一種陣列基板和顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板和顯示裝置。該陣列基板包括基板以及設(shè)置在基板上的數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)，數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)圍成多個(gè)像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵電極、源電極、漏電極和有源區(qū)，柵電極設(shè)置在有源區(qū)的上方，源電極與漏電極分設(shè)在有源區(qū)的相對(duì)兩側(cè)，像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有遮光金屬層，遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層設(shè)置在基板上，遮光金屬層設(shè)置在有源區(qū)下方，且在正投影方向上與有源區(qū)至少部分重疊，數(shù)據(jù)線(xiàn)靠近源電極且在正投影方向上與有源區(qū)至少部分不重疊。本實(shí)用新型通過(guò)將遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)在同一步驟中形成在同一層中，減少了陣列基板的構(gòu)圖工藝次數(shù)，提高了陣列基板及顯示裝置的制備效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種陣列基板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(LCD:Liquid Crystal Display)因其體積小、功耗低、無(wú)福射等特點(diǎn)已成為目前平板顯示裝置中的主流產(chǎn)品。
[0003]目前，較常見(jiàn)的液晶顯示裝置是扭曲向列型顯示方式(即TN顯示方式)的液晶顯示裝置。隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，還出現(xiàn)了高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換顯示方式(即ADS顯示方式)的液晶顯示裝置。目前，在技術(shù)上比較成熟的是薄膜晶體管液晶顯示裝置(TFT-1XD)，液晶顯示裝置包括陣列基板和彩膜基板，其中，薄膜晶體管形成在陣列基板上，薄膜晶體管包括柵電極、源電極與漏電極，薄膜晶體管通常采用非晶硅(a-Si)材料形成。
[0004]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了采用多晶硅(p-Si)材料形成薄膜晶體管的方式。具體的，先采用多晶硅(P-Si)材料形成有源區(qū)，然后對(duì)有源區(qū)進(jìn)行晶化以及離子注入，從而形成薄膜晶體管的源電極與漏電極。研究顯示，采用多晶硅(P-Si)材料形成的薄膜晶體管的性能比采用非晶硅材料形成的薄膜晶體管的性能高100多倍。多晶硅包括高溫多晶硅(HTPS)和低溫多晶硅(LTPS)，其中，采用低溫多晶硅形成的薄膜晶體管具有較高的電子遷移率，還能縮小薄膜晶體管的尺寸，因此廣泛應(yīng)用于陣列基板中，既實(shí)現(xiàn)了高開(kāi)口率，又使得相應(yīng)的顯示裝置具有高亮度、低耗電的優(yōu)點(diǎn)。
[0005]與采用非晶硅材料形成的薄膜晶體管相比，采用低溫多晶硅材料形成的薄膜晶體管工作時(shí)漏電流比較大，因此，為了降低漏電流，如圖1中陣列基板的一種結(jié)構(gòu)示意圖所示，在陣列基板對(duì)應(yīng)著薄膜晶體管的有源區(qū)4的下方設(shè)置了遮光金屬層3，遮光金屬層3將照射到漏電極7和源電極6之間的區(qū)域的一部分光線(xiàn)遮住，從而使漏電流降低；或者，在形成漏電極7和源電極6的過(guò)程中采用離子注入法(也稱(chēng)離子摻雜法)在有源區(qū)4中設(shè)置輕摻雜漏極8 ;或者，將薄膜晶體管設(shè)置為雙柵極結(jié)構(gòu)(如圖1中具有兩個(gè)柵電極5)等，都能從一定程度上降低漏電流。
[0006]與采用包括有非晶硅材料形成的薄膜晶體管的陣列基板相比，采用包括有多晶硅材料形成的薄膜晶體管的陣列基板制備時(shí)需要更多次數(shù)的構(gòu)圖工藝，如圖2中陣列基板的制備步驟圖(如步驟P1-P10)所示，為了形成用于降低薄膜晶體管漏電流的遮光金屬層3，在陣列基板制備時(shí)需增加遮光金屬層3包括曝光工藝(如步驟Pl)的構(gòu)圖工藝，加上陣列基板制備過(guò)程中其它膜層原有的構(gòu)圖工藝，例如數(shù)據(jù)線(xiàn)2 (如步驟P6)、公共電極12 (如步驟P8)、像素電極14 (如步驟P10)以及用于形成數(shù)據(jù)線(xiàn)2和源電極6之間的電連接的第一過(guò)孔15(如步驟P5)、像素電極14與漏電極7之間的電連接的第三過(guò)孔17、第四過(guò)孔18以及第五過(guò)孔19 (如步驟P5、P7和P9，其中，由于數(shù)據(jù)線(xiàn)2與公共電極12之間必須互相絕緣，而二者在正投影方向上有重疊或說(shuō)交叉，因此在二者之間起絕緣作用的平坦層20不可少，相應(yīng)的，在平坦層20中形成像素電極14與漏電極7之間的電連接的第五過(guò)孔19構(gòu)圖工藝也是必不可少的)，導(dǎo)致采用多晶硅材料制備陣列基板的制備方法構(gòu)圖工藝數(shù)量增多，使得相應(yīng)的陣列基板的制備工序繁多，制備效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題，提供了一種陣列基板和顯示裝置。