陣列基板制備方法、陣列基板以及液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板制備方法、陣列基板以及液晶顯示裝置，涉及液晶顯示領(lǐng)域，節(jié)省了阻擋層結(jié)構(gòu)的設(shè)置，提高了液晶顯示裝置的光學(xué)利用率。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制備方法，包括：形成柵極金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵極線的圖形；形成柵極絕緣層；形成有源層以及半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝形成包括硅島的圖形；形成源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線的圖形；形成第一感光樹脂層以及第二感光樹脂層，通過構(gòu)圖工藝以及固化工藝形成溝道開口、接觸孔的圖形以及包括凹凸圖案的第一鈍化層；通過刻蝕工藝刻蝕掉溝道開口位置處的源漏金屬層以及半導(dǎo)體層，形成包括源極、漏極以及溝道的圖形。
【專利說明】陣列基板制備方法、陣列基板以及液晶顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板制備方法、陣列基板以及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來,隨著液晶顯示產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛,液晶顯示技術(shù)也越來越完善。TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管-液晶顯不器)以其高品質(zhì)的圖像顯示、低能耗、環(huán)保等優(yōu)勢在顯示領(lǐng)域占據(jù)著十分重要位置。
[0003]作為一種常見的現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)。如圖1所示，圖1為該現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置的層間結(jié)構(gòu)示意圖，包括:基板la’以及依次設(shè)置在基板la’上的柵極金屬層2’、柵極絕緣層3’、有源層包括非晶硅半導(dǎo)體層4’以及摻雜硅半導(dǎo)體層5’、源漏金屬層6’、第一鈍化層7’、像素電極層9’、第二鈍化層10’、公共電極層11’ ；基板lb’以及設(shè)置在基板lb’上的配向膜12’、黑矩陣13’、彩色濾光片14’ ；以及封框膠15’、隔墊物16’、液晶分子17，。
[0004]然而，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)制備現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置時(shí)至少存在如下問題:本領(lǐng)域技術(shù)人員通常利用涂覆并固化有機(jī)樹脂的方式形成第一鈍化層。然而形成第一鈍化層的有機(jī)樹脂材料中包含有例如:-0H基團(tuán)以及其它不飽和鍵，即使固化交聯(lián)后不飽和鍵依然存在，因此會對溝道產(chǎn)生影響(例如:導(dǎo)致TFT特性下降或是漏電流過大等不良現(xiàn)象)。為了克服該影響，通常需要在溝道上涂覆一層氮化硅阻擋層，阻止樹脂材料不飽和鍵與溝道的接觸。然而，這又會引入新的問題，例如:在阻擋層上制備過孔時(shí)，氮化硅材料的橫向刻蝕速率較快而縱向刻蝕速率較慢，因此生成的過孔其結(jié)構(gòu)上部小下部大，再進(jìn)行制備ITO或金屬連接線時(shí)容易出現(xiàn)斷線情況。另一方面，現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置中形成的平坦結(jié)構(gòu)的第一鈍化層，其對光線的會聚效果有限，致使無法進(jìn)一步提高液晶顯示裝置對光的利用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法、陣列基板以及液晶顯示裝置，節(jié)省了阻擋層結(jié)構(gòu)的設(shè)置，提高了液晶顯示裝置的光學(xué)利用率。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]—種陣列基板制備方法，包括:
[0008]形成柵極金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵極線的圖形；
[0009]形成柵極絕緣層；
[0010]形成有源層，通過構(gòu)圖工藝形成包括硅島的圖形；
