本發(fā)明涉及連接配線，尤其涉及用于在從母玻璃基板切出液晶面板之前從外部輸入液晶面板的檢查信號(hào)等的連接配線。

背景技術(shù)：

以往，在橫向電場方式的液晶顯示裝置的液晶面板中，為了防止對顯示區(qū)域的掃描信號(hào)線和數(shù)據(jù)信號(hào)線施加的信號(hào)因寄生電容而變鈍，在掃描信號(hào)線和數(shù)據(jù)信號(hào)線上形成厚的有機(jī)絕緣膜，在其上形成共用電極。由此，掃描信號(hào)線以及數(shù)據(jù)信號(hào)線與共用電極之間的寄生電容減小，因此，信號(hào)的變鈍降低。

但是，當(dāng)在形成于有機(jī)絕緣膜上的導(dǎo)電膜上形成抗蝕劑圖案，并以此為掩模進(jìn)行蝕刻來形成配線層時(shí)，有機(jī)絕緣膜的膜厚較厚，因此，沿著有機(jī)絕緣膜的邊緣線，抗蝕劑的膜厚變厚，本來應(yīng)該在顯影時(shí)被除去的抗蝕劑容易連接著殘留。該沿著邊緣線殘留的抗蝕劑，在對導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻時(shí)成為將導(dǎo)電膜的一部分覆蓋的掩模，因此，導(dǎo)電膜將沿著邊緣線連接著殘留。相鄰的連接配線會(huì)經(jīng)由該殘留的導(dǎo)電膜電連接，存在在連接配線間產(chǎn)生漏電的問題。

因此，專利文獻(xiàn)1中公開了：在構(gòu)成液晶面板的陣列基板上，在對在具有厚的膜厚的層間絕緣膜上形成的像素電極材料進(jìn)行圖案化來形成配線之前，為了使層間絕緣膜的端部的傾斜緩和，在層間絕緣膜的端部中的由相鄰的安裝端子夾著的區(qū)域的端部設(shè)置凸部。由此，層間絕緣膜的傾斜變得平緩。其結(jié)果，在層間絕緣膜的凸部上形成的抗蝕劑的膜厚變薄，抗蝕劑不會(huì)在顯影后以連接的狀態(tài)殘留。因此，相鄰的安裝端子不再會(huì)被電連接，安裝端子間不再會(huì)發(fā)生漏電。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平11-24101號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

但是，在專利文獻(xiàn)1公開的陣列基板上，作為層間絕緣膜使用的有機(jī)絕緣膜的邊緣部沒有被無機(jī)絕緣膜覆蓋。因此，空氣中的水分會(huì)經(jīng)由有機(jī)絕緣膜侵入到配線內(nèi)部，使構(gòu)成配線的金屬膜腐蝕，或使無機(jī)絕緣膜容易剝離。由此，產(chǎn)生配線的可靠性降低的問題。另外，若水分侵入到液晶面板的內(nèi)部，則掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的配線會(huì)受到腐蝕，成為顯示不均勻的原因。

因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠通過防止連接配線間的漏電并且防止水分的侵入來確保可靠性的連接配線。

用于解決技術(shù)問題的手段

本發(fā)明的第一方面是一種用于在形成有多個(gè)單元的透明基板中，將在上述多個(gè)單元分別設(shè)置的配線與在上述透明基板的沒有形成上述單元的區(qū)域形成的共用配線連接的多根連接配線，其中，上述多個(gè)單元在分割后成為基于從外部提供的圖像數(shù)據(jù)在顯示部顯示圖像的顯示裝置，上述連接配線的特征在于：

上述連接配線以在上述單元中橫穿臺(tái)階部的方式形成，上述臺(tái)階部包括：配置在上述顯示部的外側(cè)的導(dǎo)電層；形成在上述導(dǎo)電層上的第一無機(jī)絕緣膜；形成在上述第一無機(jī)絕緣膜上的有機(jī)絕緣膜；和形成在上述有機(jī)絕緣膜上的第二無機(jī)絕緣膜，

由相鄰的上述多根連接配線夾著的區(qū)域中的上述有機(jī)絕緣膜的斜面的傾斜，比上述連接配線中的斜面的傾斜平緩。

本發(fā)明的第二方面的特征在于，在本發(fā)明的第一發(fā)面中，

從由相鄰的上述連接配線夾著的區(qū)域的上述有機(jī)絕緣膜的斜面向上述第二無機(jī)絕緣膜的邊緣部去，形成有至少1個(gè)突起部，上述突起部為隨著向前端去而寬度變窄并且厚度變薄的形狀，包括上述突起部的上述有機(jī)絕緣膜由上述第二無機(jī)絕緣膜覆蓋。

本發(fā)明的第三方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，

上述有機(jī)絕緣膜由感光性樹脂構(gòu)成，上述突起部通過使用具有突起圖案的掩模進(jìn)行比恰當(dāng)時(shí)間長的時(shí)間的曝光而形成。

本發(fā)明的第四方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，

上述連接配線包括由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的第一連接配線。

本發(fā)明的第五方面的特征在于，在本發(fā)明的第四方面中，

上述連接配線還包括在上述第一連接配線與上述有機(jī)絕緣膜之間形成的由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的第二連接配線，上述第二連接配線的寬度比上述第一連接配線的寬度窄，上述第一連接配線和上述第二連接配線在設(shè)置于上述臺(tái)階部的接觸區(qū)域電連接。

本發(fā)明的第六方面的特征在于，在本發(fā)明的第五方面中，

沿著上述第二連接配線的長度方向，在上述第二連接配線的上表面和下表面中的任一個(gè)上，形成有由電阻率比上述第二連接配線的電阻率小的金屬構(gòu)成的第三連接配線。

本發(fā)明的第七方面的特征在于，在本發(fā)明的第六方面中，

構(gòu)成上述第三連接配線的金屬膜是銅、鉬、鋁、它們的合金以及鋁與鉬的層疊膜中的任一種。

本發(fā)明的第八方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，

在由相鄰的連接配線夾著的區(qū)域的上述有機(jī)絕緣膜，在比上述臺(tái)階部的上表面低的位置的斜面，形成有具有與上述透明基板的表面大致平行的平面的中間區(qū)域。

本發(fā)明的第九方面的特征在于，在本發(fā)明的第八方面中，

上述中間區(qū)域通過使用具有半色調(diào)部的掩模進(jìn)行曝光和顯影而形成，其中，上述半色調(diào)部的膜厚被調(diào)整為使得透射率處于不使光透射的遮光部與使光直接透射的開口部之間。

本發(fā)明的第十方面的特征在于，在本發(fā)明的第八方面中，

上述中間區(qū)域通過使用具有灰色調(diào)部(gray tone portion)的掩模進(jìn)行曝光和顯影而形成，其中，上述灰色調(diào)部是在遮光膜上設(shè)置多個(gè)狹縫而得到的。

本發(fā)明的第十一方面的特征在于，在本發(fā)明的第二或第八方面中，

在上述由相鄰的連接配線夾著的區(qū)域形成的上述突起部或上述中間區(qū)域，還形成在沒有形成上述單元的區(qū)域。

本發(fā)明的第十二方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，

上述連接配線，為了檢查在上述顯示部形成的掃描信號(hào)線或數(shù)據(jù)信號(hào)線的斷線和短路中的至少任一個(gè)，對在上述透明基板上形成的多個(gè)單元的與上述掃描信號(hào)線和上述數(shù)據(jù)信號(hào)線連接的檢查用配線，提供從上述共用配線輸入的檢查信號(hào)。

本發(fā)明的第十三方面的特征在于，在本發(fā)明的第一方面中，

上述顯示裝置是通過對在上述顯示部由像素電極和共用電極夾持的液晶層施加電壓來控制光的透射率從而顯示圖像的液晶顯示裝置，

在上述透明基板上形成的上述多個(gè)單元的上述連接配線，在使預(yù)先混合在上述液晶層中的光聚合性單體或低聚物聚合而形成對沒有施加電壓時(shí)的上述液晶層中包含的液晶分子的取向方向進(jìn)行控制的取向維持層時(shí)，經(jīng)由與上述像素電極連接的數(shù)據(jù)信號(hào)線對上述像素電極輸入用于形成上述取向維持層所需要的信號(hào)，在上述像素電極與上述共用電極之間對上述液晶層施加電壓。

本發(fā)明的第十四方面的特征在于，在本發(fā)明的第十三方面中，

上述液晶顯示裝置還包括輔助電容配線，在該輔助電容配線與上述像素電極之間形成輔助電容，

在上述透明基板上形成的上述多個(gè)單元的上述連接配線，在使預(yù)先混合在上述液晶層中的光聚合性單體或低聚物聚合而形成上述取向維持層時(shí)，經(jīng)由上述輔助電容配線對上述像素電極輸入用于形成上述取向維持層所需要的信號(hào)，在上述像素電極與上述共用電極之間對上述液晶層施加電壓。