所述陣列基板通過(guò)將遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)在同一步驟中同層形成在所述基板上，從而減少了陣列基板的構(gòu)圖工藝次數(shù)，提高了陣列基板的制備效率。
[0008]所述陣列基板包括基板以及設(shè)置在基板上的數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)，數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)圍成多個(gè)像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵電極、源電極、漏電極和有源區(qū)，柵電極設(shè)置在有源區(qū)的上方，源電極和漏電極分設(shè)在有源區(qū)的相對(duì)兩側(cè)，像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有遮光金屬層，遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層設(shè)置在基板上，遮光金屬層設(shè)置在有源區(qū)下方且在正投影方向上與有源區(qū)至少部分重疊，數(shù)據(jù)線(xiàn)靠近源電極且在正投影方向上與有源區(qū)至少部分不重疊。
[0009]優(yōu)選的，遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)采用相同的導(dǎo)電材料。
[0010]優(yōu)選的，有源區(qū)采用低溫多晶硅材料，源電極和漏電極采用離子注入的方式形成在有源區(qū)的相對(duì)兩側(cè)。
[0011]優(yōu)選的，遮光金屬層設(shè)置在源電極和漏電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域之間，且在正投影方向上與柵電極至少部分重疊。
[0012]優(yōu)選的，有源區(qū)中還設(shè)置有輕摻雜漏極，輕摻雜漏極設(shè)置在源電極和漏電極之間，且分居在柵電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域的兩側(cè)。
[0013]優(yōu)選的，陣列基板還包括緩沖層，緩沖層設(shè)置在有源區(qū)的下方以及基板的上方，遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)被緩沖層覆蓋。
[0014]優(yōu)選的，柵電極為至少一個(gè)，遮光金屬層為至少一片，遮光金屬層與柵電極位置對(duì)
應(yīng)設(shè)置。
[0015]優(yōu)選的，陣列基板還包括柵絕緣層，柵絕緣層設(shè)置在所述有源區(qū)的上方以及柵電極的下方，有源區(qū)以及緩沖層被柵絕緣層覆蓋。
[0016]優(yōu)選的，陣列基板還包括依次設(shè)置在柵電極上方的中間介電層、第一電極、鈍化層以及第二電極，第二電極與第一電極在正投影方向上至少部分重疊，第一電極為板狀，第二電極為狹縫狀；
[0017]緩沖層、柵絕緣層和中間介電層在對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線(xiàn)的位置開(kāi)設(shè)有第一過(guò)孔，柵絕緣層和中間介電層在對(duì)應(yīng)著源電極的位置開(kāi)設(shè)有第二過(guò)孔，數(shù)據(jù)線(xiàn)和源電極通過(guò)第一過(guò)孔以及第二過(guò)孔電連接。
[0018]優(yōu)選的，第一電極為像素電極，第二電極為公共電極，柵絕緣層、中間介電層在對(duì)應(yīng)著漏電極的位置開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔，像素電極和漏電極通過(guò)第三過(guò)孔電連接；
[0019]或者，第一電極為公共電極，第二電極為像素電極，柵絕緣層、中間介電層在對(duì)應(yīng)著漏電極的位置開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔，鈍化層在對(duì)應(yīng)著漏電極的位置開(kāi)設(shè)有第四過(guò)孔，像素電極和漏電極通過(guò)第三過(guò)孔以及第四過(guò)孔電連接。
[0020]優(yōu)選的，陣列基板還包括像素電極，像素電極設(shè)置在柵絕緣層的上方，柵絕緣層在對(duì)應(yīng)著漏電極的位置開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔，像素電極與漏電極通過(guò)第三過(guò)孔電連接；
