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陣列基板和顯示裝置制造方法

文檔序號:2721829閱讀:215來源:國知局
陣列基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型實施例公開了一種陣列基板和顯示裝置,涉及顯示領(lǐng)域,能夠解決現(xiàn)有液晶顯示器視角狹窄的問題。所述陣列基板,包括:交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線,以及受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線驅(qū)動的像素單元,所述像素單元中設(shè)置有像素電極,在數(shù)據(jù)線延伸方向,數(shù)據(jù)線和受所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距設(shè)置成不一致的取值,從而形成多個疇區(qū)。
【專利說明】陣列基板和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器由于零輻射、低功耗、散熱小、體積小、圖像還原精確、字符顯示銳利等優(yōu)點,已廣泛替代了傳統(tǒng)CRT顯示裝置。
[0003]傳統(tǒng)的液晶顯示器由彩膜基板、陣列基板相互對盒并在兩對盒的基板之間灌注液晶而成,如圖1所示,為一種陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖,主要包括數(shù)據(jù)線11 (圖中的Dl?D3)、柵線12(圖中的Gl?G3)、像素電極13和薄膜晶體管14,相鄰的數(shù)據(jù)線11和相鄰的柵線12縱橫交叉,限定出像素區(qū)域,像素電極13設(shè)置于該像素區(qū)域內(nèi),薄膜晶體管14位于數(shù)據(jù)線11和柵線12的交叉點附近,薄膜晶體管14的柵極與柵線12相連,源極與數(shù)據(jù)線11相連,漏極與像素電極13相連。工作時,像素電極13和公共電極(圖中未示出)被施以電壓,在像素電極13和公共電極之間形成垂直基板方向的電場(簡稱垂直電場)驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn),光通過時因液晶分子的遮擋從而顯示出圖像來。
[0004]在這種傳統(tǒng)的液晶顯示器中,主要是像素電極和公共電極之間的垂直電場驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn),如果在大的偏向角度下觀看,就會存在對比度低、色彩失真的問題,即存在可視角度(簡稱視角)狹窄的問題。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型實施例提供一種陣列基板和顯示裝置,能夠解決現(xiàn)有液晶顯示器視角狹窄的問題。
[0006]為達到上述目的,本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]—方面,本實用新型提供一種陣列基板,包括:交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線,以及受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線驅(qū)動的像素單元,所述像素單元中設(shè)置有像素電極,在數(shù)據(jù)線延伸方向,數(shù)據(jù)線和受所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距設(shè)置成不一致的取值,從而形成多個疇區(qū)。
[0008]可選地,所述像素電極至少包括第一電極和第二電極,所述第一電極與所述數(shù)據(jù)線之間形成的間距為dl,所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線形成的間距為d2,dl Φ d2。
[0009]可選地,所述第一電極和第二電極在鄰近邊緣相連接;或者,所述第一電極和第二電極相互分離,但均受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線驅(qū)動。
[0010]可選地,所述像素單元包括第一像素單元和第二像素單元兩種,所述第一像素單元中設(shè)置有第一像素電極,所述第二像素單元中設(shè)置有第二像素電極;
[0011]所述第一像素電極與驅(qū)動所述第一像素電極的數(shù)據(jù)線之間形成的間距為dl,所述第二像素電極與驅(qū)動所述第二像素電極的數(shù)據(jù)線之間形成的間距為d2,dl Φ d2。
[0012]可選地,所述第一像素單元、所述第二像素單元以下列方式形成兩種像素:
[0013]第一種像素中包括至少三個第一像素單元,第二種像素中包括至少三個第二像素單元。
[0014]可選地所述像素單元包括第一像素單元和第二像素單元兩種,
[0015]第一像素單元中,沿與數(shù)據(jù)線平行的方向上,所述第一電極位于所述第二電極的下方,
[0016]第二像素單元中,沿與數(shù)據(jù)線平行的方向上,所述第一電極位于所述第二電極的上方;并且,
[0017]位于同一像素單元中的所述第一電極和所述第二電極受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線的驅(qū)動。
