顯示面板及其制造方法
【專利摘要】提供了一種顯示面板及其制造方法。顯示面板具有微腔，每個(gè)微腔具有橫截面積不對(duì)稱的端部。示例性顯示面板具有：基底；電極，設(shè)置在基底上；支撐構(gòu)件，設(shè)置在電極上。支撐構(gòu)件被成形為形成位于支撐構(gòu)件和電極之間的腔。腔具有在支撐構(gòu)件的一端處的第一開口和在支撐構(gòu)件的相對(duì)端處的第二開口，第一開口位于電極上方。第一開口的橫截面面積小于第二開口的橫截面面積。
【專利說明】顯示面板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例總體上涉及平板顯示器及它們的制造方法。更具體地講，本發(fā)明的實(shí)施例涉及具有改進(jìn)的微腔結(jié)構(gòu)的顯示器及它們的制造。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器是一種已被廣泛承認(rèn)的平板顯示裝置，并且一般包括形成有諸如像素電極和共電極的場產(chǎn)生電極的兩個(gè)顯示面板，其中，液晶層設(shè)置在兩個(gè)顯示面板之間。液晶顯示器通過將電壓施加到場產(chǎn)生電極在液晶層中產(chǎn)生電場，由此引起液晶層的液晶分子的特定方向，并且由此控制入射光的偏振，從而顯示圖像。
[0003]具有NCD (納米晶顯示器)結(jié)構(gòu)的液晶顯示器使用由有機(jī)材料形成的犧牲層。在犧牲層上涂覆支撐構(gòu)件，然后除去犧牲層，并且在通過除去犧牲層形成的空的空間中填充液晶。
[0004]制造具有NCD結(jié)構(gòu)的液晶顯示器的方法還包括在注入液晶之前注入取向劑并干燥取向劑的工藝，以排列液晶分子并使液晶分子取向。在干燥取向劑的工藝中，取向劑的蒸發(fā)會(huì)導(dǎo)致取向劑固體的沉積，從而會(huì)產(chǎn)生光泄漏或透射率劣化。
[0005]在該【背景技術(shù)】部分公開的以上信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此，其可以包含未形成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講在本國內(nèi)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種將固體的團(tuán)聚最小化的液晶顯示器及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，通過控制微腔層的與液晶注入孔對(duì)應(yīng)的高度，不會(huì)看出在干燥取向劑時(shí)產(chǎn)生的固體的團(tuán)聚。
[0007]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，提供了一種顯示面板。該顯示面板包括:基底；電極，設(shè)置在基底上；支撐構(gòu)件，設(shè)置在電極上，支撐構(gòu)件被成形為形成位于支撐構(gòu)件和電極之間的腔，其中，腔具有在支撐構(gòu)件的一端處的第一開口和在支撐構(gòu)件的相對(duì)端處的第二開口，第一開口位于電極上方，其中，第一開口的橫截面積小于第二開口的橫截面積。
[0008]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例，提供了一種顯示面板。該顯示面板包括:基底；電極，設(shè)置在基底上；支撐構(gòu)件，設(shè)置在電極上，支撐構(gòu)件被成形為形成位于支撐構(gòu)件和電極之間的腔，其中，支撐構(gòu)件具有緊鄰腔的一端的第一部分和位于腔的中心部分處的第二部分，其中，第一部分位于距電極的第一距離處，第二部分位于距電極的第二距離處，第二距離大于第一距離。
[0009]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例，提供了一種制造顯示面板的方法。該制造顯示面板的方法包括:在基底上形成電極；在電極上形成犧牲層；在犧牲層中圖案化凹進(jìn)；在犧牲層和凹進(jìn)上形成支撐構(gòu)件；除去支撐構(gòu)件的位于凹進(jìn)上的部分，以形成暴露犧牲層的凹槽；通過凹槽除去犧牲層以形成位于支撐構(gòu)件和電極之間的腔，腔被構(gòu)造為將液體容納在其中。[0010]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例，提供了一種顯示面板。該顯示面板包括:基底；第一電極，設(shè)置在基底上；黑色矩陣，形成在基底上；支撐構(gòu)件，在基底上設(shè)置在第一電極和黑色矩陣上方，支撐構(gòu)件被成形為形成位于第一電極和支撐構(gòu)件之間的腔，腔具有位于黑色矩陣上方的窄的部分，窄的部分的橫截面積小于腔的剩余部分的橫截面積。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。
[0012]圖2是沿圖1中的線I1-1I截取的剖視圖。
[0013]圖3和圖4是沿圖1中的線II1-1II截取的剖視圖。
[0014]圖5是根據(jù)圖1至圖4的示例性實(shí)施例的微腔層的透視圖。
[0015]圖6至圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的液晶顯示器的制造方法的剖視圖。
[0016]圖13是從圖3的位置P至位置Q觀看的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的用以解釋的俯視圖。
[0017]圖14和圖15是示意性地解釋根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。
[0018]圖16和圖17是為了解釋根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器而沿圖1中的線II1-1II截取的剖視圖。
[0019]圖18至圖25是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的液晶顯示器的制造方法的剖視圖。
[0020]圖26是為了解釋根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器而沿圖1中的線II1-1II截取的剖視圖。
[0021]圖27是從圖16中的位置P至位置Q觀看的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的用以解釋的俯視圖。
[0022]圖28和圖29是不意性地解釋根據(jù)本發(fā)明不例性實(shí)施例的液晶顯不器的俯視圖。
[0023]圖30是微腔層形狀的透視圖以解釋根據(jù)示例性實(shí)施例的液晶顯示器。
[0024]圖31是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的剖視圖。
[0025]圖32是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于這里描述的示例性實(shí)施例并且可以以其他形式實(shí)施。相反，提供這里所描述的示例性實(shí)施例以徹底且完全地解釋所公開的內(nèi)容，并且將本發(fā)明的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度以及其他尺寸。將注意的是，當(dāng)層被稱作“在”另一層或基底“上”時(shí)，該層可以直接地形成在所述另一層或基底上，或者可以利用設(shè)置在它們之間的第三層而形成在所述另一層或基底上。在整個(gè)說明書中，同樣的組成兀件由同樣的標(biāo)號(hào)表不。
[0027]本發(fā)明的實(shí)施例涉及諸如液晶顯示器的顯示器，其中，顯示面板具有單個(gè)基底，該單個(gè)基底容納像素電極和共電極二者以及注入其間的液晶層。液晶容納在多個(gè)微腔中，每個(gè)微腔具有用于注入液晶的開口。每個(gè)微腔的開口是不對(duì)稱的，其中，一個(gè)開口的橫截面積大于另一開口的橫截面積。開口尺寸的這種不對(duì)稱性在制造顯示面板的工藝過程中帶來益處。具體地講，在注入液晶之前，通過開口將取向劑注入微腔中，然后進(jìn)行干燥。干燥工藝使來自取向劑的固體留在微腔中，并且當(dāng)微腔的開口的尺寸不同時(shí)，固體趨向于聚集在一個(gè)開口處，而不是聚集在它們可能阻擋光的腔的中心。通過將取向劑固體聚集在可以通過黑色矩陣以任何方式覆蓋的開口處，防止了不期望的光阻擋沉積，使得圖像顯示質(zhì)量得到改善。預(yù)期了這種不對(duì)稱微腔開口的多種不同的構(gòu)造，它們中的任何構(gòu)造可以以任何結(jié)合方式或多種結(jié)合方式使用。