發(fā)明效果

根據(jù)上述第一方面，由相鄰的多根連接配線夾著的區(qū)域中的有機(jī)絕緣膜的斜面的傾斜，比連接配線中的有機(jī)絕緣膜的斜面的傾斜平緩。由此，為了對連接配線進(jìn)行圖案化而涂敷的抗蝕劑的膜厚不會(huì)沿著連接配線間的區(qū)域的有機(jī)絕緣膜的邊緣線變厚，因此，抗蝕劑難以在相鄰的連接配線間以連接著的狀態(tài)殘留。因此，難以發(fā)生由相鄰的連接配線被電連接而引起的漏電。另外，有機(jī)絕緣膜的端部被第二無機(jī)絕緣膜覆蓋，因此，不再會(huì)出現(xiàn)空氣中的水分從有機(jī)絕緣膜的端部侵入，使配線的可靠性降低的情況。

根據(jù)上述第二方面，在由相鄰的多根連接配線夾著的區(qū)域，從有機(jī)絕緣膜的斜面向第二絕緣膜的邊緣部去，形成有至少1個(gè)突起部。由此，在連接配線間的區(qū)域中，有機(jī)絕緣膜的斜面的傾斜與連接配線中的有機(jī)絕緣膜的斜面的傾斜相比，因突起部的形成而相應(yīng)地變得平緩。因此，難以發(fā)生由相鄰的連接配線被電連接而引起的短路。另外，有機(jī)絕緣膜的端部，包括突起部的前端在內(nèi)，被第二無機(jī)絕緣膜覆蓋，因此，不再會(huì)出現(xiàn)空氣中的水分從有機(jī)絕緣膜的端部侵入，使配線的可靠性降低的情況。

根據(jù)上述第三方面，有機(jī)絕緣膜由感光性樹脂構(gòu)成，因此，通過使用具有突起圖案的掩模并調(diào)整曝光時(shí)間，能夠容易地使有機(jī)絕緣膜的斜面成為平緩的形狀。

根據(jù)上述第四方面，連接配線為由第一連接配線構(gòu)成的簡單的結(jié)構(gòu)，因此，能夠容易地防止連接配線間的短路。

根據(jù)上述第五方面，在第一連接配線與有機(jī)絕緣膜之間，形成有在接觸區(qū)域與第一連接配線電連接的第二連接配線。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)連接配線的低電阻化，并且能夠?qū)崿F(xiàn)冗余化，即，只要僅任一方斷線而另一方?jīng)]有斷線就能夠作為連接配線發(fā)揮作用。另外，通過使第二連接配線的寬度比第一連接配線的寬度窄，在第二連接配線間發(fā)生短路的可能性降低，作為包括第一連接配線和第二連接配線的連接配線，發(fā)生短路的可能性也降低。

根據(jù)上述第六方面，通過進(jìn)一步設(shè)置由電阻率比第二連接配線的電阻率低的金屬構(gòu)成的第三連接配線，能夠使連接配線的電阻值減小。另外，也能夠使連接配線的寬度變窄。在使連接配線的寬度變窄的情況下，由連接配線夾著的區(qū)域的寬度變寬，因此，能夠形成更多的突起部，能夠更加可靠地防止連接配線間的短路。

根據(jù)上述第七方面，當(dāng)?shù)谌B接配線由銅、鉬、鋁、它們的合金以及鋁與鉬的層疊膜中的任一種構(gòu)成時(shí)，能夠使連接配線的電阻值減小。

根據(jù)上述第八方面，在由相鄰的連接配線夾著的區(qū)域的有機(jī)絕緣膜的斜面上，形成具有與透明基板的表面大致平行的平面的中間區(qū)域。由此，在連接配線間的區(qū)域中，有機(jī)絕緣膜的斜面的傾斜與連接配線中的有機(jī)絕緣膜的斜面的傾斜相比，因中間區(qū)域的形成而相應(yīng)地變得平緩。因此，難以發(fā)生由相鄰的連接配線被電連接而引起的短路。另外，有機(jī)絕緣膜的端部被第二無機(jī)絕緣膜覆蓋，因此，不再會(huì)出現(xiàn)空氣中的水分從有機(jī)絕緣膜的端部侵入，使配線的可靠性降低的情況。

根據(jù)上述第九方面，通過使用具有半色調(diào)部的掩模進(jìn)行曝光和顯影，能夠容易地在有機(jī)絕緣膜上形成中間區(qū)域。

根據(jù)上述第十方面，通過使用具有灰色調(diào)部的掩模進(jìn)行曝光和顯影，能夠容易地在有機(jī)絕緣膜上形成中間區(qū)域。

根據(jù)上述第十一方面，在相鄰的連接配線間的區(qū)域形成的突起部或中間區(qū)域，也形成在透明基板的沒有形成單元的區(qū)域。由此，更加難以發(fā)生由相鄰的連接配線被電連接而引起的短路。另外，有機(jī)絕緣膜的端部被第二無機(jī)絕緣膜覆蓋，因此，空氣中的水分從有機(jī)絕緣膜的端部侵入，使配線的可靠性降低的情況變得更少。

根據(jù)上述第十二方面，經(jīng)由在透明基板的沒有形成單元的區(qū)域形成的共用配線，對檢查用配線提供檢查信號(hào)。由此，能夠同時(shí)在多個(gè)單元中檢查掃描信號(hào)線、數(shù)據(jù)信號(hào)線是否發(fā)生了斷線和/或短路，能夠短時(shí)間內(nèi)確認(rèn)斷線和/或短路的有無。

根據(jù)上述第十三方面，在使預(yù)先混合在液晶層中的光聚合性單體或低聚物聚合而形成對沒有施加電壓時(shí)的液晶層中包含的液晶分子的取向方向進(jìn)行控制的取向維持層時(shí)，在與像素電極連接的數(shù)據(jù)信號(hào)線與共用電極之間對液晶層進(jìn)行電壓。此時(shí)，將對像素電極和共用電極施加的電壓，從共用配線經(jīng)由連接配線同時(shí)提供給多個(gè)單元，因此，能夠在短時(shí)間內(nèi)形成取向維持層。

根據(jù)上述第十四方面，在形成取向維持層時(shí)，經(jīng)由輔助電容配線在像素電極與共用電極之間對液晶層施加電壓。此時(shí)，將對輔助電容配線和共用電極施加的電壓，從共用配線經(jīng)由連接配線同時(shí)提供給多個(gè)單元，因此，能夠在短時(shí)間內(nèi)形成取向維持層。

附圖說明

圖1是表示液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖2是表示從母玻璃基板分割而被切出前的單元的結(jié)構(gòu)的圖。

圖3是表示在圖2所示的單元的陣列基板上形成的經(jīng)由檢查用端子將檢查用配線與共用檢查配線連接的連接配線的配置的平面圖。

圖4是將圖3中由虛線包圍的區(qū)域放大的平面圖。

圖5是表示圖4中由連接配線夾著的區(qū)域和連接配線的截面的形狀的截面圖，更詳細(xì)而言，(A)是表示由連接配線夾著的區(qū)域的沿著箭線A1-A1的截面的形狀的截面圖，(B)是表示連接配線的端部的長度方向的沿著箭線A2-A2的截面的形狀的截面圖，(C)是表示連接配線的中央部的長度方向的沿著箭線A3-A3的截面的形狀的截面圖。

圖6是用于說明在圖4中相鄰的連接配線被電連接而產(chǎn)生漏電的原因的圖，更詳細(xì)而言，(A)是表示在連接配線間的區(qū)域?yàn)榱藢TO膜圖案化來形成上層連接配線而涂敷抗蝕劑后的狀態(tài)的截面圖，(B)是表示進(jìn)行圖案化時(shí)沿著有機(jī)絕緣膜的邊緣線產(chǎn)生了抗蝕劑殘留的截面圖，(C)是表示在連接配線間產(chǎn)生了ITO膜的蝕刻殘留的截面圖。

圖7是表示第一實(shí)施方式的連接配線的結(jié)構(gòu)的平面圖。

圖8是表示圖7中由連接配線夾著的區(qū)域和連接配線上的截面的形狀的截面圖，更詳細(xì)而言，(A)是表示由連接配線夾著的區(qū)域的沿著箭線B1-B1的截面的形狀的截面圖，(B)是表示連接配線的端部的長度方向的沿著箭線B2-B2的截面的形狀的截面圖，(C)是表示連接配線的中央部的長度方向的沿著箭線B3-B3的截面的形狀的截面圖。

圖9是表示第一實(shí)施方式中用于在母玻璃基板上形成陣列基板的工序的圖。

圖10是表示第一實(shí)施方式中在圖9所示的工序之后用于在母玻璃基板上形成陣列基板的工序的圖。

圖11是將圖7所示的連接配線間的區(qū)域放大的平面圖，更詳細(xì)而言，(A)是表示形成第二無機(jī)絕緣膜前的有機(jī)絕緣膜的形狀的圖，(B)是表示形成第二無機(jī)絕緣膜后的有機(jī)絕緣膜的形狀的圖。

