一種陣列基板及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法。該陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，顯示區(qū)包括晶體管，晶體管包括源極、漏極和有源層，源極和漏極設(shè)置在有源層的上方，且分別位于有源層的兩端，在非顯示區(qū)還設(shè)置有多個(gè)對(duì)位標(biāo)記，對(duì)位標(biāo)記與有源層同層設(shè)置，用于在源極和漏極重新制作時(shí)，使源極和漏極分別與有源層的兩端對(duì)位。該陣列基板通過設(shè)置與有源層同層的對(duì)位標(biāo)記，能使源極和漏極在重新制作(即Rework)時(shí)，源極的圖形和漏極的圖形能分別與有源層圖形的兩端實(shí)現(xiàn)精確對(duì)位，從而避免由于源極和漏極與有源層之間的對(duì)位偏差而使晶體管性能異常，進(jìn)而避免了產(chǎn)品的報(bào)廢所導(dǎo)致的不必要的浪費(fèi)。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-1XD)通常是將包括多個(gè)子陣列基板的陣列基板母板和包括多個(gè)子彩膜基板的彩膜基板母板進(jìn)行對(duì)盒，然后再將對(duì)盒后的顯示面板分割為多個(gè)子顯示面板(即Panel)。
[0003]在目前的液晶顯示面板的陣列基板母板的制備工藝中，通常采用4mask工藝完成陣列基板母板中薄膜晶體管的源漏極金屬線和有源層的制備，4mask工藝即采用半透膜掩模板對(duì)成膜的源漏極金屬線膜層和有源層膜層進(jìn)行一次光刻，然后經(jīng)過兩次濕刻和兩次干刻即可完成源漏極金屬線和有源層的制備，這樣大大節(jié)約了成本。
[0004]當(dāng)源漏極金屬線和有源層制備完成后，在后續(xù)的檢測(cè)工藝中如果發(fā)現(xiàn)上述源漏極金屬線或有源層存在缺陷，如與源極連接的數(shù)據(jù)線斷開或者漏極與有源層連接處連接不良等，通常需要將源漏極金屬層剝離掉，重新制作源漏極金屬線，即重新進(jìn)行源漏極金屬線膜層的成膜、光刻和刻蝕工藝。通常將該重新制作源漏極金屬線的過程稱為Rework。但是由于在第一次的4mask工藝過程中已經(jīng)通過兩次濕刻和兩次干刻將源漏極金屬線和有源層制備完成，要重新制作源漏極金屬線，必須要使制作形成的源漏極金屬線與之前制作完成的有源層實(shí)現(xiàn)精確的對(duì)位，才能確保最終制備完成的薄膜晶體管的性能正常。
[0005]目前的生產(chǎn)工藝中，在Rework過程中為了使源漏極金屬線與有源層能精確對(duì)位，重新形成源漏極金屬線時(shí)要將用于曝光形成源漏極金屬線的掩模板與柵極金屬層中形成的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位。由于誤差的累積效應(yīng)，只與柵極金屬層中的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，無法使源漏極金屬線與有源層之間實(shí)現(xiàn)精確對(duì)位，因此通常會(huì)因?yàn)槎咧g的對(duì)位偏差造成薄膜晶體管特性的異常，甚至導(dǎo)致整批產(chǎn)品的報(bào)廢。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供一種陣列基板及其制備方法。該陣列基板通過設(shè)置與有源層同層的對(duì)位標(biāo)記，能使源極和漏極在重新制作(即Rework)時(shí)，避免由于源極和漏極與有源層之間的對(duì)位偏差而使晶體管性能異常，從而避免了產(chǎn)品的報(bào)廢所導(dǎo)致的不必要的浪費(fèi)。
[0007]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括晶體管，所述晶體管包括源極、漏極和有源層，所述源極和所述漏極設(shè)置在所述有源層的上方，且分別位于所述有源層的兩端，在所述非顯示區(qū)還設(shè)置有多個(gè)對(duì)位標(biāo)記，所述對(duì)位標(biāo)記與所述有源層同層設(shè)置，用于在所述源極和所述漏極重新制作時(shí)，使所述源極和所述漏極分別與所述有源層的兩端對(duì)位。
