陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種陣列基板及顯示裝置，該陣列基板包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極，所述襯底基板上還設(shè)置有用于接收和/或發(fā)送無(wú)線信號(hào)的天線。本實(shí)用新型通過將天線設(shè)置在陣列基板的襯底基板上，從而將天線直接集成在顯示面板中，不但能夠減小顯示裝置中PCB電路板的面積，還能充分利用陣列基板中的空余面積，從而提高顯示裝置的集成度，縮小顯示裝置的整體體積，此外，將天線制備于玻璃基板上，由于玻璃基板的絕緣性質(zhì)使得天線的襯底損耗非常小，從而提高了天線的品質(zhì)。
【專利說(shuō)明】陣列基板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，各種傳感器都可以通過微電子工藝進(jìn)行集成，其中以硅基微機(jī)電技術(shù)為代表的集成器件尤為突出，但是傳統(tǒng)的硅基器件在系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)中依然是一個(gè)獨(dú)立的物理模塊，這對(duì)提高整機(jī)系統(tǒng)的集成度，縮小體積依然會(huì)造成影響。
[0003]目前微電子領(lǐng)域中跟隨著摩爾定律，器件的特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入了 14納米的時(shí)代，但是一些無(wú)源器件的集成卻不如有源器件那樣簡(jiǎn)單，天線作為無(wú)源器件是電子電路領(lǐng)域不可或缺的組成部分，對(duì)于無(wú)線通訊終端，天線通常集成在其中PCB電路板的硅基襯底上，但是，由于硅襯底的半導(dǎo)體性質(zhì)導(dǎo)致天線工作時(shí)會(huì)有襯底損耗，且天線所占硅片面積較大，不利于無(wú)線通訊終端向輕薄的方向發(fā)展，從而在一定程度上限制了硅基片上天線的使用。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004](一 )要解決的技術(shù)問題
[0005]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及顯示裝置，能夠減小顯示裝置的體積。
[0006]( 二 )技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案提供了一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極，所述襯底基板上還設(shè)置有用于接收和/或發(fā)送無(wú)線信號(hào)的天線。
[0008]進(jìn)一步地，所述天線與所述柵極同層設(shè)置。
[0009]進(jìn)一步地，還包括位于所述天線上的第一絕緣層以及位于所述第一絕緣層上的信號(hào)線，所述第一絕緣層上設(shè)置有通孔，所述信號(hào)線通過所述通孔與所述天線相連。
[0010]進(jìn)一步地，所述第一絕緣層與所述柵極絕緣層同層設(shè)置，所述信號(hào)線與所述源漏極同層設(shè)置。
[0011]進(jìn)一步地，所述通孔中還設(shè)置有連接層，所述信號(hào)線通過所述連接層與所述天線相連，所述連接層與所述陣列基板中源漏極與有源層之間的緩沖金屬層同層設(shè)置。
[0012]進(jìn)一步地，所述天線的圖形形狀為螺旋狀。
[0013]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述任一的陣列基板。
[0014](三)有益效果
[0015]本實(shí)用新型通過將天線設(shè)置在陣列基板的襯底基板上，從而將天線直接集成在顯示面板中，不但能夠減小顯示裝置中PCB電路板的面積，還能充分利用陣列基板中的空余面積，從而提高顯示裝置的集成度，縮小顯示裝置的整體體積，此外，將天線制備于玻璃基板上，由于玻璃基板的絕緣性質(zhì)使得天線的襯底損耗非常小，從而提高了天線的品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的一種陣列基板的示意圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的一種天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的在陣列基板中形成天線的圖形的流程圖；
[0019]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的制作陣列基板的流程圖；
[0020]圖5-11是本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的制作陣列基板的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。
[0022]本實(shí)用新型實(shí)施方式提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極，此外，所述襯底基板上還設(shè)置有用于接收和/或發(fā)送無(wú)線信號(hào)的天線。
