示例性實(shí)施例涉及透明顯示裝置及其制造方法。更具體地，示例性實(shí)施例涉及包括透明基板的透明顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

近來，已經(jīng)開發(fā)了具有透明性質(zhì)或透射性質(zhì)的顯示裝置。例如，可利用具有透明性質(zhì)或透射性質(zhì)的基體基板來實(shí)現(xiàn)透明顯示裝置。如果將透明樹脂基板實(shí)施為基體基板，則可以實(shí)現(xiàn)能夠可折疊或彎曲的柔性透明顯示裝置。

然而，透明樹脂基板的樹脂材料或聚合物材料可能在裝置工藝期間發(fā)生化學(xué)改性而導(dǎo)致基體基板或顯示裝置的各種性質(zhì)的劣化。

在該背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對(duì)發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，因此，以上信息可能包含不形成對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說在本國已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

示例性實(shí)施例提供一種具有改善的透射性質(zhì)和機(jī)械性質(zhì)的透明顯示裝置。

另外的示例性實(shí)施例提供一種制造具有改善的透射性質(zhì)和機(jī)械性質(zhì)的透明顯示裝置的方法。

附加方面將在隨后的詳細(xì)描述中進(jìn)行闡述，并且部分地將通過該公開而清楚，或者可通過發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐來了解。

根據(jù)示例性實(shí)施例，提供了一種透明顯示裝置，所述透明顯示裝置包括：聚合物基板，包括分布在聚合物基板中的有色顆粒；像素電路，位于聚合物基板上；第一電極，電連接到像素電路；顯示層，位于第一電極上；第二電極，面對(duì)第一電極并覆蓋顯示層。

根據(jù)另一示例性實(shí)施例，提供了一種透明顯示裝置，所述透明顯示裝置包括：透明柔性基板，分成像素區(qū)和透射區(qū)，并包括遍布像素區(qū)和透射區(qū)地 分散在透明柔性基板中的有色顆粒；阻擋層，位于透明柔性基板上；像素電路，選擇性地設(shè)置在阻擋層的位于像素區(qū)上的部分上；電路絕緣層，在阻擋層上至少部分地覆蓋像素電路；通路絕緣層，在電路絕緣層上覆蓋像素電路；第一電極，在通路絕緣層上電連接到像素電路；顯示層，位于第一電極上；第二電極，面對(duì)第一電極并且覆蓋顯示層。

根據(jù)又一示例性實(shí)施例，提供了一種制造透明顯示裝置的方法。在所述方法中，在載體基板上涂覆前驅(qū)體組合物。前驅(qū)體組合物包括分散在前驅(qū)體組合物中的藍(lán)色染料。將前驅(qū)體組合物固化，以在載體基板上形成透明基板。透明基板包括有色聚合物材料。在透明基板上形成像素電路。形成覆蓋像素電路的絕緣結(jié)構(gòu)。在絕緣結(jié)構(gòu)上形成顯示結(jié)構(gòu)，使得顯示結(jié)構(gòu)電連接到像素電路。

前面的概括性描述和下面的詳細(xì)描述是示例性的和解釋性的，并意圖提供對(duì)所要求保護(hù)的主題的進(jìn)一步解釋。

附圖說明

附圖示出發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，并且與描述一起用于解釋發(fā)明構(gòu)思的原理，其中，包括附圖以提供對(duì)發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，附圖并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。

圖1至圖14代表如在這里描述的非限制性的示例性實(shí)施例：

圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

圖2是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

圖3、圖4、圖5和圖6是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。

圖7是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

圖8是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

圖9、圖10和圖11是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。

圖12、圖13和圖14是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中，出于解釋的目的，闡述許多具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)各種示例性實(shí)施例的徹底理解。然而，明顯的是，可在無需這些具體細(xì)節(jié)或者在一個(gè)或更多個(gè)等同布置的情況下實(shí)踐各種示例性實(shí)施例。在其他情況下，為了避免不必要地使各種示例性實(shí)施例不清楚，以框圖的形式示出了公知的結(jié)構(gòu)和裝置。

在附圖中，出于清楚和描述性的目的，可夸大層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對(duì)尺寸。另外，同樣的附圖標(biāo)記指示同樣的元件。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌芍苯釉谒隽硪辉驅(qū)由稀⒅苯舆B接到或直接結(jié)合到所述另一元件或?qū)?，或者可存在中間元件或?qū)?。然而，?dāng)元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)?。出于本公開的目的，“X、Y和Z中的至少一個(gè)”和“從由X、Y和Z構(gòu)成的組中選擇的至少一個(gè)”可解釋為僅X、僅Y、僅Z，或者X、Y和Z中的兩個(gè)或更多個(gè)的任何組合，諸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ為例。同樣的標(biāo)記始終表示同樣的元件。如在這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)中的一個(gè)或更多個(gè)的任何和所有的組合。

盡管這里可使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分可稱為第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。

出于描述的目的，這里可使用諸如“在······之下”、“在······下方”、“下面的”、“在······上方”和“上面的”等的空間相對(duì)術(shù)語來描述如附圖中所示的一個(gè)元件或特征與另外的元件或特征的關(guān)系。除了包括在附圖中描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語還意圖包括裝置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件隨后將被定位為“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“在······下方”可包括“在······上方”和“在······下方”兩種方位。此外，裝置可被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并如此相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對(duì)描述符。

這里使用的術(shù)語是出于描述具體實(shí)施例的目的，而不意圖是限制性的。除非上下文另外清楚地表示，否則如這里使用的單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種(者)”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”、“包含”和/或它們的變型說明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組，但不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