圖12是表示第一實(shí)施方式中使用的形成有呈三角形形狀的突起圖案的掩模的一部分的圖。

圖13是表示第一實(shí)施方式中能夠使用的形成有呈五邊形形狀的突起圖案的掩模的一部分的圖。

圖14是表示在連接配線間的區(qū)域?yàn)榱藢TO膜圖案化來形成上層連接配線而涂敷抗蝕劑后的狀態(tài)的截面圖。

圖15是表示在第一實(shí)施方式中由相鄰的連接配線夾著的區(qū)域中的突起部附近的有機(jī)絕緣膜的形狀的立體圖。

圖16是表示第一實(shí)施方式中突起部的形狀的平面圖。

圖17是表示圖16所示的突起部的截面的形狀的截面圖，更詳細(xì)而言，(A)是表示沿圖16所示的箭線W1-W1的突起部的橫截面的形狀的截面圖，(B)是表示沿圖16所示的箭線W2-W2的突起部的橫截面的形狀的截面圖，(C)是表示沿圖16所示的箭線W3-W3的突起部的橫截面的形狀的截面圖，(D)是表示沿圖16所示的箭線L-L的縱截面的形狀的截面圖。

圖18是表示作為第一實(shí)施方式的變形例的連接配線的中央部的截面的圖。

圖19是表示第二實(shí)施方式的連接配線的結(jié)構(gòu)的平面圖。

圖20是表示圖19所示的相鄰的連接配線間的區(qū)域的沿箭線C1-C1線的截面形狀的截面圖。

圖21是表示在第二實(shí)施方式中形成的具有中間區(qū)域的有機(jī)絕緣膜上涂敷了抗蝕劑時(shí)的狀態(tài)的截面圖。

圖22是將圖19所示的連接配線間的區(qū)域放大的平面圖，(A)是表示在有機(jī)絕緣膜的斜面上形成的中間區(qū)域的平面圖，(B)是表示形成第二無機(jī)絕緣膜后的中間區(qū)域的平面圖。

圖23是表示在第二實(shí)施方式中使用半色調(diào)掩模進(jìn)行了圖案化的有機(jī)絕緣膜的截面的截面圖。

圖24是表示第二實(shí)施方式中能夠使用的灰色調(diào)部的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。

圖25是表示在圖2所示的單元的陣列基板上形成的經(jīng)由檢查用端子將檢查用配線與共用檢查配線連接的連接配線的配置的平面圖。

圖26是表示母玻璃基板的廢料基板區(qū)域的連接配線附近的圖案配置的平面圖。

圖27是CPA模式的液晶面板的截面圖，更詳細(xì)而言，圖27(A)是進(jìn)行光聚合前的CPA模式的液晶面板的截面圖，圖27(B)是進(jìn)行光聚合后的CPA模式的液晶面板的截面圖。

圖28是表示具有輔助電容配線的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。

具體實(shí)施方式

在對本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行說明之前，首先對各實(shí)施方式中共用的作為基本的結(jié)構(gòu)(以下稱為“基本結(jié)構(gòu)”)進(jìn)行說明。

＜0.基本結(jié)構(gòu)＞

＜0.1整體結(jié)構(gòu)＞

圖1是表示液晶顯示裝置1的結(jié)構(gòu)的框圖。圖1所示的液晶顯示裝置1是包括顯示部3、顯示控制電路8、掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4和數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5的有源矩陣型的顯示裝置。

顯示部3包括n根掃描信號(hào)線G1～Gn、m根數(shù)據(jù)信號(hào)線S1～Sm和(n×m)個(gè)像素形成部21。掃描信號(hào)線G1～Gn彼此平行地配置，數(shù)據(jù)信號(hào)線S1～Sm以與掃描信號(hào)線G1～Gn正交的方式彼此平行地配置。像素形成部21配置在掃描信號(hào)線Gi與數(shù)據(jù)信號(hào)線Sj的交點(diǎn)附近。這樣，(n×m)個(gè)像素形成部21以行方向上m個(gè)、列方向上n個(gè)的方式配置為二維狀。

顯示控制電路8基于從外部供給的控制信號(hào)和圖像數(shù)據(jù)，對掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4輸出控制信號(hào)C1，并對數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5輸出控制信號(hào)C2和圖像數(shù)據(jù)DT。掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4基于控制信號(hào)C1對掃描信號(hào)線G1～Gn一根一根地依次進(jìn)行選擇。數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5基于控制信號(hào)C2和圖像數(shù)據(jù)DT，對數(shù)據(jù)信號(hào)線S1～Sm施加與圖像數(shù)據(jù)DT相應(yīng)的電壓。由此，與圖像數(shù)據(jù)DT相應(yīng)的電壓被寫入所選擇的1行的像素形成部21中。這樣，液晶顯示裝置1顯示圖像。

各像素形成部21包括：作為開關(guān)元件發(fā)揮作用的薄膜晶體管22(Thin Film Transistor：“TFT 22”)；與TFT 22的漏極電極連接的像素電極23；和與像素電極23一起形成液晶電容25，且在各像素形成部21共用地設(shè)置的共用電極24。各液晶電容25在像素電極23和共用電極24之間夾持有液晶層(未圖示)。

圖2是表示從母玻璃基板10分割而被切出前的單元2的結(jié)構(gòu)的圖。母玻璃基板10上形成有多個(gè)單元2，圖2著眼于其中的1個(gè)單元2表示出了其結(jié)構(gòu)。在本說明書中，單元2是指，在母玻璃基板10上形成的陣列基板和對置基板被貼合的狀態(tài)的、從母玻璃基板10被切出前的液晶面板。在單元2的中央部設(shè)置有用于顯示圖像和文字等的顯示部3。在顯示部3形成有：在水平方向上形成的多根掃描信號(hào)線32；在垂直方向上形成的多根數(shù)據(jù)信號(hào)線33；和在它們的交叉點(diǎn)形成的像素形成部(未圖示)。

在顯示部3的周邊區(qū)域設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)掃描信號(hào)線32的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4和用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)信號(hào)線33的數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5。掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4和數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5可以與顯示部3形成為單片，或者也可以將具有它們的功能的半導(dǎo)體芯片安裝在母玻璃基板10上。在圖2中，與顯示部3形成為單片的2個(gè)掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4配置在顯示部3的左右的周邊區(qū)域，分別使第奇數(shù)個(gè)和第偶數(shù)個(gè)掃描信號(hào)線32依次有效。另外，數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5作為半導(dǎo)體芯片被安裝在母玻璃基板10上，對各數(shù)據(jù)信號(hào)線33施加與圖像數(shù)據(jù)DT相應(yīng)的電壓。在單元2的陣列基板上設(shè)置有FPC(Flexible Printed Circuit：柔性印刷電路板)部36，經(jīng)由在該FPC部36設(shè)置的各FPC端子37，從外部對掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4和數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5提供圖像數(shù)據(jù)DT和控制信號(hào)C1、C2。另外，在數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5和數(shù)據(jù)信號(hào)線33之間配置有形成有數(shù)據(jù)信號(hào)線33的檢查電路(未圖示)的數(shù)據(jù)信號(hào)線檢查區(qū)域34，但是與本發(fā)明無直接關(guān)系，因此省略其說明。

在數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5的左右的附近，以夾著數(shù)據(jù)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5的方式分別設(shè)置有各自由多個(gè)檢查用端子40構(gòu)成的檢查用端子部35。各檢查用端子40連接有與掃描信號(hào)線32和數(shù)據(jù)信號(hào)線33連接的檢查用配線42、與在后述的廢料基板區(qū)域(waste substrate region)31形成的共用檢查配線46連接的連接配線50、和用于從各FPC端子37輸入信號(hào)的輸入用配線43。另外，有時(shí)將共用檢查配線46稱為“共用配線”。

在母玻璃基板上的相鄰的單元2之間，設(shè)置有在沿著分割線30分割成各個(gè)單元2時(shí)切斷的廢料基板區(qū)域31。在該廢料基板區(qū)域31形成有多根共用檢查配線46，從外部對共用檢查配線46提供檢查信號(hào)。因此，通過經(jīng)由連接配線50將共用檢查配線46與各陣列基板內(nèi)的想要檢查的配線連接，能夠在母玻璃基板的狀態(tài)下或在從母玻璃基板分割成各液晶面板之前的中途的狀態(tài)下，對多個(gè)單元2的配線同時(shí)進(jìn)行檢查。另外，在各單元2的檢查結(jié)束進(jìn)行分割時(shí)，沿著分割線30在母玻璃基板10的廢料基板區(qū)域31切斷，因此，廢料基板區(qū)域31和共用檢查配線46不會(huì)殘留在分割后的液晶面板上。

