黑矩陣結構及制備方法、陣列基板、彩膜基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種黑矩陣結構及其制備方法、陣列基板、彩膜基板及顯示裝置，所述黑矩陣結構包括第一黑矩陣，以及所述第一黑矩陣圍成的呈陣列分布的多個預定開口區(qū)域，每個預定開口區(qū)域內(nèi)設置開口區(qū)，且至少一個預定開口區(qū)域內(nèi)設置一個或間隔設置的多個第二黑矩陣，第二黑矩陣的邊緣各處均與開口區(qū)接觸，或者，其與第一黑矩陣的至少一條邊接觸，且與第一黑矩陣的每條邊接觸的長度小于該第一黑矩陣與第二黑矩陣接觸的邊的長度。所述黑矩陣結構在減少開口區(qū)面積的同時，可以降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，從而可以改善“黑紋”不良。
【專利說明】黑矩陣結構及制備方法、陣列基板、彩膜基板及顯示裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術領域】，具體地，涉及一種黑矩陣結構及制備方法、陣列基板、彩膜基板及顯示裝置。

【背景技術】
[0002]像素是顯示裝置中的最小顯示單元，每個像素包括多個子像素，多個子像素內(nèi)分別設置有不同顏色的彩色濾光片，使多個子像素分別顯示相應的顏色；在顯示過程中，通過調(diào)節(jié)光線在每個子像素中的透過率，即多個子像素的亮度，使像素能顯示相應的亮度和色彩。
[0003]子像素所顯示的最大亮度與彩色濾光片的透光率(由種類及厚度等因素決定)、子像素的開口區(qū)面積有關。一般情況下，多個子像素中的彩色濾光片的透光率、開口區(qū)面積相同，以使每個像素內(nèi)的多個子像素所顯示的最大亮度相同，從而避免產(chǎn)生偏色。而在多個子像素中的彩色濾光片的透光率不同時，一般通過調(diào)節(jié)各子像素的開口區(qū)面積進行補償，以使各子像素所顯示的最大亮度相同。
[0004]以每個像素包括R子像素、G子像素和B子像素為例，為了實現(xiàn)某種特定的高色域顯示，G子像素可能需要采用顏色飽和度較大的彩色濾光片(其透光率較低)，在此情況下，如圖1所示，一般通過增加R子像素和B子像素中環(huán)繞開口區(qū)12的黑矩陣15的寬度，減少R子像素和B子像素的開口區(qū)12的面積，從而降低R子像素和B子像素所能顯示的最大亮度，使各子像素所顯示的最大亮度相同。
[0005]但在實際中，增加黑矩陣15的寬度容易造成黑矩陣15的寬度過寬，從而使觀看者會觀察到“黑紋”，特別是在單位面積內(nèi)的像素數(shù)量較少(PPI較低)的情況下，這種“黑紋”不良就更加嚴重。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提出了一種黑矩陣結構及其制備方法、陣列基板、彩膜基板及顯示裝置，所述黑矩陣結構可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，從而改善“黑紋”不良。
[0007]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種黑矩陣結構，包括第一黑矩陣，以及所述第一黑矩陣圍成的呈陣列分布的多個預定開口區(qū)域，其特征在于，每個所述預定開口區(qū)域內(nèi)設置開口區(qū)，且至少一個所述預定開口區(qū)域內(nèi)設置一個或間隔設置的多個第二黑矩陣，所述第二黑矩陣的邊緣各處均與開口區(qū)接觸，或者，所述第二黑矩陣與所述第一黑矩陣的至少一條邊接觸，且與所述第一黑矩陣的每條邊接觸的長度小于該第一黑矩陣與第二黑矩陣接觸的邊的長度。
[0008]其中，所述第二黑矩陣的數(shù)量為多個，且所述多個第二黑矩陣在所述預定開口區(qū)域內(nèi)均勻設置。
[0009]其中，所述第一黑矩陣和所述第二黑矩陣在一次構圖工藝中形成。
[0010]其中，具有所述第二黑矩陣的子像素的所述預定開口區(qū)域內(nèi)還包括第三黑矩陣，所述第三黑矩陣與所述第一黑矩陣的一條或多條邊接觸，且與其中至少一條邊接觸的長度等于所述第一黑矩陣的與該所述第三黑矩陣接觸的邊的長度。
[0011]其中，所述第三黑矩陣與所述第一黑矩陣、所述第二黑矩陣在一次構圖工藝中形成。
[0012]其中，所述第二黑矩陣為多邊形、圓形或橢圓形。
[0013]其中，所述第二黑矩陣在至少一個方向上的尺寸小于人眼所能觀察的最小長度。