這里參照作為理想化示例性實(shí)施例和/或中間結(jié)構(gòu)的示意圖的剖視圖來描述各種示例性實(shí)施例。如此，預(yù)計(jì)將出現(xiàn)由于例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的示圖的形狀的變化。因此，這里公開的示例性實(shí)施例不應(yīng)被解釋為局限于具體示出的區(qū)域的形狀，而是要包括例如由制造導(dǎo)致的在形狀方面的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔＴ谄溥吘壧幘哂袌A形或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，由注入形成的埋區(qū)可能導(dǎo)致在埋區(qū)與進(jìn)行注入所經(jīng)由的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，在附圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀并且不意圖是限制性的。

除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有本領(lǐng)域(本公開是其一部分)的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。除非這里明確這樣定義，否則術(shù)語(諸如在通用詞典中定義的術(shù)語)應(yīng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的意思一致的意思，并且將不以理想化或過于形式化的意義來解釋。

圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

參照?qǐng)D1，透明顯示裝置可包括基板110、形成在基板110上的背面(BP)結(jié)構(gòu)以及堆疊在BP結(jié)構(gòu)上的顯示結(jié)構(gòu)。

基板110可被提供為背面基板或基體基板。透明絕緣基板可用作基板110。例如，可利用具有透射性性質(zhì)和柔性性質(zhì)的聚合物類基板。因此，透明顯示裝置可被提供為透明柔性顯示裝置。

在示例性實(shí)施例中，有色聚合物基板可用作基板110。例如，有色聚合物基板可包括基本上黃色的聚酰亞胺類材料。

在一些實(shí)施例中，具有相對(duì)小的位阻的連接基可結(jié)合在包含在聚酰亞胺類材料中的酰亞胺單元的酰亞胺氮之間。連接基的示例可包括諸如未被取代的苯的芳基。

酰亞胺氮和連接基的結(jié)合可用作電子供體單元。包括在酰亞胺單元中并且與酰亞胺氮相鄰的羰基可具有相對(duì)低的電子密度，因此該羰基可用作電子受體單元。

在這種情況下，可通過電子供體單元和電子受體單元之間的分子間相互作用形成在鄰近的聚合物鏈之間的電荷轉(zhuǎn)移配合物(CTC)。因此，可增強(qiáng)基板110的耐熱性和機(jī)械穩(wěn)定性?？梢姽夥秶鷥?nèi)(例如，在大約560nm至大約580nm的范圍內(nèi))的波長可被CTC吸收。因此，基板110可轉(zhuǎn)變成黃色的有色聚合物基板。

在示例性實(shí)施例中，有色顆粒115可嵌入在基板110中。例如，有色顆粒115可包括分散顆粒114以及可包覆在分散顆粒114上或可混合在分散顆粒114中的有色層112。

在一些實(shí)施例中，分散顆粒114可包括在例如液態(tài)聚合物組合物中具有改善的分散性質(zhì)的納米顆粒。納米顆粒的示例可包括例如二氧化硅或諸如氧化鋁的金屬氧化物的無機(jī)納米顆粒。在實(shí)施例中，二氧化硅可用作納米顆粒。

有色層112可包覆在分散顆粒114的表面上。如果分散顆粒114具有諸如多孔二氧化硅的多孔結(jié)構(gòu)，則有色層112可滲透到分散顆粒114的孔隙中以基本上與分散顆粒114結(jié)合。

在示例性實(shí)施例中，有色層112可具有與基板110的顏色不同的顏色，例如，具有可由被提供為有色聚合物基板的基板110來校正的顏色。

如上所述，如果基板110包括黃色聚合物基板，則有色層112可基本上為藍(lán)色。例如，有色層112可包括諸如蒽醌類材料、偶氮類材料、酞菁類材料、靛藍(lán)類材料或喹酞酮類材料的藍(lán)色染料材料。這些材料可單獨(dú)使用或以它們的組合來使用。

有色顆粒115可實(shí)質(zhì)上且均勻地分布在基板110中。因此，被提供為黃色聚合物基板的基板110和藍(lán)色的有色顆粒115可光學(xué)地且疊加地混合，使得基板110可實(shí)質(zhì)上完全轉(zhuǎn)換成白色或透明基板。

包括像素電路和絕緣結(jié)構(gòu)的BP結(jié)構(gòu)可設(shè)置在基板110上。像素電路可包括例如薄膜晶體管(TFT)和布線結(jié)構(gòu)。絕緣結(jié)構(gòu)可包括例如順序地堆疊在基板110上的阻擋層120、柵極絕緣層126、絕緣中間層136和通路絕緣層146。

阻擋層120可形成在基板110上。雜質(zhì)或濕氣在基板110與位于基板110 上的結(jié)構(gòu)之間的擴(kuò)散可被阻擋層120阻擋。阻擋層120可以具有包括可交替并重復(fù)地形成的氧化硅層和氮化硅層的多堆疊結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，緩沖層還可以形成在阻擋層120上。緩沖層可具有包括氧化硅層和氮化硅層的多堆疊結(jié)構(gòu)。

有源圖案可設(shè)置在阻擋層120上。在示例性實(shí)施例中，有源圖案可包括第一有源圖案122和第二有源圖案124。

有源圖案可包括諸如多晶硅的硅基化合物。在實(shí)施例中，包括p型或n型雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)可形成在第一有源圖案122的兩端處。

