一種陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及液晶顯示面板，所述陣列基板上形成有矩陣排列的多個像素電極，每個所述像素電極上形成有多個凸起結(jié)構(gòu)；其中，在一行像素電極中，兩端的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離大于中間的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離。通過上述方式，本發(fā)明能夠提高畫面亮度的均勻性。
【專利說明】一種陣列基板及液晶顯示面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板具有可視角度大、響應速度快、色彩還原準確、功耗低等優(yōu)點，為目前市場主流的顯示面板。
[0003]驅(qū)動液晶顯示面板顯示時，通常是采用行掃描方式進行驅(qū)動，每個掃描時刻由掃描驅(qū)動器施加掃描信號至一條掃描線中以驅(qū)動一行開關(guān)器件打開，然后數(shù)據(jù)驅(qū)動器施加顯示信號至一行像素電極中以實現(xiàn)液晶顯示面板的畫面顯示。
[0004]在驅(qū)動電路中，掃描線的兩端通常各自連接掃描驅(qū)動器，掃描信號是由掃描線兩端的掃描驅(qū)動器輸入。然而，由于掃描線的信號的阻容延遲(RC Delay)，導致輸入至掃描線的掃描信號波形發(fā)生失真，即從掃描線兩端輸入的原本波形正常的掃描信號在向掃描線的中間傳輸時，受掃描線的RC Delay影響,掃描信號會逐漸減小,在傳輸?shù)街虚g的掃描線時掃描信號的減小程度尤為嚴重，從而導致液晶顯示面板中間的像素電極的充電率降低，使得液晶顯示面板中間的像素電極的電壓低于液晶顯示面板兩側(cè)邊的像素電極的電壓，造成液晶顯示面板的中間區(qū)域的亮度低于兩側(cè)邊區(qū)域的亮度，即出現(xiàn)液晶顯示面板“兩側(cè)發(fā)白”的現(xiàn)象，降低液晶顯示面板亮度的均勻性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及液晶顯示面板，能夠提高畫面亮度的均勻性。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，所述陣列基板上形成有矩陣排列的多個像素電極，每個所述像素電極上形成有多個凸起結(jié)構(gòu)；其中，在一行像素電極中，兩端的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離大于中間的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離。
[0007]其中，在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞增。
[0008]其中，在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)的大小由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞減，以使得所述凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞增。
[0009]其中，在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極每間隔預定距離逐級遞增，所述預定距離內(nèi)至少包括兩個像素電極，且在同一所述預定距離內(nèi)的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離相等。
[0010]其中，所述陣列基板包括絕緣層，所述像素電極為整片的透明電極層，并覆蓋于所述絕緣層上，所述絕緣層設(shè)置有多個凸起區(qū)域，以使得所述像素電極上形成有多個所述凸起結(jié)構(gòu)。
[0011]其中，所述凸起結(jié)構(gòu)的截面形狀為三角形。
[0012]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示面板，包括陣列基板、彩色濾光基板以及位于所述陣列基板和所述彩色濾光基板之間的液晶層；所述陣列基板上形成有矩陣排列的多個像素電極，每個所述像素電極上形成有多個凸起結(jié)構(gòu)；其中，在一行像素電極中，兩端的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離大于中間的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離。
[0013]其中，在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞增。
[0014]其中，在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)的大小由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞減，以使得所述凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞增。
