顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種顯示裝置，該顯示裝置的陣列基板包括基板，薄膜晶體管，第一鈍化層，金屬導(dǎo)電層，公共電極，第二鈍化層，像素電極。該薄膜晶體管設(shè)置于該基板之上。該第一鈍化層覆蓋該薄膜晶體管。該金屬導(dǎo)電層包括第一部分，該第一部分位于該第一鈍化層之上，且該金屬導(dǎo)電層的膜厚小于。該公共電極覆蓋于該金屬導(dǎo)電層的該第一部分之上,且與該金屬導(dǎo)電層的該第一部分直接接觸并電性導(dǎo)通。該第二鈍化層覆蓋該第一鈍化層和該公共電極。該像素電極位于該第二鈍化層之上。由于該公共電極部分覆蓋或完全覆蓋膜厚小于的該金屬導(dǎo)電層的第一部分，因此，該公共電極的阻抗值可被有效降低。
【專利說明】顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示裝置，且特別涉及一種能有效降低公共電極阻抗值的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置具有輕薄、大尺寸化、平面化及數(shù)位化等優(yōu)點(diǎn)，近年來需求迅速增加，大量使用在電視、電腦監(jiān)視器、行動電話、車用屏幕與數(shù)位相框等等。同時，隨著需求迅速增力口，對于顯示裝置的品質(zhì)要求，也越來越高。
[0003]與傳統(tǒng)扭曲向列型(twisted nematic)顯示裝置相比,平面內(nèi)切換型(in-planeswitching, IPS)顯示裝置和邊緣場切換型(fringe field switching, FFS)顯示裝置具有廣視角的優(yōu)點(diǎn)。在平面內(nèi)切換型(IPS)顯示裝置和邊緣場切換型(FFS)顯示裝置中公共電極為位于陣列基板的透明銦錫氧化物層。銦錫氧化物材料本身具有較高阻抗值，會影響信號傳輸速率。然而在高解析度的要求下，需要高信號傳輸速率。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中一般通過增加公共電極的膜厚來降低其阻抗值，然而隨著公共電極膜厚的增加，會衍生出銦錫氧化物多晶化的問題，這樣在進(jìn)行蝕刻工序時，會產(chǎn)生銦錫氧化物殘留問題，而且增加銦錫氧化物的膜厚也會增加生產(chǎn)成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于上述內(nèi)容，有必要提供一種降低公共電極阻抗值的顯示裝置。
[0006]本發(fā)明提供一種顯示裝置，該顯示裝置的陣列基板包括:基板；薄膜晶體管，該薄膜晶體管設(shè)置于該基板之上；第一鈍化層，該第一鈍化層覆蓋該薄膜晶體管；金屬導(dǎo)電層，該金屬導(dǎo)電層至少包括第一部分，該第一部分位于該第一鈍化層之上，且該金屬導(dǎo)電層的膜厚小于30A ;公共電極，該公共電極覆蓋于該金屬導(dǎo)電層的該第一部分之上，且與該金屬導(dǎo)電層的該第一部分直接接觸并電性導(dǎo)通；第二鈍化層，該第二鈍化層覆蓋該第一鈍化層和該公共電極；像素電極，該像素電極位于該第二鈍化層之上。
[0007]優(yōu)選地，該公共電極完全重疊于該金屬導(dǎo)電層的該第一部分，該金屬導(dǎo)電層的該第一部分沒有全部被該公共電極覆蓋。
[0008]優(yōu)選地，該公共電極完全覆蓋該金屬導(dǎo)電層的該第一部分，且兩者面積相等。
[0009]優(yōu)選地，該金屬導(dǎo)電層的第一部分的圖案為片狀結(jié)構(gòu)、馬賽克圖案或網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
[0010]優(yōu)選地，該金屬導(dǎo)電層的材料為金屬鑰。該公共電極和該像素電極的材料為銦錫氧化物。
[0011]優(yōu)選地，該薄膜晶體管至少包括半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵極和數(shù)據(jù)電極，其中該數(shù)據(jù)電極包括源極和漏極。
[0012]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體層由多晶硅形成，其包括溝道區(qū)和位于該溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)。
[0013]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體層由非晶硅形成。
[0014]由于該金屬導(dǎo)電層的膜厚小于30A，因此，在該厚度下，光可透過該金屬導(dǎo)電層，且由于本發(fā)明中該公共電極重疊于部分或全部該金屬導(dǎo)電層的第一部分之上，因此可有效降低該公共電極的阻抗值，提高信號的傳輸速率，從而可降低不良信號的影響，滿足高解析度的要求。
[0015]本發(fā)明提供另一種顯示裝置，該顯示裝置的陣列基板包括:
[0016]基板；
[0017]至少一個電極層設(shè)置于該基板上，該電極層包括層疊設(shè)置的非金屬導(dǎo)電層及金屬導(dǎo)電層，非金屬導(dǎo)電層與金屬導(dǎo)電層之間電性導(dǎo)通且二者間傳遞的電信號相同，且該金屬導(dǎo)電層的膜厚小于30 A。
[0018]優(yōu)選地，該金屬導(dǎo)電層位于基板與非金屬導(dǎo)電層之間。