[0021]柵絕緣層和緩沖層在對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)的位置開(kāi)設(shè)有第一過(guò)孔，柵絕緣層在對(duì)應(yīng)著源電極的位置開(kāi)設(shè)有第二過(guò)孔，數(shù)據(jù)線(xiàn)和源電極通過(guò)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔電連接。
[0022]本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。
[0023]本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型所提供的陣列基板中，所述遮光金屬層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)形成在所述陣列基板的同一層；所述遮光金屬層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)通過(guò)同一構(gòu)圖工藝形成，與現(xiàn)有的陣列基板的制備相比，減少了對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)的單獨(dú)構(gòu)圖工藝，從而減少了陣列基板制備中的構(gòu)圖工藝總次數(shù)，提高了陣列基板以及顯示裝置的制備效率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為圖1所示陣列基板的制備方法流程圖；
[0026]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為圖3所示陣列基板的制備方法流程圖；
[0028]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例3中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6為圖5所示陣列基板的制備方法流程圖。
[0030]其中的附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0031]1.基板；2.數(shù)據(jù)線(xiàn)；3.遮光金屬層；4.有源區(qū)；5.柵電極；6.源電極；7.漏電極；8.輕摻雜漏極；9.緩沖層；10.柵絕緣層；11.中間介電層；12.公共電極；13.鈍化層；14.像素電極；15.第一過(guò)孔；16.第二過(guò)孔；17.第三過(guò)孔；18.第四過(guò)孔；19.第五過(guò)孔；20.平坦層。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型一種陣列基板和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0033]實(shí)施例1:
[0034]本實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖3所示，所述陣列基板包括基板I以及設(shè)置在基板I上的數(shù)據(jù)線(xiàn)2和掃描線(xiàn)(圖3中未示出)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)2和所述掃描線(xiàn)圍成多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵電極5、源電極6、漏電極7和有源區(qū)4，柵電極5設(shè)置在有源區(qū)4的上方，源電極6與漏電極7分設(shè)在有源區(qū)4的相對(duì)兩側(cè)，所述像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有遮光金屬層3，遮光金屬層3和數(shù)據(jù)線(xiàn)2同層設(shè)置在基板I上，遮光金屬層3設(shè)置在有源區(qū)4下方，且在正投影方向上與有源區(qū)4至少部分重疊，數(shù)據(jù)線(xiàn)2靠近源電極6且在正投影方向上與有源區(qū)4至少部分不重疊。
[0035]其中，遮光金屬層3設(shè)置在源電極6與漏電極7對(duì)應(yīng)的區(qū)域之間，且在正投影方向上與所述柵電極5至少部分重疊。有源區(qū)4采用低溫多晶硅材料，源電極6與漏電極7采用離子注入的方式(如離子注入含硼或含磷材料)形成在有源區(qū)4的相對(duì)兩側(cè)。
[0036]本實(shí)施例中，遮光金屬層與有源區(qū)部分重疊，即遮光金屬層設(shè)置在源電極與漏電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域之間，目的是為了使遮光金屬層至少要遮住有源區(qū)的一部分區(qū)域，從而使照射到有源區(qū)的光線(xiàn)能夠被遮住一部分，進(jìn)而降低有源區(qū)的漏電流；當(dāng)然，遮光金屬層也可以與有源區(qū)完全重疊，這樣，遮光金屬層就將有源區(qū)完全遮住，從而使照射到有源區(qū)的光線(xiàn)被全部遮住，能夠更進(jìn)一步地降低有源區(qū)的漏電流。[0037]其中，遮光金屬層3和數(shù)據(jù)線(xiàn)2采用相同的導(dǎo)電材料，使得設(shè)置在同一層中的遮光金屬層3和數(shù)據(jù)線(xiàn)2可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成；且由于該導(dǎo)電材料不透光，所以遮光金屬層3同時(shí)起到遮住照射到有源區(qū)4的部分光線(xiàn)，從而降低薄膜晶體管的漏電流的作用。
