半透半反液晶面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及半透半反液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及半透半反液晶面板及顯示裝置，所述液晶面板包括透射區(qū)域和反射區(qū)域，所述半透半反液晶面板還包括導電性偏光膜層，所述導電性偏光膜層在所述反射區(qū)域為第一偏光方向，所述導電性偏光膜層在所述透射區(qū)域為第二偏光方向。本實用新型通過在上基板上表面形成導電性偏光膜層，能夠防止液晶面板外部產(chǎn)生的靜電對液晶面板內(nèi)液晶分子的排列不良；導電性偏光膜層形成在上基板外側(cè)，避免在半透半反液晶面板的基板內(nèi)采用在基板內(nèi)設(shè)置薄膜工藝，加工簡單快捷；該導電性偏光膜層采用一層薄膜結(jié)構(gòu)，省去了上偏光片的加工工藝，提高了加工效率，節(jié)省了加工成本。
【專利說明】半透半反液晶面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種半透半反液晶面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]一般的穿透式(Transmissive)顯示器在室外及強光下，影像會被環(huán)境光影響而導致對比降低，相較之下，反射式(Reflective)顯示器是依賴外來光源來達到顯示效果，因此在戶外及強光下反而會呈現(xiàn)出更佳的效果及對比，且可減少背光使用消耗的大量功率，所以非常適合用在可攜帶式產(chǎn)品上。然而當環(huán)境光源不足時，反射式顯示器的對比與亮度大受折扣，因此若能配合輔助背光源的穿透式技術(shù)來制作半透半反(Transflective)顯示器，其可同時具有穿透式與反射式的優(yōu)點。
[0003]半透半反型液晶顯示器在一個像素區(qū)域內(nèi)同時設(shè)有透射區(qū)和有反射層的反射區(qū)。在黑暗的地方利用像素區(qū)域的透射部分和背光源來顯示畫像，在明亮的地方利用像素區(qū)域的反射部分和外光來顯示畫像。因此，不但適用于被動式驅(qū)動，也適用于非晶硅(a-Si)的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,以下簡稱TFT)或低溫多晶娃(Low TemperaturePolysilicon, LTPS)的薄膜晶體管等主動驅(qū)動技術(shù)。半透半反型液晶顯示器不需要長時間使用背光源，而具有可以降低功耗的優(yōu)點。目前，高級超維場轉(zhuǎn)換(Advanced superDimension Switch,以下簡稱ADS)模式液晶顯示器因具備廣視角、高穿透率、低色差等優(yōu)點而得到廣泛的應用。ADS模式液晶顯示器通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。
[0004]其中，ADS模式液晶面板中的薄膜晶體管陣列基板一般包括:襯底基板，以及在襯底基板上呈陣列狀分布的像素單元；其中，如每一個像素單元包括:分別與襯底基板上柵線和數(shù)據(jù)線電連接到的TFT，通過過孔與TFT的源極電連接的像素電極；具體地，像素電極為具有一定傾斜角度的狹縫電極。TFT陣列基板還包括與像素電極形成電場的公共電極，像素電極與公共電極之間形成的電場強度的變化控制著液晶分子的偏轉(zhuǎn)程度。ADS模式液晶顯示器有高對比度、寬視角、高清晰等的優(yōu)點。因此開發(fā)半透半反模式的ADS型液晶顯示器顯得非常重要。
[0005]現(xiàn)有的半透半反模式的ADS型液晶顯示器，如圖1所示，液晶面板包括上偏光層1、上基板2、下基板4、下偏光層5，以及設(shè)置在上下基板之間的液晶層3。所述液晶面板可分為透射區(qū)T和反射區(qū)R。普通工藝來制備該液晶面板時，由于透射區(qū)T和反射區(qū)R的顯示模式不一樣，透射區(qū)T為常黑顯示模式，反射區(qū)域R為常白顯示模式，需要ADS液晶顯示器采用在基板內(nèi)設(shè)置薄膜(In Cell Retarder)或多疇結(jié)構(gòu)等，工藝較為復雜，而難度加大。由于摩擦、觸摸上基板等原因，上基板上發(fā)生的靜電會引起半透半反ADS模式液晶顯示器內(nèi)部區(qū)域電場不良，而致使液晶取向不良。
[0006]為了解決以上問題，本實用新型做了有益改進。實用新型內(nèi)容
[0007](一)要解決的技術(shù)問題
[0008]本實用新型的目的是提供一種半透半反液晶面板及顯示裝置，該半透半反液晶面板可防止外部產(chǎn)生靜電引起的內(nèi)部不良，并且加工工藝簡單、快捷。
[0009](二)技術(shù)方案
