一種金屬納米叉指光柵的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種金屬納米叉指光柵的制備方法，其包括以下步驟：步驟A：在清洗好的襯底基片上，采用鍍膜設(shè)備生長一定厚度的金屬膜；步驟B：對(duì)所述金屬膜旋涂光刻膠，采用電子束光刻方法在光刻膠上制備叉指光柵；步驟C：采用離子束刻蝕方法將所述叉指光柵轉(zhuǎn)移到金屬膜上；步驟D：在熱丙酮溶液中洗去金屬膜和叉指光柵上的殘膠，再使用微波等離子體去膠機(jī)去掉殘留有機(jī)物。上述制備方法采用了電子束光刻和離子束刻蝕技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)納米尺寸的結(jié)構(gòu)加工，精確控制叉指型金屬光柵的結(jié)構(gòu)周期，有效的改變光柵的結(jié)構(gòu)周期，縫寬及線寬；且通過本方法制備的叉指光柵，兼有納米電極和納米光柵的兩種功能。
【專利說明】一種金屬納米叉指光柵的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及叉指光柵的制備【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種金屬納米叉指光柵的制備方 法。

【背景技術(shù)】
[0002] 金屬光柵結(jié)構(gòu)和金屬叉指電極結(jié)構(gòu)都是微納光學(xué)和電學(xué)領(lǐng)域常見的結(jié)構(gòu)，也是光 電器件中兩個(gè)獨(dú)立的基本單元結(jié)構(gòu)，發(fā)揮著不同的功能和作用。目前，關(guān)于金屬光柵或金 屬叉指電極應(yīng)用研究的報(bào)道較多，但是還沒有看到將金屬光柵和叉指電極兩種不同功能結(jié) 合起來實(shí)現(xiàn)新光電特性調(diào)控的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和相關(guān)報(bào)道。本發(fā)明設(shè)計(jì)了金屬納米叉指型光柵結(jié) 構(gòu)，同時(shí)兼有金屬納米光柵和納米電極兩種功能，不僅可以作為納米材料的電輸運(yùn)特性測(cè) 試，還可以作為納米加熱器，更重要的是可以實(shí)現(xiàn)利用外電場(chǎng)調(diào)控金屬納米光柵結(jié)構(gòu)的光 電特性，并在表面等離激元納米光學(xué)和生化分子傳感和探測(cè)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用潛力。例如， 近年來表面增強(qiáng)拉曼散射（SERS)由于其在生化探測(cè)和單分子檢測(cè)方面有著巨大的潛力而 備受人們的關(guān)注，而本發(fā)明設(shè)計(jì)的金屬納米叉指光柵為研究SERS提供了新的途徑，在此結(jié) 構(gòu)中的金屬叉指光柵電路中相當(dāng)于多級(jí)電容并聯(lián)，在外加交變電壓作用下可以在光柵相鄰 兩條金屬線間產(chǎn)生交變電場(chǎng)，從而可以為SERS探測(cè)的有機(jī)分子提供電場(chǎng)環(huán)境。通過本發(fā)明 設(shè)計(jì)的金屬納米叉指型光柵結(jié)構(gòu)，可以研究在外加電場(chǎng)作用下金屬納米光柵的SERS光譜 特性，通過改變外加電場(chǎng)的振幅、頻率來有選擇性的調(diào)節(jié)有機(jī)分子拉曼信號(hào)的強(qiáng)弱，從而可 能實(shí)現(xiàn)對(duì)拉曼光譜的外在動(dòng)態(tài)調(diào)制，同時(shí)研究調(diào)制過程的相關(guān)機(jī)制，對(duì)于研究有機(jī)物中特 殊鍵合的分辨和和精確檢測(cè)等方面具有重要意義。
