用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法。此方法包含下列步驟：提供一單色光源，其發(fā)出一第一色光。形成一熒光層于單色光源的出光路徑上，令使第一色光透射熒光層。熒光層轉(zhuǎn)換部份第一色光成為一第二色光，并且放射殘余的第一色光。以及混合殘余的第一色光與第二色光，以產(chǎn)生一第三色光。通過調(diào)整殘余的第一色光與第二色光的光瓦強(qiáng)度比例，調(diào)控第三色光的波長(zhǎng)。
【專利說明】用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種調(diào)控光波長(zhǎng)的方法，特別涉及一種用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]一般激光投影機(jī)里光源模塊的光路設(shè)計(jì)為讓單色光透射熒光粉色輪(phosphorwheel，PW)，激發(fā)紅、黃、綠等色的熒光粉，以作為顯示光源。接著再依序穿透一光路轉(zhuǎn)換裝置(relay)、一光調(diào)節(jié)器(light modulator)及一投影鏡片(project1n lens),以透射出特定顏色光源。
[0003]圖1繪示一般波長(zhǎng)445納米激光投影機(jī)的光源模塊100的示意圖。在圖1中，首先波長(zhǎng)445納米的藍(lán)色光源110發(fā)出藍(lán)色光111，令使藍(lán)色光111進(jìn)入熒光層色輪120，且激發(fā)熒光層121產(chǎn)生波長(zhǎng)較長(zhǎng)的另一色光122。殘余的藍(lán)色光111會(huì)經(jīng)由另一光路進(jìn)入投影機(jī)，以作為藍(lán)色光源。
[0004]然而一般波長(zhǎng)445納米的激光光源呈現(xiàn)偏紫色(圖2A左)，可明顯看出與Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)色光源(圖2A右)的色差，如圖2A所示。一般波長(zhǎng)445納米激光光源的國(guó)際照明委員會(huì)(CIE)坐標(biāo)為0.13，0.03 (210)，與Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光坐標(biāo)(0.15，0.06) (220)有所差異，如圖2B所示。此一情況嚴(yán)重影響了投影機(jī)顯示色域，且使藍(lán)光顯色產(chǎn)生嚴(yán)重的色偏現(xiàn)象。
[0005]目前業(yè)界的做法為讓波長(zhǎng)445納米的藍(lán)光激發(fā)綠色熒光粉，令使激發(fā)靛色光(cyan)。接著，再以濾鏡篩選靛色光的特定波長(zhǎng)范圍，使其與波長(zhǎng)445納米的藍(lán)色光混合，以調(diào)整藍(lán)光顯色。然而此混光方法需增加靛色光的濾鏡，且改變?cè)竟庠吹墓饴吩O(shè)計(jì)，而增加額外的組成組件及生產(chǎn)成本。并且，無(wú)法有效地調(diào)整藍(lán)色光源，使其符合Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光坐標(biāo)。
[0006]故此，亟需一種新的用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法，以解決上述傳統(tǒng)藍(lán)色光源所產(chǎn)生的色偏現(xiàn)象。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供一種用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法，用以解決傳統(tǒng)藍(lán)色光源所產(chǎn)生的色偏現(xiàn)象，令使趨近Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光坐標(biāo)，且提高演色性。
[0008]本發(fā)明的一形式在于提供一種用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法。此方法包含下列步驟:提供一單色光源，其發(fā)出一第一色光。形成一熒光層于單色光源的出光路徑上，令使第一色光透射熒光層。熒光層轉(zhuǎn)換部份第一色光成為一第二色光，并且放射殘余的第一色光，其中第二色光的波長(zhǎng)大于第一色光的波長(zhǎng)?；旌蠚堄嗟牡谝簧馀c第二色光，以產(chǎn)生一第三色光，其中第三色光的波長(zhǎng)介于第一、第二色光之間，且通過調(diào)整殘余的第一色光與第二色光的光瓦強(qiáng)度比例，調(diào)控第三色光的波長(zhǎng)。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，投影裝置包含一供光裝置、一光路轉(zhuǎn)換裝置(relay)、一光調(diào)節(jié)器(light modulator)、以及一投影鏡片(project1n lens),其中供光裝置包含單色光源及熒光層。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，供光裝置的熒光層形成于單色光源的出光面上。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，供光裝置的熒光層形成于一色輪上，且設(shè)置色輪于單色光源的出光路徑上。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，單色光源為紅色光源、綠色光源或藍(lán)色光源。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，單色光源為藍(lán)色光源，其波長(zhǎng)為約440?450納米。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，突光層包含一突光材料，其化學(xué)通式為BahSi2O2N2 = Eux,其中X為0.001?I。