[0014]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種上述黑矩陣結構的制備方法，包括:制備上述第一黑矩陣的步驟和在至少一個預定開口區(qū)域內(nèi)制備上述第二黑矩陣的步驟。
[0015]其中，通過一次構圖工藝形成所述第一黑矩陣和所述第二黑矩陣的圖形。
[0016]其中，還包括在制備所述第二黑矩陣的所述預定開口區(qū)域內(nèi)制備上述第三黑矩陣的步驟。
[0017]其中，通過一次構圖工藝形成所述第一黑矩陣、所述第二黑矩陣和所述第三黑矩陣的圖形。
[0018]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種陣列基板，所述陣列基板包括本發(fā)明提供的上述黑矩陣結構。
[0019]其中，所述陣列基板包括多個像素，每個所述像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素，每個子像素包括一個預定開口區(qū)域；所述綠色子像素的開口區(qū)等于所述預定開口區(qū)域，所述紅色子像素和所述藍色子像素的所述預定開口區(qū)域內(nèi)設置有第二黑矩陣。
[0020]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種彩膜基板，所述彩膜基板包括本發(fā)明提供的上述黑矩陣結構。
[0021]其中，所述彩膜基板包括多個像素，每個所述像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素，每個子像素包括一個預定開口區(qū)域；所述綠色子像素的開口區(qū)等于所述預定開口區(qū)域，所述紅色子像素和所述藍色子像素的所述預定開口區(qū)域內(nèi)設置有第二黑矩陣。
[0022]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明提供的上述陣列基板，或者，包括本發(fā)明提供的上述彩膜基板。
[0023]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0024]本發(fā)明提供的黑矩陣結構，其設置第二黑矩陣的邊緣各處均與開口區(qū)接觸，或者，設置第二黑矩陣與第一黑矩陣的至少一條邊接觸，且與第一黑矩陣的每條邊接觸的長度小于該第一黑矩陣與第二黑矩陣接觸的邊的長度，可以避免第二黑矩陣與第一黑矩陣融合而形成一個為寬度和面積較大的黑矩陣區(qū)域，或者，減少第二黑矩陣與第一黑矩陣融合后的黑矩陣區(qū)域的厚度和面積，與現(xiàn)有技術相比，這樣可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0025]本發(fā)明提供的黑矩陣結構的制備方法，其制備的黑矩陣結構可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0026]本發(fā)明提供的陣列基板，其采用本發(fā)明提供的上述黑矩陣結構，可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0027]本發(fā)明提供的彩膜基板，其采用本發(fā)明提供的上述黑矩陣結構，可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0028]本發(fā)明提供的顯示裝置，其采用本發(fā)明提供的上述陣列基板或彩膜基板，可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0030]圖1為現(xiàn)有的一種黑矩陣結構的示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明黑矩陣結構的實施方式的示意圖；
[0032]圖3為第二黑矩陣與第一黑矩陣的三個邊接觸的示意圖；
[0033]圖4為第二黑矩陣與第一黑矩陣的一個邊接觸的示意圖；
[0034]圖5為第二黑矩陣不與第一黑矩陣接觸的示意圖；
[0035]圖6為第二黑矩陣的形狀為矩形或三角形的示意圖；
[0036]圖7為第二黑矩陣的形狀為圓形的示意圖；
[0037]圖8為第二黑矩陣的形狀為橢圓形的示意圖；
[0038]圖9為第三黑矩陣的示意圖。
[0039]其中，附圖標記:
[0040]1:子像素；10:預定開口區(qū)域；11:第一黑矩陣；12:開口區(qū)；13:第二黑矩陣；14:第三黑矩陣；15:黑矩陣。

【具體實施方式】
