技術特征：

1.一種反式聚合物分散液晶薄膜的制備方法，所述方法包括以下步驟：

1)在重量百分比為40wt％～95wt％的負介電各向異性小分子液晶中引入重量百分比為5wt％～60wt％的液晶性可聚合單體，混合均勻得到混合體系，在該混合體系中加入添加劑和光引發(fā)劑混配出具有負介電各向異性的向列相液晶復合體系，添加劑和光引發(fā)劑的添加量均為混合體系總質量的0.01wt％～10wt％；

2)將向列相液晶復合體系灌入用鍍有氧化銦錫導電層的玻璃基板制作的液晶盒中，或者用鍍有氧化銦錫導電層的塑料薄膜將加入玻璃微珠的混合體系壓制成液晶薄膜，由間隔墊或玻璃微珠來控制液晶薄膜的厚度；

3)通過毛細作用虹吸或使用交流電場控制上述液晶薄膜中的液晶分子取向，使之處于很好的平面織構狀態(tài)；

4)在液晶薄膜上加蓋掩膜，紫外光輻照液晶薄膜，制備成反式聚合物分散液晶薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述液晶性可聚合單體選自以下結構化合物中的一種或多種：

3.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述添加劑為增加向列相液晶電導率的添加劑。

4.根據(jù)權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述添加劑為2,3,5,6-四氰基醌、十六烷基三甲基溴化銨和四丁基銨過氯酸鹽中的一種或多種。

5.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述光引發(fā)劑為安息香異丙醚或二苯甲酮。

6.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟3)中，電場頻率為2Hz～999MHz。

7.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟4)中所用掩膜的基材為石英玻璃或PET薄膜，其形狀為方形或圓形，線寬5μm～50μm。

8.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟4)中，紫外光強度為1μW/cm²～3mW/cm²，光照時間1min～20min。

9.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，反式聚合物分散液晶薄膜的厚度為5μm～300μm。

10.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，反式聚合物分散液晶薄膜的驅動電壓閾值為3V～100V。