[0038]優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，有源區(qū)4中還設(shè)置有輕摻雜漏極8，輕摻雜漏極8設(shè)置在源電極6與漏電極7之間，且分居在柵電極5對(duì)應(yīng)的區(qū)域的兩側(cè)。在本實(shí)施例中，輕摻雜漏極8能夠同時(shí)起到降低薄膜晶體管的漏電流的作用。
[0039]其中，柵電極為至少一個(gè)，遮光金屬層為至少一片。在本實(shí)施例中，柵電極5為兩個(gè)，遮光金屬層3為兩片，遮光金屬層3與柵電極5位置對(duì)應(yīng)設(shè)置。在本實(shí)施例中，柵電極設(shè)置為兩個(gè)可以同時(shí)起到減小薄膜晶體管的漏電流的作用。
[0040]在本實(shí)施例中，陣列基板還包括緩沖層9，緩沖層9設(shè)置在有源區(qū)4的下方以及基板I的上方，遮光金屬層3和數(shù)據(jù)線(xiàn)2被緩沖層9完全覆蓋。由于本實(shí)施例中有源區(qū)4采用低溫多晶硅材料，所述緩沖層9用于阻擋基板I中所含的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入薄膜晶體管的有源區(qū)4中，防止對(duì)薄膜晶體管的閾值電壓和漏電流等特性產(chǎn)生影響；同時(shí)，由于低溫多晶硅通常是用準(zhǔn)分子激光退火的方法形成在基板I上，設(shè)置緩沖層9能進(jìn)一步防止準(zhǔn)分子激光退火造成基板I中的雜質(zhì)擴(kuò)散，提高低溫多晶硅形成的薄膜晶體管的質(zhì)量。
[0041]在本實(shí)施例中，陣列基板還包括柵絕緣層10以及依次設(shè)置在柵電極5上方的中間介電層11、第一電極、鈍化層13以及第二電極；其中，柵絕緣層10設(shè)置在所述有源區(qū)4的上方以及柵電極5的下方，有源區(qū)4以及緩沖層9被柵絕緣層10覆蓋；第二電極與第一電極在正投影方向上至少部分重疊，第一電極為板狀，第二電極為狹縫狀。此時(shí)，緩沖層9、柵絕緣層10和中間介電層11在對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線(xiàn)2的位置開(kāi)設(shè)有第一過(guò)孔15，柵絕緣層10和中間介電層11在對(duì)應(yīng)著源電極6的位置開(kāi)設(shè)有第二過(guò)孔16，數(shù)據(jù)線(xiàn)2和源電極6通過(guò)第一過(guò)孔15以及第二過(guò)孔16電連接。
[0042]在本實(shí)施例中，第一電極為公共電極12，第二電極為像素電極14，柵絕緣層10、中間介電層11在對(duì)應(yīng)著漏電極7的位置開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔17，鈍化層13在對(duì)應(yīng)著漏電極7的位置開(kāi)設(shè)有第四過(guò)孔18，像素電極14與漏電極7通過(guò)第三過(guò)孔17以及第四過(guò)孔18電連接。
[0043]需要說(shuō)明的是，在中間介電層11以及第一電極之間還可以設(shè)置平坦層，平坦層能使得中間介電層保持平坦；當(dāng)然，中間介電層11以及第一電極之間也可以不設(shè)置平坦層，如本實(shí)施例所述，這能使陣列基板的厚度相對(duì)較薄。在本實(shí)施例中，均以第一電極為板狀說(shuō)明，可以理解的是，第一電極還可以為狹縫狀。
[0044]基于上述陣列基板的結(jié)構(gòu)，該陣列基板的制備方法包括:在基板上形成數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、遮光金屬層的步驟和形成薄膜晶體管的步驟，形成所述薄膜晶體管包括形成柵電極、源電極、漏電極和有源區(qū)的步驟，所述薄膜晶體管和所述遮光金屬層均形成在由所述掃描線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)圍成的多個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)在同一步驟中同層形成在基板上，遮光金屬層形成在有源區(qū)下方且在正投影方向上與有源區(qū)至少部分重疊，數(shù)據(jù)線(xiàn)靠近源電極且在正投影方向上與有源區(qū)至少部分不重疊。
[0045]如圖4所示,所述制備方法具體包括:
[0046]步驟S1:在基板I上采用一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)2和遮光金屬層3的圖形，數(shù)據(jù)線(xiàn)2和遮光金屬層3相隔設(shè)置。[0047]其中，所述構(gòu)圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過(guò)程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。