[0015]其中，所述陣列基板包括絕緣層，所述像素電極為整片的透明電極層，并覆蓋于所述絕緣層上，所述絕緣層設(shè)置有多個凸起區(qū)域，以使得所述像素電極上形成有多個所述凸起結(jié)構(gòu)。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的陣列基板中，像素電極上形成有多個凸起結(jié)構(gòu)，在一行像素電極中，通過使兩端的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離大于中間的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離，由此可使得兩端的像素電極處的電場強度低于中間的像素電極處的電場強度，而電場強度越弱，對液晶分子的控制能力越低，液晶的偏轉(zhuǎn)程度也越低，因此在施加電壓時兩端的像素電極處對應的液晶分子的偏轉(zhuǎn)程度低于中間的像素電極處對應的液晶分子的偏轉(zhuǎn)程度，從而可以使得兩端處的液晶分子對光線的透過率低于中間處的液晶分子對光線的透過率，通過降低兩側(cè)液晶分子對光線的透過率，以抵消兩側(cè)畫面由于掃描信號延遲問題所造成的過高亮度，進而使得兩側(cè)畫面亮度和中間畫面亮度之間的差異變小，甚至趨近于相同，由此可提高畫面亮度的均勻性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明陣列基板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是圖1的陣列基板沿⑶方向的截面圖；
[0019]圖3是本發(fā)明陣列基板另一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4是圖3的陣列基板沿EF方向的截面圖；
[0021]圖5是本發(fā)明陣列基板又一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖6是圖5的陣列基板沿麗方向的截面圖；
[0023]圖7是本發(fā)明陣列基板又一實施方式的截面圖；
[0024]圖8是本發(fā)明液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0025]下面將結(jié)合附圖和實施方式對本發(fā)明進行詳細說明。
[0026]參閱圖1和圖2，圖1是本發(fā)明陣列基板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1所示的陣列基板沿CD方向的截面圖，也即一行像素電極的截面圖，其中，圖2中僅示出了凸起結(jié)構(gòu)的截面圖形。本實施方式中，陣列基板上形成有矩陣排列的多個像素電極11，還形成有用于驅(qū)動像素電極11的多條掃描線12、多條數(shù)據(jù)線13以及薄膜晶體管14。像素電極11與薄膜晶體管14的漏極連接，掃描線12與薄膜晶體管14的柵極連接，用于控制薄膜晶體管14的導通和關(guān)閉，數(shù)據(jù)線13與薄膜晶體管14的源極連接，用于在薄膜晶體管14導通時通過薄膜晶體管14將顯示信號輸入至像素電極11中。本實施方式中，采用行掃描方式進行掃描，一條掃描線12用于驅(qū)動一行像素電極11。
[0027]其中，每個像素電極11上形成有多個凸起結(jié)構(gòu)111。凸起結(jié)構(gòu)111用于實現(xiàn)液晶分子的配向。如圖1所示，本實施方式中，像素電極11上的凸起結(jié)構(gòu)111呈米字型，具有四個不同的傾斜方向，在施加電壓時，凸起結(jié)構(gòu)111表面的電場強度和凸起結(jié)構(gòu)111之間的凹陷處的電場強度不一致，使得該部分區(qū)域的電場線傾斜，液晶分子在傾斜的電場線的沿特定方向偏轉(zhuǎn)傾斜，最終形成四個液晶分子傾倒方向不同的液晶區(qū)域，從而實現(xiàn)液晶分子的多疇取向，有利于增大視角。
[0028]其中，在一行像素電極11中，對于不同像素電極11而言，兩端的像素電極I l_a上的凸起結(jié)構(gòu)111-a間的距離大于中間的像素電極ΙΙ-b上的凸起結(jié)構(gòu)111-b間的距離。如圖2所示，中間的像素電極ΙΙ-b上的凸起結(jié)構(gòu)111-b和兩端的像素電極ΙΙ-a上的凸起結(jié)構(gòu)111-a形狀相同，大小不同，即中間的像素電極ΙΙ-b上的凸起結(jié)構(gòu)111-b大于兩端的像素電極ΙΙ-a上的凸起結(jié)構(gòu)111-a，中間的像素電極ll_b上的每個凸起結(jié)構(gòu)lll_b與像素電極ΙΙ-b的接觸面積大于兩端的像素電極ΙΙ-a上的每個凸起結(jié)構(gòu)ΙΙ-a與像素電極ll_a的接觸面積，由此在排列位置大致相同的情況下，可使得兩端的像素電極ΙΙ-a上的凸起結(jié)構(gòu)111-a間的距離大于中間的像素電極ΙΙ-b上的凸起結(jié)構(gòu)111-b間的距離。