[0028]圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。圖2是沿圖1中的線
I1-1I截取的剖視圖。圖3和圖4是沿圖1中的線II1-1II截取的剖視圖。圖5是根據(jù)圖1至圖4的示例性實(shí)施例的微腔層的透視圖。
[0029]參照?qǐng)D1至圖3，薄膜晶體管Qa、Qb和Qc形成在由透明玻璃或塑料制成的基底110上。有機(jī)層230位于薄膜晶體管Qa、Qb和Qc上，光阻擋構(gòu)件220可以形成在相鄰的有機(jī)層230之間。這里，每個(gè)有機(jī)層230可以是濾色器。
[0030]像素電極191位于有機(jī)層230上，像素電極191通過接觸孔185a和185b電連接到薄膜晶體管Qa和Qb的一個(gè)端子。圖2和圖3分別是沿圖1中的線I1-1I和II1-1II截取的剖視圖，在圖2和圖3中省略了圖1中示出的基底110與有機(jī)層230之間的構(gòu)造，并且僅示出了位于有機(jī)層230上的構(gòu)造。實(shí)際上，在圖2和圖3中在基底110與有機(jī)層230之間包括了薄膜晶體管Qa、Qb和Qc的部分構(gòu)造。有機(jī)層230可以沿像素電極191的列方向延伸。有機(jī)層230可以是濾色器層，每個(gè)濾色器230可以顯示諸如紅、綠和藍(lán)三原色的原色中的一種原色。然而，該構(gòu)造不限于諸如紅、綠和藍(lán)的三原色，而是可以顯示諸如藍(lán)綠色、品紅色、黃色和白色類的顏色的任何其他顏色。
[0031]在圖1中，相鄰的有機(jī)層230可以沿水平方向D和與水平方向D交叉(垂直或其他方式)的豎直方向彼此分開。圖2示出了沿水平方向D彼此分開的有機(jī)層230，圖3示出了沿豎直方向彼此分開的有機(jī)層230。參照?qǐng)D2，縱向光阻擋構(gòu)件220b位于沿水平方向D分隔開的有機(jī)層230之間?？v向光阻擋構(gòu)件220b分別與相鄰于它們的有機(jī)層230的每個(gè)邊緣疊置，縱向光阻擋構(gòu)件220b與有機(jī)層230的兩個(gè)邊緣疊置的寬度基本上相同。
[0032]參照?qǐng)D3，橫向光阻擋構(gòu)件220a形成在沿相對(duì)于圖1的豎直方向分隔開的有機(jī)層230之間。
[0033]每個(gè)橫向光阻擋構(gòu)件220a分別與相鄰于其的有機(jī)層230疊置,橫向光阻擋構(gòu)件220a與相鄰于其的有機(jī)層230的兩個(gè)邊緣疊置的寬度以及橫向光阻擋構(gòu)件220a在該疊置部分上延伸的高度是不對(duì)稱的。即，這些寬度和高度在光阻擋構(gòu)件220a的不同側(cè)是不同的。例如，在圖3的視圖中，當(dāng)將與右側(cè)有機(jī)層230的邊緣疊置的部分稱作橫向光阻擋構(gòu)件220a的第一部分，并將與左側(cè)有機(jī)層230的邊緣疊置的部分稱作橫向光阻擋構(gòu)件220a的第二部分時(shí)，第一部分的高度比第二部分的高度高。即，構(gòu)件220a的第二部分延伸至從基底110開始的比第一部分的高度低的高度。
[0034]圖4是沿圖1中的線II1-1II的延伸線截取的剖視圖。在圖1中僅示出了一個(gè)像素PX，然而參照?qǐng)D4，在液晶顯示器中，像素PX沿上/下/左/右方向重復(fù)，從而包括多個(gè)像素。圖4示出了作為多個(gè)像素的一部分的沿相對(duì)于圖1的縱向方向相鄰的兩個(gè)像素PXl和 PX2。
[0035]在本示例性實(shí)施例中，在一個(gè)像素PX中，形成了分別位于微腔層400的端部附近的兩個(gè)疊置部分。形成在一個(gè)像素PX中的橫向光阻擋構(gòu)件220a的疊置部分包括不對(duì)稱的寬度和高度。具體地講，參照?qǐng)D4和圖5，一個(gè)微腔層400貫穿地位于彼此相鄰的第一像素PXl的右側(cè)部分和第二像素PX2的左側(cè)部分。該布置是由于薄膜晶體管和像素電極結(jié)構(gòu)，然而，該布置不受限制，作為另一示例性實(shí)施例，一個(gè)像素和一個(gè)微腔層可以彼此對(duì)應(yīng)。在下文中，可以將一個(gè)微腔層400稱作單位微腔層。
[0036]下取向?qū)?1形成在像素電極191上，并且可以是豎直取向?qū)?。提供由諸如聚酰胺酸、聚硅氧烷或聚酰亞胺的材料制成的液晶取向?qū)拥南氯∠驅(qū)?1可以包括通常使用的材料中的至少一種。
[0037]微腔層400形成在下取向?qū)?1上。即，微腔400是能夠?qū)⒅T如液晶的液體容納在其中的腔體。微腔層400注入有包括液晶分子310的液晶材料，微腔層400具有液晶注入孔Al和A2。微腔層400可以形成為沿像素電極191的列方向延伸，換句話說，沿縱向方向延伸(即，其主軸沿縱向方向)。
[0038]在本示例性實(shí)施例中，可以通過使用毛細(xì)力將形成取向?qū)?1和21的取向材料以及包括液晶分子310的液晶材料注入微腔層400中。如上所述，隨著橫向光阻擋構(gòu)件220a的與有機(jī)層230的一個(gè)邊緣疊置的寬度增大，臺(tái)階的高度增大，使得橫向光阻擋構(gòu)件220a的厚度變厚，液晶注入孔Al和A2的尺寸減小。
[0039]當(dāng)在一個(gè)微腔層400中將具有小的尺寸的液晶注入孔稱作第一液晶注入孔，并將具有較大的尺寸的液晶注入孔稱作第二液晶注入孔時(shí)，第一液晶注入孔的高度hi低于微腔層400的內(nèi)部的高度，或者低于第二液晶注入孔的高度h2。S卩，腔400包括具有孔Al和A2的端部，孔Al和A2的橫截面積小于腔400的剩余部分(即，中間部分或中心部分)的橫截面積。腔400可以被認(rèn)為在其端部具有凹進(jìn)或窄的部分，這減小了其截面。
[0040]通常，毛細(xì)力在結(jié)構(gòu)上窄的空間處作用更強(qiáng)，從而在圖4中毛細(xì)力在第一液晶注入孔處比在第二液晶注入孔處作用更強(qiáng)。在以前的構(gòu)造中，在一個(gè)像素PX中，相應(yīng)的液晶注入孔的尺寸相同或幾乎相同。
[0041]在傳統(tǒng)技術(shù)中，在一個(gè)微腔層400中，相應(yīng)的液晶注入孔的尺寸幾乎相同。
[0042]在根據(jù)本示例性實(shí)施例的液晶顯示器的制造工藝中，通過液晶注入孔Al和A2不僅注入液晶材料，在液晶注入之前還可以注入混合有固體和溶劑的取向材料。即，取向材料和液晶材料依次注入到孔Al和A2中。
[0043]在注入取向材料之后執(zhí)行干燥工藝。此時(shí)，在取向材料的溶劑揮發(fā)時(shí)留下的固體可以團(tuán)聚在微腔層400內(nèi)。在Al和A2的尺寸相等的構(gòu)造中，當(dāng)在微腔層400的兩側(cè)的兩個(gè)注入孔處同時(shí)開始干燥并且干燥進(jìn)行到微腔層400的中心部分時(shí)，固體聚集在微腔層400的中心部分處，從而產(chǎn)生擁擠(huddle)缺陷。以這種方式，如果固體聚集在微腔層400內(nèi)，則產(chǎn)生諸如光泄漏或透射率劣化的顯示缺陷。換句話說，當(dāng)干燥取向材料時(shí)，并且當(dāng)Al和A2的尺寸大致相等時(shí)，取向材料的固體可能聚集在像素PX的中心，產(chǎn)生不期望的視覺效果O
[0044]在根據(jù)本示例性實(shí)施例的液晶顯示器中，毛細(xì)力在一個(gè)像素PX中的一側(cè)作用更強(qiáng)，使得在形成有光阻擋構(gòu)件220a的臺(tái)階的部分處導(dǎo)致固體的團(tuán)聚，從而解決了上述問題。即，當(dāng)Al和A2的尺寸不相等時(shí)，取向材料固體優(yōu)先聚集在孔Al和A2中的一個(gè)處(SP，在光阻擋構(gòu)件220a的“隆起”或抬升部分的一個(gè)上)。以這種方式，固體聚集在光阻擋構(gòu)件220a上，從而它們的聚集對(duì)觀看者來講不可見。以這種方式，使Al和A2的尺寸不相等用于將取向材料固體的聚集有效地移至孔Al或A2。當(dāng)這些孔Al和A2在光阻擋構(gòu)件220a上方時(shí)，由于光阻擋構(gòu)件220a已經(jīng)將光阻擋，所以聚集的固體對(duì)觀看者來講不可見。因此，避免了由取向材料固體的聚集產(chǎn)生的不期望的視覺效果。