[0048]在本實(shí)施例中，所述構(gòu)圖工藝包括:首先，在基板I上形成(如濺射或涂覆等)一層用于形成數(shù)據(jù)線(xiàn)2和遮光金屬層3的導(dǎo)電材料；接著，在導(dǎo)電材料上涂覆一層光刻膠；然后，用設(shè)置有包括數(shù)據(jù)線(xiàn)和遮光金屬層的圖形的掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光；最后經(jīng)顯影、刻蝕后形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)2和遮光金屬層3的圖形。本實(shí)施例陣列基板的制備方法中，涉及到通過(guò)構(gòu)圖工藝形成的膜層的制備工藝與此相同，不再詳細(xì)贅述。
[0049]步驟S2:在完成步驟SI的基板I上形成緩沖層9和包括有源區(qū)4的圖形；緩沖層9完全覆蓋遮光金屬層3和數(shù)據(jù)線(xiàn)2，有源區(qū)4的圖形形成在緩沖層9上，且有源區(qū)4的圖形在正投影方向上與遮光金屬層3至少部分重疊。
[0050]步驟S3:在完成步驟S2的基板I上形成柵絕緣層10和包括柵電極5的圖形，柵電極5的圖形形成在柵絕緣層10的與所述遮光金屬層3位置對(duì)應(yīng)的上方。
[0051]步驟S4:在完成步驟S3的基板I上形成源電極6與漏電極7，源電極6與漏電極7采用離子注入方式形成在有源區(qū)4的相對(duì)兩側(cè)。
[0052]所述制備方法還包括形成包括第一電極以及第二電極的圖形的步驟，其中，第一電極為公共電極12，第二電極為像素電極14，具體的制備方法為:
[0053]步驟S5’:在完成步驟S4的基板I上形成中間介電層11以及包括第一過(guò)孔15、第二過(guò)孔16以及第三過(guò)孔17的圖形，其中:第一過(guò)孔15形成在對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線(xiàn)2的位置并貫穿緩沖層9、柵絕緣層10和中間介電層11，第二過(guò)孔16形成在對(duì)應(yīng)著源電極6的位置并貫穿柵絕緣層10和中間介電層11，第三過(guò)孔17形成在對(duì)應(yīng)著漏電極7的位置并貫穿柵絕緣層10和中間介電層11。
[0054]步驟S6’:在完成步驟S5’的基板I上形成包括公共電極12的圖形，數(shù)據(jù)線(xiàn)2與源電極6通過(guò)第一過(guò)孔15以及第二過(guò)孔16電連接，第三過(guò)孔17中同時(shí)填充有用于形成公共電極12的導(dǎo)電材料。
[0055]步驟S7’:在完成步驟S6’的基板I上形成鈍化層13以及在鈍化層13中形成包括第四過(guò)孔18的圖形，第四過(guò)孔18形成在對(duì)應(yīng)著漏電極7的位置，且第四過(guò)孔18的位置與第三過(guò)孔17的位置相對(duì)應(yīng)。
[0056]步驟S8，:在完成步驟S7，的基板I上形成包括像素電極14的圖形，像素電極14與漏電極7通過(guò)第三過(guò)孔17以及第四過(guò)孔18電連接。
[0057]優(yōu)選的，該制備方法步驟S4還進(jìn)一步包括:采用離子注入方式在有源區(qū)4中形成輕摻雜漏極8，輕摻雜漏極8形成在源電極6與漏電極7之間，且分居在柵電極5對(duì)應(yīng)的區(qū)域的兩側(cè)。
[0058]優(yōu)選的，在步驟SI中形成的遮光金屬層3為兩片，在步驟S3中形成的柵電極5為兩個(gè)，遮光金屬層3與柵電極5位置對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0059]作為與陣列基板一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的制備方法，當(dāng)在中間介電層11以及第一電極之間形成平坦層時(shí)，在平坦層中形成像素電極14與漏電極7之間的電連接的過(guò)孔的構(gòu)圖工藝可以與形成第三過(guò)孔17的構(gòu)圖工藝為同一個(gè)，并不會(huì)增加額外的工藝過(guò)程(即不會(huì)增加對(duì)應(yīng)著現(xiàn)有技術(shù)陣列基板制備方法的步驟P7的構(gòu)圖工藝)。[0060]實(shí)施例2:
[0061]本實(shí)施例提供的陣列基板，與實(shí)施例1不同的是:第一電極為板狀的像素電極，第二電極為狹縫狀的公共電極；相應(yīng)的，在該陣列基板中，柵絕緣層、中間介電層在對(duì)應(yīng)著漏電極的位置開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔，像素電極與漏電極通過(guò)第三過(guò)孔電連接?；谏鲜鲫嚵谢褰Y(jié)構(gòu)的不同，在本實(shí)施例陣列基板中不需要開(kāi)設(shè)第四過(guò)孔，陣列基板的其它結(jié)構(gòu)及材質(zhì)均與實(shí)施例1相同，在此不再贅述。