[0029]其中，兩端像素電極ΙΙ-a上的凸起結(jié)構(gòu)111-a的大小可根據(jù)實際掃描信號的失真程度進行設(shè)置，能夠滿足液晶取向要求的同時，使得凸起結(jié)構(gòu)111-a間的距離大于中間像素電極ΙΙ-b上的凸起結(jié)構(gòu)111-b間的距離即可。
[0030]在通電時，凸起結(jié)構(gòu)111表面的電場強度大于凸起結(jié)構(gòu)111之間的凹陷處的電場強度。對于兩端的像素電極ΙΙ-a而言，其凸起結(jié)構(gòu)111-a之間的距離大于中間像素電極ΙΙ-b上的凸起結(jié)構(gòu)111-b之間的距離，即兩端的像素電極ΙΙ-a的凸起結(jié)構(gòu)lll_a間的凹陷區(qū)域面積大于中間的像素電極ΙΙ-b的凹陷區(qū)域面積，從而使得兩端的像素電極ΙΙ-a處的總體電場強度低于中間的像素電極ΙΙ-b處的總體電場強度，即通過使兩端的像素電極ΙΙ-a的凸起結(jié)構(gòu)111-a間的距離較大以弱化兩端的像素電極ll_a產(chǎn)生的電場線。而電場強度越低，對液晶分子的控制能力越低，從而液晶分子的偏轉(zhuǎn)程度也越低，使得液晶分子對光線的透過率也越低。因此，兩端的像素電極處的液晶分子對光線的透過率低于中間的像素電極處的液晶分子對光線的透過率，使得對應于兩端像素電極的兩側(cè)邊畫面的亮度低于對應于中間像素電極的中間畫面的亮度，由此抵消由于掃描信號延遲所引起兩側(cè)邊畫面的高亮度，使得兩側(cè)邊畫面的亮度和中間畫面的亮度趨近于相同，從而消除“兩側(cè)發(fā)白”的現(xiàn)象，提高畫面亮度的均勻性。
[0031 ] 其中，本實施方式所述的一行像素電極是指沿行方向延伸且用于驅(qū)動該行像素電極的一條掃描線所對應的像素電極。在其他實施方式中，當采用列掃描方式進行掃描時，即掃描線的延伸方向為列方向且一條掃描線用于驅(qū)動一列像素電極時，所述的一行像素電極則是指代一列像素電極，此時，一列像素電極中，兩端的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離大于中間的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離。
[0032]在本發(fā)明陣列基板另一實施方式中，參閱圖3和圖4，在一行像素電極31中，對于不同像素電極31而言，兩端的像素電極31-a上的凸起結(jié)構(gòu)311-a和中間的像素電極31_b上的凸起結(jié)構(gòu)311-b也可以是大小和形狀均相同，而數(shù)量不同。兩端的像素電極31-a上的凸起結(jié)構(gòu)311-a與像素電極31-a的接觸面積和中間的像素電極31_b上的凸起結(jié)構(gòu)311_b與像素電極31-b的接觸面積相同，通過減少兩端的像素電極31-a上的凸起結(jié)構(gòu)311-a的數(shù)量，以使得兩端的像素電極31-a上的凸起結(jié)構(gòu)311-a間的距離大于中間的像素電極3l_b上的凸起結(jié)構(gòu)311-a間的距離，進而弱化兩端的像素電極31-a的電場強度，以減弱兩端的像素電極31-a對液晶分子的控制能力，從而降低兩端的像素電極31-a處的光線透過率，以消除“兩側(cè)發(fā)白”的現(xiàn)場。
[0033]需要說明的是，上述實施方式中，中間的像素電極ΙΙ-b僅是標示了一個像素電極，兩端的像素電極ΙΙ-a也各是標示一個像素電極，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，根據(jù)掃描信號的失真程度，中間的像素電極ΙΙ-b可以是表不位于中間區(qū)域的對應于掃描信號失真程度相近的兩個或更多個像素電極，兩端的像素電極ΙΙ-a可以是表示位于兩側(cè)邊區(qū)域的對應于掃描信號失真程度相近的兩個或更多個像素電極。具體而言，可以根據(jù)掃描信號失真的程度，在一行像素電極中，使位于中間區(qū)域的多個像素電極上凸起結(jié)構(gòu)間的距離大于位于兩側(cè)邊區(qū)域的多個像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離。
[0034]為了進一步提高畫面亮度的均勻性，在本發(fā)明陣列基板的又一實施方式中，如圖5和圖6所示，在一行像素電極51中，凸起結(jié)構(gòu)511間的距離由中間的像素電極51-b至兩端的像素電極51-a依次遞增。掃描信號自掃描線兩端輸入掃描線中，因此掃描信號的失真程度為自掃描線兩端向中間逐漸加深，使得畫面亮度由掃描線中間至兩端越來越亮。本實施方式通過使凸起結(jié)構(gòu)511間的距離由中間的像素電極51-b至兩端的像素電極51-a依次遞增，即相鄰兩個像素電極51上的凸起結(jié)構(gòu)511間的距離不相同，且越靠近兩端的像素電極51上的凸起結(jié)構(gòu)511間的距離越大。由此，在通電的時候，可使得一行像素電極51中，在像素電極51處的總體電場強度自中間向兩端依次遞減，從而使得光線的透過率自中間向兩端依次遞減，以抵消由于掃描信號的漸變失真造成的亮度由中間至兩端逐漸增大，能夠使得各處的穿透率大致相同，進一步提高畫面亮度的均勻性。