[0045]如上所述，通過使高度hi和h2不同將孔Al和A2制成具有不同的橫截面積。高度hi和h2可以相差任何量。然而，在一個(gè)實(shí)施例中，hi和h2可以相差大約0.8 μ m。BP,h2可以比hi大大約0.8μ m?？蛇x擇地,hi和h2可以相差更大的量,例如,大約1.3μ m或更大。
[0046]然后，通過同樣的孔Al和A2將液晶310注入到層400中。
[0047]在本示例性實(shí)施例中，位于微腔層400的兩端的液晶注入孔的高度不同，以使毛細(xì)力在一個(gè)微腔層400中強(qiáng)有力地作用于一側(cè)。然而，該結(jié)構(gòu)僅是本發(fā)明的示例性實(shí)施例中的一個(gè)，液晶注入孔的寬度可以不同，以使毛細(xì)力在一個(gè)微腔層400中強(qiáng)有力地作用于一側(cè)。換句話說，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，微腔層400的第一液晶注入孔Al所位于處的橫截面積可以小于微腔層400的第二液晶注入孔A2所位于處的橫截面積。后面將參照?qǐng)D30對(duì)此進(jìn)行描述。
[0048]在圖4中描述的示例性實(shí)施例中，在一個(gè)像素PXl和PX2中，具有不同高度的液晶注入孔相對(duì)于凹槽GRV彼此面對(duì)地形成在微腔層400的每個(gè)邊緣中，然而，作為另一示例性實(shí)施例，彼此面對(duì)的液晶注入孔的高度可以彼此相等。然而，在這種情況下，兩側(cè)的邊緣的液晶注入孔的高度在一個(gè)微腔層400中必須是不同的。
[0049]在本示例性實(shí)施例中，在一個(gè)微腔層400的兩個(gè)邊緣處相應(yīng)地形成一個(gè)液晶注入孔，然而，在另一示例性實(shí)施例中，可以在一個(gè)微腔層400的一個(gè)邊緣處形成一個(gè)液晶注入孔。在這種情況下，優(yōu)選的是，形成在微腔層400的一個(gè)邊緣處的液晶注入孔的高度低于形成在微腔層400的另一邊緣處的液晶注入孔的高度。
[0050]上取向?qū)?1位于微腔層400上，共電極270和保護(hù)層250形成在上取向?qū)?1上。在操作中，共電極270接收共電壓，像素電極191接收數(shù)據(jù)電壓，以共同產(chǎn)生電場。該電場確定位于這兩個(gè)電極之間的微小的空間層400中的液晶分子310的傾斜方向。共電極270和像素電極191形成電容器(在下文中稱作“液晶電容器”)，以在薄膜晶體管截止后維持施加的電壓。
[0051]保護(hù)層250可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)形成。支撐構(gòu)件260位于保護(hù)層250上。支撐構(gòu)件260可以包括碳氧化硅(SiOC)、光致抗蝕劑或有機(jī)材料。當(dāng)支撐構(gòu)件260包括碳氧化硅(SiOC)時(shí)，可以使用化學(xué)氣相沉積方法，當(dāng)支撐構(gòu)件260包括光致抗蝕劑時(shí)，可以應(yīng)用涂覆方法。在可以通過使用化學(xué)氣相沉積形成的層中，碳氧化硅(SiOC)具有相對(duì)高的透射率和相對(duì)低的層應(yīng)力，從而相對(duì)穩(wěn)定。因此，在本示例性實(shí)施例中，支撐構(gòu)件260由碳氧化硅(SiOC)形成，使得光很好地透射并且層是穩(wěn)定的。
[0052]凹槽GRV可以形成為穿過微腔層400、上取向?qū)?1、共電極270、保護(hù)層250和支撐構(gòu)件260上，并形成在橫向光阻擋構(gòu)件220a上。橫向光阻擋構(gòu)件220a可以同時(shí)與支撐構(gòu)件260的端部和相鄰的有機(jī)層230的邊緣疊置。[0053]接下來，將參照?qǐng)D2至圖5描述微腔層400。
[0054]參照?qǐng)D2至圖5，微腔層400由位于柵極線121a上方的多個(gè)凹槽GRV劃分，多個(gè)微腔層400沿著柵極線121a延伸所沿的方向D形成。這里，像素區(qū)域可以對(duì)應(yīng)于顯示圖像的區(qū)域。
[0055]每個(gè)微腔層400可以各自對(duì)應(yīng)于一個(gè)像素區(qū)域，多個(gè)微腔層400的多個(gè)組可以沿列方向形成。如所示出的，在微腔層400之間形成的凹槽GRV可以沿著柵極線121a延伸所沿的方向D設(shè)置，微腔層400的液晶注入孔Al和A2形成與凹槽GRV和微腔層400的邊界對(duì)應(yīng)的區(qū)域。液晶注入孔Al和A2根據(jù)凹槽GRV延伸所沿的方向形成。此外，形成在沿著柵極線121a延伸所沿的方向D相鄰的微腔層400之間的開口部分OPN可以由支撐構(gòu)件260覆蓋，如圖2中所示。
[0056]包括在微腔層400中的液晶注入孔Al和A2較寬地可以具有支撐構(gòu)件260和像素電極191之間的高度，然而較窄地可以具有上取向?qū)?1和下取向?qū)?1之間的高度。在本示例性實(shí)施例中，凹槽GRV沿著柵極線121a延伸所沿的方向D形成，然而作為另一示例性實(shí)施例，多個(gè)凹槽GRV可以沿著數(shù)據(jù)線171延伸所沿的方向形成，多個(gè)微腔層400的多組可以沿行方向形成。液晶注入孔Al和A2可以根據(jù)凹槽GRV的延伸方向形成。S卩，孔Al和A2可以沿各個(gè)凹槽GRV形成。
[0057]鈍化層240位于支撐構(gòu)件260上。鈍化層240可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)0蓋層280位于鈍化層240上。蓋層280接觸支撐構(gòu)件260的上表面和側(cè)表面，蓋層280覆蓋微腔層400的通過凹槽GRV暴露的液晶注入孔Al和A2。蓋層280可以包括熱硬化樹脂、碳氧化硅(SiOC)或石墨烯。當(dāng)蓋層280包括石墨烯時(shí)，石墨烯對(duì)包括氦的氣體具有傳輸阻力，從而用作用于覆蓋液晶注入孔A的蓋層。包括石墨烯的蓋層280具有其中碳彼此結(jié)合的結(jié)構(gòu)，使得即使液晶材料接觸蓋層280，液晶材料也不被污染。此外，石墨烯保護(hù)液晶材料免受來自外部的氧或濕氣的影響。
[0058]在本示例性實(shí)施例中，液晶材料通過微小的空間層400的液晶注入孔A注入，從而在無需另外形成上基底的情況下形成液晶顯示器。即，微腔層400由于像素電極191和共電極270在同一基底110上容納液晶層，因此防止對(duì)第二個(gè)基底的需求。這具有顯著的優(yōu)點(diǎn)，包括允許比使用兩個(gè)基底的傳統(tǒng)顯示器更薄的顯示器以及制造更便宜且更容易制造的顯示器。
[0059]由有機(jī)層或無機(jī)層制成的保護(hù)層(未示出)可以位于蓋層280上。蓋層280保護(hù)注入到微腔層400中的液晶分子310免受外部沖擊而可以使用它們平坦。
[0060]接下來，將再參照?qǐng)D1至圖4描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的液晶顯示器。參照?qǐng)D1至圖4，包括多條柵極線121a、多條降壓柵極線121b和多條存儲(chǔ)電極線131的多個(gè)柵極導(dǎo)體形成在由透明玻璃或塑料制成的基底110上。柵極線121a和降壓柵極線121b大體上沿橫向方向延伸并傳輸柵極信號(hào)。柵極線121a包括在圖1的視圖中分別向上和向下突出的第一柵電極124a和第二柵電極124b，降壓柵極線121b包括在圖1的視圖中向上突出的第
三柵電極124c。第一柵電極124a和第二柵電極124b彼此連接以形成單個(gè)突起。
[0061]存儲(chǔ)電極線131大體上沿橫向方向(B卩，沿圖1中的方向D)延伸并傳輸諸如共電壓的預(yù)定電壓。每條存儲(chǔ)電極線131包括在圖1的視圖中從存儲(chǔ)電極線131向上和向下突出的存儲(chǔ)電極129、基本上垂直于柵極線121a和121b且向下延伸的成對(duì)的縱向部分134以及將成對(duì)的縱向部分134的端部連接的橫向部分127。橫向部分127包括向下延伸的電容性電極137。柵極絕緣層形成在柵極導(dǎo)體121a、121b和131上。
[0062]可以由非晶硅或結(jié)晶硅制成的多個(gè)半導(dǎo)體條(部分示出)形成在柵極絕緣層上。半導(dǎo)體條大體上沿縱向方向延伸，并且包括向第一柵電極124a和第二柵電極124b突出且彼此連接的第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b以及設(shè)置在第三柵電極124c上的第三半導(dǎo)體 154c。