[0041]以下結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0042]請參看圖2，圖2為本發(fā)明黑矩陣結構的實施方式的示意圖。在本實施方式中，黑矩陣結構包括第一黑矩陣11，以及所述第一黑矩陣11圍成的呈陣列分布的多個預定開口區(qū)域10，每個預定開口區(qū)域10內(nèi)設置開口區(qū)12，至少一個預定開口區(qū)域內(nèi)設置一個或間隔設置的多個第二黑矩陣13，第二黑矩陣13的邊緣各處均與開口區(qū)12接觸，即第二黑矩陣13與第一黑矩陣11不接觸，或者第二黑矩陣13與第一黑矩陣11的至少一條邊接觸，且與第一黑矩陣11的每條邊接觸的長度小于該第一黑矩陣11的邊的長度。
[0043]通常，每個像素包括多個子像素1，每個預定開口區(qū)域10與一個子像素I相對應。具體地，每個像素可以包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素；在本實施方式中，根據(jù)需要，可以設置綠色子像素的開口區(qū)等于其預定開口區(qū)域，紅色子像素和藍色子像素的預定開口區(qū)域內(nèi)設置有第二黑矩陣。
[0044]一般地，陣列基板包括柵線、信號線及其他信號線，以及像素電極和薄膜晶體管，其中，柵線、數(shù)據(jù)線及其他信號線和薄膜晶體管所在區(qū)域存在不受控制的電場。在本實施方式中，第一黑矩陣11用于遮蔽柵線、數(shù)據(jù)線及其他信號線，以及薄膜晶體管所在區(qū)域，以避免上述區(qū)域的不受控制的電場影響顯示效果。而所謂“預定開口區(qū)域10”是指第一黑矩陣11外的區(qū)域。
[0045]具體地，在黑矩陣結構中，根據(jù)各個子像素I所需具有的開口率及開口區(qū)12的面積，在一個或多個子像素的預定開口區(qū)域10內(nèi)設置一個或多個第二黑矩陣13，并根據(jù)需要，確定位于預定開口區(qū)域10內(nèi)的所有第二黑矩陣13的面積。例如，對于RGB像素結構，為了實現(xiàn)某種特定的高色域顯示，G子像素可能需要采用顏色飽和度較大的彩色濾光片，其透光率最低，R子像素的透過率次之，B子像素的透過率最高，所以最終形成的開口區(qū)域的面積的關系為，G子像素的面積>R子像素的面積>R子像素的面積，具體的面積比例需要根據(jù)所采用的材料種類以及顯示目標進行計算并設定。
[0046]在本實施方式中，第二黑矩陣13的邊緣各處均與開口區(qū)12接觸，或者第二黑矩陣13與第一黑矩陣11的至少一條邊接觸，且與第一黑矩陣11的每條邊接觸的長度小于該第一黑矩陣11的邊的長度，其具體包括三種情形:①第二黑矩陣13與第一黑矩陣11的兩個或兩個以上的邊接觸，如圖2、圖3所示；②第二黑矩陣13與第一黑矩陣11的一個邊接觸，如圖4所示；③第二黑矩陣13不與第一黑矩陣11的任何一邊接觸，如圖5所示。
[0047]首先，參看圖2，第二黑矩陣13的數(shù)量為多個，其間隔設置，且每個第二黑矩陣13的兩個邊分別與第一黑矩陣11的兩個邊接觸，且每個接觸區(qū)的長度小于該接觸區(qū)所接觸的第一黑矩陣11的邊的長度，從圖中可以看出，第二黑矩陣13與第一黑矩陣11之間具有未被黑矩陣覆蓋的區(qū)域，即開口區(qū)12，也就是說，第一黑矩陣11與第二黑矩陣13之間被開口區(qū)12隔開，在此情況下，雖然第一黑矩陣11與第二黑矩陣13接觸，但其二者的寬度并未疊加，也沒有形成一個寬度和面積較大的黑矩陣區(qū)域，與現(xiàn)有技術相比，這樣可以降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0048]參看圖3，第二黑矩陣13的數(shù)量為一個，其與第一黑矩陣11的三個邊接觸，且每個接觸區(qū)的長度小于該接觸區(qū)所接觸的第一黑矩陣11的邊的長度，從圖中可以看出，與圖2所示情形類似，第一黑矩陣11與第二黑矩陣13之間也被開口區(qū)12隔開，從而也可以降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0049]參看圖4，第二黑矩陣13的數(shù)量為多個，其間隔設置，每個第二黑矩陣13與第一黑矩陣11的一個邊接觸，且該接觸區(qū)的長度小于該接觸區(qū)所接觸的第一黑矩陣11的邊的長度，從圖中可以看出，在第一黑矩陣11和第二黑矩陣13的接觸區(qū)兩側(cè)的區(qū)域(若第二黑矩陣13與第一黑矩陣11的接觸區(qū)在第一黑矩陣11的邊的邊緣，則為接觸區(qū)一側(cè)的區(qū)域)，由于不設有第二黑矩陣13，其厚度較小，與現(xiàn)有技術相比，這樣減少了第一黑矩陣11與第二黑矩陣13合并在一起的黑矩陣圖形的寬度和面積，可以使觀看者看到的“黑紋”減小，或者，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，從而可以改善“黑紋”不良。