在一些實(shí)施例中，有源圖案可以包括例如氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化鋅錫(ZTO)或氧化銦錫鋅(ITZO)的半導(dǎo)體氧化物。

如圖1中所示，第一有源圖案122和第二有源圖案124可以基本上位于同一水平面或同一平面上。

柵極絕緣層126可形成在阻擋層120上以覆蓋有源圖案。柵極絕緣層126可包括氧化硅或氮化硅。在一些實(shí)施例中，柵極絕緣層126可具有包括氧化硅層和氮化硅層的多堆疊結(jié)構(gòu)。

柵電極可設(shè)置在柵極絕緣層126上。在一些實(shí)施例中，柵電極可包括第一柵電極132和第二柵電極134。第一柵電極132和第二柵電極134可以基本上分別疊加在第一有源圖案122和第二有源圖案124上方。第一柵電極132和第二柵電極134可以基本上位于同一水平面或同一平面上。

柵電極可包括諸如鋁(Al)、銀(Ag)、鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、釹(Nd)或鈧(Sc)的金屬、這些金屬的合金或者金屬的氮化物。這些物質(zhì)可單獨(dú)使用或者以它們的組合來使用。在一些實(shí)施例中，為了減小電阻，柵電極可具有包括Al和Mo或者Ti和Cu的多層結(jié)構(gòu)。

絕緣中間層136可形成在柵極絕緣層126上以覆蓋柵電極132和134。絕緣中間層136可包括氧化硅或氮化硅。在一些實(shí)施例中，絕緣中間層136可具有包括氧化硅層和氮化硅層的多堆疊結(jié)構(gòu)。

源電極142和漏電極144可延伸穿過絕緣中間層136和柵極絕緣層126以與第一有源圖案122接觸。源電極142和漏電極144可包括諸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金屬、這些金屬的合金或金屬的氮化物。這些物質(zhì)可單獨(dú)使用或者以它們的組合來使用。源電極142和 漏電極144可具有包括諸如Al和Mo的不同金屬的多層結(jié)構(gòu)。

源電極142和漏電極144可分別與第一有源圖案122的源區(qū)和漏區(qū)接觸。

可通過第一有源圖案122、柵極絕緣層126、第一柵電極132、源電極142和漏電極144來限定TFT。此外，可通過第二有源圖案124、柵極絕緣層126和第二柵電極134來限定電容器。

布線結(jié)構(gòu)可包括數(shù)據(jù)線和掃描線。多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線可彼此交叉，每個(gè)像素可限定在數(shù)據(jù)線和掃描線的每個(gè)交叉區(qū)域處。例如，數(shù)據(jù)線可電連接到源電極142，掃描線可電連接到第一柵電極132。在一些實(shí)施例中，布線結(jié)構(gòu)還可包括可與數(shù)據(jù)線平行的電源線(Vdd)。電容器可電連接到電源線和TFT。

通路絕緣層146可形成在絕緣中間層136上以覆蓋源電極142和漏電極144。通路絕緣層146可基本上用作平坦化層。例如，通路絕緣層146可包括諸如聚酰亞胺、環(huán)氧類樹脂、丙烯?；悩渲蚓埘サ挠袡C(jī)材料。

顯示結(jié)構(gòu)可堆疊在通路絕緣層146上。在示例性實(shí)施例中，顯示結(jié)構(gòu)可包括順序地堆疊在通路絕緣層146上的第一電極150、顯示層160和第二電極170。

第一電極150可設(shè)置在通路絕緣層146上。第一電極150可以包括可延伸穿過通路絕緣層146以電連接到漏電極144的通路部。

在示例性實(shí)施例中，第一電極150可用作像素電極，并且可針對(duì)每個(gè)像素形成第一電極150。第一電極150可用作透明顯示裝置的陽極。

在實(shí)施例中，第一電極150可用作反射電極。在這種情況下，第一電極150可包括諸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金屬或者這些金屬的合金。透明顯示裝置可以是朝著第二電極170產(chǎn)生圖像的頂發(fā)射型。

在實(shí)施例中，第一電極150可包括具有高逸出功的透明導(dǎo)電材料。例如，第一電極150可包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅或氧化銦。

在實(shí)施例中，第一電極150可具有包括透明導(dǎo)電材料和所述金屬的多層結(jié)構(gòu)。

像素限定層(PDL)155可形成在通路絕緣層146上，并且可覆蓋第一電極150的外圍部分。PDL 155可包括例如諸如聚酰亞胺類樹脂或丙烯?；悩渲耐该饔袡C(jī)材料。沒有被PDL 155覆蓋的第一電極150的面積可與每 個(gè)像素中的發(fā)射區(qū)的面積基本上相等。

顯示層160可設(shè)置在PDL 155和第一電極150上。顯示層160可以包括可針對(duì)紅色像素(Pr)、綠色像素(Pg)和藍(lán)色像素(Pb)中的每個(gè)像素單獨(dú)地圖案化以在每個(gè)像素中產(chǎn)生不同顏色的光的有機(jī)發(fā)射層。有機(jī)發(fā)射層可包括由空穴或電子激發(fā)的主體材料以及用于通過吸收和釋放能量來改善發(fā)射效率的摻雜劑材料。

在一些實(shí)施例中，顯示層160還可包括置于第一電極150與有機(jī)發(fā)射層之間的空穴傳輸層(HTL)。顯示層160還可包括置于第二電極170與有機(jī)發(fā)射層之間的電子傳輸層(ETL)。