[0023]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的一種陣列基板的示意圖，該陣列基板包括襯底基板1，所述襯底基板I的顯示區(qū)域上依次設(shè)置有柵極2a、柵極絕緣層3a、有源層4、源漏極6a以及有源層4與源漏極6a之間的緩沖金屬層5a，襯底基板I的非顯示區(qū)域上依次設(shè)置有天線2b、第一絕緣層3b和信號(hào)線6b，其中，信號(hào)線6b通過第一絕緣層3b上的通孔與天線2b相連。
[0024]其中，上述的襯底基板I可以為玻璃基板，天線的形狀可以為任意形狀，優(yōu)選地，為了提高空間利用率并增強(qiáng)天線的信號(hào)接收效果，所述天線2b的圖形形狀為如圖2所示的螺旋狀。
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的陣列基板，通過將天線設(shè)置在陣列基板的襯底基板上，從而將天線直接集成在顯示面板中，不但能夠減小顯示裝置中PCB電路板的面積，還能充分利用陣列基板中的空余面積，從而提高顯示裝置的集成度，縮小顯示裝置的整體體積，此外，將天線制備于玻璃基板上，由于玻璃基板的絕緣性質(zhì)使得天線的襯底損耗非常小，從而提高了天線的品質(zhì)。
[0026]優(yōu)選地，在上述實(shí)施方式中，所述天線與所述柵極可同層設(shè)置，即天線2b與柵極2a為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0027]優(yōu)選地，在上述實(shí)施方式中，所述第一絕緣層與所述柵絕緣層同層設(shè)置，所述信號(hào)線與所述源漏極同層設(shè)置，即柵極絕緣層3a與第一絕緣層3b采用相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成，信號(hào)線6b與源漏極6a為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0028]優(yōu)選地，為了提高信號(hào)線6b與天線2b之間的貼附性和導(dǎo)電性，第一絕緣層3b的通孔中還設(shè)置有連接層5b，所述信號(hào)線6b通過所述連接層5b與所述天線2b相連，優(yōu)選地，所述連接層5b與緩沖金屬層5a同層設(shè)置，即連接層5b與緩沖金屬層5a為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0029]此外，本實(shí)用新型實(shí)施方式還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的顯示裝置可以是筆記本電腦顯示屏、液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0030]本實(shí)用新型實(shí)施方式還提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括在襯底基板上形成柵極的圖形、柵極絕緣層的圖形、有源層和源漏極的圖形，此外，還包括在所述襯底基板上形成用于接收和/或發(fā)送無(wú)線信號(hào)的天線的圖形。
[0031]其中，上述的襯底基板可以為玻璃基板，天線的形成可通過在襯底基板上形成圖案化的金屬層實(shí)現(xiàn)。
[0032]具體地，參見圖3，圖3是本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的在陣列基板中形成天線的圖形的流程圖，包括:
[0033]Sll:在所述襯底基板上形成第一金屬薄膜；
[0034]S12:對(duì)所述第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，以在所述襯底基板的顯示區(qū)域上形成所述柵極的圖形，在所述襯底基板的非顯示區(qū)域上形成所述天線的圖形。對(duì)于顯示裝置，由于其中的陣列基板上空余面積較硅基集成電路相比大很多，因此，上述的天線可形成在陣列基板中顯示區(qū)域之外的空余區(qū)域，不但能夠降低制作成本，并使制作的產(chǎn)品更加輕薄，還能避免對(duì)陣列基板的顯示造成影響。
[0035]本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的陣列基板的制作方法，通過在陣列基板的襯底基板上形成天線，從而將天線直接集成在顯示面板中，不但能夠減小顯示裝置中PCB電路板的面積，還能充分利用陣列基板中的空余面積，從而提高顯示裝置的集成度，縮小顯示裝置的整體體積，此外，將天線制備于玻璃基板上，由于玻璃基板的絕緣性質(zhì)使得天線的襯底損耗非常小，從而提高了天線的品質(zhì)。
[0036]其中，上述的天線可在制作陣列基板的4MASK或5MASK工藝中同時(shí)形成，能夠減少天線對(duì)制作陣列基板構(gòu)圖次數(shù)的增加，降低制作成本。具體地，參見圖4，圖4是本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的制作陣列基板的流程圖，該方法包括:
[0037]S21:在襯底基板上形成第一金屬薄膜，其中，該第一金屬薄膜覆蓋在陣列基板的顯示區(qū)域以及位于顯示區(qū)域之外的非顯示區(qū)域，具體地，參見圖5，可在清洗后的透明玻璃基板I上通過真空濺射淀積銅(Cu)材料形成第一金屬薄膜2，；