[0063]多對(duì)歐姆接觸(未示出)形成在半導(dǎo)體154a、154b和154c上。歐姆接觸可以由硅化物制成或者由以高濃度摻雜有η型雜質(zhì)的η+氫化非晶硅制成。
[0064]包括多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)第一漏電極175a、多個(gè)第二漏電極175b和多個(gè)第三漏電極175c的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸上。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并沿縱向方向延伸，從而與柵極線121a和降壓柵極線121B相交但絕緣。每條數(shù)據(jù)線171包括分別向第一柵電極124a和第二柵電極124b延伸并彼此連接的第一源電極173a和第二源電極173b。
[0065]第一漏電極175a、第二漏電極175b和第三漏電極175c均包括具有寬的區(qū)域的一端和具有棒型形狀的另一端。第一漏電極175a和第二漏電極175b的棒狀端被第一源電極173a和第二源電極173b部分地包圍。第一漏電極175a的寬端還具有延伸到半導(dǎo)體154c的部分，從而形成彎曲成具有“U”形狀的第三漏電極175c。第三源電極173c的寬端177c與電容性電極137疊置，從而形成降壓電容器Cstd，棒狀端被第三漏電極175c部分地包圍。
[0066]第一柵電極124a、第一源電極173a和第一漏電極175a與第一半導(dǎo)體154a —起形成第一薄膜晶體管Qa ;第二柵電極124b、第二源電極173b和第二漏電極175b與第二半導(dǎo)體154b —起形成第二薄膜晶體管Qb ;第三柵電極124c、第三源電極173c和第三漏電極175c與第三半導(dǎo)體154c —起形成第三薄膜晶體管Qc。包括第一半導(dǎo)體154a、第二半導(dǎo)體154b和第三半導(dǎo)體154c的除源電極173a、173b和173c與漏電極175a、175b和175c之間的溝道區(qū)域之外的半導(dǎo)體條具有與數(shù)據(jù)導(dǎo)體171a、171b、173a、173b、173c、175a、175b和175c以及下面的歐姆接觸基本上相同的平面形狀(即，在圖1的平面圖中的相同形狀)。第一半導(dǎo)體154a包括未被第一源電極173a和第一漏電極175a覆蓋以在第一源電極173a和第一漏電極175a之間暴露的部分,第二半導(dǎo)體154b包括未被第二源電極173b和第二漏電極175b覆蓋以在第二源電極173b和第二漏電極175b之間暴露的部分，第三半導(dǎo)體154c包括未被第三源電極173c和第三漏電極175c覆蓋以在第三源電極173c和第三漏電極175c之間暴露的部分。
[0067]由諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣體制成的下鈍化層(未示出)形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171a、171b、173a、173b、173c、175a、175b 和 175c 以及暴露的第一半導(dǎo)體 154a、第二半導(dǎo)體154b和第三半導(dǎo)體154c上。有機(jī)層230可以位于下鈍化層上。有機(jī)層230存在于顯示區(qū)域的除設(shè)置有第一薄膜晶體管Qa、第二薄膜晶體管Qb和第三薄膜晶體管Qc的位置之外的多數(shù)區(qū)域。然而，其可以在縱向方向上沿相鄰的數(shù)據(jù)線171之間的空間延伸。在本示例性實(shí)施例中，有機(jī)層230可以是濾色器，濾色器230可以形成在像素電極191下面，然而，可選擇地，其可以形成在共電極270上。
[0068]光阻擋構(gòu)件220位于不存在有機(jī)層230的區(qū)域上以及有機(jī)層230的一部分上。即，光阻擋構(gòu)件220位于相鄰的有機(jī)層230之間并稍微與相鄰的有機(jī)層230疊置。光阻擋構(gòu)件220包括橫向光阻擋構(gòu)件220a以及縱向光阻擋構(gòu)件220b，橫向光阻擋構(gòu)件220a沿柵極線121a和降壓柵極線121b延伸，并且覆蓋設(shè)置有第一薄膜晶體管Qa、第二薄膜晶體管Qb和第三薄膜晶體管Qc的區(qū)域，縱向光阻擋構(gòu)件220b沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸。光阻擋構(gòu)件220被稱作黑色矩陣并防止光泄漏。下鈍化層和光阻擋構(gòu)件220具有分別暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的多個(gè)接觸孔185a和185b。
[0069]此外，包括第一子像素電極191a和第二子像素電極191b的像素電極191形成在有機(jī)層230和光阻擋構(gòu)件220上。第一子像素電極191a和第二子像素電極191b位于柵極線121a和降壓柵極線121b的相對(duì)側(cè)上，并且向上和向下設(shè)置，使得它們沿列方向彼此相鄰。第二子像素電極191b的高度大于第一子像素電極191a的高度，并且可以在第一子像素電極191a的高度的大約I至3倍的范圍內(nèi)。第一子像素電極191a和第二子像素電極191b中的每個(gè)的整體形狀是四邊形，并且第一子像素電極191a和第二子像素電極191b分別包括具有橫向主干193a和193b以及與橫向主干193a和193b交叉的縱向主干192a和192b的十字主干。此外，第一子像素電極191a包括多個(gè)微分支194a和下突起197a，第二子像素電極191b包括多個(gè)微分支194b和上突起197b。像素電極191通過橫向主干193a和193b以及縱向主干192a和192b分成四個(gè)子區(qū)域。微分支194a和194b從橫向主干193a和193b以及縱向主干192a和192b傾斜地延伸，并且它們的延伸方向與柵極線121a和121b或者橫向主干193a和193b形成大約45度或135度的角度。此外，兩個(gè)相鄰的子區(qū)域的微分支194a和194b可以交叉。在本示例性實(shí)施例中，第一子像素電極191a還包括圍繞外部的外主干，第二子像素電極191b還包括設(shè)置在第二子像素電極191b的上部和下部上的橫向部分以及設(shè)置在第二子像素電極191b的右側(cè)和左側(cè)上的右側(cè)和左側(cè)縱向部分198。右側(cè)和左側(cè)縱向部分198可以防止數(shù)據(jù)線171和第一子像素電極191a之間的電容性結(jié)合。下取向?qū)?1、微腔層400、上取向?qū)?1、共電極270、保護(hù)層250和蓋層280形成在像素電極191上,這里不重復(fù)對(duì)這些構(gòu)成元件的描述。
[0070]與上述的液晶顯示器有關(guān)的描述是改善側(cè)面可視性的可視性結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例，薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和像素電極的設(shè)計(jì)不限于本示例性實(shí)施例中描述的結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例可以對(duì)該描述進(jìn)行變型。
[0071]圖6至圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的液晶顯示器的制造方法的剖視圖。圖6至圖12順序地示出了沿圖1中的線II1-1II截取的液晶顯示器的剖視圖。參照?qǐng)D6，在由透明玻璃或塑料制成的基底110上形成薄膜晶體管Qa、Qb和Qc(在圖1中示出)。在薄膜晶體管Qa、Qb和Qc之間和之上形成與像素區(qū)域?qū)?yīng)的有機(jī)層230，在相鄰的有機(jī)層230之間以及薄膜晶體管Qa、Qb和Qc上方形成光阻擋構(gòu)件220。光阻擋構(gòu)件220a與相鄰的有機(jī)層230的邊緣疊置。
[0072]在本示例性實(shí)施例中，可以將光阻擋構(gòu)件220a的與有機(jī)層230的一個(gè)邊緣疊置的寬度dl形成為大于光阻擋構(gòu)件220a的與有機(jī)層230的另一邊緣疊置的寬度d2。隨著疊置的量增加，光阻擋構(gòu)件220a的臺(tái)階增大。
