微電子激光掃描裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種微電子激光掃描裝置，包括：物鏡、切線反射鏡、循跡反射鏡、偏光棱鏡、耦合鏡和半導體激光二極管，所述物鏡與切線反射鏡相連接，所述循跡反射鏡與偏光棱鏡組合連接，所述偏光棱鏡通過衍射光柵與耦合鏡相連接，所述耦合鏡與半導體激光二極管相連接。通過上述方式，本發(fā)明微電子激光掃描裝置，高方向性，高單向性，高亮度和高相干性。
【專利說明】微電子激光掃描裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，特別是涉及ー種微電子激光掃描裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]微電子技術(shù)是隨著集成電路，尤其是超大型規(guī)模集成電路而發(fā)展起來的一門新的技木。微電子技術(shù)包括系統(tǒng)電路設(shè)計、器件物理、エ藝技術(shù)、材料制備、自動測試以及封裝、組裝等一系列專門的技術(shù)，微電子技術(shù)是微電子學中的各項エ藝技術(shù)的總和。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種微電子激光掃描裝置，高方向性，高單向性，高亮度和高相干性。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種微電子激光掃描裝置，包括:物鏡、切線反射鏡、循跡反射鏡、偏光棱鏡、耦合鏡和半導體激光二極管，所述物鏡與切線反射鏡相連接，所述循跡反射鏡與偏光棱鏡組合連接，所述偏光棱鏡通過衍射光柵與耦合鏡相連接，所述耦合鏡與半導體激光二極管相連接。
[0005]在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述偏光棱鏡上設(shè)有軌跡鏡。
[0006]在本發(fā)明ー個較佳實施例中，所述耦合鏡與半導體激光二極管之間設(shè)有透鏡。
[0007]在本發(fā)明ー個較佳實施例中，所述切線反射鏡和循跡反射鏡構(gòu)成諧振腔。
[0008]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明微電子激光掃描裝置，高方向性，高單向性，高亮度和高相干性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中:
圖1是本發(fā)明的微電子激光掃描裝置一較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖中各部件的標記如下:1、半導體激光二極管，2、透鏡,3、稱合鏡,4、偏光棱鏡，5、循跡反射鏡，6、切線反射鏡，7、物鏡。
【具體實施方式】
[0010]下面將對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0011]本發(fā)明實施例包括: ー種微電子激光掃描裝置，包括:物鏡7、切線反射鏡6、循跡反射鏡5、偏光棱鏡4、f禹合鏡3和半導體激光二極管I，所述物鏡7與切線反射鏡6相連接，所述循跡反射鏡5與偏光棱鏡4組合連接，所述偏光棱鏡4通過衍射光柵與耦合鏡3相連接，所述耦合鏡3與半導體激光二極管I相連接。
[0012]另外，所述偏光棱鏡4上設(shè)有軌跡鏡。
[0013]另外，所述耦合鏡3與半導體激光二極管I之間設(shè)有透鏡2。
[0014]另外，所述切線反射鏡6和循跡反射鏡5構(gòu)成諧振腔，當工作物質(zhì)受激，原子自發(fā)輻射的光子在諧振腔內(nèi)不斷地來回反射形成激光。
[0015]本發(fā)明微電子激光掃描裝置的有益效果是:
高方向性，高單向性，高亮度和高相干性。
[0016]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種微電子激光掃描裝置，其特征在于，包括:物鏡、切線反射鏡、循跡反射鏡、偏光棱鏡、耦合鏡和半導體激光二極管，所述物鏡與切線反射鏡相連接，所述循跡反射鏡與偏光棱鏡組合連接，所述偏光棱鏡通過衍射光柵與耦合鏡相連接，所述耦合鏡與半導體激光二極管相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子激光掃描裝置，其特征在于，所述偏光棱鏡上設(shè)有軌跡鏡。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子激光掃描裝置，其特征在于，所述耦合鏡與半導體激光二極管之間設(shè)有透鏡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子激光掃描裝置，其特征在于，所述切線反射鏡和循跡反射鏡構(gòu)成諧振腔。
【文檔編號】G02B26/10GK103454766SQ201310379339
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月28日
【發(fā)明者】朱偉東, 林峰 申請人:江蘇應(yīng)能微電子有限公司