[0011]形成源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線的圖形；
[0012]形成第一感光樹脂層以及第二感光樹脂層，通過構(gòu)圖工藝以及固化工藝形成溝道開口、接觸孔的圖形以及包括凹凸圖案的第一鈍化層；
[0013]通過刻蝕工藝刻蝕掉所述溝道開口位置處的所述源漏金屬層以及部分所述有源層，形成包括源極、漏極以及溝道的圖形。
[0014]進(jìn)一步的，陣列基板制備方法，在形成所述包括源極、漏極以及溝道的圖形之后，還包括:
[0015]形成像素電極層，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過所述接觸孔與所述漏極相連；
[0016]形成第二鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極線過孔、數(shù)據(jù)線過孔的圖形；
[0017]形成公共電極層，通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖形。
[0018]進(jìn)一步的，所述第一感光樹脂層材料的光靈敏度小于所述第二感光樹脂層材料的光靈敏度。
[0019]優(yōu)選的，所述第一感光樹脂層材料的折射率小于所述第二感光樹脂層材料的折射率。
[0020]優(yōu)選的，所述有源層包括非晶硅半導(dǎo)體層以及摻雜硅半導(dǎo)體層。
[0021]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板通過上述的制備方法制備生成。
[0022]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示裝置，包括上述陣列基板，所述液晶顯示裝置中還包括:隔墊物；所述隔墊物設(shè)置于第二鈍化層的凹陷位置處，所述隔墊物的凸起形狀與所述第二鈍化層的凹陷形狀相匹配。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制備方法、陣列基板以及液晶顯示裝置，利用源漏金屬層，避免了有機(jī)樹脂材料中的不飽和鍵進(jìn)入溝道而影響溝道特性，從而省去了阻擋層的設(shè)置；同時(shí)制備生成具有凹凸圖案的第一鈍化層，有利于提高液晶顯示裝置的光學(xué)利用率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置的層間結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制備方法的流程圖之一；
[0027]圖3為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制備方法的流程圖之二 ；
[0028]圖4a至圖4i為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖4i為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板最終的層間結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明實(shí)施例液晶顯示裝置的層間結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法、陣列基板以及液晶顯示裝置，節(jié)省了阻擋層結(jié)構(gòu)的設(shè)置，提高了液晶顯示裝置的光學(xué)利用率。
[0031]以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、接口、技術(shù)之類的具體細(xì)節(jié)，以便透切理解本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的其它實(shí)施例中也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。在其它情況中，省略對眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細(xì)說明，以免不必要的細(xì)節(jié)妨礙本發(fā)明的描述。
[0032]下面結(jié)合下述附圖對本發(fā)明實(shí)施例做詳細(xì)描述。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板制備方法，如圖2所示，該方法包括:
[0034]步驟SlOl:形成柵極金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵極線的圖形；
[0035]需要說明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝包括涂膠、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟。