[0038]S22:采用構(gòu)圖工藝對(duì)第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在顯示區(qū)域形成柵極的圖形，在非顯示區(qū)域形成天線的圖形，優(yōu)選地，天線的圖形可以為螺旋狀，從而可以盡可能的提高陣列基板中非顯示區(qū)域的空間利用率，具體地，參見圖6，可采用第一塊MASK進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕同時(shí)形成柵極2a的圖形和天線2b的圖形；
[0039]S23:形成絕緣薄膜，該絕緣薄膜不但位于襯底基板的顯示區(qū)域上方，還位于其非顯示區(qū)域上方，其中，位于非顯示區(qū)域覆蓋在天線上方的絕緣薄膜為第一絕緣層，位于顯示區(qū)域的絕緣薄膜為柵極絕緣層，具體地，參見圖7，可將氮化硅(SiNx)材料使用PECVD淀積在柵極和天線的圖形上形成絕緣薄膜3，得到第一絕緣層和柵極絕緣層；
[0040]S24:采用構(gòu)圖工藝對(duì)位于非顯示區(qū)域的第一絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成通孔，具體地，參見圖8，使用負(fù)性光刻膠和第二塊MASK通過曝光、顯影，并刻蝕位于非顯示區(qū)域的氮化硅，形成通孔3c，通孔的位置可位于天線的正上方；
[0041]S25:在柵極絕緣層上形成所述有源層，而后在顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域上形成第三金屬薄膜，該第三金屬薄膜用于提高相鄰兩層結(jié)構(gòu)之間貼附性和導(dǎo)電性，具體地，參見圖9，在形成有源層4之后，使用離子濺射或蒸鍍的方法形成第三金屬薄膜5，該第三金屬薄膜可采用Cr材料，也可使用Mo、ALNcU Moff, T1、Ta或Cu材料；
[0042]S26:采用構(gòu)圖工藝對(duì)第三金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，以在所述有源層的源漏區(qū)域上形成緩沖金屬層，在所述通孔中形成連接層，所述信號(hào)線通過所述連接層與所述天線相連，通過上述的緩沖金屬層能夠提高有源層與源漏極之間的貼附性和導(dǎo)電性，通過連接層能夠提高天線與信號(hào)線之間的貼附性和導(dǎo)電性，具體地，參見圖10，使用第三塊MASK以正膠通過曝光、顯影、刻蝕，在顯示區(qū)域形成緩沖金屬5a的圖形，在非顯示區(qū)域的通孔3c中形成連接層5b的圖形；
[0043]S27:在顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域上形成第二金屬薄膜，第二金屬薄膜通過上述的連接層與天線相連，具體地，參見圖11，可采用蒸鍍或使用離子濺射形成第二金屬薄膜6 ;
[0044]S28:采用構(gòu)圖工藝對(duì)第二金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在顯示區(qū)域形成源漏極的圖形，在非顯示區(qū)域形成信號(hào)線的圖形，具體地，使用第四塊MASK通過曝光、顯影、刻蝕形成的第二金屬薄膜層，在顯示區(qū)域形成源漏極的圖形，在非顯示區(qū)域形成信號(hào)線的圖形，最終得到如圖1和圖2所示的天線結(jié)構(gòu)。
[0045]以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型，而并非對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極，其特征在于，所述襯底基板上還設(shè)置有用于接收和/或發(fā)送無(wú)線信號(hào)的天線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述天線與所述柵極同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述天線上的第一絕緣層以及位于所述第一絕緣層上的信號(hào)線，所述第一絕緣層上設(shè)置有通孔，所述信號(hào)線通過所述通孔與所述天線相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層與所述柵極絕緣層同層設(shè)置，所述信號(hào)線與所述源漏極同層設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述通孔中還設(shè)置有連接層，所述信號(hào)線通過所述連接層與所述天線相連，所述連接層與所述陣列基板中源漏極與有源層之間的緩沖金屬層同層設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述天線的圖形形狀為螺旋狀。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK204230241SQ201420802355
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月16日
【發(fā)明者】何宗澤, 王健銘, 孟智明, 胡巍浩 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司