[0073]在圖6中，光阻擋構(gòu)件220a同時(shí)與相鄰于其的兩個(gè)有機(jī)層230疊置，并且如圖4中所示，圖6的結(jié)構(gòu)可以沿豎直方向重復(fù)。因此，光阻擋構(gòu)件220a的與有機(jī)層230的兩個(gè)邊緣疊置的寬度在微腔層400的兩端會(huì)有所不同。這里，有機(jī)層230可以是濾色器。
[0074]參照?qǐng)D7，在有機(jī)層230上形成像素電極材料，并將像素電極材料圖案化為位于與像素區(qū)域?qū)?yīng)的部分處的像素電極191。此時(shí)，像素電極191通過接觸孔185a和185b電連接到薄膜晶體管Qa和Qb的一個(gè)端子(在圖1中示出)。在像素電極191上形成包括碳氧化硅(SiOC)或光致抗蝕劑的犧牲層300。犧牲層300可以由有機(jī)材料以及碳氧化硅(SiOC)或光致抗蝕劑形成。
[0075]參照?qǐng)D8，在犧牲層300上順序地形成共電極270、保護(hù)層250和支撐構(gòu)件260。共電極270可以由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體制成，保護(hù)層250可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成。根據(jù)本示例性實(shí)施例的支撐構(gòu)件260可以由與犧牲層300不同的材料制成。通過圖案化支撐構(gòu)件260，形成暴露保護(hù)層250的與光阻擋構(gòu)件220a對(duì)應(yīng)的部分的凹槽 GRV。
[0076]參照?qǐng)D9，形成覆蓋暴露的保護(hù)層250和支撐構(gòu)件260的鈍化層240。鈍化層240可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成。
[0077]參照?qǐng)D10，順序地圖案化與凹槽GRV對(duì)應(yīng)的形成有凹槽GRV的鈍化層240、保護(hù)層250和共電極270。此時(shí)，可以將犧牲層300的與凹槽GRV對(duì)應(yīng)的部分除去。
[0078]參照?qǐng)D11，利用O2灰化工藝或濕蝕刻方法通過凹槽GRV除去犧牲層300。這形成了具有第一液晶注入孔Al和第二液晶注入孔A2的微腔層400。微腔層400是犧牲層300被除去的空的空間。液晶注入孔Al和A2可以沿與連接到薄膜晶體管的一個(gè)端子的信號(hào)線基本上平行的方向形成。
[0079]參照?qǐng)D12，通過凹槽GRV以及液晶注入孔Al和A2注入取向材料以在像素電極191和共電極270上形成取向?qū)?1和21。在通過液晶注入孔Al和A2注入取向材料之后執(zhí)行烘烤工藝。取向材料包括固體和溶劑二者。因此，在該步驟過程中，在取向材料的溶劑揮發(fā)的同時(shí)形成取向?qū)樱粝碌墓腆w聚集在光阻擋構(gòu)件220a中的較大的“隆起”上方，S卩，在兩個(gè)孔Al和A2中的較小的孔上方。
[0080]接下來，使用噴墨方法通過凹槽GRV以及液晶注入孔Al和A2將液晶分子310注入微腔層400中。這里，取向?qū)?1和21在某種程度上減小了液晶注入孔Al和A2的尺寸。
[0081]接下來，形成覆蓋支撐構(gòu)件260的上表面和側(cè)表面的蓋層280(在圖3中示出)。此時(shí)，蓋層280覆蓋微腔層400的通過凹槽GRV暴露的液晶注入孔Al和A2。圖13是從圖3中的位置P至位置Q觀看的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的用以解釋的俯視圖。圖14和圖15是示意性地解釋根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。
[0082]參照?qǐng)D13，光阻擋構(gòu)件220與有機(jī)層230的相鄰部分之間的分隔空間對(duì)應(yīng)地形成在光阻擋區(qū)域LB處。如上所述，橫向光阻擋構(gòu)件220a和有機(jī)層230的疊置區(qū)域的面積在光阻擋區(qū)域LB的上端和下端處是不對(duì)稱的。如圖13中所示，形成了與上端相比在光阻擋區(qū)域LB的下端中橫向光阻擋構(gòu)件220a與有機(jī)層230進(jìn)一步較大地疊置的第一部分。橫向光阻擋構(gòu)件220a的第一部分220p基本上對(duì)應(yīng)于像素PX的整個(gè)橫向邊緣或單位微腔層400的一整個(gè)邊緣。
[0083]然而，如果橫向光阻擋構(gòu)件220a的第一部分220p形成為在像素PX的橫向邊緣的整個(gè)區(qū)域處與有機(jī)層230的邊緣疊置，則在干燥取向材料時(shí)留下的固體會(huì)封閉液晶注入孔。為了防止該問題，將參照?qǐng)D14描述優(yōu)選示例性實(shí)施例。參照?qǐng)D14,在本示例性實(shí)施例中的橫向光阻擋構(gòu)件220a包括向有機(jī)層230突出并與有機(jī)層230疊置的突起光阻擋構(gòu)件220p。在突起光阻擋構(gòu)件220p中，突起因構(gòu)件220p與有機(jī)層230的疊置而形成，使得在干燥取向材料之后留下的固體集中在突起光阻擋構(gòu)件220p上方。因此，減小了液晶注入孔可能被部分阻擋的可能性。換句話說，在圖14的實(shí)施例中，在光阻擋構(gòu)件220a中形成的“隆起”僅在開口 Al或A2的一部分處延伸。以該方式，來自取向材料的固體僅聚集在隆起上方，而不是聚集在整個(gè)開口 A1/A2上方。這減小了聚集的固體將阻擋開口 A1/A2的可能性。此外，每個(gè)光阻擋構(gòu)件220p可以占據(jù)開口 A1、A2 (光阻擋構(gòu)件220p位于其下)的任何量的寬度。作為一個(gè)示例，光阻擋構(gòu)件220p可以占據(jù)小于或等于其開口 A1/A2的大約80%的寬度。任何百分比是預(yù)期的，只要構(gòu)件220p不阻擋其開口 A1/A2至液體不能被容易地注入腔400中的程度，并且只要來自取向材料的固體聚集在構(gòu)件220p上方。
[0084]將參照?qǐng)D15描述對(duì)圖14的示例性實(shí)施例的變型。
[0085]參照?qǐng)D15，橫向光阻擋構(gòu)件220a包括沿像素PX的橫向邊緣與有機(jī)層230疊置的第一突起光阻擋構(gòu)件220pl和第二突起光阻擋構(gòu)件220p2。此時(shí)，第二突起光阻擋構(gòu)件220p2與有機(jī)層230的疊置面積小于第一突起光阻擋構(gòu)件220pl與有機(jī)層230的疊置面積。因此，第一突起光阻擋構(gòu)件220pl的厚度大于第二突起光阻擋構(gòu)件220p2的厚度。描述的示例性實(shí)施例不限于此，突起光阻擋構(gòu)件220p可以采用除示出的形狀之外的各種形狀。光阻擋構(gòu)件220pl、220p2可以具有任何合適的高度，只要液體仍可以注入開口 A1/A2中并且取向材料仍聚集在構(gòu)件220pl、220p2中的一個(gè)或多個(gè)上方。作為一個(gè)示例，構(gòu)件220pl在高度上可以比構(gòu)件220p2大大約0.5 μ m，或者反之亦然。作為另一示例，第一突起光阻擋構(gòu)件220pl的高度，即，構(gòu)件220pl的距有機(jī)層230的上表面的距離，可以為大約1.3 μ m，第二突起光阻擋構(gòu)件220p2的高度，S卩，構(gòu)件220p2的距有機(jī)層230的上表面的距離，可以為大約 0.8 μ m。
[0086]圖16和圖17是為了解釋根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器而沿圖1中的線II1-1II截取的剖視圖。圖16和圖17中示出的示例性實(shí)施例在結(jié)構(gòu)上不同于圖1至圖5中示出的示例性實(shí)施例。然而，很大程度地省略了二者之間的相似點(diǎn)，而主要描述與圖1至圖5的示例性實(shí)施例的不同之處。
[0087]參照?qǐng)D16和圖17，形成在有機(jī)層230上的光阻擋構(gòu)件220a與有機(jī)層230的兩個(gè)邊緣疊置成相同的程度。即，在光阻擋構(gòu)件220a的每側(cè)的疊置量具有相同的寬度。然而，下取向?qū)?1和上取向?qū)?1之間的微腔層400相對(duì)于光阻擋構(gòu)件220a不對(duì)稱。在一個(gè)像素PX中，微腔層400的一端具有向下凹進(jìn)的上表面。具體地講，凹槽GRV和微腔層400相遇處的液晶注入孔的高度hi和h2彼此不同。
