一種檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，包括以下步驟：步驟202，設置第一標記，第一標記位于電路板內(nèi)層基板的上表面，第一標記包括多個等邊長的第一方格；步驟204，設置第二標記，第二標記位于電路板內(nèi)層基板的下表面，并與第一標記相對應，第二標記包括多個分別與第一方格相對應的第二方格，且多個第二方格的邊長依次遞減，并均小于第一方格；步驟206，對電路板內(nèi)層基板進行兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理；步驟208，對比判斷，對比第一方格與第二方格的相對位置，判斷偏移方向及偏移尺寸。通過本發(fā)明提供的技術方案，可使工作人員快速地檢測出電路板內(nèi)層基板曝光偏移方向及偏移尺寸，提高生產(chǎn)效率。
【專利說明】一種檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板內(nèi)層基板生產(chǎn)制造領域，更具體而言，涉及一種檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法。

【背景技術】
[0002]在PCB (印刷電路板)生產(chǎn)制程中，通常采用的曝光制程包括內(nèi)、外層線路制作以及阻焊漆制作三個部分。制程步驟都是先進行感光膜壓制或涂裝感光乳劑，然后進行曝光顯影等流程。在PCB圖形轉移曝光作業(yè)過程中，曝光對位精準度是考究制程能力的關鍵因素。在生產(chǎn)過程中，由于使用的工具、板材尺寸差異、系統(tǒng)設計邏輯變化及曝光設備等因素，都會直接影響曝光對位精度，因此在量產(chǎn)前確認曝光圖形對位是一道必要且十分重要的程序。
[0003]由于圖形轉移次外層、外層及阻焊層兩面曝光對位都是采用曝光機CCD (電荷耦合器件圖像傳感器)抓取PCB四角同一定位孔完成每一面曝光，通常檢查曝光圖形對準的方法是在曝光完成后，以板內(nèi)通孔或盲孔或PAD (焊盤)為基準，確認干膜上所曝光圖形是否在基準中心范圍。但是PCB內(nèi)一層基板無對位孔或特征圖形，兩面曝光對位沒有一個共用的參照物。傳統(tǒng)曝光機在基板上下兩面同時架設底片進行雙面同時曝光(LDI，即激光成像技術:上下激光掃描做對位標記先曝A面再翻轉曝B面)，由于板面上下底片架設位置及上下對位精度差異，導致兩面曝光圖形對準度會有一定的偏移。目前使用的檢查兩面曝光對準的方法是:如圖1所示，在電路板內(nèi)層基板Top層(頂層)與Bottom層(底層)的四角位置，各設置一個同心圓并且是一大一小套在里面，曝光蝕刻后確認大圓與小圓之間的位置關系(通常檢測其是否相切)如圖2所示，以此來判定兩面曝光圖形對準度是否在規(guī)定的范圍內(nèi)。
[0004]現(xiàn)有技術檢查電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準的方法，只能判斷兩面圖形對準是否在規(guī)定的范圍內(nèi)，在對位偏移較大的情況下不利于工作人員及時查找PCB曝光偏移原因，從而影響生產(chǎn)效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一。
[0006]為此，本發(fā)明的一個目的在于，提供一種檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，操作簡單，可快速地檢測出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，以便于工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一個實施例提供了一種檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，包括以下步驟:
[0008]步驟202，設置第一標記，所述第一標記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面，所述第一標記包括多個等邊長的第一方格；
[0009]步驟204，設置第二標記，所述第二標記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面，并與所述第一標記相對應，所述第二標記包括多個分別與所述第一方格相對應的第二方格，且多個所述第二方格的邊長依次遞減，并均小于所述第一方格；
[0010]步驟206，對所述電路板內(nèi)層基板進行兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理；
[0011]步驟208，對比判斷，對比所述第一方格與所述第二方格的相對位置，判斷偏移方向及偏移尺寸。
[0012]本發(fā)明一個實施例提供的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，通過在電路板內(nèi)層基板的上表面和下表面分別設置相對應的第一標記和第二標記，在電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，檢查對比第二標記與第一標記的位置，即可看出電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光后的偏移方向及偏移尺寸，具體來說，首先，第一標記和第二標記均由方格構成，每一構成第一標記的第一方格與一構成第二標記的第二方格相對應，且構成第二標記的第二方格的邊長依次遞減，并均小于第一方格，當電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，第一方格和第二方格會分別留在電路板內(nèi)層基板的上表面和下表面，這樣，可以很容易觀察到第一方格與第二方格的相對位置，從而可快速地檢測出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向，另外，與現(xiàn)有技術使用的圓形特征圖形相比較，本發(fā)明采用方形特征圖形更容易檢測出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向，其次，因第二方格的邊長依次遞減，可通過第二方格與第一方格構成的不同的邊長差，快速地檢測出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸，以便于工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率，并可保證成品電路板的質量。