[0050]參看圖5，第二黑矩陣13的數(shù)量為多個，其間隔設置，且第二黑矩陣13的邊緣各處均與所述開口區(qū)12接觸，也就是，第二黑矩陣13與第一黑矩陣11不接觸，由此可以確定，并從圖5中看出，第一黑矩陣11和第二黑矩陣13不會融合在一起，形成一個一體的寬度和面積較大的黑矩陣區(qū)域，與現(xiàn)有技術相比，這樣可以降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，改善“黑紋”不良。
[0051]根據(jù)上述可知，在本實施方式中，設置第二黑矩陣13的邊緣各處均與開口區(qū)12接觸，或者，設置第二黑矩陣13與第一黑矩陣11的至少一條邊接觸，且與第一黑矩陣11的每條邊接觸的長度小于該第一黑矩陣11的邊的長度，可以避免第二黑矩陣13與第一黑矩陣11融合而形成一個為寬度和面積較大的黑矩陣區(qū)域，或者，減少第二黑矩陣13與第一黑矩陣11融合后的黑矩陣區(qū)域的厚度和面積，與現(xiàn)有技術相比，這樣可以降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0052]在本實施方式中，優(yōu)選地，具有第二黑矩陣13的預定開口區(qū)域10內(nèi)的所述第二黑矩陣13的數(shù)量為多個；與僅設置一個黑矩陣13的實施例相比，這樣可以在開口區(qū)12的面積相同(即預定開口區(qū)域10內(nèi)的所有第二黑矩陣13的面積相同)時，使每個第二黑矩陣13的面積較小，從而使第二黑矩陣13不易被觀看者觀察到。進一步優(yōu)選地，所述多個第二黑矩陣13在所述預定開口區(qū)域10內(nèi)均勻設置，這樣可以避免多個第二黑矩陣13在某一區(qū)域內(nèi)聚集，導致觀看者觀察到“黑紋”。
[0053]具體地，所述第一黑矩陣11和第二黑矩陣13在一次構圖工藝中形成；這樣就不會增加制備黑矩陣結構的工藝流程，使生產(chǎn)效率及生產(chǎn)成本基本保持不變。
[0054]在本實施方式中，第二黑矩陣13的形狀可以為矩形，如圖2、圖4、圖5中所示出的，還可以為三角形等其他多邊形，此外，還可以為圓形、橢圓形及其他形狀。具體地，根據(jù)顯示裝置使用過程中，人眼距離顯示裝置之間的距離，設定第二黑矩陣13的形狀、面積等參數(shù)，使人眼在距離顯示裝置正常使用距離時，不會觀察到第二黑矩陣13。優(yōu)選地，設置所述第二黑矩陣13在至少一個方向上的尺寸小于人眼所能觀察的最小長度，以使觀看者在距離顯示裝置的任何距離范圍內(nèi)都不會觀察到第二黑矩陣13，從而徹底避免產(chǎn)生“黑紋”不良。一般地，人眼所能觀察到的最小長度為0.2_。例如在第二黑矩陣13的形狀為矩形或三角形時，如圖6所示，第二黑矩陣13的長度最短的一個邊的長度小于人眼所能觀察的最小長度；在第二黑矩陣13為圓形時，如圖7所示，圓形的直徑小于人眼所能觀察的最小長度；在第二黑矩陣13為橢圓形，如圖8所示，橢圓形的短軸小于人眼所能觀察的最小長度。
[0055]除上述圖2?圖5所示實施例外，在本實施方式中，如圖9所示，具有第二黑矩陣13的子像素的預定開口區(qū)域10內(nèi)還可以包括第三黑矩陣14，所述第三黑矩陣14與第一黑矩陣11的一條或多條邊接觸，且與其中至少一條邊接觸的長度等于所述第一黑矩陣11與該第三黑矩陣14接觸的邊的長度。從圖中可以看出，第一黑矩陣11和第三黑矩陣14的寬度疊加，形成一個寬度和面積較大的黑矩陣區(qū)域；但由于預定開口區(qū)域10內(nèi)還設有第二黑矩陣13，與現(xiàn)有技術相比，在開口區(qū)12的面積相同(也就是說，預定開口區(qū)域10內(nèi)的所有黑矩陣的面積之和相同)時，第三黑矩陣14的面積小于現(xiàn)有技術中位于預定開口區(qū)域10內(nèi)的黑矩陣的面積，因此，本實施例中第一黑矩陣11與第三黑矩陣14所形成的黑矩陣區(qū)域的寬度和面積小于現(xiàn)有技術中形成的黑矩陣區(qū)域的寬度和面積，從而與現(xiàn)有技術相比，可以在一定程度上降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者觀察到的“黑紋”較小，從而可以改善“黑紋”不良。優(yōu)選地，所述第三黑矩陣14與第一黑矩陣11、第二黑矩陣13在一次構圖工藝中形成，這樣就不會增加制備黑矩陣結構的工藝流程，使生產(chǎn)效率及生產(chǎn)成本基本保持不變。
