通過(guò)帶為7600-9300nm的紅外測(cè)溫濾光片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明所設(shè)計(jì)的一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的通過(guò)帶為7600-9300nm的紅外測(cè)溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該通過(guò)帶為7600-9300nm的紅外測(cè)溫濾光片，其在溫度測(cè)量過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片50%Cut?on＝7.6±0.05um，50%Cut?off＝9.3±0.05um；1500～7100nm、9800～14000nm?T≤3%；8000～9000nm?T≥88%、7700～9200nm?Tavg≥90%。
【專利說(shuō)明】通過(guò)帶為7600-9300nm的紅外測(cè)溫濾光片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及紅外濾光片領(lǐng)域，尤其是一種通過(guò)帶為7600-9300nm的紅外測(cè)溫濾光片。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外測(cè)溫儀由光學(xué)系統(tǒng)、探測(cè)器、信號(hào)放大器及信號(hào)處理、顯示輸出等部分組成。光學(xué)系統(tǒng)匯聚其視場(chǎng)內(nèi)的目標(biāo)紅外能量(熱量)，視場(chǎng)的大小由測(cè)溫儀的光學(xué)零件及其位置確定。紅外能量聚焦在探測(cè)器上并轉(zhuǎn)變?yōu)橄鄳?yīng)的電信號(hào)。該信號(hào)經(jīng)過(guò)放大器和信號(hào)處理電路，并按照儀器內(nèi)的算法和目標(biāo)發(fā)射率校正后轉(zhuǎn)變?yōu)楸粶y(cè)目標(biāo)的溫度值。
[0003]紅外測(cè)溫儀的探測(cè)器是實(shí)現(xiàn)紅外能量(熱能)轉(zhuǎn)換電信號(hào)的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來(lái)的紅外能量(熱量)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的溫度值，人們往往會(huì)在探測(cè)器中添加紅外濾光片，通過(guò)紅外濾光片可以使探測(cè)器只接受特定波段的紅外能量，保證紅外測(cè)溫儀的測(cè)溫結(jié)果，用于測(cè)溫和成像。
[0004]但是，目前的通過(guò)帶為7600_9300nm的紅外測(cè)溫濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場(chǎng)發(fā)展的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的通過(guò)帶為7600-9300nm的紅外測(cè)溫濾光片。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的通過(guò)帶為7600_9300nm的紅外測(cè)溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:192nm厚度的Ge層、272nm厚度的ZnS層、144nm厚度的Ge層、270nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、202nm厚度的ZnS層、lOlnm厚度的Ge層、241nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、294nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、450nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、323nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、318nm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、420nm厚度的ZnS層、229nm厚度的Ge層、452nm厚度的ZnS層、336nm厚度的Ge層、309nm厚度的ZnS層、249nm厚度的Ge層、365nm厚度的ZnS層、322nm厚度的Ge層、353nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、162nm厚度的Ge層、690nm厚度的ZnS層、239nm厚度的Ge層、627nm厚度的ZnS層、346nm厚度的Ge層、679nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、359nm厚度的Ge層、549nm厚度的ZnS層、415nm厚度的Ge層、877nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、740nm厚度的ZnS層、461nm厚度的Ge層和1132nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:699nm厚度的Ge層、440nm厚度的ZnS層、125nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、495nm厚度的Ge層、777nm厚度的ZnS層、235nm厚度的Ge層、573nm厚度的ZnS層、370nm厚度的Ge層、842nm厚度的ZnS層、499nm厚度的Ge層、1798nm厚度的ZnS層、675nm厚度的Ge層、1104nm厚度的ZnS層、605nm厚度的Ge層、1653nm厚度的ZnS層、624nm厚度的Ge層、1140nm厚度的ZnS層、653nm厚度的Ge層、1663nm厚度的ZnS層、582nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、839nm厚度的Ge層和530nm厚度的ZnS層。
[0007]上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在10nm左右。
[0008]本發(fā)明所得到的通過(guò)帶為7600_9300nm的紅外測(cè)溫濾光片，其在溫度測(cè)量過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片50%Cut on = 7.6±0.05um, 50%Cutoff = 9.3±0.05um ；1500 ~7100nm、9800 ~14000nm T ( 3% ；8000 ~9000nm T ≥ 88%、7700 ~9200nm Tavg ^ 90%。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過(guò)率實(shí)測(cè)曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