此外，以將顯示部3覆蓋的方式形成有共用電極24，從FPC端子37沿著各單元2的左右的端部延伸的共用信號(hào)配線44與共用電極24的左右的上端連接。因此，只要從外部經(jīng)由FPC端子37提供共用電壓，共用電壓就被施加于共用電極24。

圖3是表示在單元2的陣列基板上形成的經(jīng)由檢查用端子40將檢查用配線42與共用檢查配線46連接的連接配線50的配置的平面圖。如圖3所示，5個(gè)檢查用端子40在水平方向上排列。這5個(gè)檢查用端子40之中，左側(cè)的3個(gè)檢查用端子40是與用于檢查數(shù)據(jù)信號(hào)線33的檢查用配線42連接的端子，經(jīng)由檢查用配線42以及形成于數(shù)據(jù)信號(hào)線檢查區(qū)域34的檢查用的電路與數(shù)據(jù)信號(hào)線33連接，并且經(jīng)由連接配線50與共用檢查配線46連接。右側(cè)的2個(gè)檢查用端子40是用于檢查掃描信號(hào)線32的端子，經(jīng)由檢查用配線42與掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4連接，并且經(jīng)由連接配線50與和用于檢查數(shù)據(jù)信號(hào)線33的配線不同的共用檢查配線46連接。此外，各檢查用端子40也經(jīng)由輸入用配線43與FPC端子37連接。因此，掃描信號(hào)線32和數(shù)據(jù)信號(hào)線33被提供用于驅(qū)動(dòng)液晶面板的控制信號(hào)和用于檢查的檢查信號(hào)中的任一個(gè)。此外，還配置有上述以外的檢查用端子40，但是省略它們的圖示和說明。

另外，與從各檢查用端子40的下端向FPC端子37延伸的輸入用配線43相鄰地形成有寬度寬的共用信號(hào)配線44。該共用信號(hào)配線44是用于對形成于像素形成部的共用電極24施加共用電壓的配線。連接配線50橫穿該輸入用配線43和共用信號(hào)配線44的上方，將各陣列基板的檢查用端子40與配置于廢料基板區(qū)域31的共用檢查配線46連接。

＜0.2連接配線的結(jié)構(gòu)＞

對在說明連接配線50的結(jié)構(gòu)時(shí)使用的各層的名稱進(jìn)行說明。構(gòu)成連接配線50的各層使用在形成像素形成部21的TFT 22時(shí)成膜的絕緣膜和導(dǎo)電膜。因此，在以下的關(guān)于連接配線50的結(jié)構(gòu)的說明中，將與TFT 22的柵極電極和掃描信號(hào)線32同時(shí)形成的導(dǎo)電層稱為“柵極金屬層61”，將與TFT 22的柵極絕緣膜同時(shí)形成的絕緣層稱為“柵極絕緣層62”，將與TFT 22的溝道蝕刻阻擋層同時(shí)形成的絕緣層稱為“溝道蝕刻阻擋層63”，將與TFT 22的源極電極/漏極電極和數(shù)據(jù)信號(hào)線33同時(shí)形成的導(dǎo)電層稱為“源極金屬層64”，將連接配線50中由與共用電極24相同的氧化銦錫膜(Indium Tin Oxide：以下稱為“ITO膜”)等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成、且與共用電極24同時(shí)形成的配線稱為下層連接配線52，將連接配線50中由與像素電極23相同的ITO膜等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成、且與像素電極23同時(shí)形成的配線稱為上層連接配線51。另外，有時(shí)也將上層連接配線51稱為“第一連接配線”，將下層連接配線52稱為“第二連接配線”。

圖4是將圖3中由虛線包圍的區(qū)域放大的平面圖。如圖4所示，在水平方向上形成有將柵極金屬層61和源極金屬層64層疊而得到的2層結(jié)構(gòu)的共用信號(hào)配線44。在共用信號(hào)配線44上，以隔開規(guī)定距離與共用信號(hào)配線44正交的方式，形成有在寬度窄的下層連接配線52上層疊寬度寬的上層連接配線51而得到的2層結(jié)構(gòu)的連接配線50。此外，共用信號(hào)配線44的柵極金屬層61與源極金屬層64電連接。由此，共用信號(hào)配線44的電阻值降低。另外，即使柵極金屬層61和源極金屬層64中的任一方發(fā)生斷線，只要另一方不發(fā)生斷線，就能夠避免共用信號(hào)配線44的斷線。這樣，通過將柵極金屬層61和源極金屬層64層疊，能夠?qū)崿F(xiàn)共用信號(hào)配線44的低電阻化和冗余化。另外，共用信號(hào)配線44由將大量的導(dǎo)電層和絕緣層層疊而得到的層疊膜構(gòu)成，因此，在本說明書中有時(shí)稱作“臺(tái)階部”。

此外，優(yōu)選柵極金屬層61和源極金屬層64均為在鈦(Ti)膜上層疊銅(Cu)膜而得到的2層結(jié)構(gòu)的配線。通過層疊銅膜，能夠使柵極金屬層61和源極金屬層64低電阻化。另外，將柵極金屬層61和源極金屬層64分離的柵極絕緣層62、溝道蝕刻阻擋層63、以及第一無機(jī)絕緣膜65和第二無機(jī)絕緣膜71均由例如硅氧化膜(SiO₂)或硅氮化膜(SiNx)等無機(jī)絕緣膜構(gòu)成。

有機(jī)絕緣膜70從圖4的上端起覆蓋共用信號(hào)配線44，進(jìn)一步形成至有機(jī)絕緣膜70的邊緣線的位置。第二無機(jī)絕緣膜71從圖4的上端起超過有機(jī)絕緣膜70的邊緣線形成至第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣線。因此，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部被第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋。

對在這樣的平面圖中由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域的截面進(jìn)行說明。圖5是表示由連接配線50夾著的區(qū)域和連接配線50的截面的形狀的截面圖，更詳細(xì)而言，圖5(A)是表示由連接配線50夾著的區(qū)域的沿著箭線A1-A1的截面的形狀的截面圖，圖5(B)是表示連接配線50的端部的長度方向的沿著箭線A2-A2的截面的形狀的截面圖，圖5(C)是表示連接配線50的中央部的長度方向的沿著箭線A3-A3的截面的形狀的截面圖。

如圖5(A)所示，在由連接配線50夾著的區(qū)域中，層疊有構(gòu)成共用信號(hào)配線44的柵極金屬層61、柵極絕緣層62、溝道蝕刻阻擋層63和源極金屬層64。另外，以覆蓋共用信號(hào)配線44的方式依次層疊有第一無機(jī)絕緣膜65、有機(jī)絕緣膜70和第二無機(jī)絕緣膜71。此時(shí)，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部被第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋，因此，空氣中的水分不會(huì)侵入到有機(jī)絕緣膜內(nèi)。但是，有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜角變大。

如圖5(B)所示，在連接配線50的端部，共用信號(hào)配線44的結(jié)構(gòu)也與圖5(A)的情況相同，因此，省略其說明。以覆蓋共用信號(hào)配線44的方式形成有有機(jī)絕緣膜70、第二無機(jī)絕緣膜71和上層連接配線51。這樣，作為連接配線50，除了在第二無機(jī)絕緣膜71上形成有上層連接配線51以外，與圖5(A)所示的連接配線50的結(jié)構(gòu)相同。

有機(jī)絕緣膜70的端部被第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋，因此，空氣中的水分不會(huì)侵入到有機(jī)絕緣膜內(nèi)。另外，有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜角與圖5(A)所示的情況同樣地變大。

如圖5(C)所示，在連接配線50的中央部，共用信號(hào)配線44的結(jié)構(gòu)也與圖5(A)的情況相同，因此，省略其說明。以覆蓋共用信號(hào)配線44的方式形成有有機(jī)絕緣膜70，但是與圖5(A)所示的情況不同，在有機(jī)絕緣膜70上形成有下層連接配線52。進(jìn)而，在有機(jī)絕緣膜70的斜面上形成的下層連接配線52上形成有第二無機(jī)絕緣膜71。上層連接配線51以將該下層連接配線52和第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋的方式形成。這樣，在連接配線50的中央部，連接配線50為在下層連接配線52上層疊上層連接配線51而得到的2層結(jié)構(gòu)的配線。

在連接配線50的中央部，有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜角也與圖5(A)所示的情況同樣地變大。有機(jī)絕緣膜70的端部被第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋，因此，空氣中的水分不會(huì)侵入到有機(jī)絕緣膜內(nèi)。另外，在共用信號(hào)配線44的上方的接觸區(qū)域54，上層連接配線51與下層連接配線52電連接。因此，與共用信號(hào)配線44的柵極金屬層61和源極金屬層64的情況同樣，連接配線50也實(shí)現(xiàn)了低電阻化和冗余化。