[0003] 這種金屬納米叉指光柵結(jié)構(gòu)加工難點(diǎn)在于其結(jié)構(gòu)密度高、單線尺度窄且長，因 此加工工藝要保證光柵相鄰金屬線不能連通，否則此光柵就會(huì)變成電阻，不能夠在相鄰 金屬線間產(chǎn)生交變電場(chǎng)。如果采用先電子束曝光然后熱蒸發(fā)沉積金屬，再用常用的溶脫 (Lift-off)的方法則難以確保所有相鄰的光柵線條都不連通。因?yàn)楸景l(fā)明的金屬光柵結(jié)構(gòu) 單元在幾十納米，所以很難將光柵線條間多余的金屬完全融脫掉，極易造成相鄰金屬線的 粘連，因而這種方法不適合加工這種納米級(jí)器件。而本發(fā)明采用的這種先沉積金屬再電子 束曝光，最后離子束刻蝕的方法便可以有效的解決這個(gè)問題，不僅可以實(shí)現(xiàn)光柵相鄰線條 不連通，而且可以通過調(diào)節(jié)曝光參數(shù)以及刻蝕條件來制備不同尺寸的金屬叉指光柵。這種 制備方法不僅需要優(yōu)化電子束曝光和離子束刻蝕兩方面的工藝參數(shù)，同時(shí)還要考慮兩個(gè)工 藝過程的良好銜接和配合補(bǔ)充，以滿足不同的結(jié)構(gòu)尺寸制備需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提出一種金屬納米叉指光柵的制備方法，能夠使得系統(tǒng)具有較 高的安全性、穩(wěn)定性及可靠性。
[0005] 為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：
[0006] -種金屬納米叉指光柵的制備方法，其包括以下步驟：
[0007] 步驟A :在清洗好的襯底基片上，采用鍍膜設(shè)備生長金屬膜；
[0008] 步驟B :對(duì)所述金屬膜旋涂光刻膠，采用電子束光刻方法在光刻膠上制備叉指光 柵；
[0009] 步驟C :采用離子束刻蝕方法將所述叉指光柵轉(zhuǎn)移到金屬膜上；
[0010] 步驟D :洗去金屬膜和叉指光柵上的殘膠，以及去掉上面的殘留有機(jī)物。
[0011] 作為上述金屬納米叉指光柵的制備方法的一種優(yōu)選方案，在步驟A中，所述襯底 基板清洗完畢之后，需將其放置于熱板上烘烤5-10min。
[0012] 作為上述金屬納米叉指光柵的制備方法的一種優(yōu)選方案，在步驟A中，所述一定 厚度的金屬膜的厚度為30-80nm。
[0013] 作為上述金屬納米叉指光柵的制備方法的一種優(yōu)選方案，在步驟B中，所述光刻 膠為對(duì)電子敏感光刻膠，且旋涂光刻膠之后，采用熱板或烘箱對(duì)涂有光刻膠烘烤l_2min，烘 烤溫度為180°。
[0014] 作為上述金屬納米叉指光柵的制備方法的一種優(yōu)選方案，在步驟C中，對(duì)光刻膠 和襯底均有刻蝕效果。
[0015] 作為上述金屬納米叉指光柵的制備方法的一種優(yōu)選方案，在步驟A中：對(duì)所述 襯底基片的清洗是依次采用丙酮、酒精、二次去離子水進(jìn)行三步超聲清洗，每步各清洗 3-5min，然后再使用氮?dú)鈽尨蹈伞?br> [0016] 作為上述金屬納米叉指光柵的制備方法的一種優(yōu)選方案，在步驟A中，生長金屬 膜之前，先在襯底基片上先生長一層鉻或鈦過渡層，然后再在此過渡層上生長金屬膜。
[0017] 作為上述金屬納米叉指光柵的制備方法的一種優(yōu)選方案，在步驟B中，通過更改 曝光劑量來調(diào)整光柵圖形的尺寸，且曝光結(jié)束之后進(jìn)行顯影和定影，顯影時(shí)間40s，定影時(shí) 間 30s。
[0018] 作為上述金屬納米叉指光柵的制備方法的一種優(yōu)選方案，在步驟C中，離子束刻 蝕與樣品臺(tái)的刻蝕角度為10-30°，離子能量為250eV-350eV，離子束刻蝕時(shí)間2min-3min。
[0019] 作為上述金屬納米叉指光柵的制備方法的一種優(yōu)選方案，在步驟D中，是在熱丙 酮溶液中洗去金屬膜和叉指光柵上的殘膠，使用微波等離子體去膠機(jī)去掉殘留有機(jī)物。