[0088]向下突出的突起支撐構(gòu)件PSM在與微腔層400的具有凹進(jìn)的上表面的一端對(duì)應(yīng)的位置處形成在支撐構(gòu)件260的端部。當(dāng)將支撐構(gòu)件260的形成有突起支撐構(gòu)件PSM的部分稱作第一支撐部分并將支撐構(gòu)件260的不具有突起支撐構(gòu)件PSM的部分稱作第二支撐部分時(shí)，第一支撐部分的厚度比第二支撐部分的厚度厚。
[0089]圖16集中于位于相鄰的像素PX之間的光阻擋構(gòu)件220a。然而，如圖17中所示，圖16的結(jié)構(gòu)可以沿參照?qǐng)D1的豎直方向重復(fù)。
[0090]在本示例性實(shí)施例中，微腔層400的與液晶注入孔Al和A2對(duì)應(yīng)的兩端的形狀在一個(gè)微腔層400中是不對(duì)稱的，使得毛細(xì)力在液晶注入孔Al處作用更強(qiáng)。因此，固體在像素PX的內(nèi)部沒有凝聚在一個(gè)微腔層400內(nèi)部，而代替的是，凝聚在形成有光阻擋構(gòu)件220a的附近，從而防止光泄漏。
[0091]接下來，將參照?qǐng)D18至圖25描述制造以上液晶顯示器的示例性方法。圖18至圖25順序地示出了沿圖1中的線II1-1II截取的剖視圖。圖18至圖25是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的液晶顯示器的制造方法的剖視圖。參照?qǐng)D18，在由透明玻璃或塑料制成的基底110上形成薄膜晶體管Qa、Qb和Qc (在圖1中示出)。在薄膜晶體管Qa、Qb和Qc上形成與像素區(qū)域?qū)?yīng)的有機(jī)層230，在相鄰的有機(jī)層230之間形成光阻擋構(gòu)件220a。光阻擋構(gòu)件220a與相鄰于其的有機(jī)層230的邊緣疊置。在本示例性實(shí)施例中，光阻擋構(gòu)件220a的與有機(jī)層230的兩個(gè)邊緣疊置的寬度基本上相同。即，有機(jī)層230與光阻擋構(gòu)件220a的每側(cè)之間的疊置的量基本上相同。這里，有機(jī)層230可以是濾色器。在有機(jī)層230和光阻擋構(gòu)件220a上形成像素電極191。
[0092]參照?qǐng)D19，在像素電極191上形成犧牲層300。犧牲層300可以由有機(jī)材料形成。通過使用半色調(diào)掩?；蚩p隙掩模圖案化犧牲層。此時(shí)，凹進(jìn)RP形成在與光阻擋構(gòu)件220a對(duì)應(yīng)的部分處。凹進(jìn)RP相對(duì)于光阻擋構(gòu)件220a是不對(duì)稱的。
[0093]參照?qǐng)D20，在犧牲層300上順序地形成共電極270和保護(hù)層250。共電極270可以由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體制成，保護(hù)層250可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成。參照?qǐng)D21，在保護(hù)層250上形成支撐構(gòu)件260并進(jìn)行圖案化以形成暴露保護(hù)層250的與光阻擋構(gòu)件220a對(duì)應(yīng)的部分的凹槽GRV。凹槽GRV可以相對(duì)于光阻擋構(gòu)件220a對(duì)稱地放置，從而凹進(jìn)RP (相對(duì)于光阻擋構(gòu)件220a不對(duì)稱地形成)和凹槽GRV偏移。因此，形成從支撐構(gòu)件260的端部向下突出的突起支撐部分PSM。
[0094]參照?qǐng)D22，形成覆蓋暴露的保護(hù)層250和支撐構(gòu)件260的鈍化層240。鈍化層240可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成。參照?qǐng)D23，順序地圖案化形成有凹槽GRV的鈍化層240、保護(hù)層250和共電極270以暴露犧牲層300。此時(shí)，可以將犧牲層300的與凹槽GRV對(duì)應(yīng)的部分除去。此時(shí)，突起支撐部分PSM受到鈍化層240的保護(hù)，從而其形狀得以維持。這使得支撐構(gòu)件260的形狀相對(duì)于光阻擋構(gòu)件220a不對(duì)稱。
[0095]參照?qǐng)D24，利用例如O2灰化工藝或濕蝕刻方法通過凹槽GRV除去犧牲層300。從而形成了具有液晶注入孔Al和A2的微腔層400。微腔層400是犧牲層300被除去的空的空間。液晶注入孔Al和A2可以沿與連接到薄膜晶體管的一個(gè)端子的信號(hào)線平行的方向形成。
[0096]參照?qǐng)D25，通過凹槽GRV以及液晶注入孔Al和A2注入取向材料以在像素電極191和共電極270上形成取向?qū)?1和21。在通過液晶注入孔Al和A2注入取向材料之后執(zhí)行烘烤工藝。此時(shí)，取向?qū)釉谌∠虿牧系娜軇]發(fā)的同時(shí)形成，留下的固體聚集在較小的開口處，即，在PSM下面且在光阻擋構(gòu)件220a上方。
[0097]接下來，使用噴墨或其他合適的方法通過凹槽GRV以及液晶注入孔Al和A2將液晶分子310注入微腔層400中。這里，取向?qū)?1和21形成，使得液晶注入孔Al和A2的尺寸與最初形成的液晶注入孔相比會(huì)有所減小。
[0098]接下來，形成覆蓋支撐構(gòu)件260的上表面和側(cè)表面的蓋層280 (在圖16中示出)。此時(shí)，蓋層280覆蓋微腔層400的通過凹槽GRV暴露的液晶注入孔Al和A2。
[0099]圖26是為了解釋根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器沿圖1中的線II1-1II截取的剖視圖。圖26中示出的示例性實(shí)施例在結(jié)構(gòu)上與圖17中示出的示例性實(shí)施例相似。然而，在一個(gè)像素PX中，彼此面對(duì)的微腔層400的結(jié)構(gòu)相對(duì)于光阻擋構(gòu)件220a對(duì)稱。如圖26中所示，第一結(jié)構(gòu)X是對(duì)稱的，第二結(jié)構(gòu)Y是對(duì)稱的。然而，在本示例性實(shí)施例中，按照豎直方向重復(fù)地布置第一結(jié)構(gòu)X和第二結(jié)構(gòu)Y，一個(gè)微腔層400具有與第一結(jié)構(gòu)X的右側(cè)部分和第二結(jié)構(gòu)Y的左側(cè)部分對(duì)應(yīng)的液晶注入孔Al和A2，從而其開口對(duì)于一個(gè)微腔層400來講是不對(duì)稱的。因此，在本示例性實(shí)施例的情況下，在一個(gè)微腔層400中，微腔層400的與液晶注入孔Al和A2對(duì)應(yīng)的兩端的形狀是不對(duì)稱的，從而毛細(xì)力優(yōu)先作用于一側(cè)的孔Al。
[0100]圖27是從圖16中的位置P至位置Q觀看的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的用以解釋的俯視圖。圖28和圖29是示意性地解釋根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。
[0101]參照?qǐng)D27，光阻擋構(gòu)件220與有機(jī)層230的分隔空間對(duì)應(yīng)地形成在光阻擋區(qū)域LB處。在本示例性實(shí)施例中，第一區(qū)域Hl和第二區(qū)域H2分別位于相對(duì)于光阻擋區(qū)域LB的上端和下端處。第一區(qū)域Hl表示第一液晶注入孔Al所位于的部分，第二區(qū)域H2表示第二液晶注入孔A2所位于的部分，如圖16中所示。
[0102]這里，第一區(qū)域Hl基本上對(duì)應(yīng)于像素PX的一整個(gè)橫向邊緣或單位微腔層400的一整個(gè)邊緣。然而，如果第一區(qū)域Hl形成在像素PX的橫向邊緣的大部分區(qū)域中，則在干燥取向材料時(shí)留下的固體可能阻擋液晶注入孔。
[0103]為防止該問題，將參照?qǐng)D28描述優(yōu)選示例性實(shí)施例。
[0104]參照?qǐng)D28，在本示例性實(shí)施例中，與第一區(qū)域Hl對(duì)應(yīng)的部分可以僅部分地形成在像素PX的橫向邊緣處或單位微腔層400的一個(gè)邊緣處。