＜0.3比較例＞

對在被相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域中有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜角變大的情況下的問題點(diǎn)進(jìn)行說明。圖6是用于對相鄰的連接配線50被電連接而產(chǎn)生漏電的原因進(jìn)行說明的圖，更詳細(xì)而言，圖6(A)是表示在連接配線50間的區(qū)域?yàn)榱藢TO膜51A圖案化來形成上層連接配線51而涂敷抗蝕劑后的狀態(tài)的截面圖，圖6(B)是表示進(jìn)行圖案化時(shí)沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線產(chǎn)生了抗蝕劑殘留的截面圖，圖6(C)是表示在連接配線間產(chǎn)生了ITO膜的蝕刻殘留的截面圖。

如圖6(A)所示，在連接配線50間的區(qū)域，在第二無機(jī)絕緣膜71和母玻璃基板10上形成有成為上層連接配線51的ITO膜51A，進(jìn)一步在ITO膜51A上涂敷有抗蝕劑75。在該情況下，在有機(jī)絕緣膜70的斜面，傾斜角變大，因此，沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線，抗蝕劑的膜厚T1變厚。在該狀態(tài)下，在為了將ITO膜51A圖案化而使用光刻法對抗蝕劑75進(jìn)行圖案化時(shí)，如圖6(B)所示，本來應(yīng)該通過顯影被除去的抗蝕劑75a會(huì)沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線殘留。

接著，如圖6(C)所示，在以抗蝕劑圖案(未圖示)作為掩模對ITO膜51A進(jìn)行蝕刻來形成上層連接配線51的圖案時(shí)，沿著邊緣線殘留的抗蝕劑75a也成為掩模，ITO膜51a會(huì)沿著產(chǎn)生了抗蝕劑殘留的邊緣線而連接著殘留。該連接著殘留的ITO膜51a使相鄰的連接配線50電連接，產(chǎn)生在連接配線50間發(fā)生漏電的問題。

此外，在圖6(C)中，對在將ITO膜51A圖案化來形成上層連接配線51時(shí)，因在上層連接配線51間以連接著的狀態(tài)殘留的抗蝕劑75a而導(dǎo)致在上層連接配線51間發(fā)生的漏電進(jìn)行了說明。但是，在形成共用電極24時(shí)對ITO膜進(jìn)行圖案化來形成下層連接配線52時(shí)，也存在下層連接配線52間殘留的抗蝕劑成為掩模，將相鄰的下層連接配線52間電連接的ITO膜殘留的情況。但是，下層連接配線52的寬度與上層連接配線51的寬度相比狹窄，因此，下層連接配線52間的間隔變寬相應(yīng)的量。因此，雖然與上層連接配線51相比可能性低，但是在下層連接配線52間也存在發(fā)生漏電的可能性。

＜1.第一實(shí)施方式＞

應(yīng)用本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置和在母玻璃基板上形成的單元的結(jié)構(gòu)，與圖1所示的液晶顯示裝置1和圖2所示的單元2的基本結(jié)構(gòu)相同，因此省略其說明。

＜1.1連接配線的結(jié)構(gòu)＞

如上所述，圖6(A)所示的有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜角大，因此，在有機(jī)絕緣膜70上形成的ITO膜51A的斜面的傾斜角也變大，沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線的抗蝕劑75的膜厚T1變厚，可認(rèn)為是原因。因此，可以認(rèn)為，如果使有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜減緩，使在涂敷抗蝕劑75時(shí)沿著邊緣線的抗蝕劑75的膜厚T1變薄，則能夠防止因殘留的抗蝕劑75a連接而發(fā)生的漏電。因此，在第一實(shí)施方式中，使連接配線50的結(jié)構(gòu)如以下那樣。

圖7是表示本實(shí)施方式的連接配線50的結(jié)構(gòu)的平面圖。對圖7所示的平面圖中與圖4所示的平面圖不同的部分進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，如圖7所示，在有機(jī)絕緣膜70的邊緣部中由相鄰的上層連接配線51夾著的區(qū)域形成有突起部55。另外，如圖7所示，為了在該情況下也防止水分侵入到有機(jī)絕緣膜70內(nèi)，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部，包括突起部55在內(nèi)，形成為比第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣部更靠內(nèi)側(cè)。因此，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部被第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣部覆蓋，因此，不會(huì)因空氣中的水分而導(dǎo)致連接配線50的可靠性出現(xiàn)問題。

圖8是表示圖7中由連接配線50夾著的區(qū)域和連接配線50上的截面的形狀的截面圖，更詳細(xì)而言，圖8(A)是表示由連接配線50夾著的區(qū)域的沿著箭線B1-B1的截面的形狀的截面圖，圖8(B)是表示連接配線50的端部的長度方向的沿著箭線B2-B2的截面的形狀的截面圖，圖8(C)是表示連接配線50的中央部的長度方向的沿著箭線B3-B3的截面的形狀的截面圖。

在相鄰的連接配線50間的區(qū)域，如圖8(A)所示，除了有機(jī)絕緣膜70和第二無機(jī)絕緣膜71的斜面的傾斜角以外，與圖6(A)所示的截面圖為相同結(jié)構(gòu)。但是，由于在有機(jī)絕緣膜70的邊緣線設(shè)置有突起部55，與圖6(A)所示的情況相比，有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜變得平緩。另一方面，第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣部的位置與圖6(A)所示的位置大致相同，因此，有機(jī)絕緣膜70的突起部55的前端與第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣部間的距離，即覆蓋突起部55的前端的第二無機(jī)絕緣膜71的長度縮短為3μm左右。但是，在該情況下也是，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部，包括突起部55在內(nèi)，被第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋。

另外，如圖8(B)和圖8(C)所示，連接配線50的端部和中央部的有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜，與圖6(B)和圖6(C)所示的情況同樣地變大。因此，在任一情況下，沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線，抗蝕劑的膜厚均變厚，但是，因?yàn)槭窃谛纬缮蠈舆B接配線51時(shí)抗蝕劑作為圖案在ITO膜上殘留的區(qū)域，因此，這些殘留的抗蝕劑不是本來應(yīng)該通過顯影被除去的抗蝕劑。

這樣，在由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域，通過在有機(jī)絕緣膜70的邊緣部形成突起部55，使有機(jī)絕緣膜70的傾斜角減小，因此，在形成上層連接配線51時(shí)涂敷的抗蝕劑的沿著邊緣線的膜厚變薄。由此，在顯影時(shí)應(yīng)當(dāng)被除去的抗蝕劑難以以連接著的狀態(tài)殘留，能夠抑制在相鄰的連接配線50間產(chǎn)生的漏電的發(fā)生。

＜1.2連接配線的形成方法＞

對在母玻璃基板10上形成陣列基板的形成方法進(jìn)行說明。圖9和圖10是表示用于在母玻璃基板10上形成陣列基板的工序的圖。在圖9和圖10中，與圖8中的區(qū)域?qū)?yīng)地從左起依次表示出連接配線50間的突起部55、連接配線50的端部、連接配線50的中央部的截面。首先，如圖9(A)所示，在任一區(qū)域中，至形成共用信號(hào)配線44為止的工序都是相同的。首先，在母玻璃基板10上通過濺射法形成鈦膜，進(jìn)而接著形成銅膜。接著，使用光刻法形成抗蝕劑圖案，以該抗蝕劑圖案作為掩模依次對銅膜、鈦膜進(jìn)行蝕刻，形成柵極金屬層61。此時(shí)，在像素形成部21形成TFT 22的柵極電極和掃描信號(hào)線32。另外，使柵極金屬層61為2層結(jié)構(gòu)并在其表面層疊銅膜，是為了使柵極金屬層61低電阻化。

利用等離子體CVD法形成硅氮化膜(SiNx)。然后，使用光刻法形成抗蝕劑圖案，以該抗蝕劑圖案作為掩模對硅氮化膜進(jìn)行圖案化，形成柵極絕緣層62。此時(shí)，在TFT部22，在柵極電極上形成柵極絕緣膜。接著，通過形成非晶硅膜并對其進(jìn)行圖案化，在TFT部22形成半導(dǎo)體層。此外，在連接配線50，將形成的非晶硅膜除去。

進(jìn)一步，形成硅氮化膜并對其進(jìn)行圖案化，在連接配線50在柵極絕緣層62上形成溝道蝕刻阻擋層63，在TFT部22形成用于保護(hù)半導(dǎo)體層的溝道蝕刻阻擋層，并且在半導(dǎo)體層上開設(shè)用于將源極電極與漏極電極連接的接觸孔。另外，也可以考慮不形成用于保護(hù)半導(dǎo)體層的溝道蝕刻阻擋層的結(jié)構(gòu)，在該情況下也不形成連接配線50的溝道蝕刻阻擋層63。