[0013]綜上所述，本發(fā)明提供的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，操作簡單，在對位偏移較大的情況下，仍可快速地檢測出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率。
[0014]另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例提供的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，還具有如下附加技術特征:
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在步驟202中，所述第一標記包括四個等邊長的第一方格；
[0016]在步驟204中，所述第二標記包括四個分別與所述第一方格相對應的第二方格。
[0017]在電路板內(nèi)層基板的上表面設置由四個等邊長的第一方格構成的第一標記、下表面設置由分別與第一方格對應的四個第二方格構成的第二標記，且四個第二方格的邊長依次遞減，并均小于第一方格，這樣設置，使得電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理后，通過對比第一方格與第二方格的相對位置即可判斷出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向，因第二方格邊長依次遞減，四個不等第二方格與四個等邊長的第一方格相比較即可形成四種邊長差，可通過該邊長差判斷兩面曝光偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，進一步提聞生廣效率。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一標記為四個等邊長的所述第一方格構成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格之間設置有間隙。
[0019]第一標記為方形圖形，使得四個等邊長的第一方格的布局簡單，相鄰的兩第一方格之間設置有間隙，這樣，在對比第一方格與第二方格的相對位置，判斷電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸及偏移方向時，使電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸更容易區(qū)分。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一標記為四個等邊長的所述第一方格構成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格之間等間隔設置。
[0021]第一標記為方形圖形，使得四個等邊長的第一方格的布局簡單，相鄰的兩第一方格之間等間隔設置，這樣，一方面，在對比第一方格與第二方格的相對位置，判斷電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸及偏移方向時，使電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸更容易區(qū)分，另一方面，相鄰第一方格之間等間隔設置，使得四個第一方格構成的第一標記更加美觀，更容易判斷偏移方向。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第二標記為分別與四個所述第一方格中心相對應的四個第二方格，四個所述第二方格的邊長比各自對應的所述第一方格的邊長分別小lmil、2mil、3mil 和 4mil。
[0023]在電路板內(nèi)層基板兩面曝光后，通常情況下其偏移尺寸為Imil或2mil或3mil或4mil，因此，將四個第二方格的邊長相對于與其對應的第一方格的邊長分別小lmil、2mil、3mil和4mil，可使工作人員在電路板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，通過觀察邊長差，直接得到偏移尺寸，從而可快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，進而提高生產(chǎn)效率。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一標記還包括設置在每一所述第一方格上的第一標號；所述第二標記還包括設置在每一所述第二方格上的第二標號。
[0025]為了更快地使工作人員在電路板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，快速判斷出電路板內(nèi)層基板曝光偏移尺寸，在等邊長的第一方格和不同邊長的第二方格上分別做標號，使工作人員可直接通過標號判斷偏移尺寸，進一步加快了工作人員查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一標號為依次設置在所述第一標記中的每一所述第一方格上的I’、2’、3’和4’ ；
[0027]所述第二標號為設置在對應于標號為I’的所述第一方格且邊長小于所述第一方格Imil的所述第二方格上的數(shù)字1、設置在對應于標號為2’的所述第一方格且邊長小于所述第一方格2mil的所述第二方格上的數(shù)字2、設置在對應于標號為3’的所述第一方格且邊長小于所述第一方格3mil的所述第二方格上的數(shù)字3、以及設置在對應于標號為4’的所述第一方格且邊長小于所述第一方格4mil的所述第二方格上的數(shù)字4。
[0028]在四個第一方格上分別標記I’、2’、3’和4’，在與第一方格中心對應的第二方格上按各自與第一方格的邊長差分別標記1、2、3和4, 一方面,可判斷第一方格與第二方格是否對應準確，另一方面，可使工作人員無須測量即可判斷出電路板內(nèi)層基板的曝光偏移尺寸。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述電路板內(nèi)層基板呈矩形，所述第一標記位于所述電路板內(nèi)層基板上表面的一角處。