[0010]本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0011]一種半透半反液晶面板，包括透射區(qū)域和反射區(qū)域，所述半透半反液晶面板還包括導電性偏光膜層，所述導電性偏光膜層在所述反射區(qū)域為第一偏光方向，所述導電性偏光膜層在所述透射區(qū)域為第二偏光方向。
[0012]其中，所述半透半反液晶面板的透射區(qū)域包括透射液晶層，所述半透半反液晶面板的反射區(qū)域包括反射液晶層，且所述反射液晶層厚度是所述透射液晶層厚度的一半。
[0013]進一步，所述導電性偏光膜層在所述半透半反液晶面板的反射區(qū)域的第一偏光方向為45度，所述導電性偏光膜層在所述半透半反液晶面板的透射區(qū)域的第二偏光方向為90度。
[0014]具體的，所述導電性偏光膜層設(shè)置在所述半透半反液晶面板顯示側(cè)基板背向與非顯不側(cè)基板相對的一面。
[0015]本實用新型還提供一種顯示裝置，包括如上所述的半透半反液晶面板。
[0016](三)有益效果
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)和產(chǎn)品相比，本實用新型有如下優(yōu)點:
[0018]1、本實用新型通過在上基板上表面形成導電性偏光膜層，能夠防止液晶面板外部產(chǎn)生的靜電對液晶面板內(nèi)液晶分子的排列不良；
[0019]2、本實用新型提供的導電性偏光膜層，形成在上基板外側(cè)，避免在ADS模式半透半反液晶面板的基板內(nèi)采用In-cell retarter工藝,加工簡單快捷；該導電性偏光膜層采用一層薄膜結(jié)構(gòu)，省去了上偏光片的加工工藝，提高了加工效率，節(jié)省了加工成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是現(xiàn)有的半透半反ADS模式的液晶面板示意圖；
[0021]圖2是本實用新型的半透半反ADS模式的液晶面板示意圖。
[0022]附圖中，各標號所代表的組件列表如下:
[0023]1、上偏光層；la、導電性偏光膜層；11、偏光膜層反射區(qū)；12、偏光膜層透射區(qū)；2、上基板；3、液晶層；311、反射液晶層；312、反射層；313、樹脂；321、透射液晶層；4、下基板；
5、下偏光層。
【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做一個詳細的說明。
[0025]如圖2所示，本實施例提供一種ADS模式的半透半反液晶面板，包括導電性偏光膜層la，作為液晶面板的上偏光膜層，還包括上基板2、下基板4和設(shè)置在所述上、下基板之間的均勻定向的液晶層3 ;上基板2上形成有彩色濾光片；下基板4上形成有薄膜晶體管TFT。所述半透半反液晶面板包括透射區(qū)域T和反射區(qū)域R，且所述下基板對應所述上基板定義有透射區(qū)域和反射區(qū)域；所述液晶層與所述上基板和下基板對應地分為透射液晶層和反射液晶層；所述導電性偏光膜層Ia可設(shè)置在上基板2的上表面，即設(shè)置在所述半透半反液晶面板顯不側(cè)基板(上基板)背向與非顯不側(cè)基板(下基板)相對的一面。導電性偏光膜層Ia在所述反射區(qū)域R為第一偏光方向，所述導電性偏光膜層在所述透射區(qū)域T為第二偏光方向。ADS模式液晶面板是只有下基板4上的電極形成的橫電場來驅(qū)動。當在上基板2發(fā)生觸摸或摩擦等情況時，導致上基板2上發(fā)生靜電，并會引起局部區(qū)域的電場不良，而導致液晶層3中液晶取向不良。所以本實施例導電性偏光膜層Ia設(shè)置在上基板2上，上基板上發(fā)生的靜電可通過該導電性偏光膜層而跑到上基板2外，因此不會引起液晶取向不良?？梢?，本實施例提供的導電性偏光膜層可避免上基板產(chǎn)生靜電而導致的液晶取向不良的現(xiàn)象，適用于各種不同顯示模式的液晶面板，比如扭曲向列(Twisted Nematic, TN)模式、平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching, IPS)模式等,尤其對于ADS顯示模式半透半反液晶面板而言，能夠避免在其基板內(nèi)采用In-cell Retarter工藝，使加工簡單、快捷。
[0026]其中，液晶層3包括反射液晶層311與透射液晶層321 ;所述液晶面板的反射區(qū)域R包括由上至下依次設(shè)置的反射液晶層311、反射層312和樹脂313，所述液晶面板的透射區(qū)域T包括透射液晶層321，其中所述反射液晶層厚度是所述透射液晶層厚度的一半。所述反射液晶層311厚度是通過樹脂313的厚度來控制。在下基板4上與液晶層3接觸的面相反的表面設(shè)置下偏光層5。