[0036]具體的，如圖4a所示，首先在基板Ia上形成一層?xùn)艠O金屬層2，然后通過一次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟形成包括柵極、柵極線的圖形。其中，基板Ia可為玻璃基板或聞分子有機(jī)樹脂基板等等。
[0037]步驟S102:形成柵極絕緣層。
[0038]具體的，如圖4b所示，在完成上述步驟SlOl的基板上形成一層?xùn)艠O絕緣層3。該柵極絕緣層3的材質(zhì)可為SiNx、SiOx> SiNx/SiOx中的任意一種或幾種。
[0039]步驟S103:形成有源層，通過構(gòu)圖工藝形成包括硅島的圖形。
[0040]具體的，如圖4c所示，在完成上述步驟S102的基板上形成有源層，具體的，該有源層可包括一層非晶硅半導(dǎo)體層4以及一層摻雜硅半導(dǎo)體層5，然后通過一次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟形成包括硅島的圖形。其中，非晶硅半導(dǎo)體層4的材質(zhì)可為非晶娃(a-Si);摻雜娃半導(dǎo)體層5的材質(zhì)可為摻雜娃(n+Si)。
[0041]進(jìn)一步的，步驟S103還包括:在完成上述工藝的基礎(chǔ)上，可通過再一次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟進(jìn)一步在柵極絕緣層3上形成包括陣列基板周邊區(qū)域所需的過孔的圖案。
[0042]步驟S104:形成源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線的圖形。
[0043]具體的，如圖4d所示，在完成上述步驟S103的基板上形成一層源漏金屬層6，然后通過一次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟形成包括數(shù)據(jù)線的圖形。其中，源漏金屬層6的材質(zhì)可為鑰、鋁等金屬材料。
[0044]需要說明的是，如圖4d所示，源漏金屬層6設(shè)置在非晶硅半導(dǎo)體層4以及摻雜硅半導(dǎo)體層5的上方。因此在后續(xù)步驟形成感光樹脂層時(shí)，源漏金屬層6可將非晶硅半導(dǎo)體層4以及摻雜硅半導(dǎo)體層5與感光樹脂材料隔絕開來，從而避免了包含例如:-0H基團(tuán)以及其它不飽和鍵的感光樹脂進(jìn)入溝道造成影響。因此，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板制備方法節(jié)省了阻擋層結(jié)構(gòu)，使得生成的陣列基板結(jié)構(gòu)更加緊湊。
[0045]步驟S105:形成第一感光樹脂層以及第二感光樹脂層，通過構(gòu)圖工藝以及固化工藝形成溝道開口、接觸孔的圖形以及包括凹凸圖案的第一鈍化層。
[0046]具體的，如圖4e所示，在完成上述步驟S104的基板上依次形成一層第一感光樹脂層71以及一層第二感光樹脂層72，然后通過一次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟以及樹脂固化工藝步驟，形成溝道開口、接觸孔的圖形以及包括凹凸圖案的第一鈍化層7。
[0047]進(jìn)一步的，第一感光樹脂層71材料的光靈敏度小于第二感光樹脂層72材料的光
靈敏度。
[0048]需要說明的是，在形成本步驟所需的第一鈍化層7的過程中，需要利用半透灰階掩膜板。具體的，在溝道開口對應(yīng)位置以及接觸孔對應(yīng)位置處進(jìn)行全曝光工藝，因?yàn)榈谝桓泄鈽渲瑢?1材料的光靈敏度小于第二感光樹脂層72材料的光靈敏度。因此，例如對于溝道開口來說，高光靈敏度的第二感光樹脂層72通過曝光工藝形成的溝道開口的上部開口口徑較大，而低光靈敏度的第一感光樹脂層71通過曝光工藝形成形成的溝道開口的下部開口口徑較小，從而可以使得溝道開口圖形呈現(xiàn)一種比較緩和的坡度。需要說明的是，當(dāng)溝道開口圖形呈現(xiàn)一種比較緩和的坡度時(shí)，通過后續(xù)工藝步驟在溝道開口處形成其它層間結(jié)構(gòu)時(shí)，例如:在溝道開口位置處形成第二鈍化層時(shí)，不易發(fā)生斷線等不良現(xiàn)象。
[0049]進(jìn)一步具體的，例如:形成溝道開口呈上寬下窄的梯形結(jié)構(gòu)，其中該梯形結(jié)構(gòu)的溝道開口下部開口 口徑為3?5um，該溝道開口高約為3um，該溝道開口上部開口 口徑為6?12um。同樣道理，形成類似的上寬下窄結(jié)構(gòu)的接觸孔圖形。
[0050]另一方面，在同一次構(gòu)圖工藝中，對形成凹凸圖案對應(yīng)位置處進(jìn)行部分曝光工藝，從而使得高光靈敏度的第二感光樹脂層72接收曝光而低光靈敏度的第一感光樹脂層71不發(fā)生曝光，使得第一鈍化層7形成如圖4e所示的結(jié)構(gòu)形狀。