[0018]可選地,所述第一像素單元和所述第二像素單元以下列方式形成像素:
[0019]所述第一種像素中至少包括三個所述第一像素單元,所述第二種像素中至少包括三個所述第二像素單元,所述第一種像素和所述第二種像素在陣列基板上間隔排列;或者,
[0020]所述第一像素單元和所述第二像素單元沿柵線方向交替排列形成像素,該像素排列在陣列基板上。
[0021]可選地,所述數(shù)據(jù)線在延伸方向上呈彎折狀,包括:向第一方向彎折的第一部分和向第一方向的反方向彎折的第二部分,所述第一部分、所述第二部分與所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距分別為dl和d2,dl Φ d2。
[0022]可選地,所述數(shù)據(jù)線在延伸方向上具有不同的線寬,包括:線寬不同的第一部和第二部分,所述第一部分、所述第二部分與所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距分別為 dl 和 d2, dl 關(guān) d2。
[0023]優(yōu)選地,dl大于第一閾值,d2小于第二閾值,第一閾值大于等于第二閾值。
[0024]可選地,所述dl為所述第一部分與第一像素電極之間形成的間距,所述d2為所述第二部分與第二像素電極之間形成的間距,所述第一像素電極和所述第二像素電極位于同一列且相鄰。
[0025]可選地,所述第一部分和所述第二部分相銜接的部分對應(yīng)位于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的區(qū)域。
[0026]可選地,所述第二部分與所述第二像素電極相重疊。
[0027]可選地,所述dl和d2分別為所述第一部分、所述第二部分與同一所述像素電極之間形成的間距。
[0028]可選地,所述第二部分與所述像素電極相重疊。
[0029]另一方面,本實用新型實施例還提供一種顯示裝置,包括:上述任一項所述的陣列基板。
[0030]如圖1所示,現(xiàn)有技術(shù)中,每個像素中數(shù)據(jù)線11與像素電極13之間的距離都是相等的,使得在同一像素中或相鄰像素之間,數(shù)據(jù)線11與像素電極13的壓差基本上無差別,液晶分子在像素電極邊緣偏轉(zhuǎn)有限,視角范圍受到一定影響。
[0031]本實用新型實施例提供的陣列基板和顯示裝置,通過在數(shù)據(jù)線延伸方向,將數(shù)據(jù)線和受數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距設(shè)置成不同值,即在同一像素中或不同像素之間,數(shù)據(jù)線與像素電極的壓差存在差別,由此形成多個疇區(qū),從而擴大視角,解決現(xiàn)有液晶顯示器視角狹窄的問題,所謂疇區(qū),指液晶分子取向一致或近似一致的區(qū)域。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0033]圖1為現(xiàn)有陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖;
[0034]圖2為本實用新型實施例2提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0035]圖3為本實用新型實施例2提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0036]圖4為本實用新型實施例3提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0037]圖5為本實用新型實施例3第一種【具體實施方式】提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0038]圖6為本實用新型實施例3第二種【具體實施方式】提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0039]圖7為本實用新型實施例3第三種【具體實施方式】提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0040]圖8為本實用新型實施例4提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0041]圖9為本實用新型實施例4提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0042]圖10為本實用新型實施例5中第一實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0043]圖11為本實用新型實施例5中橫向電場和驅(qū)動電場的分布示意圖;
[0044]圖12為本實用新型實施例5中第一實施例的另一種優(yōu)選變形提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0045]圖13為本實用新型實施例5中第一實施例的又一種優(yōu)選變形提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0046]圖14為本實用新型實施例5中第二實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0047]圖15為本實用新型實施例5中的第三實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]附圖標記:
[0049]11-數(shù)據(jù)線,12-柵線,13-像素電極,14-薄膜晶體管,d_間距,
[0050]131-第一電極,132-第二電極,15A-第一像素單元,13A-第一像素電極,
[0051]15B-第二像素單元,13B-第二像素電極,26-第一種像素,27-第二種像素,
[0052]46-第一像素單元,47-第二像素單元,48-雙溝道薄膜晶體管,49-像素;
[0053]111-第一部分,121-第二部分,D-線寬,17-像素單元,15-公共電極,
[0054]16-第一部分和第二部分相銜接的部分。

【具體實施方式】
[0055]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型的一部分實施例,而不是全部的實施例。
[0056]實施例1
[0057]本實用新型實施例一種陣列基板,包括:交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線,以及由受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線驅(qū)動的像素單元,像素單元中設(shè)置有像素電極,在數(shù)據(jù)線延伸方向,數(shù)據(jù)線和受所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距設(shè)置成不一致的取值,從而形成多個疇區(qū)。
[0058]現(xiàn)有技術(shù)如圖1所示,陣列基板上每個像素單元中數(shù)據(jù)線11與像素電極13之間的形成的間距d都是相等的,使得在同一像素單元中或相鄰像素單元之間,數(shù)據(jù)線11與像素電極13的壓差基本上無差別,液晶分子在像素電極邊緣偏轉(zhuǎn)有限,視角范圍受到一定影響。本實用新型實施例提供的陣列基板,通過將數(shù)據(jù)線11和受數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極13之間形成的間距d設(shè)置成不一致的取值,即在同一像素單元中或不同像素單元之間,因間距d取值不一致,數(shù)據(jù)線11與像素電極13的壓差存在差別,由此形成多個疇區(qū),從而擴大視角,解決現(xiàn)有液晶顯示器視角狹窄的問題。
[0059]基于上述的設(shè)計思想,具體實施時存在多種方式可以將陣列基板上數(shù)據(jù)線11和受數(shù)據(jù)線11驅(qū)動的像素電極13之間的間距d設(shè)置成不一致的取值。舉例而言,可以如圖2所示,通過改變像素電極13的形狀,將原來矩形的像素電極改為圖2所示的不對稱結(jié)構(gòu),使得同一像素電極13的不同部分到驅(qū)動該像素電極13的數(shù)據(jù)線11之間形成不同的間距;或者如圖4所示,將不同像素單元中的像素電極13的面積設(shè)計成不同值,從而使得不同像素單元的像素電極13到驅(qū)動該像素電極13的數(shù)據(jù)線11之間形成不同的間距。另外,還可以通過改變數(shù)據(jù)線11的形狀或線寬來達到相同的目的,例如圖8所示,使數(shù)據(jù)線11在延伸方向上呈彎折狀,再例如圖10所示,使數(shù)據(jù)線11在延伸方向上具有不同的線寬D,均可以使數(shù)據(jù)線11和受數(shù)據(jù)線11驅(qū)動的像素電極13之間的間距d設(shè)置成不同值,從而形成多個疇區(qū),解決現(xiàn)有液晶顯示器視角狹窄的問題。因此,本實施例對具體采用何種方式不做限定,只要能使數(shù)據(jù)線和受數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距不再一致,能形成多個疇區(qū)即可。
[0060]實施例2
[0061]本實用新型實施例一種陣列基板,如圖2所示,該陣列基板包括:交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線11和柵線12,以及受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線驅(qū)動的像素單元(每一像素單元即為一個亞像素),像素單元中均設(shè)置有像素電極13,每一像素電極13包括第一電極131和第二電極132兩部分,這兩部分在鄰近邊緣相連接,第一電極131與數(shù)據(jù)線11之間形成的間距為dl,第二電極132與數(shù)據(jù)線11形成的間距為d2,dl Φ d2,因此,數(shù)據(jù)線11對第一電極131處的驅(qū)動電場和對第二電極132處的驅(qū)動電場的影響存在差別,使得液晶分子的取向存在多個疇區(qū),而疇區(qū)越多,越有助于改善液晶視角狹窄問題。
[0062]如圖3所示,本實用新型實施例還提供另一種陣列基板,與圖2所示陣列基板的不同之處在于,第一電極131和第二電極132相互分離,但均受同一數(shù)據(jù)線11和同一柵線12驅(qū)動。