[0020] 本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明提供了一種金屬納米叉指光柵的制備方法，其加工 過程采用了電子束光刻和離子束刻蝕技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)納米尺寸的結(jié)構(gòu)加工，精確控制叉指 型金屬光柵的結(jié)構(gòu)周期，有效的改變光柵的結(jié)構(gòu)周期，縫寬及線寬；同時(shí)本方法的加工精度 高，能夠有效的保證相鄰的金屬光柵線條間不連通；且通過本方法制備的叉指光柵，兼有納 米電極和納米光柵的兩種功能，對(duì)研究外電場(chǎng)調(diào)控金屬納米光柵結(jié)構(gòu)光電特性和納米加熱 器件具有重要的意義。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021] 圖1是本發(fā)明【具體實(shí)施方式】一提供的納米金屬叉指光柵制備的流程圖；
[0022] 圖2是本發(fā)明【具體實(shí)施方式】一提供是制備金屬納米叉指型光柵的工藝示意圖；
[0023] 圖3是本發(fā)明【具體實(shí)施方式】一在硅襯底上制備納米金叉指型光柵的掃描電子顯 微鏡照片；
[0024] 圖4是本發(fā)明【具體實(shí)施方式】三在石英襯底上制備納米金叉指型光柵的掃描電子 顯微鏡照片；
[0025] 圖5是本發(fā)明【具體實(shí)施方式】五在硅襯底上制備納米牙狀結(jié)構(gòu)加熱器的結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0026] 其中，1 :襯底基片；2 :金屬膜；3 :光刻膠。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 下文中將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的 情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。
[0028] 實(shí)施方式一
[0029] 如圖1所示，本實(shí)施方式提供的一種金屬納米叉指光柵的制備方法，其包括以下 步驟：
[0030] 步驟A :在清洗好的襯底基片上，采用鍍膜設(shè)備生長一定厚度的金屬膜；
[0031] 步驟B:對(duì)所述金屬膜旋涂光刻膠，采用電子束光刻方法在光刻膠上制備叉指光 柵；
[0032] 步驟C :采用離子束刻蝕方法將所述叉指光柵轉(zhuǎn)移到金屬膜上；
[0033] 步驟D :在熱丙酮溶液中洗去金屬膜和叉指光柵上的殘膠，再使用微波等離子體 去膠機(jī)去掉殘留有機(jī)物。
[0034] 在步驟A中，襯底基片的制備不受限制，可以為石英、硅和其它等效的材料，優(yōu)選 的，襯底基片為石英或硅。
[0035] 在襯底基片的清洗過程中，襯底基板清洗是依次采用丙酮、酒精、二次去離子水進(jìn) 行三步超聲清洗，每步各清洗3-5min，然后再使用氮?dú)鈽尨蹈?，且?dāng)襯底基板清洗完畢之 后，需將清洗后的襯底基板放置于熱板上烘烤5-10min。
[0036] 鍍膜方法包括熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、磁控濺射等金屬沉積方法。采用的生長金屬膜 的設(shè)備為熱蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)、磁控濺射或者電子束蒸發(fā)等設(shè)備，為保證金屬光柵與襯底間 結(jié)合緊密，可以生長一層過渡層，如鉻、鈦等過渡膜。生長的金屬膜不宜過厚，30nm-80nm為 宜，過厚會(huì)影響之后的離子束刻蝕效果。
[0037] 在步驟B中在金屬膜上旋涂的光刻膠為對(duì)電子束敏感的光刻膠，如PMMA、HSQ 等，且當(dāng)在金屬膜上涂膠完畢之后，需要在熱板或烘箱對(duì)其烘烤l-2min，優(yōu)選的，光刻膠為 PMMA，烘烤溫度為180°C，烘烤時(shí)間為l_2min。
[0038] 利用電子束光刻技術(shù)得到的叉指光柵圖形，曝光結(jié)束后進(jìn)行相應(yīng)的顯影定影。可 以通過更改曝光劑量來調(diào)整光柵圖形的尺寸，且曝光結(jié)束之后進(jìn)行顯影和定影，顯影時(shí)間 40s，定影時(shí)間30s。