[0030]將第一標記設置在電路板內(nèi)層基板上表面的一角處，一方面，不會影響電路板內(nèi)層基板的正常使用，另一方面，可快速地檢測出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，從而提高來看生產(chǎn)效率。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在步驟202中，還設置有第三標記，所述第三標記與所述第一標記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面的兩個對角處，且所述第三標記與所述第一標記大小、結構均相同；
[0032]在步驟204中，還設置有第四標記，所述第四標記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面并與所述第三標記相對應，且所述第四標記與所述第二標記大小、結構均相同。
[0033]在電路板內(nèi)層基板的上表面對角處設置第一標記和第三標記、下表面設置分別與第一標記對應的第二標記和第四標記，且第三標記與第一標記大小、結構均相同，第四標記與所述第二標記大小、結構均相同，這樣，一方面使得標記的制作簡單方便，另一方面，可更準確的檢測出電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光等處理后的偏移方向和偏移尺寸，使得工作人員可更準確地查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在步驟202中，還設置有第五標記和第七標記，所述第五標記和所述第七標記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面的另外兩角處，所述第一標記、所述第三標記、所述第五標記和所述第七標記大小、結構均相同；
[0035]在步驟204中，還設置有第六標記和第八標記，所述第六標記和所述第八標記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面，并分別與所述第五標記和第七標記相對應，且所述第二標記、所述第四標記、所述第六標記和所述第八標記大小、結構均相同。
[0036]在電路板內(nèi)層基板的上表面的四個角處分別作標記，并在電路板內(nèi)層基板的下表面的四個角處分別對應上表面的標記制作標記，且位于電路板內(nèi)層基板的上表面的全部標記大小、結構相同，位于電路板內(nèi)層基板的下表面的全部標記大小、結構相同，這樣，可進一步保證檢測出電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光等處理后的偏移方向和偏移尺寸的準確性，進而使得工作人員可快速地、準確地查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0037]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述部分中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0039]圖1是現(xiàn)有技術中電路板內(nèi)層基板結構示意圖；
[0040]圖2是圖1中A部放大結構示意圖；
[0041]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法的流程圖；
[0042]圖4是根據(jù)本發(fā)明一實施例所述的電路板內(nèi)層基板的結構示意圖；
[0043]圖5是圖4中B部放大結構示意圖；
[0044]圖6是圖5中第一標記結構示意圖；
[0045]圖7是圖5中第二標記結構示意圖；
[0046]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實施例所述的電路板內(nèi)層基板的結構示意圖；
[0047]圖9是根據(jù)本發(fā)明又一實施例所述的電路板內(nèi)層基板的結構示意圖。
[0048]其中，圖1和圖2中附圖標記與部件名稱之間的對應關系為:
[0049]100’電路板內(nèi)層基板。
[0050]圖4至圖9中附圖標記與部件名稱之間的對應關系為:
[0051]100電路板內(nèi)層基板，110第一標記，120第二標記，111第一方格，121第二方格?！揪唧w實施方式】
[0052]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0053]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的方式來實施，因此，本發(fā)明的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。
[0054]下面參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明一些實施例提供的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法。
[0055]如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明一些實施例供的一種檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，用于檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，包括以下步驟:
[0056]步驟202，設置第一標記110，所述第一標記110位于所述電路板內(nèi)層基板100的上表面一角，所述第一標記110包括多個等邊長的第一方格111 ;
[0057]步驟204，設置第二標記120，所述第二標記120位于所述電路板內(nèi)層基板100的下表面，并與所述第一標記110相對應，所述第二標記120包括多個分別與所述第一方格111相對應的第二方格121，且多個所述第二方格121的邊長依次遞減，并均小于所述第一方格111 ;