[0063]本實施例中像素電極13包括相互分離的兩部分(第一電極131和第二電極132),且這兩部分分別位于所共用的柵線12的兩側(cè),分別采用一個薄膜晶體管14進行驅(qū)動,這兩個薄膜晶體管14的柵極均與柵線12連接,源極均與數(shù)據(jù)線11連接,一個薄膜晶體管14的漏極與第一電極131連接,另一個薄膜晶體管14的漏極與第二電極132連接。本實施例同樣可形成多個疇區(qū),改善液晶視角狹窄問題,同時通過增設(shè)薄膜晶體管,對第一電極131、第二電極132分別進行驅(qū)動,提高了像素的驅(qū)動能力,從而使液晶顯示器具有更好的顯示效果O
[0064]其中可選地,第一電極131和第二電極132在數(shù)據(jù)線延伸方向上錯位,即第一電極131在數(shù)據(jù)線延伸方向上的對稱軸線與第二電極132在數(shù)據(jù)線延伸方向上的對稱軸線相互平行但不在同一直線上,從而使第一電極131、第二電極132到同一數(shù)據(jù)線的距離不相等。所謂對稱軸線,即電極關(guān)于對稱軸線接近或完全軸對稱,本實施例中的對稱軸線平行于數(shù)據(jù)線延伸方向。
[0065]上述實施例中是通過將像素電極分成至少兩部分,且,該至少兩部分與數(shù)據(jù)線11的距離不同,藉此來形成多疇區(qū),具體實施中,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要將像素電極分成三、四甚至更多部分,從而獲得更多疇區(qū),針對液晶顯示器視角狹窄問題的改善效果更好。
[0066]本實用新型實施例提供的陣列基板,可以實現(xiàn)多疇區(qū),從而解決現(xiàn)有液晶顯示器視角狹窄的技術(shù)問題。
[0067]實施例3
[0068]本實用新型實施例一種陣列基板,如圖4所示,該陣列基板包括:交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線11和柵線12,以及受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線驅(qū)動的像素單元,像素單元包括第一像素單元15A和第二像素單元15B兩種,第一像素單元15A中設(shè)置有第一像素電極13A,第二像素單元15B中設(shè)置有第二像素電極13B ;第一像素電極13A與驅(qū)動第一像素電極13A的數(shù)據(jù)線11之間形成的間距為dl,第二像素電極13B與驅(qū)動第二像素電極13B的數(shù)據(jù)線11之間形成的間距為d2,dl Φ d2。這樣,數(shù)據(jù)線11對第一像素單元15A、第二像素單元15B的驅(qū)動電場的影響存在差別,從而使得液晶分子的取向存在多個疇區(qū),而疇區(qū)越多,越有助于改善液晶視角狹窄問題。
[0069]其中可選地,第一像素電極13A,第二像素電極13B均為矩形,第一像素電極13A的面積小于第二像素電極13B的面積,使得第一像素電極13A與數(shù)據(jù)線11之間形成的間距dl大于第二像素電極13B與數(shù)據(jù)線11之間形成的間距d2。
[0070]本實施例的第一種【具體實施方式】如圖5所示,第一像素單元15A、第二像素單元15B可以直接以下列方式形成兩種像素:第一種像素26中包括至少三個第一像素單元15A,第一像素單元15A作為第一種像素26的亞像素存在;第二種像素27中包括至少三個第二像素單元15B,第二像素單元15B作為第二種像素27的亞像素存在。圖中每一種像素中示出包括三個像素單元,分別對應(yīng)紅綠藍三種亞像素。優(yōu)選地,第一種像素26和第二種像素27在陣列基板上間隔排列,以彌補第一種像素26和第二種像素27在亮度分布上的差異性。
[0071]本實施例還可以在一個像素單元中將像素電極和驅(qū)動像素電極的數(shù)據(jù)線之間形成的間距設(shè)置成不一致,在像素單元的尺寸水平上實現(xiàn)寬視角,再由實現(xiàn)了寬視角的像素單元形成像素,具體如下:。
[0072]具體而言,本實施例的第二種【具體實施方式】如圖6所示,像素單元中的像素電極至少包括第一電極131和第二電極132,第一電極131與數(shù)據(jù)線11之間形成的間距為dl,第二電極132與數(shù)據(jù)線11形成的間距為d2,dl Φ d2。像素單元按第一電極131和第二電極132的排列方式分為兩種,即第一像素單元46和第二像素單元47兩種,第一像素單元46中,沿與數(shù)據(jù)線11平行的方向上,第一電極131位于第二電極132的下方,第二像素單元47中,沿與數(shù)據(jù)線11平行的方向上,第一電極131位于第二電極132的上方;并且,位于同一像素單元中的第一電極131和第二電極132受同一數(shù)據(jù)線11和同一柵線12的驅(qū)動。
[0073]第一電極131和第二電極132采用一雙溝道薄膜晶體管48進行驅(qū)動,雙溝道薄膜晶體管48的兩個源極均連接至同一數(shù)據(jù)線11,共用的柵極連接至同一柵線12,兩個漏極分別連接至第一電極131和第二電極132。
[0074]然后,第一像素單元46和第二像素單元47以下列方式形成像素:第一種像素26中至少包括三個第一像素單元46,所述第二種像素27中至少包括三個第二像素單元47,第一種像素26和第二種像素27在陣列基板上間隔排列。
[0075]其中所述的上方、下方并不是指層結(jié)構(gòu)上的位置關(guān)系,也不是用于限定,僅是一種相對的方位概念,用于指出平面圖上像素單元中第一電極131和第二電極132的相對位置,本實施例中參照圖6所示方位進行理解。