[0105]此外，微腔層400的一端具有高度h2的第二區(qū)域H2形成在與第一區(qū)域Hl相鄰的部分處。在干燥取向材料之后留下的固體集中到像素PX的橫向邊緣之中的第一區(qū)域H1。
[0106]因此，減小了液晶注入孔可能被部分阻擋的可能性。
[0107]將參照?qǐng)D29描述圖28的示例性實(shí)施例的變型示例性實(shí)施例。
[0108]參照?qǐng)D29，與第一區(qū)域Hl對(duì)應(yīng)的部分根據(jù)像素PX的橫向邊緣形成在像素PX的橫向邊緣或單位微腔層400的一個(gè)邊緣的部分處，微腔層400的一端的高度高于高度hi且小于高度h2的第三區(qū)域H3形成在與第一區(qū)域Hl相鄰的部分處。
[0109]圖30是微腔層形狀的透視圖以解釋根據(jù)示例性實(shí)施例的液晶顯示器。
[0110]圖30表不圖5中的單位微腔層400,—側(cè)的液晶注入孔Al的寬度wl小于另一側(cè)的液晶注入孔A2的寬度《2。
[0111]因此，寬度小的液晶注入孔Al的橫截面比寬度大的液晶注入孔A2的橫截面小。
[0112]因此，在干燥取向材料的工藝中，毛細(xì)力可以強(qiáng)有力地作用于微腔層400中的一側(cè)的液晶注入孔Al。
[0113]圖1至圖5中描述的示例性實(shí)施例是這樣一個(gè)示例性實(shí)施例，即，在微腔層400中，微腔層的液晶注入孔所位于的橫截面比微腔層的位于液晶注入孔附近的橫截面小，圖30中描述的示例性實(shí)施例也是這樣的示例性實(shí)施例，即，微腔層的液晶注入孔所位于的橫截面比微腔層的位于液晶注入孔附近的橫截面小。
[0114]因此，在本示例性實(shí)施例中，為了使毛細(xì)力強(qiáng)有力地作用于一側(cè)處，為了設(shè)計(jì)這樣的結(jié)構(gòu)，即，微腔層的液晶注入孔位于一側(cè)的橫截面比微腔層的位于液晶注入孔附近的橫截面或在另一側(cè)的液晶注入孔的橫截面小，一側(cè)的液晶注入孔的寬度可以是小的，或者液晶注入孔的高度可以是低的。
[0115]然而，減小液晶注入孔的寬度或高度的方法不限于所描述的方法，而是可以設(shè)計(jì)各種變型。
[0116]圖31是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的剖視圖。
[0117]圖31是沿圖1中的線II1-1II截取的剖視圖，然而與圖4不同的是，橫向光阻擋構(gòu)件220a與相鄰于其的有機(jī)層230的每個(gè)邊緣疊置的寬度基本上相同。
[0118]在本示例性實(shí)施例中，與圖1至圖4中描述的示例性實(shí)施例相似，微腔層的第一液晶注入孔Al所位于的橫截面比微腔層400的第二液晶注入孔A2所位于的橫截面小。
[0119]根據(jù)本示例性實(shí)施例的液晶顯示器還包括位于有機(jī)層230和光阻擋構(gòu)件220上的平坦化層180。為了形成兩側(cè)的液晶注入孔的不同的橫截面，在本示例性實(shí)施例中，可以控制位于液晶注入孔下面的平坦化層180的厚度。
[0120]具體地講，參照?qǐng)D31，平坦化層180的位于第一液晶注入孔Al下面的第一部分的厚度比平坦化層180的位于第二液晶注入孔A2下面的第二部分的厚度厚。
[0121]在平坦化層180的第一部分中，突起180p沿第一液晶注入孔Al所在的方向形成。
[0122]當(dāng)形成平坦化層180時(shí)，通過使用微縫隙暴露法來形成突起180p，從而沒有增加單獨(dú)的工藝。
[0123]圖32是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的剖視圖。
[0124]圖32與圖31中描述的示例性實(shí)施例的多數(shù)構(gòu)造相同，然而，凹入部分180d代替突起180p形成在平坦化層180中。
[0125]參照?qǐng)D32，平坦化層180的位于第一液晶注入孔Al下面的第一部分的厚度比平坦化層180的位于第二液晶注入孔A2下面的第二部分的厚度薄。
[0126]在平坦化層180的第一部分中，凹進(jìn)180d沿與第一液晶注入孔Al所在的方向相反的方向形成。
[0127]雖然已結(jié)合當(dāng)前被認(rèn)為是實(shí)際的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但將理解的是，本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，而是相反，意圖覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
[0128]〈對(duì)標(biāo)號(hào)的描述〉
[0129]220光阻擋構(gòu)件230有機(jī)層
[0130]191像素電極300犧牲層
[0131]250保護(hù)層260支撐構(gòu)件
[0132]270共電極400微腔層
【權(quán)利要求】
1.一種顯不面板，包括: 基底； 電極，設(shè)置在基底上；以及 支撐構(gòu)件，設(shè)置在電極上， 支撐構(gòu)件被成形為形成位于支撐構(gòu)件和電極之間的腔，其中，腔具有在支撐構(gòu)件的一端處的第一開口和在支撐構(gòu)件的相對(duì)端處的第二開口，第一開口位于電極上方， 其中，第一開口的橫截面積小于第二開口的橫截面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，支撐構(gòu)件具有在第一開口處的從電極開始的第一高度以及在第二開口處的從電極開始的第二高度， 其中，第一高度大于第二高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，所述顯示面板還包括設(shè)置在基底上的黑色矩陣，其中，黑色矩陣是位于基底上和第一開口下面的第一黑色矩陣，第一黑色矩陣具有面對(duì)第一開口的上表面， 其中，顯示面板還包括位于基底上和第二開口下面的第二黑色矩陣，第二黑色矩陣具有面對(duì)第二開口的上表面， 其中，第一黑色矩陣的上表面在第一開口處具有第一高度，第二黑色矩陣的上表面在第二開口處具有第二高度，第一高度大于第二高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中，第一高度比第二高度大至少大約0.8 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其中，第一高度比第二高度大大約1.3μπι。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中，第一黑色矩陣和第二黑色矩陣中的至少一個(gè)僅在其相應(yīng)開口的一部分下面延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其中，第一黑色矩陣和第二黑色矩陣中的至少一個(gè)具有小于或等于其相應(yīng)開口的寬度的大約80%的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中，第一黑色矩陣的上表面和第二黑色矩陣的上表面中的至少一個(gè)具有多個(gè)高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，兩個(gè)高度之間的差為大約0.5 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其中，所述兩個(gè)高度中的一個(gè)為距離與第一黑色矩陣和第二黑色矩陣相鄰的有機(jī)層的上表面大約0.8 μ m，所述兩個(gè)高度中的另一個(gè)為距離有機(jī)層的上表面大約1.3 μ m。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，所述多個(gè)高度包括第一高度和第二高度， 其中，第一高度大于第二高度， 其中，第一黑色矩陣的上表面和第二黑色矩陣的上表面中的至少一個(gè)的具有第一高度的部分的寬度小于第一黑色矩陣的上表面和第二黑色矩陣的上表面中的所述至少一個(gè)的具有第二抬升的部分的寬度的大約80%。