[0008]優(yōu)選地，所述有源層包括相互覆疊的半導(dǎo)體層和歐姆接觸層，所述歐姆接觸層設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上，且所述歐姆接觸層與所述源極和所述漏極相對(duì)應(yīng)并接觸，所述半導(dǎo)體層和所述歐姆接觸層還覆蓋所述非顯示區(qū)；
[0009]所述對(duì)位標(biāo)記包括第一對(duì)位標(biāo)記，所述第一對(duì)位標(biāo)記形成在所述半導(dǎo)體層和所述歐姆接觸層中。
[0010]優(yōu)選地，所述對(duì)位標(biāo)記還包括第二對(duì)位標(biāo)記，所述第二對(duì)位標(biāo)記和所述第一對(duì)位標(biāo)記相互間隔，所述第二對(duì)位標(biāo)記形成在所述歐姆接觸層中。
[0011]優(yōu)選地，所述第二對(duì)位標(biāo)記和所述第一對(duì)位標(biāo)記的形狀和大小相同，且所述第一對(duì)位標(biāo)記和所述第二對(duì)位標(biāo)記以通過其中心點(diǎn)連線的中點(diǎn)且垂直于其中心點(diǎn)連線的直線為對(duì)稱軸對(duì)稱。
[0012]優(yōu)選地，所述第一對(duì)位標(biāo)記包括開設(shè)在所述半導(dǎo)體層和所述歐姆接觸層中的條形通孔，所述第二對(duì)位標(biāo)記包括開設(shè)在所述歐姆接觸層中的條形通孔。
[0013]優(yōu)選地，所述條形通孔包括多個(gè)，一部分所述條形通孔的長(zhǎng)度方向平行于所述陣列基板的長(zhǎng)度方向，另一部分所述條形通孔的長(zhǎng)度方向平行于所述陣列基板的寬度方向。
[0014]優(yōu)選地，多個(gè)所述對(duì)位標(biāo)記均勻分布在所述非顯示區(qū)。
[0015]本發(fā)明還提供一種上述陣列基板的制備方法，包括在顯示區(qū)形成晶體管，形成所述晶體管包括形成源極、漏極和有源層的圖形，還包括在非顯示區(qū)形成多個(gè)對(duì)位標(biāo)記的圖形，所述對(duì)位標(biāo)記的圖形與所述有源層的圖形同時(shí)形成在同一層中。
[0016]優(yōu)選地，形成有源層的圖形包括先形成歐姆接觸層的中間圖形和半導(dǎo)體層的圖形，再形成歐姆接觸層的圖形，所述歐姆接觸層的中間圖形和半導(dǎo)體層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成，所述歐姆接觸層的中間圖形為所述歐姆接觸層的與整個(gè)所述半導(dǎo)體層的圖形相對(duì)應(yīng)的圖形；
[0017]形成對(duì)位標(biāo)記的圖形包括形成第一對(duì)位標(biāo)記的圖形，所述第一對(duì)位標(biāo)記的圖形與所述歐姆接觸層的中間圖形和所述半導(dǎo)體層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。
[0018]優(yōu)選地，形成對(duì)位標(biāo)記的圖形還包括形成第二對(duì)位標(biāo)記的圖形，所述第二對(duì)位標(biāo)記的圖形與所述歐姆接觸層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。
[0019]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明所提供的陣列基板，通過設(shè)置與有源層同層的對(duì)位標(biāo)記，能使源極和漏極在重新制作(即Rework)時(shí)，源極的圖形和漏極的圖形能分別與有源層圖形的兩端實(shí)現(xiàn)精確對(duì)位，從而避免由于源極和漏極與有源層之間的對(duì)位偏差而使晶體管性能異常，進(jìn)而避免了產(chǎn)品的報(bào)廢所導(dǎo)致的不必要的浪費(fèi)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0021]圖2為圖1中的陣列基板沿AA剖切線的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0022]圖3為圖1中第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0023]圖4a為在陣列基板的非顯示區(qū)形成各個(gè)膜層的示意圖；