HTL可包括空穴傳輸材料，例如，4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)、4,4’-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(TPD)、N,N'-二-1-萘基-N,N'-二苯基-1,1'-聯(lián)苯基-4,4'-二胺(NPD)、N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑或它們的組合。

ETL可包括電子傳輸材料，例如，三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鋁(BAlq)、浴銅靈(BCP)、三唑(TAZ)、苯基喹唑啉或它們的組合。

在一些實(shí)施例中，顯示層160可以包括替代有機(jī)發(fā)射層的液晶層。在這種情況下，透明顯示裝置可被提供為液晶顯示(LCD)裝置。

如圖1中所示，顯示層160可在PDL 155的表面和第一電極150的表面上共形地延伸。在一些實(shí)施例中，顯示層160可以被PDL 155的側(cè)壁限制從而獨(dú)立設(shè)置在每個(gè)像素中。

第二電極170可設(shè)置在PDL 155和顯示層160上。在示例性實(shí)施例中，第二電極170可用作設(shè)置在多個(gè)像素上的共電極。第二電極170可面對(duì)第一電極150并且可用作透明顯示裝置的陰極。

第二電極170可包括諸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的具有低逸出功的金屬，或者這些金屬的合金。

保護(hù)顯示結(jié)構(gòu)的包封層180可形成在第二電極170上。包封層180可包括例如諸如氮化硅和/或金屬氧化物的無機(jī)材料。

在一些實(shí)施例中，覆蓋層(未示出)可置于第二電極170與包封層180之間。覆蓋層可包括諸如聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂或丙烯?；鶚渲挠袡C(jī)材料或者諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的無機(jī)材料。

圖2是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

除了基板的結(jié)構(gòu)以外，圖2的透明顯示裝置可以與圖1中示出的透明顯示裝置具有基本上相同或相似的元件和/或布置。因此，同樣的附圖標(biāo)記用于指示同樣的元件，并省略這些元件的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D2，透明顯示裝置的基板110a可包括與聚酰亞胺聚合物基質(zhì)一體地結(jié)合的藍(lán)色染料分子116。

在一些實(shí)施例中，藍(lán)色染料分子116可實(shí)質(zhì)上且均勻地分布在包括聚酰亞胺聚合物基質(zhì)的基板110a中。

在一些實(shí)施例中，藍(lán)色染料分子116可與聚酰亞胺前驅(qū)體一起聚合或縮合以形成聚酰亞胺聚合物基質(zhì)。

因此，可在如上所述的基本為黃色的有色聚合物基板與藍(lán)色染料分子116之間發(fā)生顏色疊加或顏色補(bǔ)償，從而可使基板110a基本上為白色或透明。

圖3至圖6是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。

參照?qǐng)D3，可在載體基板100上形成基板110。

載體基板100可在用于制造透明顯示裝置的工藝期間起支撐件的作用。例如，可使用玻璃基板或金屬基板作為載體基板100。

在示例性實(shí)施例中，可通過例如旋轉(zhuǎn)涂覆工藝在載體基板100上涂覆包含聚酰亞胺前驅(qū)體的前驅(qū)體組合物以形成涂覆層。

聚酰亞胺前驅(qū)體可包括二胺和二酐?？赏ㄟ^將聚酰亞胺前驅(qū)體溶解在有機(jī)溶劑中來制備前驅(qū)體組合物。有機(jī)溶劑可包括例如N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲酰胺(DMF)、四氫呋喃(THF)、三乙胺(TEA)、乙酸乙酯、二甲亞砜(DMSO)或乙二醇類醚溶劑。這些物質(zhì)可單獨(dú)使用或以它們的組合來使用。

在一些實(shí)施例中，四羧酸二酐可用作二酐，聯(lián)苯胺可用作二胺。

在示例性實(shí)施例中，可在前驅(qū)體組合物中混合并攪拌有色顆粒115以使有色顆粒115均勻地分散在前驅(qū)體組合物中。

例如，可將諸如二氧化硅納米顆粒的分散顆粒114浸入液態(tài)藍(lán)色染料中，然后可執(zhí)行清洗工藝和干燥工藝以得到有色顆粒115。在每個(gè)有色顆粒115中，有色層112可包覆在每個(gè)分散顆粒114上。藍(lán)色染料可包括蒽醌類材料、偶氮類材料、酞菁類材料、靛藍(lán)類材料或喹酞酮類材料。

在一些實(shí)施例中，分散顆粒114可具有多孔結(jié)構(gòu)。在這種情況下，有色層112可滲透到分散顆粒114的孔隙中，以與分散顆粒114充分結(jié)合。

可在形成涂覆層之后執(zhí)行熱固化工藝?？赏ㄟ^熱固化工藝來蒸發(fā)有機(jī)溶劑并引發(fā)聚合反應(yīng)?？赏ㄟ^聚合過程使二酐和二胺化合以形成聚酰胺酸結(jié)構(gòu)。隨后，可執(zhí)行額外的熱處理，使得包括在聚酰胺酸結(jié)構(gòu)中的酰胺的氮原子可攻擊羧基的碳原子。因此，可進(jìn)行酰亞胺化，因此可通過酰亞胺化來生成聚酰亞胺結(jié)構(gòu)。

如上所述，如果將聯(lián)苯胺用作二胺，則可以在聚酰亞胺鏈中的彼此相鄰的酰亞胺氮之間設(shè)置苯環(huán)以形成電子供體單元。會(huì)發(fā)生電子供體單元與包括例如羰基的電子受體單元的分子內(nèi)相互作用，因此可以通過由所述分子內(nèi)相互作用而產(chǎn)生的分子間相互作用來使聚酰亞胺鏈結(jié)合，以形成電荷轉(zhuǎn)移配合物(CTC)。