[0039] 在步驟C中，采用離子束刻蝕技術(shù)轉(zhuǎn)移光柵過程中，需要對(duì)光刻膠和襯底均有 刻蝕效果。且在刻蝕過程中離子束刻蝕與樣品臺(tái)的刻蝕角度為10-30°，離子能量為 250eV-350eV，離子束刻蝕時(shí)間2min-3min。此處所提及的樣品臺(tái)用于放置襯底基片。
[0040] 離子束刻蝕方法，應(yīng)該包括利用氬氣、氪氣等惰性氣體離子源，利用較高能量的和 較高均勻性的離子束流進(jìn)行刻蝕。
[0041] 在步驟D中，去除殘膠的過程具體的為用熱丙酮溶液清洗，再用氧離子去膠機(jī)清 除殘留有機(jī)物。
[0042] 為了對(duì)上述金屬納米叉指光柵進(jìn)行進(jìn)一步的說明，本實(shí)施方式提供了制備硅襯底 上的納米金叉指光柵的具體方法。如圖3所示，制備的叉指光柵周期為180nm，線寬約80nm， 縫寬約l〇〇nm。
[0043] 如圖2所示為制備硅襯底上的納米金叉指光柵的工藝示意圖，其中a為基片清洗， b為基片鍍金屬膜，c為金屬膜涂膠，d為電子束曝光制備光刻膠圖形，e為離子束刻蝕制備 金屬圖形，f為清洗樣品，去殘膠。其具體制備過程如下：
[0044] 1)取切好的硅片依次使用丙酮、酒精、去離子水各清洗5min，再用氮?dú)鈽尨蹈?，?板 180°C烘烤 5min。
[0045] 2)將洗干凈的硅片用熱蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)生長10nm Cr和50nm Au，真空度為 3. 0Xl(T4Pa。
[0046] 3)將樣品放在涂膠臺(tái)上旋涂PMMA，轉(zhuǎn)速4000rpm，膜厚為約210nm。
[0047] 4)用電子束光刻技術(shù)在PMMA上制備叉指型光柵，選擇合適的曝光劑量，相對(duì)劑量 參數(shù)為1. 8,然后顯影40s，定影30s。
[0048] 5)用離子束刻蝕技術(shù)將PMMA圖形轉(zhuǎn)移到Au膜上，樣品臺(tái)傾角20°，離子能量 300eV，離子束流密度0. 5mA/cm2,刻蝕2. 5min，刻蝕速率約30nm/min。
[0049] 6)將得到的樣品用80°C的熱丙酮清洗lOmin，再用氧離子去膠機(jī)轟擊5min。
[0050] 實(shí)施方式二
[0051] 本實(shí)施例制備硅襯底上的納米金叉指光柵。制備的叉指光柵周期為200nm，線寬約 80nm，縫寬約120nm。具體制備過程如下：
[0052] 1)取切好的硅片依次使用丙酮、酒精、去離子水各清洗5min，再用氮?dú)鈽尨蹈?，?板 180°C烘烤 5min。
[0053] 2)將洗干凈的硅片用熱蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)生長10nm Cr和50nm Au，真空度為 3. 0Xl(T4Pa。
[0054] 3)將樣品放在涂膠臺(tái)上旋涂PMMA，轉(zhuǎn)速4000rpm，膜厚為約210nm。
[0055] 4)用電子束光刻技術(shù)在PMMA上制備叉指型光柵，選擇合適的曝光劑量，相對(duì)劑量 參數(shù)為2. 0,然后顯影40s，定影30s。
[0056] 5)用離子束刻蝕技術(shù)將PMMA圖形轉(zhuǎn)移到Au膜上，樣品臺(tái)傾角20°，離子能量 300eV，離子束流密度0. 5mA/cm2,刻蝕2. 5min，刻蝕速率約30nm/min。
[0057] 6)將得到的樣品用80°C的熱丙酮清洗lOmin，再用氧離子去膠機(jī)轟擊5min。
[0058] 實(shí)施方式三
[0059] 如圖4所示為本實(shí)施例制備石英襯底上的納米金叉指光柵。制備的叉指光柵周期 為200nm，線寬約80nm，縫寬約120nm。具體制備過程如下：
[0060] 1)取切好的石英片依次使用丙酮、酒精、去離子水各清洗5min，再用氮?dú)鈽尨蹈桑?熱板180°C烘烤5min。