[0035]其中，本實施方式中，通過改變凸起結(jié)構(gòu)的大小以改變不同像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離。如圖6所示，在一行像素電極61中，凸起結(jié)構(gòu)的大小由中間的像素電極51-b至兩端的像素電極51-a依次遞減，以使得不同像素電極51上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極51-b至兩端的像素電極51-a依次遞增。
[0036]在本發(fā)明陣列基板的其他實施方式中，為了降低工藝要求，還可以使凸起結(jié)構(gòu)間的距離逐級遞增。具體而言，在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端像素電極每間隔預定距離逐級遞增，即凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間向兩端呈階梯狀遞增。其中，預定距離內(nèi)包括多個像素電極，且在同一預定距離內(nèi)的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離相等。掃描信號是隨著離掃描線的輸入端越遠而越延遲，在同一段距離內(nèi)的掃描線的掃描信號的延遲差異可能比較小，因此，本實施方式中，將掃描信號失真差異較小的一段距離內(nèi)的掃描線所對應的幾個像素電極分為一個等級做處理，這幾個像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離均相同，但不同于與該一段距離內(nèi)的掃描線相鄰的另一段掃描線所對應的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離，且越靠近掃描線輸入端的掃描線所對應的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離越大。通過上述方式，也能夠提高畫面亮度的均勻性，且同一段距離內(nèi)的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離相同，可降低工藝要求。其中，可以理解的是，所述預定距離可根據(jù)實際掃描信號的延遲情況進行設(shè)定，在此不做具體限定。
[0037]參閱圖7，在本發(fā)明陣列基板的又一實施方式中，陣列基板還包括絕緣層72。像素電極71上的凸起結(jié)構(gòu)711間的距離由中間的像素電極向兩端的像素電極依次遞增，從而能夠提高畫面亮度的均勻性。其中，本實施方式中，像素電極71和凸起結(jié)構(gòu)711為一體成型，即凸起結(jié)構(gòu)711為像素電極71的一部分,為使用像素電極71來形成。進一步地,每個像素電極71為一整片的透明電極層，并覆蓋在絕緣層72上，即像素電極71上不設(shè)置有裂縫(Slit)，而是使用凸起結(jié)構(gòu)711實現(xiàn)液晶的配向。由此，與傳統(tǒng)的通過在像素電極上設(shè)置裂縫來控制液晶導向的技術(shù)相比，本實施方式的像素電極71為整面性覆蓋在絕緣層72上，由于不存在裂縫，因此不會有電場線的殘缺，因此可以提高對液晶的控制能力，進而有利于提高穿透率。且與具有裂縫的像素電極相比，本實施方式的整面式像素電極可以使得穿透率提升3%左右。
[0038]此外，絕緣層72上設(shè)置有多個凸起區(qū)域721，因此當像素電極71覆蓋在絕緣層72上時，在絕緣層72的凸起區(qū)域721處的像素電極也向外凸起，從而形成像素電極71上的凸起結(jié)構(gòu)711。
[0039]其中，凸起結(jié)構(gòu)711的截面形狀為三角形，此時絕緣層72的凸起區(qū)域721的截面形狀也為三角形。當然，也可以是矩形，不規(guī)則四邊形等。
[0040]其中，絕緣層72為位于像素電極71和薄膜晶體管之間的保護層，該保護層用于隔絕薄膜晶體管和像素電極71。在其他實施方式中，絕緣層72也可以是用于覆蓋薄膜晶體管的柵極的柵極絕緣層。
[0041]在本發(fā)明陣列基板的其他實施方式中，也可以通過設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)的高度來弱化兩端像素電極處的電場強度。此種方式中，在一行像素電極中，每個像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離都相同，而凸起結(jié)構(gòu)的高度由中間的像素電極向兩端的像素電極依次遞減。凸起結(jié)構(gòu)越高，所產(chǎn)生的電場強度越強，因此，通過使兩端的像素電極的凸起結(jié)構(gòu)的高度低于中間像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)的高度，可使得兩端的像素電極處的總體電場強度低于中間的像素電極處的總體電場強度，由此可解決由于掃描信號延遲而造成的兩側(cè)畫面亮度過高的現(xiàn)象，能夠減小兩側(cè)畫面亮度和中間畫面亮度的均勻性，進而提高畫面亮度。