[0076]可選地,第一電極131的面積小于第二電極132的面積,從而使得第一電極131與數(shù)據(jù)線11之間形成的間距dl大于第二電極132與數(shù)據(jù)線11形成的間距d2。
[0077]本實施例的第三種【具體實施方式】如圖7所示,與第二種【具體實施方式】的區(qū)別之處僅在與由第一像素單元46和第二像素單元47形成像素的方式不同,本體實施方式中采用第一像素單元46和第二像素單元47沿柵線方向交替排列形成像素49,該像素49排列在陣列基板上。
[0078]本實施例提供的陣列基板,設(shè)置有由第一像素單元、第二像素單元形成的像素,并且這兩種像素單元中像素電極到各自數(shù)據(jù)線之間形成的間距不相等,可形成更多液晶取向不同的疇區(qū),而且該些疇區(qū)在陣列基板上的分布更均勻,顯示效果更好。
[0079]實施例4
[0080]本實用新型實施例一種陣列基板,如圖8所示,該陣列基板包括:交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線11和柵線12,以及由相鄰數(shù)據(jù)線11和相鄰柵線12定義的像素單元,所述數(shù)據(jù)線在延伸方向上呈彎折狀,包括:向第一方向彎折的第一部分111和向第一方向的反方向彎折的第二部分121,第一部分111、第二部分121與數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極13之間形成的間距分別為 dl 和 d2, dl 關(guān) d2。
[0081]其中所述的第一方向、第一方向的反方向僅是一種相對的方向概念,用于指出平面圖上數(shù)據(jù)線彎折的兩個相對方向,并不是用于限定。一般而言,數(shù)據(jù)線11和柵線12縱橫交錯,所述第一方向與柵線11平行。為便于理解,下面敘述中參照圖8所示方向進行理解,數(shù)據(jù)線21沿縱向(與柵線垂直方向)排列,下面以第一方向?qū)?yīng)圖中的左側(cè),第一方向的反方向?qū)?yīng)圖中的右側(cè)為例進行說明。
[0082]可選地,第一像素電極和第二像素電極位于同一列且相鄰,上述的dl為第一部分111與第一像素電極之間形成的間距,上述的d2為第二部分121與第二像素電極之間形成的間距,dl Φ d2。進一步優(yōu)選地,第一部分11和第二部分121相銜接的部分對應(yīng)位于第一像素電極和第二像素電極之間的區(qū)域。
[0083]具體如圖8所示,為符合本實施例的第一種【具體實施方式】,數(shù)據(jù)線11和柵線12在陣列基板上交叉設(shè)置,以及像素單元,像素單元中設(shè)置有像素電極13,數(shù)據(jù)線11和柵線12的每一個交叉點附近設(shè)置有薄膜晶體管14,薄膜晶體管14的源極與數(shù)據(jù)線11相連接,柵極與柵線12相連接,漏極通過過孔與像素電極13相連接,其中,數(shù)據(jù)線21呈彎折狀,在第N行像素單元中向數(shù)據(jù)線11的左側(cè)彎折(對應(yīng)第一部分111);在第N+1行像素單元中該數(shù)據(jù)線21向數(shù)據(jù)線21的右側(cè)彎折(對應(yīng)第二部分121),以下類推,其中N為自然數(shù)。
[0084]這樣,就某一條數(shù)據(jù)線11而言,在第N行像素單元中,該數(shù)據(jù)線11靠近其左側(cè)的像素電極13,數(shù)據(jù)線11左側(cè)的像素電極13與該數(shù)據(jù)線11之間有橫向電場產(chǎn)生,可以增加水平方向右側(cè)的視角;在第N+1行像素單元中,該數(shù)據(jù)線11靠近其右側(cè)的像素電極13,該數(shù)據(jù)線11與其左側(cè)的像素電極13之間有橫向電場產(chǎn)生,可以增加水平方向左側(cè)的視角,N為自然數(shù)。因此對整個顯示裝置而言,增加水平方向左側(cè)的視角的像素單元行與增加水平方向右側(cè)的視角的像素單元行交替排列,可以擴大整個顯示裝置左右方向的視角。
[0085]另外,還可以是第N行和第N+1行像素單元中對應(yīng)的部分數(shù)據(jù)線為本實施例中的第一部分111,向第一方向彎折;第N+2和第N+3行像素單元中對應(yīng)的部分數(shù)據(jù)線為本實施例中的第二部分121,向第一方向的反方向彎折。或者,還可以是相類似的其他彎折方式。
[0086]圖9所示僅為符合本實施例的另一優(yōu)選實施方式,同一像素單元中存在多次彎折,即一個像素單元對應(yīng)的部分數(shù)據(jù)線包括多個第一部分111和多個第二部分121。第一部分111、第二部分121與數(shù)據(jù)線11驅(qū)動的同一像素電極13之間形成的間距分別為dl和d2,dl Φ d2,因此,數(shù)據(jù)線11對第一電極131處的驅(qū)動電場和對第二電極132處的驅(qū)動電場的影響存在差別,從而對應(yīng)形成液晶分子的取向不同的疇區(qū),同一像素單元中彎折次數(shù)越多,形成的疇區(qū)越多,越有助于改善液晶視角狹窄問題。
[0087]進一步優(yōu)選地,本實施例中一個像素單元對應(yīng)的部分數(shù)據(jù)線包括多個第一部分111和多個第二部分121,并且該段數(shù)據(jù)線關(guān)于像素單元的中分線對稱,該中分線平行于柵線12,這樣,不僅形成的疇區(qū)數(shù)目更多,視角改善效果更佳,而且疇區(qū)分布均勻,視覺效果更好。