[0058]步驟206，對所述電路板內(nèi)層基板100進行兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理；
[0059]步驟208，對比判斷，對比所述第一方格111與所述第二方格121的相對位置，判斷偏移方向及偏移尺寸。
[0060]本發(fā)明一些實施例提供的檢測電路板內(nèi)層基板100兩面曝光對準度的方法，通過在電路板內(nèi)層基板100的上表面和下表面分別設置相對應的第一標記110和第二標記120,在電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，檢查對比第二標記120與第一標記110的位置，即可看出電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光后的偏移方向及尺寸，具體來說，首先，第一標記I1和第二標記120均由方格構成,每一構成第一標記110的第一方格111與一構成第二標記120的第二方格121相對應，且構成第二標記120的第二方格121的邊長依次遞減，并均小于第一方格111，當電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，第一方格111和第二方格121會分別留在電路板內(nèi)層基板100的上表面和下表面，這樣，可以很容易觀察到第一方格111與第二方格121的相對位置，從而可快速地檢測出電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移方向，另外，與現(xiàn)有技術使用的圓形特征圖形相比較，本發(fā)明采用方形特征圖形更容易檢測出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向，其次，因第二方格121的邊長依次遞減，這樣可快速地檢測出電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸，以便于工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率，并可保證成品電路板的質量。
[0061]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一標記110為四個等邊長的所述第一方格111構成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格111之間設置有間隙。
[0062]具體地，如圖5所示，所述第一標記110為四個等邊長的所述第一方格111構成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格111之間等間隔設置。
[0063]第一標記110為方形圖形，使得四個等邊長的第一方格111的布局簡單，相鄰的兩第一方格111之間設置有間隙，這樣，在對比第一方格111與第二方格121的相對位置，判斷電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸及偏移方向時,使電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸更容易區(qū)分；相鄰第一方格111之間等間隔設置，使得四個第一方格111構成的第一標記110更加美觀，更容易判斷偏移方向。
[0064]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第二標記120為分別與四個所述第一方格111中心相對應的四個第二方格121，四個所述第二方格121的邊長比各自對應的所述第一方格111 的邊長分別小 lmil、2mil、3mil 和 4mil。
[0065]所述第一標記110還包括設置在每一所述第一方格111上的第一標號；
[0066]所述第二標記120還包括設置在每一所述第二方格121上的第二標號。
[0067]如圖6所示，所述第一標號為依次設置在所述第一標記110中的每一所述第一方格 111 上的 1’、2’、3’ 和 4’ ；
[0068]如圖7所示，所述第二標號為設置在對應于標號為I’的所述第一方格111且邊長小于所述第一方格(111) Imil的所述第二方格121上的數(shù)字1、設置在對應于標號為2’的所述第一方格111且邊長小于所述第一方格(111) 2mil的所述第二方格121上的數(shù)字2、設置在對應于標號為3’的所述第一方格111且邊長小于所述第一方格(lll)3mil的所述第二方格121上的數(shù)字3、以及設置在對應于標號為4’的所述第一方格111且邊長小于所述第一方格(lll)4mil的所述第二方格121上的數(shù)字4。
[0069]在電路板內(nèi)層基板100的上表面設置由四個等邊長的第一方格111構成的第一標記110、下表面設置由分別與第一方格111對應的四個第二方格121構成的第二標記120,且四個第二方格121的邊長依次遞減，并均小于第一方格111，這樣設置，使得電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理后，通過對比第一方格111與第二方格121的相對位置即可判斷出電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移方向，因第二方格121邊長依次遞減，四個不等邊長的第二方格121與四個等邊長的第一方格111相比較即可形成四種邊長差，可通過該邊長差判斷兩面曝光偏移尺寸，且使用上述四種邊長差即可判斷通常情況下內(nèi)層電路板兩面曝光的偏移尺寸，既節(jié)省了更多標記的制作時間，提高了工作效率，又不會影響電路板內(nèi)層基板100的使用性能，同時可使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0070]第一標記110為方形圖形，使得四個等邊長的第一方格111的布局簡單，相鄰的兩第一方格111之間等間隔設置，這樣，在對比第一方格111與第二方格121的相對位置，判斷電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸及偏移方向時,使電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸更容易區(qū)分。