[0061] 2)將洗干凈的石英片用熱蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)生長5nm Cr和30nm Au，真空度為 3. 0Xl(T4Pa。
[0062] 3)將樣品放在涂膠臺(tái)上旋涂PMMA，轉(zhuǎn)速4000rpm，膜厚為約210nm。
[0063] 4)用電子束光刻技術(shù)在PMMA上制備叉指型光柵，選擇合適的曝光劑量，相對(duì)劑量 參數(shù)為2. 0,然后顯影40s，定影30s。
[0064] 5)用離子束刻蝕技術(shù)將PMMA圖形轉(zhuǎn)移到Au膜上，樣品臺(tái)傾角20°，離子能量 300eV，離子束流密度0. 5mA/cm2,刻蝕2min，刻蝕速率約30nm/min。
[0065] 6)將得到的樣品用80°C的熱丙酮清洗lOmin，再用氧離子去膠機(jī)轟擊5min。
[0066] 實(shí)施方式四
[0067] 本實(shí)施例制備硅襯底上的納米銀叉指光柵。制備的叉指光柵周期為200nm，線寬約 80nm，縫寬約120nm。具體制備過程如下：
[0068] 1)取切好的硅片依次使用丙酮、酒精、去離子水各清洗5min，再用氮?dú)鈽尨蹈?，?板 180°C烘烤 5min。
[0069] 2)將洗干凈的硅片用熱蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)生長10nm Cr和50nm Ag，真空度為 3. 0Xl(T4Pa。
[0070] 3)將樣品放在涂膠臺(tái)上旋涂PMMA，轉(zhuǎn)速4000rpm，膜厚為約210nm。
[0071] 4)用電子束光刻技術(shù)在PMMA上制備叉指型光柵，選擇合適的曝光劑量，相對(duì)劑量 參數(shù)為2. 0,然后顯影40s，定影30s。
[0072] 5)用離子束刻蝕技術(shù)將PMMA圖形轉(zhuǎn)移到Ag膜上，樣品臺(tái)傾角25°，離子能量 300eV，離子束流密度0. 5mA/cm2,刻蝕2min，刻蝕速率約35nm/min。
[0073] 6)將得到的樣品用80°C的熱丙酮清洗lOmin，再用酒精、去離子水各清洗5min，用 氮?dú)獯蹈珊鬅岚搴娓伞?br> [0074] 實(shí)施方式五
[0075] 本實(shí)施例制備硅襯底上的納米金加熱器，線寬約80nm，縫寬約120nm。其結(jié)構(gòu)示意 圖如圖5所示。具體制備過程如下 ：
[0076] 1)取切好的硅片依次使用丙酮、酒精、去離子水各清洗5min，再用氮?dú)鈽尨蹈桑瑹?板 180°C烘烤 5min。
[0077] 2)將洗干凈的硅片用熱蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)生長10nm Cr和50nm Au，真空度為 3. 0Xl(T4Pa。
[0078] 3)將樣品放在涂膠臺(tái)上旋涂PMMA，轉(zhuǎn)速4000rpm，膜厚為約210nm。
[0079] 4)用電子束光刻技術(shù)在PMMA上制備連續(xù)的納米彎曲線條結(jié)構(gòu)，選擇合適的曝光 劑量，相對(duì)劑量參數(shù)為2. 0,然后顯影40s，定影30s。
[0080] 5)用離子束刻蝕技術(shù)將PMMA圖形轉(zhuǎn)移到Au膜上，樣品臺(tái)傾角20°，離子能量 300eV，離子束流密度0. 5mA/cm2,刻蝕2. 5min，刻蝕速率約30nm/min。
[0081] 6)將得到的樣品用80°C的熱丙酮清洗lOmin，再用氧離子去膠機(jī)轟擊5min。
[0082] 通過以上本發(fā)明提供的實(shí)施方式可以看出：本發(fā)明對(duì)襯底沒有任何要求，可以選 擇石英和硅等基底，基底的選擇只與后續(xù)研究有關(guān)，與本發(fā)明制備過程無關(guān)，而且可以加工 多種金屬，例如Au、Ag等。說明這是一種具有普適性的制備方法。
[0083] 2)本發(fā)明基于電子束光刻和離子束刻蝕技術(shù)，可以進(jìn)行納米尺寸的結(jié)構(gòu)加工，精 確控制叉指型金屬光柵的結(jié)構(gòu)周期，有效的改變光柵的結(jié)構(gòu)周期，縫寬及線寬，對(duì)于研究小 尺度結(jié)構(gòu)物性具有重要意義。