[0088]本實施例通過數(shù)據(jù)線彎折的方式,形成液晶取向不同的疇區(qū),從而解決現(xiàn)有液晶顯示器視角狹窄的問題,簡單易行。
[0089]實施例5
[0090]本實用新型實施例提供一種陣列基板,參照圖10所示,該陣列基板包括:交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線11 (Dl?D3)和柵線(Gl?G3),以及像素單元17,像素單元17中設(shè)置有像素電極13,數(shù)據(jù)線11在延伸方向上具有不同的線寬D,包括:線寬不同的第一部111和第二部分121,第一部分111、第二部分121與數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極13之間形成的間距分別為dl和 d2, dl 古 d2。
[0091]本實施例通過將數(shù)據(jù)線11的線寬設(shè)置成不同值,使得數(shù)據(jù)線11和數(shù)據(jù)線11驅(qū)動的像素電極13之間形成不同的間距。圖10所示僅為符合本實施例的一種陣列基板,實際上,數(shù)據(jù)線在延伸方向可存在多段線寬不等(圖10中僅存在兩段,即第一部分111和第二部分121),相對應(yīng)地,可使得數(shù)據(jù)線的邊緣和與該邊緣相對的像素電極之間的間距存在多個數(shù)值,本實施例對此不做限定。
[0092]本實用新型實施例提供的陣列基板,通過將數(shù)據(jù)線11在延伸方向上設(shè)置成不同的線寬,從而使得數(shù)據(jù)線11和數(shù)據(jù)線11驅(qū)動的像素電極13之間形成不同的間距d(以下簡稱數(shù)據(jù)線11與像素電極13的間距d),這樣,數(shù)據(jù)線11與上述像素電極之間形成的壓差不再相同,即在同一像素中或不同像素之間,數(shù)據(jù)線與像素電極之間的壓差存在差別,由此產(chǎn)生較強的邊緣場效應(yīng),可以增大液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度,擴大視角,能夠解決現(xiàn)有液晶顯示器視角狹窄的問題。
[0093]為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本實用新型實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu),下面通過具體的實施例對本實用新型提供的陣列基板進行詳細說明。
[0094]如圖10所示,為本實用新型的第一實施例,陣列基板上設(shè)置有交叉分布的數(shù)據(jù)線11 (Dl?D3)和柵線12(G1?G3),以及受同一數(shù)據(jù)線11和同一柵線12驅(qū)動的像素單元17,每一像素單元17中都設(shè)置有一塊狀的像素電極13,數(shù)據(jù)線11包括線寬不同的第一部分111和第二部分121,第一、第二部分和數(shù)據(jù)線11驅(qū)動的像素電極13之間形成的間距分別為dl和d2。具體而言,其中與第一、第二部分的邊緣相對的像素電極分別為第一像素電極13A和第二像素電極13B,第一像素電極13A和第二像素電極13B位于同一列且相鄰,dl為第一部分111與第一像素電極13A之間形成的間距,d2為第二部分121與第二像素電極13B之間形成的間距,dl Φ d2,第一部分111和第二部分121處與像素電極形成不同的壓差,產(chǎn)生較強的邊緣場效應(yīng),從而增大液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度,擴大視角。
[0095]作為上述第一實施例的一種優(yōu)選變形,上述第一部分111與第一像素電極13A之間形成的間距dl大于第一閾值,第二部分121與第二像素電極13B之間形成的間距d2小于第二閾值,第一閾值大于等于第二閾值。本實施例將第一閾值定義為只要數(shù)據(jù)線與像素電極之間形成的間距大于該第一閾值,數(shù)據(jù)線電勢的影響就小到可以忽略;將第二閾值定義為只要數(shù)據(jù)線到像素電極的距離小于該第二閾值,就會因數(shù)據(jù)線電勢的影響而在像素電極邊緣區(qū)域產(chǎn)生橫向電場。
[0096]具體到圖10而言,第一部分111與第一像素電極13A之間形成的間距dl大于第一閾值,因此,該像素區(qū)域的液晶分子只受第一像素電極13A與公共電極間垂直電場的影響,可保證色彩表現(xiàn)的真實性;第二部分121與第二像素電極13B之間形成的間距d2小于第二閾值,如圖11所示,該像素區(qū)域邊緣的液晶分子除受第二像素電極13B與公共電極間垂直電場的影響外,還受橫向電場的影響,可實現(xiàn)了寬視角,就整個顯示裝置而言,在實現(xiàn)寬視角的同時還可保證色彩還原的真實度。
[0097]如圖12所示,作為上述第一實施例的另一種優(yōu)選變形,第一部分111和第二部分121相互銜接,第一部分111和第二部分121相銜接的部分16對應(yīng)位于第一像素電極13A和第二像素電極13B之間的區(qū)域。由于不同寬度的數(shù)據(jù)線11在交接處,自然形成一面向像素電極13的突起,該突起處,數(shù)據(jù)線11與像素電極13的間距d存在突變,由此使得該突起處對應(yīng)的液晶分子具有更大的偏轉(zhuǎn)角,不需要另外單獨工藝形成擴大視角的輔助電極,節(jié)省工藝。