[0051]進(jìn)一步的，對完成上述曝光工藝的第一感光樹脂層71以及第二感光樹脂層72進(jìn)行固化工藝處理，從而形成具有凹凸圖案的第一鈍化層7。需要說明的是，具有凹凸圖案的第一鈍化層相比于平坦結(jié)構(gòu)的鈍化層來說，其對光線的會聚作用更好，因此利用該具有凹凸圖案的第一鈍化層可以有效的提高液晶顯示裝置的光學(xué)利用率。
[0052]優(yōu)選的，第一感光樹脂層71材料的折射率小于第二感光樹脂層72材料的折射率。根據(jù)折射率原理，如圖4e所示，當(dāng)光線由第一感光樹脂層71射向第二感光樹脂層72時(shí)，即光線是從光疏介質(zhì)進(jìn)入光密介質(zhì)，此時(shí)光線會全部由第一感光樹脂層71進(jìn)入第二感光樹脂層72而不會發(fā)生全反射現(xiàn)象；當(dāng)光線由第二感光樹脂層72射向第一感光樹脂層71時(shí)，即光線是從光密介質(zhì)進(jìn)入光疏介質(zhì)，此時(shí)光線易于發(fā)生全反射。因此，選擇第一感光樹脂層71材料的折射率小于第二感光樹脂層72材料的折射率可以進(jìn)一步的使光線進(jìn)入液晶層，提高最終生成的液晶顯示裝置對光線的利用率。
[0053]步驟S106:通過刻蝕工藝刻蝕掉溝道開口位置處的源漏金屬層以及部分有源層，形成包括源極、漏極以及溝道的圖形。
[0054]具體的，如圖4f所示，對完成上述步驟S105的基板進(jìn)行刻蝕工藝處理，刻蝕掉溝道開口位置處的源漏金屬層6以及部分有源層，形成包括源極61、漏極62以及溝道的圖形。其中，刻蝕工藝可為濕法刻蝕。首先刻蝕掉溝道開口位置處的源漏金屬層6，然后再利用濕法刻蝕刻蝕掉部分有源層，例如:當(dāng)有源層包括非晶硅半導(dǎo)體層4以及摻雜硅半導(dǎo)體層5時(shí)，具體的在本步驟中刻蝕掉部分有源層即指的是刻蝕掉有源層中包括的摻雜硅半導(dǎo)體層5，形成如圖4f所示的陣列基板層間結(jié)構(gòu)。
[0055]進(jìn)一步的，在完成上述步驟后，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法，如圖3所示，還包括:
[0056]步驟S107:形成像素電極層，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，像素電極通過接觸孔與漏極相連。
[0057]具體的，如圖4g所示，在完成上述步驟S106的基板上形成一層像素電極層9，然后通過一次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟形成包括像素電極的圖形。進(jìn)一步的，形成的像素電極通過步驟S105形成的接觸孔與漏極62相連。其中，像素電極層9的材質(zhì)可為金屬氧化物(例如:ITO，氧化銦錫薄膜)。
[0058]步驟S108:形成第二鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極線過孔、數(shù)據(jù)線過孔的圖形。
[0059]具體的，如圖4h所示，在完成上述步驟S107的基板上形成一層第二鈍化層10，然后通過一次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟形成包括柵極線過孔、數(shù)據(jù)線過孔的圖形，柵極線過孔以及數(shù)據(jù)線過孔用于提供引線過孔從而為柵極線、數(shù)據(jù)線輸入信號。其中，第二鈍化層10可為氮化硅薄膜，用于保護(hù)其下方各層間結(jié)構(gòu)的絕緣性、穩(wěn)定性。
[0060]步驟S109:形成公共電極層，通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖形。
[0061]具體的，如圖4i所示，在完成上述步驟S108的基板上形成一層公共電極層11，然后通過一次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟形成包括公共電極的圖形。其中，公共電極層11的材質(zhì)可為金屬氧化物(例如:ιτο，氧化銦錫薄膜)。
[0062]需要說明的是，在完成步驟S109后，該陣列基板制備方法可還包括:形成保護(hù)層、形成配向膜以及在陣列基板上形成周邊過孔或通孔等其它陣列基板所需結(jié)構(gòu)，所述具體結(jié)構(gòu)的制備本領(lǐng)域技術(shù)人員可參考現(xiàn)有技術(shù)的制備，在此不作贅述。
[0063]本發(fā)明時(shí)候寺里提供的一種陣列基板制備方法最終形成的陣列基板層間結(jié)構(gòu)如圖4i所示。