[0062]相應(yīng)地，基于上述陣列基板的結(jié)構(gòu)，該陣列基板的制備方法與實(shí)施例1中陣列基板的制備方法不同的是:與上述陣列基板的結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)地，本實(shí)施例中的陣列基板沒(méi)有開(kāi)設(shè)第四過(guò)孔的步驟，且公共電極形成在像素電極之上。
[0063]在本實(shí)施例中，所述制備方法中形成包括第一電極以及第二電極的圖形的步驟具體為:
[0064]步驟S5:在完成步驟S4的基板上形成中間介電層以及包括第一過(guò)孔、第二過(guò)孔以及第三過(guò)孔的圖形，其中:第一過(guò)孔形成在對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線(xiàn)的位置并貫穿緩沖層、柵絕緣層和中間介電層，第二過(guò)孔形成在對(duì)應(yīng)著源電極的位置并貫穿柵絕緣層和中間介電層，第三過(guò)孔形成在對(duì)應(yīng)著漏電極的位置并貫穿柵絕緣層和中間介電層。
[0065]步驟S6:在完成步驟S5的基板上形成包括像素電極的圖形，數(shù)據(jù)線(xiàn)與源電極通過(guò)第一過(guò)孔以及第二過(guò)孔電連接，像素電極與漏電極通過(guò)第三過(guò)孔電連接。
[0066]步驟S7:在完成步驟S6的基板上形成鈍化層以及包括公共電極的圖形，鈍化層完全覆蓋像素電極，公共電極的圖形形成在鈍化層的上方。
[0067]本實(shí)施例中所提供的陣列基板的制備方法的其它步驟與實(shí)施例1相同，這里不再贅述。
[0068]實(shí)施例3:
[0069]本實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖5所示，所述陣列基板包括基板I以及設(shè)置在基板I上的數(shù)據(jù)線(xiàn)2和掃描線(xiàn)(圖3中未示出)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)2和所述掃描線(xiàn)圍成多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵電極5、源電極6、漏電極7和有源區(qū)4，所柵電極5設(shè)置在有源區(qū)4的上方，源電極6與漏電極7分設(shè)在有源區(qū)4的相對(duì)兩側(cè)，所述像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有遮光金屬層3，遮光金屬層3和數(shù)據(jù)線(xiàn)2同層設(shè)置在基板I上，遮光金屬層3設(shè)置在有源區(qū)下方，且在正投影方向上與有源區(qū)4至少部分重疊，數(shù)據(jù)線(xiàn)2靠近源電極6且在正投影方向上與有源區(qū)4至少部分不重疊。
[0070]其中，所述陣列基板還包括:輕摻雜漏極8、緩沖層9以及柵絕緣層10。
[0071]上述陣列基板中的結(jié)構(gòu)以及材質(zhì)與實(shí)施例1或?qū)嵤├?相同，這里不再贅述。
[0072]與實(shí)施例1和實(shí)施例2不同的是:本實(shí)施例中的陣列基板還包括像素電極14，像素電極14設(shè)置在柵絕緣層10的上方，柵絕緣層10在對(duì)應(yīng)著漏電極7的位置開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔17，像素電極14與漏電極7通過(guò)第三過(guò)孔17電連接；柵絕緣層10和緩沖層9在對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)2的位置開(kāi)設(shè)有第一過(guò)孔15，柵絕緣層10在對(duì)應(yīng)著源電極6的位置開(kāi)設(shè)有第二過(guò)孔16，數(shù)據(jù)線(xiàn)2和源電極6通過(guò)第一過(guò)孔15以及第二過(guò)孔16電連接。
[0073]相應(yīng)地，基于上述陣列基板的結(jié)構(gòu)，該陣列基板的制備方法中，前四個(gè)步驟(即步驟S1、S2、S3、S4)與實(shí)施例1或?qū)嵤├?中陣列基板制備方法的前四個(gè)步驟相同，另外，該陣列基板的制備方法還包括形成像素電極的步驟，如圖6所示，具體為:[0074]步驟S5”:在完成步驟S4的基板I上形成包括第一過(guò)孔15、第二過(guò)孔16以及第三過(guò)孔17的圖形，其中:第一過(guò)孔15形成在對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線(xiàn)2的位置并貫穿緩沖層9和柵絕緣層10，第二過(guò)孔16形成在對(duì)應(yīng)著源電極6的位置并貫穿柵絕緣層10，第三過(guò)孔17形成在對(duì)應(yīng)著漏電極7的位置并貫穿柵絕緣層10。
[0075]步驟S6”:在完成步驟S5”的基板I上形成包括像素電極14的圖形，數(shù)據(jù)線(xiàn)2通過(guò)第一過(guò)孔15以及第二過(guò)孔16與源電極6電連接；像素電極14與漏電極7通過(guò)第三過(guò)孔17電連接。