[0056]本實施方式提供的黑矩陣結構，其設置第二黑矩陣13的邊緣各處均與開口區(qū)12接觸，或者，設置第二黑矩陣13與第一黑矩陣11的至少一條邊接觸，且與第一黑矩陣11的每條邊接觸的長度小于該第一黑矩陣11的邊的長度，可以避免第二黑矩陣13與第一黑矩陣11融合而形成一個為寬度和面積較大的黑矩陣區(qū)域，或者，減少第二黑矩陣13與第一黑矩陣11融合后的黑矩陣區(qū)域的厚度和面積，與現(xiàn)有技術相比，這樣可以在減少開口區(qū)12面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0057]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種黑矩陣結構的制備方法的實施方式。在本實施方式中，黑矩陣結構的制備方法用于制備本發(fā)明上述實施方式提供的黑矩陣結構，其具體包括制備第一黑矩陣的步驟和在至少一個預定開口區(qū)域內(nèi)制備第二黑矩陣的步驟；所制備的第一黑矩陣和第二黑矩陣如上述黑矩陣結構的實施方式所述，以及相應的附圖所
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[0058]具體地，通過一次構圖工藝形成第一黑矩陣和第二黑矩陣的圖形；這樣就不會增加制備黑矩陣結構的工藝流程，使生產(chǎn)效率及生產(chǎn)成本基本保持不變。
[0059]所述黑矩陣結構的制備方法還可以包括:在制備第二黑矩陣的預定開口區(qū)域內(nèi)制備第三黑矩陣的步驟，所制備的第三黑矩陣如上述黑矩陣結構的實施方式所述，以及相應的附圖所示。具體地，通過一次構圖工藝形成第一黑矩陣、第二黑矩陣和第三黑矩陣的圖形；這樣就不會增加制備黑矩陣結構的工藝流程，使生產(chǎn)效率及生產(chǎn)成本基本保持不變。
[0060]本實施方式提供的黑矩陣結構的制備方法，其制備的黑矩陣結構可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0061 ] 作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種陣列基板的實施方式，在本實施方式中，陣列基板包括本發(fā)明上述實施方式提供的黑矩陣結構。
[0062]優(yōu)選地，所述陣列基板包括多個像素，每個像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素，每個子像素包括一個預定開口區(qū)域；所述綠色子像素的開口區(qū)等于所述預定開口區(qū)域，所述紅色子像素和所述藍色子像素的預定開口區(qū)域內(nèi)設置有第二黑矩陣。
[0063]本實施方式提供的陣列基板，其采用本發(fā)明上述實施方式提供的黑矩陣結構，可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0064]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種彩膜基板的實施方式，在本實施方式中，彩膜基板包括本發(fā)明上述實施方式提供的黑矩陣結構。
[0065]優(yōu)選地，所述彩膜基板包括多個像素，每個像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素，每個子像素包括一個預定開口區(qū)域；所述綠色子像素的開口區(qū)等于所述預定開口區(qū)域，所述紅色子像素和所述藍色子像素的預定開口區(qū)域內(nèi)設置有第二黑矩陣。
[0066]本實施方式提供的彩膜基板，其采用本發(fā)明上述實施方式提供的黑矩陣結構，可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0067]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種顯不裝置的實施方式，在本實施方式中，顯示裝置包括本發(fā)明上述實施方式提供的陣列基板，或者包括本發(fā)明上述實施方式提供的彩膜基板。
[0068]本實施方式提供的顯示裝置，其采用本發(fā)明上述實施方式提供的陣列基板或彩膜基板，可以在減少開口區(qū)面積的同時，降低觀看者觀察到黑矩陣圖形的幾率，以及使觀看者看到的“黑紋”減小，從而可以改善“黑紋”不良。