如上所述，可通過CTC的形成來改善基板110的耐熱性質(zhì)和機(jī)械性質(zhì)?？梢姽獾牟ㄩL可以被CTC吸收，從而可以形成例如包括聚酰亞胺的黃色聚合物基板。

可通過熱固化工藝使有色顆粒115均勻地分布并固定在有色聚合物基板中。因此，可發(fā)生藍(lán)色的有色顆粒115與黃色的有色聚合物基板的顏色疊加或顏色校正，從而可使基板110基本上為白色或透明。

在一些實(shí)施例中，如參照?qǐng)D2所示，可將藍(lán)色染料分子116均勻地分布在有色聚合物基板中。

在這種情況下，可將上述藍(lán)色染料材料預(yù)先分散在前驅(qū)體組合物中并在前驅(qū)體組合物中均勻混合。通過熱固化工藝使藍(lán)色染料材料聚合、橋接或固定化，可使藍(lán)色染料分子116均勻地分布在有色聚合物基板中。

在一些實(shí)施例中，藍(lán)色染料分子116可包括諸如乙烯基的可交聯(lián)端基。在這種情況下，藍(lán)色染料分子116可在熱固化工藝期間參與聚合反應(yīng)，從而可以作為重復(fù)單元結(jié)合在聚酰亞胺結(jié)構(gòu)或聚酰亞胺鏈中。

參照?qǐng)D4，可在基板110上形成包括像素電路和絕緣結(jié)構(gòu)的BP結(jié)構(gòu)。

在示例性實(shí)施例中，可在基板110上形成阻擋層120?？赏ㄟ^重復(fù)地沉積氧化硅和氮化硅來形成阻擋層120。

可在阻擋層120上形成第一有源圖案122和第二有源圖案124。

在示例性實(shí)施例中，可使用非晶硅或多晶硅在阻擋層120上形成半導(dǎo)體 層，然后將半導(dǎo)體層圖案化以形成第一有源圖案122和第二有源圖案124。

在一些實(shí)施例中，可以在形成半導(dǎo)體層之后，進(jìn)一步執(zhí)行例如低溫多晶硅(LTPS)工藝或激光結(jié)晶工藝的結(jié)晶工藝。如上所述，基板110可包括具有改善了耐熱性質(zhì)和機(jī)械性質(zhì)的CTC的有色聚合物基板。因此，即使在結(jié)晶工藝之后也可保持基板110的柔性和機(jī)械性質(zhì)。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體層可由諸如IGZO、ZTO或ITZO的半導(dǎo)體氧化物形成。

可在阻擋層120上形成覆蓋有源圖案122和124的柵極絕緣層126，可在柵極絕緣層126上形成柵電極132和134。

可通過單獨(dú)或重復(fù)地沉積氧化硅和氮化硅來形成柵極絕緣層126。

例如，可在柵極絕緣層126上形成第一導(dǎo)電層，并且可通過例如光刻工藝來蝕刻第一導(dǎo)電層以形成第一柵電極132和第二柵電極134。相對(duì)于柵極絕緣層126，第一柵電極132和第二柵電極134可分別與第一有源圖案122和第二有源圖案124基本上疊置。

可使用金屬、合金或金屬氮化物來形成第一導(dǎo)電層?？赏ㄟ^沉積多個(gè)金屬層來形成第一導(dǎo)電層。

柵電極132和134可與掃描線同時(shí)形成。例如，可基本上通過同一蝕刻工藝由第一導(dǎo)電層形成柵電極132和134以及掃描線。掃描線可一體地連接到第一柵電極132。

在一些實(shí)施例中，可使用第一柵電極132作為離子注入掩模將雜質(zhì)注入到第一有源圖案122中，從而可在第一有源圖案122的兩端處形成源區(qū)和漏區(qū)。第一有源圖案122的在源區(qū)和漏區(qū)之間的部分可用作與第一柵電極132基本上疊置的溝道區(qū)。

可在柵極絕緣層126上形成覆蓋柵電極132和134的絕緣中間層136?？纱┻^絕緣中間層136和柵極絕緣層126來形成源電極142和漏電極144以使源電極142和漏電極144與第一有源圖案122接觸。

例如，可部分地蝕刻絕緣中間層136和柵極絕緣層126，以形成可以部分地暴露第一有源圖案122的接觸孔?？稍诮^緣中間層136上形成填充接觸孔的第二導(dǎo)電層，然后可通過光刻工藝將第二導(dǎo)電層圖案化，以形成源電極142和漏電極144。

在一些實(shí)施例中，可以使源電極142和漏電極144分別與源區(qū)和漏區(qū)接 觸。可將源電極142一體地連接到數(shù)據(jù)線。在這種情況下，可基本上通過同一蝕刻工藝由第二導(dǎo)電層形成源電極142、漏電極144和數(shù)據(jù)線。

可通過沉積氧化硅和/或氮化硅來形成絕緣中間層136。可使用金屬、合金或金屬氮化物來形成第二導(dǎo)電層?？赏ㄟ^沉積多個(gè)金屬層來形成第二導(dǎo)電層。

通過執(zhí)行上述工藝，可在基板110上形成包括源電極142、漏電極144、柵電極132、柵極絕緣層126和第一有源圖案122的TFT。也可形成包括第二有源圖案124、柵極絕緣層126和第二柵電極134的電容器。因此，可在基板110上形成包括數(shù)據(jù)線、掃描線、TFT和電容器的像素電路。