[0019]優(yōu)選地，該非金屬導(dǎo)電層與金屬導(dǎo)電層直接接觸。
[0020]優(yōu)選地，該非金屬導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物。
[0021]優(yōu)選地，該金屬導(dǎo)電層的材料為金屬鑰。
[0022]優(yōu)選地，該陣列基板還包括:薄膜晶體管，該薄膜晶體管設(shè)置于該基板之上;第一鈍化層，該第一鈍化層覆蓋該薄膜晶體管；由上述電極層形成的公共電極；第二鈍化層，該第二鈍化層覆蓋該第一鈍化層和該公共電極；像素電極，該像素電極位于該第二鈍化層之上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為本發(fā)明實施方式顯示裝置的陣列基板的剖視圖。
[0024]圖2a_2c為本發(fā)明實施方式中金屬導(dǎo)電層第一部分的不同圖案設(shè)計放大俯視圖。
[0025]圖3為本發(fā)明另一實施方式顯示裝置的陣列基板的剖視圖。
[0026]主要元件符號說明
[0027]

【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，該顯示裝置的陣列基板包括: 基板； 薄膜晶體管，該薄膜晶體管設(shè)置于該基板之上； 第一鈍化層，該第一鈍化層覆蓋該薄膜晶體管； 金屬導(dǎo)電層，該金屬導(dǎo)電層至少包括第一部分，該第一部分位于該第一鈍化層之上，且該金屬導(dǎo)電層的膜厚小于30 A ; 公共電極，該公共電極覆蓋于該金屬導(dǎo)電層的該第一部分之上，且與該金屬導(dǎo)電層的該第一部分直接接觸并電性導(dǎo)通； 第二鈍化層，該第二鈍化層覆蓋該第一鈍化層和該公共電極； 像素電極，該像素電極位于該第二鈍化層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于:該公共電極完全重疊于該金屬導(dǎo)電層的該第一部分，該金屬導(dǎo)電層的該第一部分沒有全部被該公共電極覆蓋。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于:該公共電極完全覆蓋該金屬導(dǎo)電層的該第一部分，且兩者面積相等。
4.如權(quán)利要求第1-3項任意一項所述的顯示裝置，其特征在于:該金屬導(dǎo)電層的第一部分的圖案為片狀結(jié)構(gòu)、馬賽克圖案或網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求第1-3項任意一項所述的顯示裝置，其特征在于:該金屬導(dǎo)電層的材料為金屬鑰。
6.如權(quán)利要求第1-3項任意一項所述的顯示裝置，其特征在于:該公共電極和該像素電極的材料為銦錫氧化物。
7.如權(quán)利要求第1-3項任意一項所述的顯示裝置，其特征在于:該薄膜晶體管至少包括一半導(dǎo)體層、一柵極絕緣層、一柵極和一數(shù)據(jù)電極，其中該數(shù)據(jù)電極包括一源極和一漏極。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體層由多晶硅形成，其包括一溝道區(qū)和位于該溝道區(qū)兩側(cè)的一摻雜區(qū)。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于:該半導(dǎo)體層由非晶硅形成。
10.一種顯示裝置，該顯示裝置的陣列基板包括: 基板； 至少一個電極層設(shè)置于該基板上，該電極層包括層疊設(shè)置的非金屬導(dǎo)電層及金屬導(dǎo)電層，非金屬導(dǎo)電層與金屬導(dǎo)電層之間電性導(dǎo)通且二者間傳遞的電信號相同，且該金屬導(dǎo)電層的膜厚小于30 A。
11.如權(quán)利要求?ο所述的顯示裝置，其特征在于:該金屬導(dǎo)電層位于基板與非金屬導(dǎo)電層之間。
12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于:該非金屬導(dǎo)電層與金屬導(dǎo)電層直接接觸。
13.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于:該非金屬導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物。
14.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于:該金屬導(dǎo)電層的材料為金屬鑰。
15.如權(quán)利要求10-14任意一項所述的顯示裝置，其特征在于:該陣列基板還包括:薄膜晶體管，該薄膜晶體管設(shè)置于該基板之上；第一鈍化層，該第一鈍化層覆蓋該薄膜晶體管；由上述電極層形成的公共電極；第二鈍化層，該第二鈍化層覆蓋該第一鈍化層和該公共電極；像素電極，該像素電極位于該第二鈍化層之上。
【文檔編號】G02F1/1343GK104133328SQ201310175517
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年5月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月3日
【發(fā)明者】侯智元 申請人:業(yè)鑫科技顧問股份有限公司, 新光電科技有限公司