[0069]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種黑矩陣結構，包括第一黑矩陣，以及所述第一黑矩陣圍成的呈陣列分布的多個預定開口區(qū)域，其特征在于，每個所述預定開口區(qū)域內(nèi)設置開口區(qū)，且至少一個所述預定開口區(qū)域內(nèi)設置一個或間隔設置的多個第二黑矩陣，所述第二黑矩陣的邊緣各處均與開口區(qū)接觸，或者，所述第二黑矩陣與所述第一黑矩陣的至少一條邊接觸，且與所述第一黑矩陣的每條邊接觸的長度小于該所述第一黑矩陣與所述第二黑矩陣接觸的邊的長度。
2.根據(jù)權利要求1所述的黑矩陣結構，其特征在于，所述第二黑矩陣的數(shù)量為多個，且所述多個第二黑矩陣在所述預定開口區(qū)域內(nèi)均勻設置。
3.根據(jù)權利要求1所述的黑矩陣結構，其特征在于，所述第一黑矩陣和所述第二黑矩陣在一次構圖工藝中形成。
4.根據(jù)權利要求1所述的黑矩陣結構，其特征在于，具有所述第二黑矩陣的所述預定開口區(qū)域內(nèi)還包括第三黑矩陣，所述第三黑矩陣與所述第一黑矩陣的一條或多條邊接觸，且與其中至少一條邊接觸的長度等于所述第一黑矩陣與該所述第三黑矩陣接觸的邊的長度。
5.根據(jù)權利要求4所述的黑矩陣結構，其特征在于，所述第三黑矩陣與所述第一黑矩陣、所述第二黑矩陣在一次構圖工藝中形成。
6.根據(jù)權利要求1所述的黑矩陣結構，其特征在于，所述第二黑矩陣為多邊形、圓形或橢圓形。
7.根據(jù)權利要求1?6任意一項所述的黑矩陣結構，其特征在于，所述第二黑矩陣在至少一個方向上的尺寸小于人眼所能觀察的最小長度。
8.—種權利要求1至7中任意一項所述的黑矩陣結構的制備方法，其特征在于，包括: 制備權利要求1所述第一黑矩陣的步驟和在至少一個所述預定開口區(qū)域內(nèi)制備權利要求I所述第二黑矩陣的步驟。
9.根據(jù)權利要求8所述的黑矩陣結構的制備方法，其特征在于，通過一次構圖工藝形成所述第一黑矩陣和所述第二黑矩陣的圖形。
10.根據(jù)權利要求8所述的黑矩陣結構的制備方法，其特征在于，還包括在制備所述第二黑矩陣的預定開口區(qū)域內(nèi)制備權利要求4所述第三黑矩陣的步驟。
11.根據(jù)權利要求10所述的黑矩陣結構的制備方法，其特征在于，通過一次構圖工藝形成所述第一黑矩陣、所述第二黑矩陣和所述第三黑矩陣的圖形。
12.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權利要求1?7任意一項所述的黑矩陣結構。
13.根據(jù)權利要求12所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括多個像素，每個所述像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素，每個子像素包括一個預定開口區(qū)域； 所述綠色子像素的開口區(qū)等于所述預定開口區(qū)域，所述紅色子像素和所述藍色子像素的所述預定開口區(qū)域內(nèi)設置有第二黑矩陣。
14.一種彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板包括權利要求1?7任意一項所述的黑矩陣結構。
15.根據(jù)權利要求14所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板包括多個像素，每個像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素，每個子像素包括一個預定開口區(qū)域； 所述綠色子像素的開口區(qū)等于所述預定開口區(qū)域，所述紅色子像素和所述藍色子像素的預定開口區(qū)域內(nèi)設置有第二黑矩陣。
16.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求12或13所述的陣列基板，或者，包括權利要求14或15所述的彩膜基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK104375319SQ201410720401
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年12月1日 優(yōu)先權日:2014年12月1日
【發(fā)明者】占紅明, 林麗鋒, 邵喜斌, 陳明, 金 雄, 布占場, 馬禹, 楊同華 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司