隨后，可在絕緣中間層136上形成覆蓋源電極142和漏電極144的通路絕緣層146。

例如，可使用諸如聚酰亞胺、環(huán)氧類樹脂、丙烯酰基類樹脂或聚酯的透明有機(jī)材料來形成通路絕緣層146。通路絕緣層146可具有足夠的厚度以具有基本上水平或平坦的頂表面。

可通過化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)工藝、熱蒸發(fā)工藝、真空沉積工藝、旋轉(zhuǎn)涂覆工藝、濺射工藝、原子層沉積(ALD)工藝和印刷工藝中的至少一種工藝來形成阻擋層120、半導(dǎo)體層、第一和第二導(dǎo)電層、柵極絕緣層126、絕緣中間層136和通路絕緣層146。

參照?qǐng)D5，可在BP結(jié)構(gòu)上形成顯示結(jié)構(gòu)。

在示例性實(shí)施例中，可形成電連接到TFT的第一電極150。例如，可部分地蝕刻通路絕緣層146以形成可使漏電極144暴露的通孔。可在通路絕緣層146和漏電極144上形成足夠填充通孔的第三導(dǎo)電層，然后可將第三導(dǎo)電層圖案化以形成第一電極150。

可通過熱蒸發(fā)工藝、真空沉積工藝、濺射工藝、ALD工藝、CVD工藝、印刷工藝等使用諸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金屬或者這些金屬的合金來形成第三導(dǎo)電層。在一些實(shí)施例中，可使用諸如ITO、IZO、氧化鋅或氧化銦的透明導(dǎo)電材料來形成第三導(dǎo)電層。

可在通路絕緣層146上形成PDL 155。PDL 155可覆蓋第一電極150的外圍部分。例如，可涂覆諸如聚酰亞胺樹脂或丙烯?；鶚渲墓饷粲袡C(jī)材料，然后可執(zhí)行曝光工藝和顯影工藝以形成PDL 155。

可在PDL 155和第一電極150上形成顯示層160。

可使用用于產(chǎn)生紅色光、藍(lán)色光或綠色光的有機(jī)發(fā)光材料來形成顯示層160。例如，可使用精細(xì)金屬掩模(FMM)通過旋轉(zhuǎn)涂覆工藝、滾動(dòng)印刷工藝、噴嘴印刷工藝、噴墨工藝等來形成顯示層160，其中，所述FMM可包括使與紅色像素、綠色像素或藍(lán)色像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域暴露的開口。因此，可在每個(gè)像素中單獨(dú)形成包括有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)射層。

在一些實(shí)施例中，可在形成有機(jī)發(fā)射層之前使用上文提到的空穴傳輸材料來形成HTL。也可使用上文提到的電子傳輸材料在有機(jī)發(fā)射層上形成ETL。可在PDL 155的表面和第一電極150的表面上共形地形成HTL和ETL，以將HTL和ETL共同設(shè)置在多個(gè)像素上。可選擇地，可通過與用于有機(jī)發(fā)射層的工藝基本上相同或相似的工藝針對(duì)每個(gè)像素將HTL或ETL圖案化。

可在顯示層160上沉積諸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的具有低逸出功的金屬或者這些金屬的合金以形成第二電極170。例如，可使用包括共同暴露多個(gè)像素的開口的掩模來沉積用于形成第二電極170的金屬。

可在第二電極170上形成包封層180。例如，可通過沉積諸如氮化硅和/或金屬氧化物的無機(jī)材料來形成包封層180。在實(shí)施例中，可使用諸如聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂或丙烯?；鶚渲挠袡C(jī)材料或者諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的無機(jī)材料在第二電極170與包封層180之間進(jìn)一步形成覆蓋層(未示出)。

參照?qǐng)D6，可將載體基板100從基板110分離。例如，可執(zhí)行激光剝離工藝以將載體基板100與基板110分離?？蛇x擇地，可以施加機(jī)械拉力以使載體基板100分離而無需執(zhí)行激光剝離工藝。

圖7是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

除了增加透射區(qū)以外，圖7的透明顯示裝置可以與參照?qǐng)D1示出的透明顯示裝置具有基本上相同或相似的元件和/或布置。因此，同樣的附圖標(biāo)記用于指示同樣的元件，并省略了元件和/或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D7，透明顯示裝置可包括像素區(qū)PA和透射區(qū)TA。

紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素可交替地布置在像素區(qū)PA中。透射區(qū)TA可延伸為與像素側(cè)向相鄰。

如圖7中所示，圖7中的基板210可以包括基本上為黃色的有色聚合物 基板，藍(lán)色的有色顆粒215可均勻地分布在有色聚合物基板中。有色顆粒215可包括分散顆粒214，每個(gè)分散顆粒214可包括包覆在其上或與其結(jié)合的有色層212。在可選實(shí)施例中，如圖2中所示，藍(lán)色染料分子可均勻地分布在有色聚合物基板中。

像素電路和絕緣結(jié)構(gòu)可設(shè)置在像素區(qū)PA中的基板210上。如參照?qǐng)D7所示，像素電路可包括TFT、電容器和布線結(jié)構(gòu)。

TFT可包括第一有源圖案222、柵極絕緣層226、第一柵電極232、源電極242和漏電極244。電容器可包括第二有源圖案224、柵極絕緣層226和第二柵電極234。