[0064]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制備方法，利用源漏金屬層，避免了有機(jī)樹脂材料中的不飽和鍵進(jìn)入溝道而影響溝道特性，從而省去了阻擋層的設(shè)置；同時(shí)制備生成具有凹凸圖案的第一鈍化層，有利于提高液晶顯示裝置的光學(xué)利用率。
[0065]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板通過上述制備方法制備生成。
[0066]再一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示裝置，如圖5所示，包括上述陣列基板。
[0067]優(yōu)選的，所述液晶顯示裝置中還包括:隔墊物16 ;隔墊物16設(shè)置于第二鈍化層的凹陷位置處，隔墊物16的凸起形狀與第二鈍化層的凹陷形狀相匹配。當(dāng)隔墊物16的凸起形狀與第二鈍化層的凹陷形狀相匹配時(shí)，形成的液晶顯示裝置層間結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定，隔墊物也不易因外力發(fā)生移動從而引起液晶層的不均等不良現(xiàn)象。
[0068]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示裝置還包括彩膜基板，其中彩膜基板的結(jié)構(gòu)可參考現(xiàn)有技術(shù)彩膜基板的設(shè)置，例如:如圖5所示，彩膜基板包括基板Ib以及設(shè)置在基板Ib上的的配向膜12、黑矩陣13、彩色濾光片14。另外，所述液晶顯示裝置由上述實(shí)施例陣列基板與彩膜基板構(gòu)成，具體的，通過液晶分子滴注以及對盒工藝等步驟制備完成，因此液晶顯示裝置還包括封框膠15、液晶分子17等等。
[0069]其中，所述液晶顯示裝置中包括的陣列基板的結(jié)構(gòu)以及其制備方法，可參考上述實(shí)施例；而所述液晶顯示裝置中的其他結(jié)構(gòu)可參考現(xiàn)有技術(shù)，在此不作贅述。具體的，液晶顯示裝置可包括電腦顯示屏、手機(jī)顯示屏等常見的具有顯示功能的裝置或設(shè)置。
[0070]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括: 形成柵極金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵極線的圖形； 形成柵極絕緣層； 形成有源層，通過構(gòu)圖工藝形成包括硅島的圖形； 形成源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線的圖形； 形成第一感光樹脂層以及第二感光樹脂層，通過構(gòu)圖工藝以及固化工藝形成溝道開口、接觸孔的圖形以及包括凹凸圖案的第一鈍化層； 通過刻蝕工藝刻蝕掉所述溝道開口位置處的所述源漏金屬層以及部分所述有源層，形成包括源極、漏極以及溝道的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在形成所述包括源極、漏極以及溝道的圖形之后，還包括: 形成像素電極層，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過所述接觸孔與所述漏極相連； 形成第二鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極線過孔、數(shù)據(jù)線過孔的圖形； 形成公共電極層，通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述第一感光樹脂層材料的光靈敏度小于所述第二感光樹脂層材料的光靈敏度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述第一感光樹脂層材料的折射率小于所述第二感光樹脂層材料的折射率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述有源層包括非晶硅半導(dǎo)體層以及摻雜硅半導(dǎo)體層。
6.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板通過權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制備方法制備生成。
7.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求6所述的陣列基板，所述液晶顯示裝置中還包括:隔墊物；所述隔墊物設(shè)置于第二鈍化層的凹陷位置處，所述隔墊物的凸起形狀與所述第二鈍化層的凹陷形狀相匹配。
【文檔編號】G02F1/1333GK103472612SQ201310418945
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月13日
【發(fā)明者】閻長江, 高建劍, 王麗鵬, 謝振宇, 陳旭 申請人:北京京東方光電科技有限公司