[0024]圖4b為采用灰度掩模板對(duì)圖4a中的光刻膠進(jìn)行曝光和顯影的示意圖；
[0025]圖4c為形成第一對(duì)位標(biāo)記的示意圖；
[0026]圖4d為將圖4c中非完全曝光的光刻膠灰化去除的示意圖；
[0027]圖4e為形成第二對(duì)位標(biāo)記的示意圖。
[0028]其中的附圖標(biāo)記說明:
[0029]1.顯示區(qū)；11.晶體管；111.源極；112.漏極；113.有源層；1130.半導(dǎo)體層；1131.歐姆接觸層；2.對(duì)位標(biāo)記；21.第一對(duì)位標(biāo)記；22.第二對(duì)位標(biāo)記；23.中點(diǎn)；200.條形通孔；3.柵極金屬層；4.柵絕緣層膜；5.半導(dǎo)體層膜；6.歐姆接觸層膜；7.源漏極金屬膜層；8.光刻膠；9.非顯不區(qū)。

【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明提供的一種陣列基板及其制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0031]實(shí)施例1:
[0032]本實(shí)施例提供一種陣列基板,如圖1和圖2所示,包括顯示區(qū)I和非顯示區(qū)9,顯示區(qū)I包括晶體管11，晶體管11包括源極111、漏極112和有源層113,源極111和漏極112設(shè)置在有源層113的上方，且分別位于有源層113的兩端，在非顯示區(qū)9還設(shè)置有多個(gè)對(duì)位標(biāo)記2，對(duì)位標(biāo)記2與有源層113同層設(shè)置，用于在源極111和漏極112重新制作時(shí)，使源極111和漏極112分別與有源層113的兩端對(duì)位。
[0033]對(duì)位標(biāo)記2的設(shè)置，能使源極111和漏極112在重新制作(即Rework)時(shí)，源極111的圖形和漏極112的圖形能分別與有源層113圖形的兩端實(shí)現(xiàn)精確對(duì)位，從而避免由于源極111和漏極112與有源層113之間的對(duì)位偏差而使晶體管11性能異常，進(jìn)而避免了產(chǎn)品的報(bào)廢所導(dǎo)致的不必要的浪費(fèi)。
[0034]其中，有源層113包括相互覆疊的半導(dǎo)體層1130和歐姆接觸層1131，歐姆接觸層1131設(shè)置在半導(dǎo)體層1130上，且歐姆接觸層1131與源極111和漏極112相對(duì)應(yīng)并接觸，半導(dǎo)體層1130和歐姆接觸層1131還覆蓋非顯示區(qū)9。對(duì)位標(biāo)記2包括第一對(duì)位標(biāo)記21，第一對(duì)位標(biāo)記21形成在半導(dǎo)體層1130和歐姆接觸層1131中。
[0035]當(dāng)源極111和漏極112被剝離掉并重新制作時(shí)，由于形成源極111和漏極112的金屬膜層直接沉積形成在已經(jīng)制備完成的歐姆接觸層1131上，當(dāng)采用掩模板對(duì)形成源極111和漏極112的金屬膜層進(jìn)行曝光時(shí)，如果只與先前形成在位于有源層113下方的柵極金屬層上的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，由于對(duì)位誤差的累積效應(yīng)(即因?yàn)樵谥苽鋿艠O金屬層上面的各個(gè)膜層如半導(dǎo)體層1130和歐姆接觸層1131時(shí)都通過形成在柵極金屬層上的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，各個(gè)膜層在形成后都或多或少地存在對(duì)位誤差，在歐姆接觸層1131的上面再重新形成源極111和漏極112時(shí)，如果仍然通過形成在柵極金屬層上的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，誤差會(huì)更大)，形成的源極111和漏極112圖案與有源層113圖案的對(duì)位誤差會(huì)很大，很容易導(dǎo)致晶體管11的性能異常。因?yàn)榈谝粚?duì)位標(biāo)記21形成在半導(dǎo)體層1130和歐姆接觸層1131中，與形成源極111和漏極112的金屬膜層緊鄰，所以通過第一對(duì)位標(biāo)記21使掩模板中源極111和漏極112的圖案與有源層113進(jìn)行對(duì)位，能夠大大減小源極111和漏極112重新制作時(shí)與有源層113之間的對(duì)位誤差。