絕緣結(jié)構(gòu)可包括順序地堆疊在基板210上的阻擋層220、柵極絕緣層226、絕緣中間層236和通路絕緣層246。

在示例性實(shí)施例中，絕緣結(jié)構(gòu)之中的阻擋層220、柵極絕緣層226和絕緣中間層236可共同設(shè)置在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上。絕緣結(jié)構(gòu)之中的通路絕緣層246可在透射區(qū)TA上被基本去除。因此，通路絕緣層246可基本上只存在于像素區(qū)PA上。

顯示結(jié)構(gòu)可堆疊在通路絕緣層246上。如參照?qǐng)D7所示，圖7中的顯示結(jié)構(gòu)可包括順序地堆疊在通路絕緣層246上的第一電極250、顯示層260和第二電極270。PDL 255可選擇性地設(shè)置在像素區(qū)PA上，以至少部分地暴露第一電極250。

透射窗口290可限定在透射區(qū)TA上。在示例性實(shí)施例中，絕緣中間層236的頂表面可通過透射窗口290暴露。在這種情況下，透射窗口290可通過PDL 255的側(cè)壁和通路絕緣層246的側(cè)壁以及絕緣中間層236的頂表面來限定。

如圖7中所示，第二電極270可共同地且連續(xù)地設(shè)置在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上。在這種情況下，第二電極270可在顯示層260的表面和PDL 255的表面上以及透射窗口290的側(cè)壁和底部上共形地延伸。

在一些實(shí)施例中，第二電極270的在透射區(qū)TA上的部分可具有比第二電極270的在像素區(qū)PA上的部分的厚度小的厚度。因此，可改善透射區(qū)TA中的透明度或透射率。

包封層280可設(shè)置在第二電極270上，并且可共同地覆蓋像素區(qū)PA和透射區(qū)TA。

根據(jù)上述的示例性實(shí)施例，基板210可通過例如與有色顆粒215的顏色疊加而基本上透明。因此，即使在透射區(qū)TA不去除阻擋層220、柵極絕緣層226和絕緣中間層236，也可實(shí)現(xiàn)透明顯示裝置的預(yù)定的透射率或透明度。

圖8是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

除了透射區(qū)的結(jié)構(gòu)之外，圖8的透明顯示裝置可以與參照?qǐng)D7示出的透明顯示裝置具有基本上相同或相似的元件和/或布置。因此，同樣的附圖標(biāo)記用于指示同樣的元件，并且省略了這些元件和/或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D8，透明顯示裝置可包括像素區(qū)PA和透射區(qū)TA，透射窗口290a可限定在透射區(qū)TA上。透射窗口290a可通過PDL 255的側(cè)壁和通路絕緣層246的側(cè)壁以及絕緣中間層236的頂表面來限定。

在示例性實(shí)施例中，第二電極275可選擇性地僅設(shè)置在像素區(qū)PA上而可以不在透射區(qū)TA上延伸。因此，可進(jìn)一步提高在透射區(qū)TA上的透明度或透射率。

在一些實(shí)施例中，沉積控制層248可形成在絕緣中間層236的在透射區(qū)TA上的部分上。沉積控制層248可具有不發(fā)光的性質(zhì)，并且還可具有比顯示層260的對(duì)例如金屬的導(dǎo)電材料的親和力和/或粘附力低的對(duì)例如金屬的導(dǎo)電材料的親和力和/或粘附力。例如，沉積控制層248可包括例如N,N'-二苯基-N,N'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4,4'-二胺、N(聯(lián)苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑等。

在一些實(shí)施例中，第二電極275也可形成在透射窗口290a的其上未形成有沉積控制層248的側(cè)壁上。

包封層285可覆蓋第二電極275和沉積控制層248，并且可共同地設(shè)置在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上。

圖9至圖11是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。

具體地，圖9至圖11是示出制造圖7的透明顯示裝置的方法的剖視圖。省略了對(duì)與參照?qǐng)D3至圖6示出的工藝和/或材料基本上相同或相似的工藝和/或材料的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D9，可執(zhí)行與參照?qǐng)D3和圖4示出的工藝基本上相同或相似的工藝。

因此，可在載體基板200上形成包括分布在其中的有色顆粒215的基板210。有色顆粒215可包括分散顆粒214和有色層212。

基板210可分成像素區(qū)PA和透射區(qū)TA?？稍诨?10的像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上共同地形成包括阻擋層220、柵極絕緣層226、絕緣中間層236和通路絕緣層246的絕緣結(jié)構(gòu)。

可在基板210的像素區(qū)PA上形成包括在像素電路中的第一有源圖案222和第二有源圖案224、第一柵電極232和第二柵電極234、源電極242以及漏電極244。

可在通路絕緣層246的在像素區(qū)PA上的部分上形成電連接到例如漏電極244的第一電極250。可形成覆蓋第一電極250的外圍部分并暴露第一電極250的PDL 255。

可通過例如曝光工藝和顯影工藝將PDL 255圖案化，并且可通過PDL255來限定像素區(qū)PA與透射區(qū)TA之間的邊界。因此，可在像素區(qū)PA上通過PDL 255暴露第一電極250的頂表面，并且可在透射區(qū)TA上暴露通路絕緣層246的頂表面。

參照?qǐng)D10，可去除通路絕緣層246的在透射區(qū)TA上的部分以形成透射窗口290。

例如，可以利用包括可選擇性地暴露透射區(qū)TA的開口的掩模來部分地去除通路絕緣層246。通路絕緣層246可包括與PDL 255的有機(jī)材料基本上相同或相似的有機(jī)材料。例如，通路絕緣層246可包括光敏的丙烯?；悩渲牧?。