[0076]需要說(shuō)明的是，實(shí)施例1和實(shí)施例2是以具有高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換顯示方式(即ADS顯示方式)的陣列基板作為示例對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式進(jìn)行具體說(shuō)明，實(shí)施例3是以具有扭曲向列型顯示方式(即TN顯示方式)的陣列基板作為示例對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式進(jìn)行具體說(shuō)明，但以上實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，而本實(shí)用新型的實(shí)際應(yīng)用范圍并不局限于此。
[0077]其中，ADS (ADvanced Super Dimension Switch,高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換)模式是平面電場(chǎng)寬視角核心技術(shù)，其核心技術(shù)特性描述為:通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的開(kāi)關(guān)技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。針對(duì)不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過(guò)率1-ADS技術(shù)、高開(kāi)口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0078]本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型所提供的陣列基板中，遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)形成在所述陣列基板的同一層中；所述遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)是通過(guò)同一構(gòu)圖工藝(其中包括曝光工藝)形成；與現(xiàn)有的陣列基板中，遮光金屬層和數(shù)據(jù)線(xiàn)不在同一構(gòu)圖工藝中形成，且二者也不設(shè)置在陣列基板的同一層中相比，減少了對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)的單獨(dú)構(gòu)圖工藝(即減少了對(duì)應(yīng)著現(xiàn)有技術(shù)陣列基板制備方法的步驟P6中的構(gòu)圖工藝)從而使得陣列基板的構(gòu)圖工藝數(shù)量減少，提高了陣列基板以及顯示裝置的制備效率。
[0079]實(shí)施例4:
[0080]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述任意一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板。
[0081]所述顯示裝置由于采用了上述實(shí)施例中所述的陣列基板，因此減少了陣列基板的構(gòu)圖工藝的數(shù)量，從而提高了顯示裝置的制備效率。
[0082]所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0083]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括基板以及設(shè)置在所述基板上的數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)圍成多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、源電極、漏電極和有源區(qū)，所述柵電極設(shè)置在所述有源區(qū)的上方，所述源電極和所述漏電極分設(shè)在所述有源區(qū)的相對(duì)兩側(cè)，所述像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有遮光金屬層，其特征在于，所述遮光金屬層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)同層設(shè)置在所述基板上，所述遮光金屬層設(shè)置在所述有源區(qū)下方，且在正投影方向上與所述有源區(qū)至少部分重疊，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)靠近所述源電極且在正投影方向上與所述有源區(qū)至少部分不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光金屬層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)采用相同的導(dǎo)電材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源區(qū)采用低溫多晶硅材料，所述源電極和所述漏電極采用離子注入的方式形成在所述有源區(qū)的相對(duì)兩側