[0098]如圖13所示,作為上述第一實施例的又一種優(yōu)選變形,第二部分121線寬很大,導致第二部分121與第二像素電極13B相重疊或部分重疊。像素區(qū)域邊緣液晶分子受第二像素電極13B與數(shù)據(jù)線間橫向電場影響的更大,液晶分子具有更大的偏轉(zhuǎn)角,對現(xiàn)有液晶顯示器視角狹窄問題的改善效果更好。
[0099]圖14所示,為本實用新型的第二實施例,與第一實施例的不同之處在于,與線寬不同的第一部分111和第二部分121的邊緣相對的像素電極為同一個像素電極13,即dl和d2分別為第一部分111、第二部分121與同一像素電極13之間形成的間距,dl Φ d2,第一部分111和第二部分121處與像素電極13形成不同的壓差,產(chǎn)生較強的邊緣場效應(yīng),從而增大液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度,擴大視角。
[0100]圖15所示,為本實用新型的第三實施例,陣列基板上設(shè)置有交叉分布的數(shù)據(jù)線11 (Dl?D3)和柵線12(G1?G3),以及受同一數(shù)據(jù)線11和同一柵線12驅(qū)動的像素單元17,每一像素單元17在共用柵線12的上下兩側(cè)各設(shè)置有一塊狀的第一電極131和第二電極132,第一電極131和第二電極132共同構(gòu)成像素單元17的像素電極13,第一電極131和第二電極132數(shù)據(jù)線11包括線寬不同的第一部分111和第二部分121,dl為第一部分111與第一電極131之間形成的間距;d2為第二部分121與第二電極132之間形成的間距,dl Φ d2,第一部分111和第二部分121與像素電極13形成不同的壓差,產(chǎn)生較強的邊緣場效應(yīng),從而增大液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度,擴大視角。
[0101]同樣地,第二、第三實施例也存在相類似地變形,例如,dl大于第一閾值,d2小于第二閾值,第一閾值大于等于第二閾值(此時dl > d2));或者,又例如,第二部分121與像素電極13中的第二電極132相重疊。
[0102]最后需要說明的,本實施例中以塊狀的像素電極為例進行說明,但實際上像素電極的形狀并不限于此,例如還存在狹縫狀、梳狀等不規(guī)則形狀,對于像素電極為不規(guī)則形狀的情況,數(shù)據(jù)線與像素電極之間形成的間距d,例如上述的dl、d2,應(yīng)在同等條件下進行測量,這樣才具有可比性,例如,可以在第一像素電極13A、第二像素電極13B上選擇到相鄰柵線的長度相同的點作為各自的測量點,然后測量到數(shù)據(jù)線的距離,dl古d2(或dl > d2)。
[0103]本實施例提供一種陣列基板,其上的數(shù)據(jù)線由不同線寬的線段相互銜接而成,使得數(shù)據(jù)線與相鄰像素單元的像素電極(或與同一像素單元的像素電極)形成不同的壓差,產(chǎn)生較強的邊緣場效應(yīng),從而增大液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度,擴大視角。
[0104]實施例6
[0105]本實用新型實施例還提供一種顯示裝置,包括上述實施例中的任意一種陣列基板。
[0106]根據(jù)上述實施例中對陣列基板的描述,可知包括上述實施例陣列基板的顯示裝置具有寬視角的優(yōu)勢,所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0107]為了便于清楚說明,在本實用新型中采用了第一、第二等字樣對相似項進行類別區(qū)分,該第一、第二字樣并不在數(shù)量上對本實用新型進行限制,只是對一種優(yōu)選的方式的舉例說明,本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本實用新型公開的內(nèi)容,想到的顯而易見的相似變形或相關(guān)擴展均屬于本實用新型的保護范圍內(nèi)。
[0108]本實用新型中的各個實施例均采用遞進的方式描述,各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可,每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。
[0109]以上所述,僅為本實用新型的【具體實施方式】,但本實用新型的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此,本實用新型的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,包括:交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線,以及受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線驅(qū)動的像素單元,所述像素單元中設(shè)置有像素電極,其特征在于, 在數(shù)據(jù)線延伸方向,數(shù)據(jù)線和受所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距設(shè)置成不一致的取值,從而形成多個疇區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述像素電極至少包括第一電極和第二電極,所述第一電極與所述數(shù)據(jù)線之間形成的間距為dl,所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線形成的間距為d2, dl關(guān)d2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于, 所述第一電極和第二電極在鄰近邊緣相連接;或者,所述第一電極和第二電極相互分離,但均受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線驅(qū)動。