因此，可通過例如與用于形成PDL 255的曝光工藝和顯影工藝基本上相同或相似的曝光工藝和顯影工藝來部分地去除通路絕緣層246。因此，可容易地形成透射窗口290而無需執(zhí)行額外的蝕刻工藝。

可通過透射窗口290在像素區(qū)PA與透射區(qū)TA之間產(chǎn)生階梯部。

參照?qǐng)D11，可在第一電極250和PDL 255上形成顯示層260，并且可在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上連續(xù)地形成第二電極270。

可通過可以選擇性地暴露像素區(qū)PA的FMM沉積或印刷發(fā)光材料來形成顯示層260?？赏ㄟ^可以共同地暴露像素區(qū)PA和透射區(qū)TA的開口掩模沉積金屬來形成第二電極270。在這種情況下，可沿著顯示層260的表面和PDL 255的表面以及透射窗口290的側(cè)壁和底部來連續(xù)地形成第二電極270。

在一些實(shí)施例中，由于像素區(qū)PA和透射區(qū)TA之間的階梯部使得第二電極270可以在透射區(qū)TA上被沉積為具有相對(duì)小的厚度。

可在第二電極270上形成包封層280，并且包封層280可在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上連續(xù)地延伸。

隨后，如參照?qǐng)D6所示，可將載體基板200(未在圖11中示出)從基板210分離以獲得透明顯示裝置。

根據(jù)上述的示例性實(shí)施例，可在透射區(qū)TA上選擇性地去除包括與包括在PDL 255中的材料基本上相同或相似的材料的通路絕緣層246以形成透射窗口290?？墒褂每砂ㄓ猩w粒或藍(lán)色染料材料的基板210實(shí)現(xiàn)顯示裝置的預(yù)定透射率，可不在透射區(qū)TA上蝕刻包括諸如氧化硅和氮化硅的無機(jī)材料的絕緣層以使絕緣層保留在透射區(qū)TA上。因此，可在減少工藝時(shí)間和工藝成本的同時(shí)制造出具有改善的透明度的顯示裝置。

圖12至圖14是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。

具體地，圖12至圖14是示出制造圖8的透明顯示裝置的方法的剖視圖。省略了對(duì)與參照?qǐng)D3至圖6或者圖9至圖11示出的工藝和/或材料基本上相同或相似的工藝和/或材料的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D12，可執(zhí)行與參照?qǐng)D9和圖10示出的工藝基本上相同或相似的工藝。

因此，可以在可通過使用有色顆粒215或藍(lán)色染料分子的顏色疊加或顏色校正而基本上透明的基板210上形成像素電路和絕緣結(jié)構(gòu)?？稍谙袼貐^(qū)PA上形成第一電極250，可形成限定像素區(qū)PA和透射區(qū)TA之間的邊界的PDL255。

可去除通路絕緣層246的在透射區(qū)TA上的部分以形成透射窗口290a。

參照?qǐng)D13，可在絕緣中間層236的通過透射窗口290a暴露的頂表面上形成沉積控制層248?？赏ㄟ^經(jīng)選擇性地暴露透射區(qū)TA的FMM沉積或印刷沉積控制材料來形成沉積控制層248。

沉積控制材料可具有不發(fā)光的性質(zhì)，并且還可具有比顯示層260的對(duì)諸如金屬的導(dǎo)電材料的親和力和/或粘附力低的對(duì)諸如金屬的導(dǎo)電材料的親和力和/或粘附力。例如，沉積控制材料可包括例如N,N'-二苯基-N,N'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4,4'-二胺、N(聯(lián)苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯 基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑等。

參照?qǐng)D14，可在PDL 255和第一電極250上形成顯示層260，并且可在顯示層260和PDL 255上形成第二電極275。

在示例性實(shí)施例中，在通過例如用于形成第二電極275的濺射工藝來沉積金屬時(shí)，因?yàn)槌练e控制層248對(duì)金屬的親和力和/或粘附力會(huì)弱，所以可基本上且選擇性地在像素區(qū)PA上形成第二電極275。

圖14示出僅在像素區(qū)PA上形成第二電極275。然而，可通過來自沉積控制層248的排斥力而在透射區(qū)TA上將第二電極275有選擇地形成為具有很小的厚度(未示出)。

如上所述，第二電極275可在透射區(qū)TA上被去除或具有相對(duì)小的厚度，從而可進(jìn)一步改善透射區(qū)TA上的透射率。

可在第二電極275和沉積控制層248上形成包封層285，并且可在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上共同地設(shè)置包封層285。隨后，可如圖6中所示地將載體基板200從基板210分離以形成透明顯示裝置。

根據(jù)示例性實(shí)施例，可利用有色聚合物基板作為基體基板以改善柔性和機(jī)械性質(zhì)。此外，有色顆粒或有色染料分子可嵌入有色聚合物基板中以實(shí)現(xiàn)基本上透明的基板。透明基板可與透射區(qū)的結(jié)構(gòu)結(jié)合以獲得具有改善的透射率的透明顯示裝置。

盡管在這里已經(jīng)描述了某些示例性實(shí)施例和實(shí)施方式，但是其他實(shí)施例和修改將通過本描述而明了。因此，發(fā)明構(gòu)思不限于這樣的實(shí)施例，而受限于所提出的權(quán)利要求以及各種明顯的修改和等同布置的較寬范圍。