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光金屬層設(shè)置在所述源電極和所述漏電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域之間，且在正投影方向上與所述柵電極至少部分重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述有源區(qū)中還設(shè)置有輕摻雜漏極，所述輕摻雜漏極設(shè)置在所述源電極和所述漏電極之間，且分居在所述柵電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域的兩側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括緩沖層，所述緩沖層設(shè)置在所述有源區(qū)的下方以及所述基板的上方，所述遮光金屬層和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)被所述緩沖層覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述柵電極為至少一個(gè)，所述遮光金屬層為至少一片，所述遮光金屬層與所述柵電極位置對(duì)應(yīng)設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵絕緣層，所述柵絕緣層設(shè)置在所述有源區(qū)的上方以及所述柵電極的下方，所述有源區(qū)以及所述緩沖層被所述柵絕緣層覆蓋。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述柵電極上方的中間介電層、第一電極、鈍化層以及第二電極，所述第二電極與所述第一電極在正投影方向上至少部分重疊，所述第一電極為板狀或狹縫狀，所述第二電極為狹縫狀； 所述緩沖層、所述柵絕緣層和所述中間介電層在對(duì)應(yīng)著所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的位置開(kāi)設(shè)有第一過(guò)孔，所述柵絕緣層和所述中間介電層在對(duì)應(yīng)著所述源電極的位置開(kāi)設(shè)有第二過(guò)孔，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述源電極通過(guò)所述第一過(guò)孔以及所述第二過(guò)孔電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極，所述柵絕緣層、所述中間介電層在對(duì)應(yīng)著所述漏電極的位置開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔，所述像素電極和所述漏電極通過(guò)所述第三過(guò)孔電連接； 或者，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極，所述柵絕緣層、所述中間介電層在對(duì)應(yīng)著所述漏電極的位置開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)著所述漏電極的位置開(kāi)設(shè)有第四過(guò)孔，所述像素電極和所述漏電極通過(guò)所述第三過(guò)孔以及所述第四過(guò)孔電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極設(shè)置在所述柵絕緣層的上方，所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)著所述漏電極的位置開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔，所述像素電極與所述漏電極通過(guò)所述第三過(guò)孔電連接； 所述柵絕緣層和所述緩沖層在對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的位置開(kāi)設(shè)有第一過(guò)孔，所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)著所述源電極的位置開(kāi)設(shè)有第二過(guò)孔，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述源電極通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔電連接。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-11任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK203422543SQ201320416813
【公開(kāi)日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年7月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月12日
【發(fā)明者】孫建, 李成, 安星俊, 柳奉烈 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司