利用濺射法形成鈦膜，進(jìn)而接著形成銅膜。然后，與形成柵極金屬層61時(shí)同樣地，使用光刻法形成層疊的源極金屬層64。此時(shí)，在TFT部22形成與溝道層連接的源極電極和漏極電極、以及數(shù)據(jù)信號(hào)線33。在源極金屬層64上，使用等離子體CVD法形成成為第一無機(jī)絕緣膜65的硅氮化膜。

如圖9(B)所示，作為有機(jī)絕緣膜70，使用狹縫涂敷法或旋轉(zhuǎn)涂敷法例如以1～4μm的厚度涂敷感光性丙烯酸樹脂，并使用光刻法進(jìn)行圖案化。此時(shí)，在TFT部22，在已經(jīng)形成的漏極電極上的有機(jī)絕緣膜上，開設(shè)用于與后述的像素電極23電連接的接觸孔。在用于對該有機(jī)絕緣膜70進(jìn)行圖案化而使用的掩模上，在與相鄰的連接配線50間對應(yīng)的位置形成有突起圖案。由此，顯影后的連接配線50間的有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜，由于形成有突起部55，與連接配線50上的有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜相比變得緩和，詳細(xì)情況將在后面說明。如圖9(C)所示，通過利用濺射法形成作為共用電極24的ITO膜并進(jìn)行圖案化，在連接配線50上的中央部形成下層連接配線52。

接著，如圖10(A)所示，利用等離子體CVD法形成硅氮化膜，并利用光刻法進(jìn)行圖案化。由此形成第二無機(jī)絕緣膜71。第二無機(jī)絕緣膜71以在連接配線50間的突起部上和連接配線50的端部將有機(jī)絕緣膜70覆蓋的方式形成。在連接配線50的中央部開設(shè)有用于與后述的上層連接配線51連接的接觸區(qū)域54，第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋有機(jī)絕緣膜70的斜面。由此，在任一區(qū)域，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部均被第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋。另外，在TFT部22，在第二無機(jī)絕緣膜上開設(shè)用于在漏極電極上與后述的像素電極23連接的接觸孔。

如圖10(B)所示，利用濺射法形成ITO膜，并利用光刻法進(jìn)行蝕刻。由此，在連接配線50的中央部形成經(jīng)由接觸區(qū)域54與下層連接配線52連接的上層連接配線51，在連接配線50的端部，在第二無機(jī)絕緣膜71上形成上層連接配線51，在形成于連接配線50間的區(qū)域的突起部55上，ITO膜被除去，覆蓋有機(jī)絕緣膜70的第二無機(jī)絕緣膜71露出。另外，在TFT部22，形成經(jīng)由接觸孔與漏極電極連接的像素電極23。

此外，在上述說明中，以柵極絕緣層62、溝道蝕刻阻擋層63、第一無機(jī)絕緣膜65、第二無機(jī)絕緣膜71使用硅氮化膜的情況進(jìn)行了說明。但是，也可以使用硅氧化膜(SiO₂)、硅氮化膜與硅氧化膜的層疊膜等。另外，作為半導(dǎo)體層也可以使用例如氧化銦鎵鋅(InGaZnO)。另外，作為像素電極23和共用電極24，也可以代替ITO而使用IZO(Indium Zinc Oxide：銦鋅氧化物)等透明導(dǎo)電膜。

＜1.3突起圖案＞

圖11是將圖7所示的連接配線50間的區(qū)域放大的平面圖，更詳細(xì)而言，圖11(A)是表示形成第二無機(jī)絕緣膜71前的有機(jī)絕緣膜70的形狀的圖，圖11(B)是表示形成第二無機(jī)絕緣膜71后的有機(jī)絕緣膜70的形狀的圖。如圖11(A)所示，在由彼此平行的2根連接配線50夾著的區(qū)域的有機(jī)絕緣膜70的邊緣線上，形成有在俯視時(shí)呈三角形形狀的2個(gè)突起部55。如圖11(B)所示，突起部55的前端向第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣部突出，但是與第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣部相比位于內(nèi)側(cè)，因此，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部，包括突起部55在內(nèi)，被第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋。

對在利用光刻技術(shù)將突起部55圖案化時(shí)使用的掩模80上形成的突起圖案55a的形狀進(jìn)行說明。圖12表示形成有呈三角形形狀的突起圖案55a的掩模80的一部分的圖。例如，如圖12所示，在相鄰的連接配線間的間隔為44μm的情況下，使用形成有2個(gè)三角形的底邊為10μm、高為20μm的等腰三角形的突起圖案55a的掩模80。此外，突起圖案55a的形狀并不限定于三角形，只要前端尖即可，例如也可以為圖13所示的五邊形。另外，在連接配線50間形成的突起圖案55a的個(gè)數(shù)并不限定于2個(gè)，也可以為1個(gè)，在連接配線50間的間隔寬的情況下也可以為3個(gè)以上。

圖14是表示在連接配線50間的區(qū)域?yàn)榱藢TO膜51A圖案化來形成上層連接配線51而涂敷抗蝕劑后的狀態(tài)的截面圖。如圖14所示，在連接配線50間的區(qū)域，在第二無機(jī)絕緣膜71和母玻璃基板10上形成有成為上層連接配線51的ITO膜51A，進(jìn)一步在ITO膜51A上涂敷有抗蝕劑75。在該情況下，有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜角變小，因此，沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線，抗蝕劑的膜厚T2與圖6(A)所示的膜厚T1相比變薄。在該狀態(tài)下，在為了將ITO膜51A圖案化而使用光刻法對抗蝕劑75進(jìn)行圖案化時(shí)，顯影后抗蝕劑75a不會(huì)連接著殘留。

圖15是表示由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域的突起部55附近的有機(jī)絕緣膜70的形狀的立體圖。如圖15所示，2個(gè)突起部55在俯視時(shí)為三角形形狀，以其高度隨著向前端去而降低的方式傾斜，在突起部55的側(cè)面形成的錐形也隨著向前端去而變緩。因此，在突起部55的根部附近，將ITO膜圖案化而形成上層連接配線51時(shí)涂敷的抗蝕劑在顯影時(shí)會(huì)不被除去而殘留，因此ITO膜也殘留。但是，在突起部55的前端附近，有機(jī)絕緣膜70的傾斜平緩，因此，沒有抗蝕劑殘留，因此ITO膜也沒有殘留。這樣，通過在相鄰的連接配線50之間設(shè)置突起部55，即使在突起部55的根部附近有ITO膜沿著突起部55的邊緣殘留，在前端附近ITO膜也不會(huì)殘留。因此，在相鄰的連接配線50間不會(huì)形成沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣將它們連接的ITO膜。由此，相鄰的連接配線50不會(huì)被電連接，在它們之間不會(huì)發(fā)生漏電。

對突起部55的截面形狀更詳細(xì)地進(jìn)行說明。圖16是表示突起部55的形狀的平面圖，圖17是表示圖16所示的突起部55的截面的形狀的截面圖。更詳細(xì)而言，圖17(A)是表示沿圖16所示的箭線W1-W1的突起部55的橫截面的形狀的截面圖，圖17(B)是表示沿圖16所示的箭線W2-W2的突起部55的橫截面的形狀的截面圖，圖17(C)是表示沿圖16所示的箭線W3-W3的突起部55的橫截面的形狀的截面圖，圖17(D)是表示沿圖16所示的箭線L-L的縱截面的形狀的截面圖。

若使用圖12所示的三角形的突起圖案55a進(jìn)行過曝光(overexposure)，則曝光光會(huì)由于衍射而繞入到突起圖案55a的內(nèi)側(cè)。因此，在突起部55的前端，如圖17(A)所示，從掩模的兩側(cè)繞入的曝光光將有機(jī)絕緣膜70曝光，構(gòu)成突起部55的有機(jī)絕緣膜70的膜厚變薄，并且寬度與對應(yīng)的位置的突起圖案55a的寬度相比也變窄。因此，突起部55的前端的位置也從突起圖案55a的前端的位置后退。

在突起部55的中央部附近也是，如圖17(B)所示，由于由曝光光的衍射引起的繞入，在左右的側(cè)面形成有錐面，但是其傾斜與圖17(A)所示的情況相比變得陡峭。另外，在突起部55的根部附近也是，如圖17(C)所示在側(cè)面形成有錐面，但是其傾斜進(jìn)一步變得陡峭。如圖17(D)所示，突起部55在其長度方向上，從根部附近向前端去，傾斜逐漸變得陡峭，在前端附近呈直線狀傾斜。另外，根據(jù)這些截面圖能夠看出，突起部55隨著向前端去而寬度變窄并且其高度變低。由此，在以所涂敷的抗蝕劑作為掩模對ITO膜進(jìn)行蝕刻來形成上層連接配線51時(shí)，在突起部55的前端，其傾斜變得平緩，不會(huì)產(chǎn)生由抗蝕劑殘留引起的ITO膜的殘?jiān)Ｆ浣Y(jié)果，ITO膜至少在突起部55的前端被可靠地除去，因此，相鄰的連接配線50不會(huì)被電連接，不會(huì)發(fā)生連接配線50間的漏電。