[0036]本實(shí)施例中，對(duì)位標(biāo)記2還包括第二對(duì)位標(biāo)記22，第二對(duì)位標(biāo)記22和第一對(duì)位標(biāo)記21相互間隔，第二對(duì)位標(biāo)記22形成在歐姆接觸層1131中。第二對(duì)位標(biāo)記22的設(shè)置，能使源極111和漏極112重新制作時(shí)與有源層113之間的對(duì)位更加精確。
[0037]其中，第二對(duì)位標(biāo)記22和第一對(duì)位標(biāo)記21的形狀和大小相同，且第一對(duì)位標(biāo)記21和第二對(duì)位標(biāo)記22以通過其中心點(diǎn)連線的中點(diǎn)23且垂直于其中心點(diǎn)連線的直線為對(duì)稱軸對(duì)稱。如此能夠增大每個(gè)對(duì)位標(biāo)記2的對(duì)位面積，從而使對(duì)位更加精確。另外，在將形成源極111和漏極112圖案的掩模板與有源層113進(jìn)行對(duì)位時(shí)，對(duì)位設(shè)備會(huì)預(yù)先讀取第一對(duì)位標(biāo)記21和第二對(duì)位標(biāo)記22中心點(diǎn)連線的中點(diǎn)23的坐標(biāo)值，然后再通過第一對(duì)位標(biāo)記21和第二對(duì)位標(biāo)記22進(jìn)行對(duì)位，對(duì)稱設(shè)置的第一對(duì)位標(biāo)記21和第二對(duì)位標(biāo)記22能夠使對(duì)位操作更加便捷。
[0038]本實(shí)施例中，如圖3所示，第一對(duì)位標(biāo)記21包括開設(shè)在半導(dǎo)體層1130和歐姆接觸層1131中的條形通孔200，第二對(duì)位標(biāo)記22包括開設(shè)在歐姆接觸層1131中的條形通孔200。條形通孔200能更加方便源極111和漏極112重新制作時(shí)與有源層113之間的對(duì)位。
[0039]其中，條形通孔200包括多個(gè)，一部分條形通孔200的長(zhǎng)度方向平行于陣列基板的長(zhǎng)度方向，另一部分條形通孔200的長(zhǎng)度方向平行于陣列基板的寬度方向。如此設(shè)置，便于通過縱向和橫向設(shè)置的條形通孔200，使形成源極111和漏極112圖形的掩模板在縱向和橫向上進(jìn)行位置調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)源極111和漏極112圖形與有源層113之間的精確對(duì)位。
[0040]需要說明的是，第一對(duì)位標(biāo)記21和第二對(duì)位標(biāo)記22的圖案形狀不只局限于上述的條形，也可以是其它的圖案形狀，如圓環(huán)形或矩形等，只要能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)位即可。
[0041]本實(shí)施例中，多個(gè)對(duì)位標(biāo)記2均勻分布在非顯示區(qū)9。如此設(shè)置，能使陣列基板中的源極111和漏極112圖形與有源層113之間的對(duì)位都更加精確。
[0042]基于陣列基板的上述結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例還提供一種該陣列基板的制備方法，包括在顯示區(qū)I形成晶體管，形成晶體管包括形成源極、漏極和有源層的圖形，還包括在非顯示區(qū)9形成多個(gè)對(duì)位標(biāo)記的圖形，對(duì)位標(biāo)記的圖形與有源層的圖形同時(shí)形成在同一層中。