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述像素單元包括第一像素單元和第二像素單元兩種,所述第一像素單元中設(shè)置有第一像素電極,所述第二像素單元中設(shè)置有第二像素電極; 所述第一像素電極與驅(qū)動所述第一像素電極的數(shù)據(jù)線之間形成的間距為dl,所述第二像素電極與驅(qū)動所述第二像素電極的數(shù)據(jù)線之間形成的間距為d2,dl Φ d2。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一像素單元、所述第二像素單元以下列方式形成兩種像素: 第一種像素中包括至少三個第一像素單元,第二種像素中包括至少三個第二像素單J Li ο
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述像素單元包括第一像素單元和第二像素單元兩種, 第一像素單元中,沿與數(shù)據(jù)線平行的方向上,所述第一電極位于所述第二電極的下方, 第二像素單元中,沿與數(shù)據(jù)線平行的方向上,所述第一電極位于所述第二電極的上方;并且, 位于同一像素單元中的所述第一電極和所述第二電極受同一數(shù)據(jù)線和同一柵線的驅(qū)動。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第一像素單元和所述第二像素單元以下列方式形成像素: 第一種像素中至少包括三個所述第一像素單元,第二種像素中至少包括三個所述第二像素單元,所述第一種像素和所述第二種像素在陣列基板上間隔排列;或者, 所述第一像素單元和所述第二像素單元沿柵線方向交替排列形成像素,該像素排列在陣列基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于, 所述數(shù)據(jù)線在延伸方向上呈彎折狀,包括:向第一方向彎折的第一部分和向第一方向的反方向彎折的第二部分,所述第一部分、所述第二部分與所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距分別為dl和d2, dl ^ d2o
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于, 所述數(shù)據(jù)線在延伸方向上具有不同的線寬,包括:線寬不同的第一部和第二部分,所述第一部分、所述第二部分與所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素電極之間形成的間距分別為dl和d2,dl Φ d20
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板,其特征在于,所述dl大于第一閾值,所述d2小于第二閾值,第一閾值大于等于第二閾值。
11.根據(jù)權(quán)利要求8、9、10任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述dl為所述第一部分與第一像素電極之間形成的間距,所述d2為所述第二部分與第二像素電極之間形成的間距,所述第一像素電極和所述第二像素電極位于同一列且相鄰。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板,其特征在于,所述第一部分和所述第二部分相銜接的部分對應(yīng)位于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板,其特征在于, 所述第二部分與所述第二像素電極相重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求8、9、10任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述dl和d2分別為所述第一部分、所述第二部分與同一所述像素電極之間形成的間距。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板,其特征在于, 所述第二部分與所述像素電極相重疊。
16.一種顯示裝置,其特征在于,包括:權(quán)利要求1-15任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1343GK204028529SQ201420467337
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月18日
【發(fā)明者】先建波, 喬勇, 程鴻飛, 李文波, 李盼 申請人:京東方科技集團股份有限公司
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