12.—種顯不面板,包括: 基底； 電極，設(shè)置在基底上；以及 支撐構(gòu)件，設(shè)置在電極上，支撐構(gòu)件被成形為形成位于支撐構(gòu)件和電極之間的腔， 其中，支撐構(gòu)件具有緊鄰腔的一端的第一部分和位于腔的中心部分處的第二部分，其中，第一部分位于距電極的第一距離處，第二部分位于距電極的第二距離處，第二距離大于第一距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，所述顯示面板還包括第一光阻擋構(gòu)件和第二光阻擋構(gòu)件，第一光阻擋構(gòu)件位于支撐構(gòu)件的第一部分下面并緊鄰腔的所述一端，第二光阻擋構(gòu)件位于腔的另一端下面并緊鄰支撐構(gòu)件的第二部分， 其中，第一部分位于距第一光阻擋構(gòu)件的面對(duì)第一部分的表面的第一高度處，第二部分位于距第二光阻擋構(gòu)件的面對(duì)第二部分的表面的第二高度處，第二高度大于第一高度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中，第一光阻擋構(gòu)件的所述表面與第一部分之間的最小距離小于第二光阻擋構(gòu)件的所述表面與第二部分之間的最小距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中，第一光阻擋構(gòu)件和第二光阻擋構(gòu)件中的至少一個(gè)僅在與其相應(yīng)的腔的端部的一部分下面延伸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示面板，其中，第一光阻擋構(gòu)件和第二光阻擋構(gòu)件中的至少一個(gè)的寬度小于或等于與其相應(yīng)的腔的端部的寬度的大約80%。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中，第一光阻擋構(gòu)件的所述表面和第二光阻擋構(gòu)件的所述表面中的至少一個(gè)表面具有多個(gè)抬升。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中，兩個(gè)抬升之間的差為大約0.5 μ m。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，所述兩個(gè)抬升中的一個(gè)具有距離與第一光阻擋構(gòu)件和第二光阻擋構(gòu)件相鄰的有機(jī)層的上表面大約0.Sym的高度，所述兩個(gè)抬升中的另一個(gè)具有距離有機(jī)層的上表面大約1.3μπ?的高度。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中，所述多個(gè)抬升包括第一抬升和第二抬升， 其中，第一抬升大于第二抬升， 其中，第一光阻擋構(gòu)件的所述表面和第二光阻擋構(gòu)件的所述表面中的至少一個(gè)表面的具有第一抬升的部分的寬度小于第一光阻擋構(gòu)件的所述表面和第二光阻擋構(gòu)件的所述表面中的所述至少一個(gè)表面的具有第二抬升的部分的寬度的大約80%。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，所述顯示面板還包括位于支撐構(gòu)件的第一部分下面的第一光阻擋構(gòu)件，其中，第一部分具有形成在其中的凹進(jìn)，凹進(jìn)位于第一光阻擋構(gòu)件上方。
22.一種制造顯示面板的方法，包括: 在基底上形成電極； 在電極上形成犧牲層； 在犧牲層中圖案化凹進(jìn)； 在犧牲層和凹進(jìn)上形成支撐構(gòu)件； 除去支撐構(gòu)件的位于凹進(jìn)上的部分，以形成暴露犧牲層的凹槽；以及 通過凹槽除去犧牲層以形成位于支撐構(gòu)件和電極之間的腔，腔被構(gòu)造為將液體容納在其中。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，圖案化凹進(jìn)還包括使用半色調(diào)掩?；蚩p隙掩模圖案化凹進(jìn)。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，所述方法還包括在基底上形成相鄰的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層以及光阻擋構(gòu)件，光阻擋構(gòu)件位于相鄰的有機(jī)層之間以與第一有機(jī)層和第二有機(jī)層二者的端部疊置。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法， 其中，圖案化還包括在光阻擋構(gòu)件上方圖案化凹進(jìn)，使得支撐構(gòu)件具有位于凹進(jìn)中的第一部分和位于凹進(jìn)外部的第二部分， 其中，除去支撐構(gòu)件的部分還包括除去支撐構(gòu)件的第一部分的部分以使支撐構(gòu)件的剩余部分留在凹進(jìn)中， 其中，支撐構(gòu)件的剩余部分位于距電極的第一距離處，支撐構(gòu)件的第二部分位于距電極的第二距離處，第二距離大于第一距離。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，除去犧牲層還包括:除去犧牲層，以便形成具有至少部分地由支撐構(gòu)件的剩余部分限定的開口的第一腔，以及以便形成具有至少部分地由支撐構(gòu)件的第二部分限定的開口的第二腔，第一腔的開口和第二腔的開口均位于光阻擋構(gòu)件上方。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，在所述端部的至少一個(gè)端部處，光阻擋構(gòu)件僅與相應(yīng)的有機(jī)層的端部的一部分疊置。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，在所述端部的至少一個(gè)端部處，與相應(yīng)的有機(jī)層的端部的一部分疊置的光阻擋構(gòu)件的寬度小于或等于腔的相應(yīng)端部的寬度的大約80%。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，在腔的相應(yīng)端部處，光阻擋構(gòu)件具有多個(gè)抬升。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，兩個(gè)抬升之間的差為大約0.5 μ m。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，所述兩個(gè)抬升中的一個(gè)具有距離與光阻擋構(gòu)件相鄰的有機(jī)層的上表面大約0.8μπ?的高度，所述兩個(gè)抬升中的另一個(gè)具有距離有機(jī)層的上表面大約1.3μπ?的高度。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，所述多個(gè)抬升包括第一抬升和第二抬升， 其中，第一抬升大于第二抬升， 其中，光阻擋構(gòu)件的具有第一抬升的部分的寬度小于光阻擋構(gòu)件的具有第二抬升的部分的寬度的大約80%。
33.一種顯不面板,包括: 基底； 第一電極，設(shè)置在基底上； 黑色矩陣，形成在基底上；以及 支撐構(gòu)件，在基底上設(shè)置在第一電極和黑色矩陣上方，支撐構(gòu)件被成形為形成位于第一電極和支撐構(gòu)件之間的腔，腔具有位于黑色矩陣上方的窄的部分，窄的部分的橫截面積小于腔的剩余部分的橫截面積。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的顯示面板，其中，支撐構(gòu)件具有在腔的窄的部分處距離第一電極的第一高度和在腔的剩余部分處距離第一電極的第二高度， 其中，第一高度小于第二高度。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的顯示面板，其中，黑色矩陣是位于基底上和腔的一端下的第一黑色矩陣，第一黑色矩陣具有面對(duì)腔的上表面， 其中，顯示面板還包括位于基底上和腔的另一端下的第二黑色矩陣，第二黑色矩陣具有面對(duì)腔的上表面， 其中，第一 黑色矩陣的上表面在腔的所述一端具有第一高度，第二黑色矩陣的上表面在腔的所述另一端具有第二高度，第一高度大于第二高度。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103838021SQ201310418806
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月23日
【發(fā)明者】李熙根, 尹海柱, 李廷煜, 李善旭, 金東煥, 金成俊, 金筵泰, 李亨燮, 趙晟佑, 車泰運(yùn), 崔相虔 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司