[0043]其中，形成有源層的圖形包括先形成歐姆接觸層的中間圖形和半導(dǎo)體層的圖形，再形成歐姆接觸層的圖形，歐姆接觸層的中間圖形和半導(dǎo)體層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成，歐姆接觸層的中間圖形為歐姆接觸層的與整個(gè)半導(dǎo)體層的圖形相對(duì)應(yīng)的圖形。形成對(duì)位標(biāo)記的圖形包括形成第一對(duì)位標(biāo)記的圖形，第一對(duì)位標(biāo)記的圖形與歐姆接觸層的中間圖形和半導(dǎo)體層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。第一對(duì)位標(biāo)記的形成不會(huì)額外增加陣列基板的制備工藝。
[0044]本實(shí)施例中，形成對(duì)位標(biāo)記的圖形還包括形成第二對(duì)位標(biāo)記的圖形，第二對(duì)位標(biāo)記的圖形與歐姆接觸層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。第二對(duì)位標(biāo)記的形成不會(huì)額外增加陣列基板的制備工藝。
[0045]上述形成第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記的具體過程為:如圖4a_圖4e所示,需要說明的是，圖4a_圖4e僅對(duì)陣列基板上設(shè)置在非顯示區(qū)的第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記的形成過程進(jìn)行了附圖示意。
[0046]步驟S1:在玻璃基板上沉積柵極金屬層3，通過曝光，濕法刻蝕形成柵極圖案，在柵極圖案上依次沉積形成柵絕緣層膜4、半導(dǎo)體層膜5、歐姆接觸層膜6和源漏極金屬膜層7，在源漏極金屬膜層7上涂覆有光刻膠8 (如圖4a)。
[0047]需要說明的是，柵極金屬層3、柵絕緣層膜4、半導(dǎo)體層膜5、歐姆接觸層膜6、源漏極金屬膜層7和光刻膠8同時(shí)還延伸至覆蓋非顯示區(qū)。
[0048]步驟S2:采用灰度掩模板對(duì)完成步驟SI的玻璃基板進(jìn)行曝光，并將經(jīng)完全曝光部分的光刻膠顯影去除。其中，第二對(duì)位標(biāo)記的圖形與灰度掩模板中的非完全曝光圖形中的一部分對(duì)應(yīng)，第一對(duì)位標(biāo)記的圖形與灰度掩模板中的完全曝光圖形中的一部分對(duì)應(yīng)(如圖4b)。
[0049]步驟S3:將對(duì)應(yīng)第一對(duì)位標(biāo)記的圖形的源漏極金屬膜層7進(jìn)行濕刻；然后將對(duì)應(yīng)第一對(duì)位標(biāo)記的圖形的半導(dǎo)體層膜5和歐姆接觸層膜6進(jìn)行干刻，則第一對(duì)位標(biāo)記21制備形成(如圖4c)。
[0050]步驟S4:將對(duì)應(yīng)第二對(duì)位標(biāo)記的圖形的非完全曝光的光刻膠8灰化去除(如圖4d)。
[0051]步驟S5:將對(duì)應(yīng)第二對(duì)位標(biāo)記的圖形的源漏極金屬膜層7進(jìn)行濕刻；然后將對(duì)應(yīng)第二對(duì)位標(biāo)記的圖形的歐姆接觸層膜6進(jìn)行干刻，則第二對(duì)位標(biāo)記22制備形成(如圖4e)。
[0052]第一對(duì)位標(biāo)記21和第二對(duì)位標(biāo)記22的形成都不會(huì)額外增加陣列基板的制備工藝，制備起來比較方便。
[0053]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明中的陣列基板，通過設(shè)置與有源層同層的對(duì)位標(biāo)記，能使源極和漏極在重新制作(即Rework)時(shí)，源極的圖形和漏極的圖形能分別與有源層圖形的兩端實(shí)現(xiàn)精確對(duì)位，從而避免由于源極和漏極與有源層之間的對(duì)位偏差而使晶體管性能異常，進(jìn)而避免了產(chǎn)品的報(bào)廢所導(dǎo)致的不必要的浪費(fèi)。