[0084] 3)本發(fā)明能夠有效地保證相鄰金屬光柵線條間不連通，比普通的融脫方法更有優(yōu) 勢(shì)，光柵的連通性可以通過測(cè)量其電阻或者電容來表征。
[0085] 4)本發(fā)明的微納加工方法不僅可用來制備納米光柵，還可以進(jìn)行相應(yīng)的納米結(jié)構(gòu) 擴(kuò)展，比如納米牙狀結(jié)構(gòu)和納米柵格結(jié)構(gòu)等。
[0086] 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技 術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修 改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟A :在清洗好的襯底基片上，采用鍍膜設(shè)備生長金屬膜； 步驟B :對(duì)所述金屬膜旋涂光刻膠，采用電子束光刻方法在光刻膠上制備叉指光柵； 步驟C :采用離子束刻蝕方法將所述叉指光柵轉(zhuǎn)移到金屬膜上； 步驟D :洗去金屬膜和叉指光柵上的殘膠，以及去掉上面的殘留有機(jī)物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，在步驟A中，所 述襯底基板清洗完畢之后，需將其放置于熱板上烘烤5-10min。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，在步驟A中，所 述金屬膜的厚度為30-80nm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，在步驟B中， 所述光刻膠為對(duì)電子敏感光刻膠，且旋涂光刻膠之后，采用熱板或烘箱對(duì)涂有光刻膠烘烤 l-2min，烘烤溫度為180°。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，在步驟C中，對(duì) 光刻膠和襯底均有刻蝕效果。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，在步驟A中：對(duì) 所述襯底基片的清洗是依次采用丙酮、酒精、二次去離子水進(jìn)行三步超聲清洗，每步各清洗 3-5min，然后再使用氮?dú)鈽尨蹈伞?br> 7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，在步驟A中，生 長金屬膜之前，先在襯底基片上先生長一層鉻或鈦過渡層，然后再在此過渡層上生長金屬 膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，在步驟B中，通 過更改曝光劑量來調(diào)整光柵圖形的尺寸，且曝光結(jié)束之后進(jìn)行顯影和定影，顯影時(shí)間40s， 定影時(shí)間30s。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，在步驟C中， 離子束刻蝕與樣品臺(tái)的刻蝕角度為10-30°，離子能量為250eV-350eV，離子束刻蝕時(shí)間 2min_3min〇
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米叉指光柵的制備方法，其特征在于，在步驟D中，是 在熱丙酮溶液中洗去金屬膜和叉指光柵上的殘膠，使用微波等離子體去膠機(jī)去掉殘留有機(jī) 物。
【文檔編號(hào)】G03F7/00GK104142530SQ201310301646
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月6日
【發(fā)明者】李俊杰, 孫偉杰, 李林, 全保剛, 夏曉翔, 顧長志 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院物理研究所