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，突光層包含一突光材料，其化學(xué)通式為BahSi2O2N2 = Eux,其中X為0.005?0.03。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，突光層包含一突光材料，其化學(xué)通式為BahSi2O2N2 = Eux,其中X為0.02?0.03。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，突光材料的放射波長(zhǎng)(emiss1n wavelength)為約480?495納米。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，熒光層的厚度為約50?300微米。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，突光材料于突光層中的固含量為約5?30wt%。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為傳統(tǒng)波長(zhǎng)445納米激光投影機(jī)的光源模塊100的示意圖；
[0021]圖2A為傳統(tǒng)波長(zhǎng)445納米藍(lán)色光源(左圖)與Rec.709規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)色光源(右圖)的影像；
[0022]圖2B為傳統(tǒng)波長(zhǎng)445納米藍(lán)光與Rec.709規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光的CIE坐標(biāo)；
[0023]圖3為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所繪示的用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法流程圖；
[0024]圖4A為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的熒光材料的激發(fā)與放射光譜圖；
[0025]圖4B為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的熒光材料的歸一化放射光譜圖；
[0026]圖5為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的熒光材料的CIE坐標(biāo)圖；
[0027]圖6A為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的投影裝置600的示意圖；
[0028]圖6B為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的供光裝置610a的示意圖；
[0029]圖6C為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的供光裝置610b的示意圖；
[0030]圖7A為根據(jù)本發(fā)明的最佳實(shí)施例所繪示的經(jīng)熒光層調(diào)控的藍(lán)光與Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光的CIE坐標(biāo)；以及
[0031]圖7B為傳統(tǒng)波長(zhǎng)445納米的藍(lán)色光源(左圖)與本發(fā)明的最佳實(shí)施例的經(jīng)熒光層調(diào)控的藍(lán)色光源(右圖)的影像。
[0032]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0033]100:光源模塊
[0034]110:藍(lán)色光源
[0035]111:藍(lán)色光
[0036]120:熒光層色輪
[0037]121:熒光層
[0038]122:另一色光
[0039]210: 一般波長(zhǎng)445納米激光光源
[0040]220、720:Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光
[0041]310、320、330、340:步驟
[0042]410、510: Ba0.995Si O2N2: Eu0.005
[0043]420、520 =Ba0 99S12N2: Eu0.01
[0044]430、530:Baa98S12N2: Eu0.02
[0045]440、540:Baa97S12N2: Eu0.03
[0046]600:投影裝置
[0047]610,610a,610b:供光裝置
[0048]611:單色光源
[0049]612、612a、612b:突光層
[0050]613:出光面
[0051]614:色輪
[0052]620:光路轉(zhuǎn)換裝置
[0053]630:光調(diào)節(jié)器
[0054]640:投影鏡片
[0055]710:經(jīng)熒光層所調(diào)控的藍(lán)光

【具體實(shí)施方式】
[0056]接著以實(shí)施例并配合圖式以詳細(xì)說明本發(fā)明，在圖式或描述中，相似或相同的部分使用相同的符號(hào)或編號(hào)。在圖式中，實(shí)施例的形狀或厚度可能擴(kuò)大，以簡(jiǎn)化或方便標(biāo)示，而圖式中組件的部分將以文字描述的?？闪私獾氖?，未繪示或未描述的組件可為熟習(xí)該項(xiàng)技藝者所知的各種樣式。
[0057]圖3為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法流程圖。在圖3中，步驟310為提供一單色光源，其發(fā)出一第一色光。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，單色光源為紅色光源、綠色光源或藍(lán)色光源。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，單色光源為藍(lán)色光源，其波長(zhǎng)為約440?450納米。根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，單色光源為波長(zhǎng)445納米的藍(lán)光激光光源。