[0054]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括晶體管，所述晶體管包括源極、漏極和有源層，所述源極和所述漏極設(shè)置在所述有源層的上方，且分別位于所述有源層的兩端，其特征在于，在所述非顯示區(qū)還設(shè)置有多個(gè)對(duì)位標(biāo)記，所述對(duì)位標(biāo)記與所述有源層同層設(shè)置，用于在所述源極和所述漏極重新制作時(shí)，使所述源極和所述漏極分別與所述有源層的兩端對(duì)位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層包括相互覆疊的半導(dǎo)體層和歐姆接觸層，所述歐姆接觸層設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上，且所述歐姆接觸層與所述源極和所述漏極相對(duì)應(yīng)并接觸，所述半導(dǎo)體層和所述歐姆接觸層還覆蓋所述非顯示區(qū)； 所述對(duì)位標(biāo)記包括第一對(duì)位標(biāo)記，所述第一對(duì)位標(biāo)記形成在所述半導(dǎo)體層和所述歐姆接觸層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述對(duì)位標(biāo)記還包括第二對(duì)位標(biāo)記，所述第二對(duì)位標(biāo)記和所述第一對(duì)位標(biāo)記相互間隔，所述第二對(duì)位標(biāo)記形成在所述歐姆接觸層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二對(duì)位標(biāo)記和所述第一對(duì)位標(biāo)記的形狀和大小相同，且所述第一對(duì)位標(biāo)記和所述第二對(duì)位標(biāo)記以通過其中心點(diǎn)連線的中點(diǎn)且垂直于其中心點(diǎn)連線的直線為對(duì)稱軸對(duì)稱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一對(duì)位標(biāo)記包括開設(shè)在所述半導(dǎo)體層和所述歐姆接觸層中的條形通孔，所述第二對(duì)位標(biāo)記包括開設(shè)在所述歐姆接觸層中的條形通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述條形通孔包括多個(gè)，一部分所述條形通孔的長(zhǎng)度方向平行于所述陣列基板的長(zhǎng)度方向，另一部分所述條形通孔的長(zhǎng)度方向平行于所述陣列基板的寬度方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，多個(gè)所述對(duì)位標(biāo)記均勻分布在所述非顯示區(qū)。
8.—種如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的陣列基板的制備方法，包括在顯示區(qū)形成晶體管，形成所述晶體管包括形成源極、漏極和有源層的圖形，其特征在于，還包括在非顯示區(qū)形成多個(gè)對(duì)位標(biāo)記的圖形，所述對(duì)位標(biāo)記的圖形與所述有源層的圖形同時(shí)形成在同一層中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，形成有源層的圖形包括先形成歐姆接觸層的中間圖形和半導(dǎo)體層的圖形，再形成歐姆接觸層的圖形，所述歐姆接觸層的中間圖形和半導(dǎo)體層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成，所述歐姆接觸層的中間圖形為所述歐姆接觸層的與整個(gè)所述半導(dǎo)體層的圖形相對(duì)應(yīng)的圖形； 形成對(duì)位標(biāo)記的圖形包括形成第一對(duì)位標(biāo)記的圖形，所述第一對(duì)位標(biāo)記的圖形與所述歐姆接觸層的中間圖形和所述半導(dǎo)體層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，形成對(duì)位標(biāo)記的圖形還包括形成第二對(duì)位標(biāo)記的圖形，所述第二對(duì)位標(biāo)記的圖形與所述歐姆接觸層的圖形通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。
【文檔編號(hào)】H01L21/68GK104299961SQ201410534573
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月11日
【發(fā)明者】蔡振飛, 張健, 宋星星 申請(qǐng)人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司