另外，在對用于形成下層連接配線52的ITO膜進(jìn)行圖案化時(shí)，也與形成上層連接配線51的情況同樣地，在下層連接配線52間形成突起部55是預(yù)防在下層連接配線52間發(fā)生漏電的有效方法。但是，與應(yīng)用于間隔寬的下層連接配線52的形成時(shí)相比，該方法在應(yīng)用于間隔窄的上層連接配線51的形成時(shí)的情況下特別有效。

＜1.4效果＞

根據(jù)本實(shí)施方式，使用在與相鄰的連接配線50之間的有機(jī)絕緣膜70的圖案邊緣對應(yīng)的位置具有前端尖的突起圖案55a的形狀的掩模80進(jìn)行過曝光。由此，由連接配線50夾著的有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜變得平緩，因此，在形成連接配線50時(shí)，抗蝕劑的膜厚沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線變厚的情況得到抑制。其結(jié)果，在形成連接配線50的抗蝕劑圖案時(shí)，抗蝕劑不再連接著殘留在由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域，能夠防止相鄰的連接配線50間的漏電。

＜1.5變形例＞

圖18是表示作為本實(shí)施方式的變形例的連接配線50的中央部的截面的圖。與圖8(C)所示的連接配線50的情況不同，本變形例的連接配線50，如圖18所示，在由ITO膜等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的下層連接配線52與上層連接配線51之間，還包括例如由電阻率低的銅膜構(gòu)成的第二下層連接配線53。這樣，通過進(jìn)一步形成電阻率低的第二下層連接配線53，能夠使連接配線50更加低電阻化。由此，即使使連接配線50的寬度變窄，也能夠?qū)⑵潆娮柚稻S持在低的值。另外，在連接配線50的電阻值相同的情況下，通過使連接配線50的寬度變窄，能夠使相鄰的連接配線50的間隔變寬，因此，能夠在連接配線50間形成更多的突起部55。因此，能夠更進(jìn)一步防止連接配線50間的漏電。另外，有時(shí)也將第二下層連接配線53稱為“第三連接配線”。另外，有時(shí)將柵極金屬層61、源極金屬層64稱為“導(dǎo)電層”。

另外，可作為第二下層連接配線53使用的金屬膜并不限定于銅膜，可以使用鉬(Mo)膜、鋁(Al)膜或鋁膜與鉬膜的層疊膜等電阻率比透明導(dǎo)電膜的電阻率低的金屬膜。另外，在圖18中，第二下層連接配線53形成在下層連接配線52的上表面，但是也可以形成在下層連接配線52的下表面，或者不形成下層連接配線52而僅形成第二下層連接配線53。

＜2.0.第二實(shí)施方式＞

應(yīng)用本發(fā)明的第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置和在母玻璃基板上形成的單元的結(jié)構(gòu)，與圖1所示的液晶顯示裝置1和圖2所示的單元2的基本結(jié)構(gòu)相同，因此省略其說明。另外，圖19是表示本實(shí)施方式的連接配線50的結(jié)構(gòu)的平面圖。對圖19所示平面圖中與圖4所示平面圖不同的部分進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，如圖19所示，在有機(jī)絕緣膜70的邊緣部中由相鄰的上層連接配線51夾著的區(qū)域形成有中間區(qū)域56。這樣，在本實(shí)施方式中，在由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域，代替由有機(jī)絕緣膜70構(gòu)成的突起部55，在其斜面設(shè)置有中間區(qū)域56。關(guān)于該中間區(qū)域56將在后面進(jìn)行說明。其它的構(gòu)成要素和位置關(guān)系與圖4所示的情況相同，因此省略其說明。

另外，如圖19所示，在本實(shí)施方式中也是，為了防止水分侵入到有機(jī)絕緣膜70內(nèi)，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部，包括中間區(qū)域56在內(nèi)，形成為與第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣部相比更靠內(nèi)側(cè)。因此，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部由第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣部覆蓋，因此，不會(huì)因空氣中的水分而導(dǎo)致連接配線50的可靠性出現(xiàn)問題。

圖20是表示圖19所示的相鄰的連接配線50間的區(qū)域的沿箭線C1-C1線的截面的形狀的截面圖。如圖20所示，在本實(shí)施方式中，在由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域，在有機(jī)絕緣膜70的斜面設(shè)置有中間區(qū)域56，除了這一點(diǎn)以外與圖5(A)所示的截面相同，因此，對于相同的部分，標(biāo)注相同的參照符號(hào)，省略其說明。另外，在連接配線50上不形成中間區(qū)域56，因此，連接配線50的端部和中央部的截面圖分別與圖5(B)和圖5(C)所示的情況相同。因此這些截面圖省略。

在由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域的有機(jī)絕緣膜70的斜面形成有具有臺(tái)階的中間區(qū)域56，在中間區(qū)域56形成有與母玻璃基板10的表面大致平行的平面。圖21是表示在具有中間區(qū)域56的有機(jī)絕緣膜70上涂敷了抗蝕劑時(shí)的狀態(tài)的截面圖。在有機(jī)絕緣膜70上，隔著第二無機(jī)絕緣膜71形成ITO膜51A，進(jìn)一步涂敷了用于將ITO膜51A圖案化的抗蝕劑75時(shí)，沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線形成的抗蝕劑的膜厚T3與圖6(A)所示的膜厚T1相比變薄。由此，在連接配線50間的區(qū)域不再有抗蝕劑連接著殘留，相鄰的連接配線50彼此不會(huì)被電連接。

圖22是將圖19所示的連接配線50間的區(qū)域放大的平面圖，圖22(A)是表示在有機(jī)絕緣膜70的斜面上形成的中間區(qū)域56的平面圖，圖22(B)是表示形成第二無機(jī)絕緣膜71后的中間區(qū)域56的平面圖。如圖22(A)所示，中間區(qū)域56形成在由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域的有機(jī)絕緣膜70的斜面上，而不形成在連接配線50上。接著，如圖22(B)所示，形成第二無機(jī)絕緣膜71并進(jìn)行圖案化。由此，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部與第二無機(jī)絕緣膜71的邊緣部相比位于內(nèi)側(cè)，因此，有機(jī)絕緣膜70的邊緣部被第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋。

接著，對在有機(jī)絕緣膜70的斜面上形成臺(tái)階部的方法進(jìn)行說明。圖23是表示使用半色調(diào)掩模81(以下稱為“掩模81”)進(jìn)行了圖案化的有機(jī)絕緣膜70的截面的截面圖。在圖23中，在有機(jī)絕緣膜70的下方形成的共用信號(hào)配線44的結(jié)構(gòu)，與作為基本結(jié)構(gòu)的圖5(A)所示的結(jié)構(gòu)相同，因此，標(biāo)注相同的參照符號(hào)，省略其說明。在對有機(jī)絕緣膜70進(jìn)行圖案化時(shí)使用的掩模80，不僅包括遮光部81a和開口部81c，還包括曝光光的透射率被調(diào)整為例如30～45％左右的半色調(diào)部81b，與有機(jī)絕緣膜70的中間區(qū)域56對應(yīng)的圖案被設(shè)置在半色調(diào)部81b。因此，以使得半色調(diào)部81b位于連接配線50間的要形成中間區(qū)域56的位置的方式對掩模81進(jìn)行定位，并進(jìn)行曝光。由此，與半色調(diào)部81b對應(yīng)的有機(jī)絕緣膜70被照射能量比與遮光部81a對應(yīng)的有機(jī)絕緣膜70被照射的能量高、并且比與開口部81c對應(yīng)的有機(jī)絕緣膜70被照射的能量低的曝光光。由此，通過顯影被除去的與半色調(diào)部81b對應(yīng)的有機(jī)絕緣膜70的膜厚，被除去與開口部81c對應(yīng)的膜厚的一半左右。其結(jié)果，在有機(jī)絕緣膜70的傾斜面上形成具有平坦的平面的中間區(qū)域56。

另外，半色調(diào)部81b的透射率并不限定于開口部81c的30～45％左右，也能夠在20～80％左右的范圍內(nèi)適當(dāng)變更。另外，為了在有機(jī)絕緣膜70形成中間區(qū)域56，也可以使用代替半色調(diào)部81b而具有灰色調(diào)部81d的掩模。是表示第二實(shí)施方式中能夠使用的灰色調(diào)部的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖?；疑{(diào)部81d，如圖24所示，通過在遮光膜上設(shè)置透明的微細(xì)圖案，使透射的曝光光的光量減少，實(shí)現(xiàn)半色調(diào)。作為在灰色調(diào)部81d上設(shè)置的微細(xì)圖案，例如能夠使用通過在遮光膜上形成狹縫而使1.5μm寬度的線和1.5μm寬度的狹縫交替地排列的圖案。

