線s1～第三掃描線s3)，數(shù)據(jù)線共有8條(第一數(shù)據(jù)線d1～第八數(shù)據(jù)線d8)。其中，第一掃描線s1～第三掃描線s3與第一數(shù)據(jù)線d1～第八數(shù)據(jù)線d8交錯而定義出上、下兩排共14個次像素單元。本實施例的這些數(shù)據(jù)線(d1～d8)中，與該些掃描線(s1～s3)的交錯處分別具有一轉折。換言之，第一數(shù)據(jù)線d1～第八數(shù)據(jù)線d8并不是為直線，而是分別為折線。

另外，于薄膜晶體管基板1a的14個次像素單元中，每一個次像素單元與上述第一次像素單元p1(或第二次像素單元p2)具有相同的技術特征，不再贅述。此外，在本實施例中，定義出該些14個次像素單元的第一數(shù)據(jù)線d1至第八數(shù)據(jù)線d8分別至少部分直接接觸基板(或者與基板之間有第二中介層)，且于每一個次像素單元的光穿透區(qū)中，平坦化層亦至少有部分直接接觸基板(或者與基板之間有第二中介層)。藉此，使得該些14個次像素單元的光穿透區(qū)具有數(shù)量較少或厚度較小的中介層(于此，中介層的開口op的區(qū)域沿第一方向x橫跨于7個次像素單元)，故背光源所提供的光線通過薄膜晶體管基板1a的該些光穿透區(qū)時，光線被吸收或反射的比率較少，因此，薄膜晶體管基板1a亦具有較高的穿透率。

上述中介層的開口op所橫跨的次像素單元數(shù)量僅為舉例，并非用以限制本發(fā)明。亦即，依據(jù)一些實施例，中介層的開口op所橫跨的次像素單元數(shù)量并不限于上述實施例中的2個或7個次像素單元，而可依實際需要而使中介層的開口op橫跨不同數(shù)量的次像素單元。

接著，請參照圖5a及圖5b所示，其中，圖5a為本發(fā)明另一實施態(tài)樣的薄膜晶體管基板1b的示意圖，而圖5b為圖5a的薄膜晶體管基板1b中，沿直線e-e的剖視示意圖。其中，圖5a顯示基板11，并未顯示其他元件或膜層，而圖5b顯示平坦化層15及基板11，以及位于平坦化層15與基板11之間的中介膜層。

與前述薄膜晶體管基板1類似，薄膜晶體管基板1b包括多條掃描線與多條數(shù)據(jù) 線，且該些掃描線與該些數(shù)據(jù)線定義出陣列排列的多個次像素單元(未顯示)。薄膜晶體管基板1b的每個次像素單元與上述第一次像素單元p1(或第二次像素單元p2)具有相同的技術特征。

另外，本實施例的基板11具有一像素單元區(qū)(又可稱為顯示區(qū))111及一周邊線路區(qū)112，周邊線路區(qū)112位于像素單元區(qū)111的外圍，而該些次像素單元是位于像素單元區(qū)111，且周邊元件(例如驅(qū)動掃描線的電子元件或走線)則設置于周邊線路區(qū)112。本實施例的中介層的開口op的區(qū)域沿第一方向x橫跨于整個像素單元區(qū)111及部分的周邊線路區(qū)112的區(qū)域。亦即，此實施例的薄膜晶體管基板1b與前述不同之處為，中介層開口op的邊緣并不是位于像素單元區(qū)111的次像素單元內(nèi)，而是位于周邊線路區(qū)112內(nèi)。另外，平坦化層15設置于像素單元區(qū)111，并由像素單元區(qū)111延伸至周邊線路區(qū)112而覆蓋基板11上，以全面性的覆蓋在基板11上而產(chǎn)生平坦化的作用。由于中介層開口op的邊緣是位于周邊線路區(qū)112內(nèi)，與前述實施例類似地，于中介層開口op的對應位置處，數(shù)據(jù)線至少有部分直接接觸基板，平坦層至少有部分直接接觸基板。如圖5b所示，位于周邊線路區(qū)112的平坦化層15至少部分直接接觸基板11。又或者，如前述類似地，于中介層開口op的對應位置處，數(shù)據(jù)線至少有部分與基板11之間有第二中介層的存在，平坦化層至少有部分與基板11之間有第二中介層的存在。

如圖5b所示，于周邊線路區(qū)112中，部分的平坦化層15直接接觸基板11，并覆蓋在例如但不限于緩沖層12、第一柵極絕緣層131、第二柵極絕緣層132、第一層間介電層141與第二層間介電層142上而形成一斜面r。藉此，本實施例可減少通過整個薄膜晶體管基板1b的該些次像素單元的光線被吸收、漫射或反射的光量而可提升其透光率。

另外，請參照圖6所示，其為本發(fā)明較佳實施例的一種顯示面板2的示意圖。

本實施例的顯示面板2可為一主動矩陣式(activematrix)顯示面板，并為液晶顯示面板，例如但不限于為平面切換(in-planeswitch，ips)式液晶顯示面板、邊緣電場切換(fringefieldswitching，ffs)式液晶顯示面板、垂直配向型式(verticalalignmentmode,vamode)液晶顯示面板或3d液晶顯示面板，并不限定。

顯示面板2包括一薄膜晶體管基板3、一對向基板4以及一夾設于兩基板間的顯示介質(zhì)層5。薄膜晶體管基板3與對向基板4相對設置，而顯示介質(zhì)層5則夾置于薄 膜晶體管基板3與對向基板4之間。薄膜晶體管基板3、對向基板4與顯示介質(zhì)層5可形成多個陣列設置的次像素單元。其中，次像素單元對應于上述的次像素單元，且薄膜晶體管基板3可為上述的薄膜晶體管基板1、1a、1b的其中之一，或其變化態(tài)樣，技術內(nèi)容可參照上述，不再多作說明。

另外，對向基板3為可透光的材質(zhì)，例如是玻璃、石英或類似物。在一些實施例中，對向基板3可為彩色濾光基板，且顯示介質(zhì)層5可為液晶層。不過，在其他實施例中，顯示面板2可為有機發(fā)光二極管顯示面板，而顯示介質(zhì)層可為有機發(fā)光二極管層，且對向基板可為一保護基板，本發(fā)明并不限定。

綜上所述，于本發(fā)明的薄膜晶體管基板與顯示面板中，在光穿透區(qū)的對應位置上，有部分中介層被除去，使得數(shù)據(jù)線至少有部分直接接觸基板，且平坦化層至少有部分直接接觸基板?；蛘?，數(shù)據(jù)線至少有部分與基板之間有第二中介層，且平坦化層至少有部分與基板之間有第二中介層。藉此，使得該些次像素單元的光穿透區(qū)具有數(shù)量較少、厚度較薄的中介層，故背光源所提供的光線通過薄膜晶體管基板的該些光穿透區(qū)時，光線被吸收或反射的比率較少，因此，可使薄膜晶體管基板與顯示面板具有較高的穿透率。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于所附的權利要求中。