[0027]所述導電性偏光膜層可采用層狀疊加結(jié)構(gòu)，包括導電薄膜層和偏光膜層的組合層狀結(jié)構(gòu)，但這種結(jié)構(gòu)使加工工藝繁瑣，本實施例優(yōu)選采用的導電性偏光膜層為一層薄膜結(jié)構(gòu)，且所述薄膜的材質(zhì)為導電性透明偏光薄膜，這樣，省去了上偏光片的加工工藝，提高了加工效率，節(jié)省了加工成本。所述導電性透明偏光薄膜的材料參考專利JP2009-230130中的透明薄膜電極(住友化學株式會社)，其中，透明薄膜電極包含導電聚合物，或該透明薄膜電極包含碳納米管，并且具有良好的偏光性?？梢栽诓皇褂勉煹那闆r下提供透明薄膜電極。所述銦存在穩(wěn)定供應和成本方面的問題，原因是作為資源的銦的量小并且其價格由于緊迫的需求而急劇上升。因而使用該透明薄膜電極材料，能夠起到節(jié)約成本的效果。
[0028]其中，所述導電性偏光膜層上定義有偏光膜層透射區(qū)域12和偏光膜層反射區(qū)域11 ;其中，所述偏光膜層反射區(qū)域11對應設(shè)置在所述反射液晶層311上方，其對應的第一偏光方向與所述反射液晶層311的偏光方向相對應。所述偏光膜層透射區(qū)域12對應設(shè)置在所述透射液晶層321上方,其對應的第二偏光方向與所述透射液晶層321的偏光方向相對應設(shè)置。
[0029]進一步，本實施例提供的ADS模式的半透半反液晶面板，其上、下基板上涂布PI液，并進行摩擦來制備液晶取向?qū)?。上基?的摩擦方向為45度，下基板4的摩擦方向為225度。實施例中所使用的液晶層3中反射液晶層311具有厚度為2.1 μ m，透射液晶層321厚度為4.2 μ m。并在下基板4下設(shè)置下偏光層5,其下偏光層5的偏光方向為O度。上基板2上面設(shè)置導電性偏光膜層la，采用印刷方式的涂布。反射液晶層311上面對應的偏光膜層反射區(qū)11的偏光方向與透射液晶層321對應的偏光膜層透射區(qū)12偏光方向是不同的。優(yōu)選的，所述導電性偏光膜層在所述半透半反液晶面板的反射區(qū)域的第一偏光方向為45度，即偏光膜層反射區(qū)11的偏光方向，所述導電性偏光膜在所述半透半反液晶面板的透射區(qū)域的第二偏光方向為90度，即偏光膜層透射區(qū)12偏光方向，從而得到液晶面板反射區(qū)域R和透射區(qū)域T都是常白模式的半透半反型ADS模式液晶面板。
[0030]需要說明的是,所述導電性偏光膜的第一偏光方向和第二偏光方向、以及反射液晶層和透射液晶層的厚度不做限定，只要能相互配合實現(xiàn)常白模式的半透半反型液晶面板。
[0031]本實施例還提供一種液晶顯示裝置，包括如上所述的半透半反液晶面板。所述顯示裝置可以為:液晶面板、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0032]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半透半反液晶面板，包括透射區(qū)域和反射區(qū)域，其特征在于，所述半透半反液晶面板還包括導電性偏光膜層，所述導電性偏光膜層在所述反射區(qū)域為第一偏光方向，所述導電性偏光膜層在所述透射區(qū)域為第二偏光方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透半反液晶面板，其特征在于，所述半透半反液晶面板的透射區(qū)域包括透射液晶層，所述半透半反液晶面板的反射區(qū)域包括反射液晶層，且所述反射液晶層厚度是所述透射液晶層厚度的一半。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透半反液晶面板，其特征在于，所述導電性偏光膜層在所述半透半反液晶面板的反射區(qū)域的第一偏光方向為45度，所述導電性偏光膜層在所述半透半反液晶面板的透射區(qū)域的第二偏光方向為90度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述半透半反液晶面板，其特征在于，所述導電性偏光膜層設(shè)置在所述半透半反液晶面板顯示側(cè)基板背向與非顯示側(cè)基板相對的一面。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4任一項所述的半透半反液晶面板。
【文檔編號】G02F1/1335GK203376537SQ201320503328
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年8月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月16日
【發(fā)明者】鹿島美紀 申請人:京東方科技集團股份有限公司