這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，通過使用在與相鄰的連接配線50間的有機(jī)絕緣膜70的斜面對應(yīng)的位置具有半色調(diào)部81b或灰色調(diào)部81d的掩模，對由感光性樹脂構(gòu)成的有機(jī)絕緣膜70進(jìn)行曝光，在有機(jī)絕緣膜70的斜面上形成中間區(qū)域56。由此，由連接配線50夾著的有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜變得平緩，因此，在形成連接配線50時(shí)，抗蝕劑的膜厚沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線變厚的情況得到抑制。其結(jié)果，抗蝕劑不再連接著殘留在由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域，能夠防止相鄰的連接配線50間的漏電。

＜3.0.第三實(shí)施方式＞

應(yīng)用本發(fā)明的第三實(shí)施方式的液晶顯示裝置和在母玻璃基板上形成的單元的結(jié)構(gòu)，與圖1所示的液晶顯示裝置1和圖2所示的單元2的基本結(jié)構(gòu)相同，因此省略其說明。另外，圖25是表示在圖2所示的單元2的陣列基板上形成的經(jīng)由檢查用端子40將檢查用配線42與共用檢查配線46連接的連接配線50的配置的平面圖。圖25所示的圖案的配置與圖3所示的圖案的配置相同，因此省略其說明。但是，與圖3所示的情況不同，由虛線包圍的區(qū)域是母玻璃基板10的廢料基板區(qū)域31上的形成有共用檢查配線46的區(qū)域。

在本實(shí)施方式中，防止由于在形成于廢料基板區(qū)域31上的共用檢查配線46的附近的有機(jī)絕緣膜70的邊緣線上抗蝕劑也連接著殘留而發(fā)生的連接配線50間的漏電。圖26是表示母玻璃基板10的廢料基板區(qū)域31的連接配線50附近的圖案配置的平面圖。圖26所示的各圖案是將圖9所示的各圖案在上下方向翻轉(zhuǎn)而得到的圖案。在該情況下，在相鄰的連接配線50間的有機(jī)絕緣膜70的邊緣部也形成有突起部55。另外，由有機(jī)絕緣膜70構(gòu)成的突起部55的前端位于第二無機(jī)絕緣膜71的內(nèi)側(cè)，因此，包括突起部55的有機(jī)絕緣膜70被第二無機(jī)絕緣膜71覆蓋。

根據(jù)本實(shí)施方式，不僅在單元2內(nèi)，在廢料基板區(qū)域31也在有機(jī)絕緣膜70的邊緣形成突起部55。由此，在廢料基板區(qū)域31，由連接配線50夾著的有機(jī)絕緣膜70的斜面的傾斜也變得平緩，因此，在形成連接配線50時(shí)，抗蝕劑的膜厚沿著有機(jī)絕緣膜70的邊緣線變厚的情況得到抑制。其結(jié)果，抗蝕劑不再連接著殘留在由相鄰的連接配線50夾著的區(qū)域，能夠防止相鄰的連接配線50間的漏電。

另外，圖26所示的共用檢查配線46僅由柵極金屬層構(gòu)成，因此，有機(jī)絕緣膜70的傾斜面的傾斜與第一實(shí)施方式的情況相比平緩。因此，與第一實(shí)施方式的情況相比，難以發(fā)生由抗蝕劑連接著殘留引起的連接配線50間的漏電。

另外，與第一實(shí)施方式的情況同樣地，突起部55的形狀并不限定于三角形，只要是五邊形等前端尖的形狀即可。此外，與第二實(shí)施方式的情況同樣地，也可以代替設(shè)置突起部55，而使用具有半色調(diào)部或灰色調(diào)部的掩模在有機(jī)絕緣膜70的斜面形成中間區(qū)域56。

＜4.0其它＞

在具有廣視野角特性的液晶顯示裝置中，多采用量產(chǎn)性優(yōu)異的垂直取向(VA)模式，尤其是在便攜設(shè)備用途方面，廣泛采用使液晶分子以像素電極的中央部為取向中心呈輻射狀取向的CPA(Continuous Pinwheel Alignment：連續(xù)焰火狀排列)模式。在該CPA模式中，出于改善響應(yīng)特性的目的，多應(yīng)用“Polymer Sustained Alignment Technology”的技術(shù)(以下稱“PSA技術(shù)”)。在PSA技術(shù)中，在制作單元后，對預(yù)先混合在液晶材料中的光聚合性單體(或低聚物)，在對液晶層施加有電壓的狀態(tài)下照射紫外線使其聚合從而形成取向維持層(“聚合物層”)，利用該取向維持層對液晶分子賦予預(yù)傾斜。取向維持層發(fā)揮作用，使得即使在不對液晶層施加電壓的狀態(tài)下也維持對液晶層施加有電壓的狀態(tài)的液晶分子的取向，因此，沒有施加電壓時(shí)液晶分子傾斜的方位，與施加電壓時(shí)液晶分子傾斜的方位匹配。當(dāng)這樣使用PSA技術(shù)時(shí)，通過調(diào)整使單體聚合時(shí)施加的電場的分布和強(qiáng)度，能夠控制液晶分子的預(yù)傾斜方位和預(yù)傾角，改善響應(yīng)特性。

圖27是CPA模式的液晶面板的截面圖，更詳細(xì)而言，圖27(A)是進(jìn)行光聚合前的CPA模式的液晶面板的截面圖，圖27(B)是進(jìn)行光聚合后的CPA模式的液晶面板的截面圖。如圖27(A)所示，在CPA模式的液晶面板中，在陣列基板98的絕緣膜91上配置有多個(gè)像素電極23，在其表面形成有垂直取向膜92。在與陣列基板98相對的對置基板99的基板10上，形成有共用電極24和垂直取向膜92。在陣列基板98與對置基板99之間，夾持著混合有光聚合性單體的液晶層95。

接著，如圖27(B)所示，在該狀態(tài)下對像素電極23與共用電極24之間施加電壓。當(dāng)在該狀態(tài)下照射紫外線時(shí)，會(huì)發(fā)生光聚合性單體的聚合，在垂直取向膜92的表面形成取向維持層96。其結(jié)果，液晶層95內(nèi)的液晶分子95a在沒有被施加電壓的狀態(tài)下由于取向維持層96的作用而相對于與基板10垂直的方向稍微傾斜(例如2°～3°)地排列。這樣，取向維持層96控制液晶分子95a的取向方向。

在形成這樣的取向維持層96時(shí)需要對像素電極23施加電壓，其存在以下2種方法。其一是，從與數(shù)據(jù)信號(hào)線33連接的連接配線50經(jīng)由數(shù)據(jù)信號(hào)線33對像素電極23輸入信號(hào)，在像素電極23與共用電極24之間對液晶層95施加電壓的方法。此外，為了從數(shù)據(jù)信號(hào)線33對像素電極23寫入信號(hào)，用于使掃描信號(hào)線32有效的信號(hào)也需要經(jīng)由與掃描信號(hào)線32連接的連接配線50同時(shí)寫入。根據(jù)該方法，能夠利用在上述各實(shí)施方式中說明的連接配線50施加用于形成取向維持層96的電壓。

另一方法是，經(jīng)由顯示部3的輔助電容配線輸入信號(hào)，并經(jīng)由輔助電容配線與像素電極23之間的寄生電容，在像素電極23與共用電極24之間對液晶層95施加電壓的方法。圖28是表示具有輔助電容配線A1～An的液晶顯示裝置101的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖28所示，在圖1所示的液晶顯示裝置1中追加了輔助電容主干配線7和與該輔助電容主干配線7連接的n根輔助電容配線A1～An，而其它的結(jié)構(gòu)與液晶顯示裝置1相同，因此省略其說明。在圖28所示的像素形成部121，以與圖1所示的在像素形成部21形成的液晶電容25并聯(lián)的方式，還連接有在輔助電容配線A1～An與像素電極之間形成的輔助電容26。在該情況下，經(jīng)由與輔助電容主干配線7連接的連接配線50，從共用檢查配線46對輔助電容配線A1～An輸入用于形成取向維持層96的信號(hào)。該與輔助電容配線A1～An連接的連接配線50的結(jié)構(gòu)與在上述各實(shí)施方式中說明的連接配線50相同，因此省略其說明。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明的連接配線用于在從母玻璃基板切出液晶面板之前從外部輸入液晶面板的檢查信號(hào)等。

符號(hào)說明

2…單元

10…母玻璃基板(透明基板)

23…像素電極

24…共用電極

31…廢料基板區(qū)域

40…檢查用端子

43…檢查用配線

44…共用信號(hào)配線(臺(tái)階部)

46…共用檢查配線

50…連接配線

51…上層連接配線

52…下層連接配線

54…接觸區(qū)域

55…突起部

56…中間區(qū)域

70…有機(jī)絕緣膜

71…第二無機(jī)絕緣膜

95…液晶層

96…取向維持層