[0012]實(shí)施例1:
[0013]如圖1、圖2所示，本實(shí)施例描述的通過(guò)帶為7600-9300nm的紅外測(cè)溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板2，以Ge、ZnS為第一鍍膜層1和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層1和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層1由內(nèi)向外依次排列包含有:192nm厚度的Ge層、272nm厚度的ZnS層、144nm厚度的Ge層、270nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、202nm厚度的ZnS層、lOlnm厚度的Ge層、241nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、294nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、450nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、323nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、318nm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、420nm厚度的ZnS層、229nm厚度的Ge層、452nm厚度的ZnS層、336nm厚度的Ge層、309nm厚度的ZnS層、249nm厚度的Ge層、365nm厚度的ZnS層、322nm厚度的Ge層、353nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、162nm厚度的Ge層、690nm厚度的ZnS層、239nm厚度的Ge層、627nm厚度的ZnS層、346nm厚度的Ge層、679nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、359nm厚度的Ge層、549nm厚度的ZnS層、415nm厚度的Ge層、877nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、740nm厚度的ZnS層、461nm厚度的Ge層和1132nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:699nm厚度的Ge層、440nm厚度的ZnS層、125nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、495nm厚度的Ge層、777nm厚度的ZnS層、235nm厚度的Ge層、573nm厚度的ZnS層、370nm厚度的Ge層、842nm厚度的ZnS層、499nm厚度的Ge層、1798nm厚度的ZnS層、675nm厚度的Ge層、1104nm厚度的ZnS層、605nm厚度的Ge層、1653nm厚度的ZnS層、624nm厚度的Ge層、1140nm厚度的ZnS層、653nm厚度的Ge層、1663nm厚度的ZnS層、582nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、839nm厚度的Ge層和530nm厚度的ZnS層。
【權(quán)利要求】
1.一種通過(guò)帶為7600-9300nm的紅外測(cè)溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:192nm厚度的Ge層、272nm厚度的ZnS層、144nm厚度的Ge層、270nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、202nm厚度的ZnS層、lOlnm厚度的Ge層、241nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、294nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、450nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、323nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、318nm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、420nm厚度的ZnS層、229nm厚度的Ge層、452nm厚度的ZnS層、336nm厚度的Ge層、309nm厚度的ZnS層、249nm厚度的Ge層、365nm厚度的ZnS層、322nm厚度的Ge層、353nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、162nm厚度的Ge層、690nm厚度的ZnS層、239nm厚度的Ge層、627nm厚度的ZnS層、346nm厚度的Ge層、679nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、359nm厚度的Ge層、549nm厚度的ZnS層、415nm厚度的Ge層、877nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、740nm厚度的ZnS層、461nm厚度的Ge層和1132nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:699nm厚度的Ge層、440nm厚度的ZnS層、125nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、495nm厚度的Ge層、777nm厚度的ZnS層、235nm厚度的Ge層、573nm厚度的ZnS層、370nm厚度的Ge層、842nm厚度的ZnS層、499nm厚度的Ge層、1798nm厚度的ZnS層、675nm厚度的Ge層、1104nm厚度的ZnS層、605nm厚度的Ge層、1653nm厚度的ZnS層、624nm厚度的Ge層、1140nm厚度的ZnS層、653nm厚度的Ge層、1663nm厚度的ZnS層、582nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、839nm厚度的Ge層和530nm厚度的ZnS層。
【文檔編號(hào)】G02B5/20GK103713345SQ201310631464
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】呂晶, 王繼平, 胡偉琴 申請(qǐng)人:杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司