[0042]參閱圖8,本發(fā)明液晶顯示面板一實施方式中，液晶顯示面板包括陣列基板81、彩色濾光基板82以及位于陣列基板81和彩色濾光基板82之間的液晶層83。
[0043]其中，陣列基板81為上述任一實施方式所述的陣列基板。彩色濾光基板82上形成有公共電極821，其中，公共電極821為整片的透明導電層。通過對公共電極821施加公共電壓，對陣列基板81上的像素電極811施加顯示電壓，以控制液晶的偏轉(zhuǎn)，從而實現(xiàn)液晶顯示面板的顯示。本實施方式中，在一行像素電極811中，兩端的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離大于中間的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離，由此可使得兩端的像素電極處的電場強度低于中間的像素電極處的電場強度，從而弱化兩端的像素電極對液晶的控制能力，以降低兩側(cè)畫面的亮度，進而提高畫面亮度的均勻性。
[0044]以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上形成有矩陣排列的多個像素電極，每個所述像素電極上形成有多個凸起結(jié)構(gòu)； 其中，在一行像素電極中，兩端的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離大于中間的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞士豳>曰ο
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)的大小由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞減，以使得所述凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞增。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極每間隔預定距離逐級遞增，所述預定距離內(nèi)至少包括兩個像素電極，且在同一所述預定距離內(nèi)的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板包括絕緣層，所述像素電極為整片的透明電極層，并覆蓋于所述絕緣層上，所述絕緣層設(shè)置有多個凸起區(qū)域，以使得所述像素電極上形成有多個所述凸起結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述凸起結(jié)構(gòu)的截面形狀為三角形。
7.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括陣列基板、彩色濾光基板以及位于所述陣列基板和所述彩色濾光基板之間的液晶層； 所述陣列基板上形成有矩陣排列的多個像素電極，每個所述像素電極上形成有多個凸起結(jié)構(gòu)； 其中，在一行像素電極中，兩端的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離大于中間的像素電極上的凸起結(jié)構(gòu)間的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于， 在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞士豳>曰ο
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于， 在一行像素電極中，凸起結(jié)構(gòu)的大小由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞減，以使得所述凸起結(jié)構(gòu)間的距離由中間的像素電極至兩端的像素電極依次遞增。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述陣列基板包括絕緣層，所述像素電極為整片的透明電極層，并覆蓋于所述絕緣層上，所述絕緣層設(shè)置有多個凸起區(qū)域，以使得所述像素電極上形成有多個所述凸起結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】G02F1/1343GK104330932SQ201410620911
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】姜佳麗, 施明宏 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司