[0071]在電路板內(nèi)層基板兩面曝光后，通常情況下其偏移尺寸為Imil或2mil或3mil或4mil，因此，將四個第二方格121的邊長相對于與其對應的第一方格111的邊長分別小lmil、2mil、3mil和4mil，并在四個第一方格111上分別標記1’、2’、3’和4’，在與第一方格111中心對應的第二方格121上按各自與第一方格111的邊長差分別標記1、2、3和4,這樣，在電路板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，一方面，可判斷第一方格111與第二方格121是否對應準確，另一方面，可使工作人員無須測量即可判斷出電路板內(nèi)層基板100的曝光偏移尺寸。
[0072]根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例，如圖4和圖5所示，所述電路板內(nèi)層基板100呈矩形，所述第一標記110位于所述電路板內(nèi)層基板100上表面的一角處。
[0073]將第一標記110設置在電路板內(nèi)層基板100上表面的一角處，既不會影響電路板內(nèi)層基板100的正常使用，又可快速地檢測出電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率。
[0074]根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施例，如圖8和圖5所示，在步驟202中，還設置有第三標記，所述第三標記與所述第一標記110位于所述電路板內(nèi)層基板100的上表面的兩個對角處，且所述第三標記與所述第一標記110大小、結構均相同；
[0075]在步驟204中，還設置有第四標記，所述第四標記位于所述電路板內(nèi)層基板100的下表面并與所述第三標記相對應，且所述第四標記與所述第二標記120大小、結構均相同。
[0076]在電路板內(nèi)層基板100的上表面對角處設置第一標記110和第三標記、下表面設置分別與第一標記110和第三標記分別對應的第二標記120和第四標記，可更準確的檢測出電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光等處理后的偏移方向和偏移尺寸，使得工作人員可更準確地查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0077]根據(jù)本發(fā)明的又一個具體實施例，如圖9和圖5所示，在步驟202中，還設置有第五標記和第七標記，所述第五標記和所述第七標記位于所述電路板內(nèi)層基板100的上表面的另外兩角處，所述第一標記、所述第三標記、所述第五標記和所述第七標記大小、結構均相同；
[0078]在步驟204中，還設置有第六標記和第八標記，所述第六標記和所述第八標記位于所述電路板內(nèi)層基板100的下表面，并分別與所述第五標記和第七標記相對應，且所述第二標記120、所述第四標記、所述第六標記和所述第八標記大小、結構均相同。
[0079]在電路板內(nèi)層基板100的上表面的四個角處分別作標記，并在電路板內(nèi)層基板100的下表面的四個角處分別對應上表面的標記制作標記，且位于電路板內(nèi)層基板100的上表面的全部標記大小、結構相同，位于電路板內(nèi)層基板100的下表面的全部標記大小、結構相同，這樣，可進一步保證檢測出電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光等處理后的偏移方向和偏移尺寸的準確性，進而使得工作人員可快速地、準確地查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0080]本發(fā)明提供的檢測電路板內(nèi)層基板100兩面曝光對準度的方法，用于檢測電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，其具體操作如下:
[0081]步驟一:標記“I”的小方格其邊長比Top層所對應的小方格邊長小lmil，:如圖6所示，在電路板內(nèi)層基板100的Top層四角位置各設計一個方形圖形，方形內(nèi)由四個第一方格111組成，各方格間保留適當?shù)拈g距，該方形圖形可在完成曝光、顯影、蝕刻后只保留外圍邊框及四個第一方格111，其他覆銅部分全部蝕刻掉；
[0082]步驟二:如圖7所示,在Bottom層按照Top層設計的方形所在同心位置相對應的各設計一個大小等同的方形，該方形由四個第二方格121組成，并分別標記數(shù)字1、2、3、4，標記“I”的第二方格121其邊長比Top層所對應的第一方格111邊長小lmil，標記“2”的第二方格121其邊長比Top層所對應的第一方格111邊長小2mil，標記“3”的第二方格121其邊長比Top層所對應的第一方格111邊長小3mil，標記“4”的第二方格121其邊長比Top層所對應的第一方格111邊長小4mil，在蝕刻后第二方格121上標記的數(shù)字也相應的蝕刻出來，其它的與Top層一致；
[0083]步驟三:對電路板內(nèi)層基板100板進行曝光、顯影和蝕刻處理；
[0084]將完成壓膜制程的電路板內(nèi)層基板100進行曝光生產(chǎn)，曝光后進行圖形顯影，將所需的線路及圖形顯示在板面所壓干膜之上，然后覆銅基板表面蝕刻出所需線路圖形，包括上述設計的特殊圖形。
[0085]步驟四:檢查PCB板兩面曝光圖形，判斷曝光偏移尺寸。
[0086]經(jīng)過蝕刻后，Top層和Bottom層會形成上述兩種方形圖形，可通過肉眼或者目鏡檢查兩面圖形對準情況，從而確定其偏移尺寸。
[0087]檢查方法:兩面圖形重疊時檢查四個方格邊框是否有重影，以此來判斷兩面圖形對準情況。當PCB兩面圖形曝光完全對準無偏差的情況下,位于Top層和Bottom層的四個第一方格111和第二方格121的中心點會重合；當標有數(shù)字“I”的小方格與Top層相應小方格一端或兩端重合時，表不PCB板兩面曝光向重合的方向偏移Imil ;同理,當標有數(shù)字“2”、“3”、“4”的小方格和Top層對應小方格一端或兩端重合時，表示PCB板兩面曝光向重合的方向偏移2mil、3mil和4mil。
[0088]綜上所述，本發(fā)明提供的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，操作簡單，在對位偏移較大的情況下，仍可快速地檢測出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率。
[0089]在本說明書的描述中，術語“多個”指兩個或兩個以上，術語“一個實施例”、“一些實施例”、“具體實施例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或實例。而且，描述的具體特征、結構、材料或特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
[0090]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，用于檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，其特征在于，包括以下步驟: 步驟202，設置第一標記，所述第一標記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面，所述第一標記包括多個等邊長的第一方格； 步驟204，設置第二標記，所述第二標記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面，并與所述第一標記相對應，所述第二標記包括多個分別與所述第一方格相對應的第二方格，且多個所述第二方格的邊長依次遞減，并均小于所述第一方格； 步驟206，對所述電路板內(nèi)層基板進行兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理； 步驟208，對比判斷，對比所述第一方格與所述第二方格的相對位置，判斷偏移方向及偏移尺寸。
2.根據(jù)權利要求1所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，其特征在于， 在步驟202中，所述第一標記包括四個等邊長的第一方格； 在步驟204中，所述第二標記包括四個分別與所述第一方格相對應的第二方格。
3.根據(jù)權利要求2所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，其特征在于， 所述第一標記為四個等邊長的所述第一方格構成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格之間設置有間隙。
4.根據(jù)權利要求2所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，其特征在于， 所述第一標記為四個等邊長的所述第一方格構成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格之間等間隔設置。
5.根據(jù)權利要求4所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，其特征在于， 所述第二標記為分別與四個所述第一方格中心相對應的四個第二方格，四個所述第二方格的邊長比各自對應的所述第一方格的邊長分別小111111、2—1、3011和4011。
6.根據(jù)權利要求5所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，其特征在于， 所述第一標記還包括設置在每一所述第一方格上的第一標號； 所述第二標記還包括設置在每一所述第二方格上的第二標號。
7.根據(jù)權利要求6所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，其特征在于，所述電路板內(nèi)層基板還包括: 所述第一標號為依次設置在所述第一標記中的每一所述第一方格上的1’、2’、3’和4，； 所述第二標號為設置在對應于標號為1’的所述第一方格且邊長小于所述第一方格111111的所述第二方格上的數(shù)字1、設置在對應于標號為2’的所述第一方格且邊長小于所述第一方格2-1的所述第二方格上的數(shù)字2、設置在對應于標號為3’的所述第一方格且邊長小于所述第一方格3-1的所述第二方格上的數(shù)字3、以及設置在對應于標號為4’的所述第一方格且邊長小于所述第一方格411111的所述第二方格上的數(shù)字4。
8.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，其特征在于， 所述電路板內(nèi)層基板呈矩形，所述第一標記位于所述電路板內(nèi)層基板上表面的一角處。
9.根據(jù)權利要求8所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，其特征在于， 在步驟202中，還設置有第三標記，所述第三標記與所述第一標記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面的兩個對角處，且所述第三標記與所述第一標記大小、結構均相同； 在步驟204中，還設置有第四標記，所述第四標記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面并與所述第三標記相對應，且所述第四標記與所述第二標記大小、結構均相同。
10.根據(jù)權利要求9所述的檢測電路板內(nèi)層基板兩面曝光對準度的方法，其特征在于，在步驟202中，還設置有第五標記和第七標記，所述第五標記和所述第七標記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面的另外兩角處，所述第一標記、所述第三標記、所述第五標記和所述第七標記大小、結構均相同； 在步驟204中，還設置有第六標記和第八標記，所述第六標記和所述第八標記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面，并分別與所述第五標記和第七標記相對應，且所述第二標記、所述第四標記、所述第六標記和所述第八標記大小、結構均相同。
【文檔編號】G03F7/20GK104460249SQ201310444632
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月23日 優(yōu)先權日:2013年9月23日
【發(fā)明者】王偉, 陳德福 申請人:北大方正集團有限公司, 珠海方正科技高密電子有限公司, 方正信息產(chǎn)業(yè)控股有限公司