[0058]步驟320為形成一熒光層于單色光源的出光路徑上，令第一色光透射熒光層。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，熒光層包含一熒光材料，其化學(xué)通式為BahSi2O2N2 = Eux，其中X為
0.001?1，較佳為0.005?0.03，更佳為0.02?0.03。
[0059]在圖3的步驟330中，當(dāng)?shù)谝簧馔干錈晒鈱雍螅瑹晒鈱訒?huì)被第一色光激發(fā)且放射出一第二色光。而經(jīng)熒光層透射出的光線包含第二色光以及殘余的第一色光。其中，由于第二色光自熒光層吸收第一色光的能量所放射，因此第二色光的波長(zhǎng)大于第一色光的波長(zhǎng)。
[0060]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，經(jīng)熒光層透射出的第二色光及殘余的第一色光直接進(jìn)入投影裝置的光路中。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，經(jīng)熒光層透射出的第二色光及殘余的第一色光先照射在一反射面上，經(jīng)反射再進(jìn)入投影裝置的光路中。
[0061]在圖3的步驟340中，經(jīng)熒光層透射出的第二色光及殘余的第一色光混合產(chǎn)生一第三色光，其中第三色光的波長(zhǎng)介于第一、第二色光的波長(zhǎng)之間。通過調(diào)整殘余的第一色光與第二色光的光瓦強(qiáng)度比例，可調(diào)控第三色光的波長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，突光材料的放射波長(zhǎng)為約490?495納米，即第二色光的波長(zhǎng)范圍。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，第三色光的波長(zhǎng)范圍介于440?495納之間。
[0062]并且由上述結(jié)論可得一關(guān)系式，如下列式I所示:
[0063]C1 (WL1) +C2 (WL2) — C3 (WL3)(式 I)
[0064]其中WL1為第一色光的波長(zhǎng)；
[0065]WL2為第二色光的波長(zhǎng)；
[0066]WL3為第三色光的波長(zhǎng)；
[0067]WL1XWL3XWL2 ；以及
[0068]C1^ C2> C3分別為第一色光、第二色光、及第三色光的光瓦強(qiáng)度。
[0069]此外，根據(jù)國(guó)際照明委員會(huì)(CIE)所制定的標(biāo)準(zhǔn)，每一色光均可對(duì)應(yīng)一 CIE坐標(biāo)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，利用熒光材料Baa 974S12N2 = Euatl26形成一熒光層，其可用以調(diào)控波長(zhǎng)445納米藍(lán)光的CIE坐標(biāo)。
[0070]表I為歸納在不同光瓦強(qiáng)度的波長(zhǎng)445納米藍(lán)光下所激發(fā)的熒光CIE坐標(biāo)，其中熒光層含有10wt%的熒光材料Baa 974S12N2 = Euatl26，且熒光層的厚度為50微米。
[0071]
波長(zhǎng)445納米藍(lán)光~"I
X軸 Y軸的光瓦強(qiáng)度_______
I W__0.1395__0.0592_
4 W__0.1395__0.0573_
8 VV_ 0.1397_ 0.0541_
[0072]在表I中，靛藍(lán)色熒光材料可調(diào)控光瓦強(qiáng)度為1W、4W或8W的藍(lán)色光源，使CIE坐標(biāo)趨近(0.14，0.06)，而此結(jié)果已十分接近Rec.709的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光坐標(biāo)(0.15，0.06)。因此，通過上述方法，可有效調(diào)控投影設(shè)備的特定色光波長(zhǎng)，以提高投影設(shè)備光源的演色性。
[0073]下面以多個(gè)實(shí)施例說明不同熒光材料的激發(fā)與放射光譜，以及CIE坐標(biāo)。
[0074]圖4A為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的熒光材料的激發(fā)與放射光譜圖；而圖4B為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的熒光材料的歸一化放射光譜圖。
[0075]在圖4A 中，分別比較熒光材料 Baa 995S12N2: Euatltl5 (410)、Baa99S12N2 = Euatll (420)、Baa98S12N2 = Euatl2 (430)及 Baa97S12N2 = Euatl3 (440)的激發(fā)與放射強(qiáng)度。于相同波長(zhǎng)下，Baa97S12N2 = Euatl3 (440)的激發(fā)與放射強(qiáng)度均最大，而Baa 995S12N2: Euatltl5 (410)的激發(fā)與放射強(qiáng)度均為最小，且強(qiáng)度依序?yàn)?Ba0.97Si02N2: Eu0.03 (440) >Ba0.98S12N2: Eu0.02 (430) >Ba0.99Si02N2: Eu0.01 (420) >BaQ.995Si02N2 = Euatltl5 (410)。由第4A圖的結(jié)果可知，銪(Eu)元素的攙雜含量愈高，熒光材料的激發(fā)與放射強(qiáng)度愈大。
[0076]圖4B為將圖4A的放射光譜歸一化，使其最大放射強(qiáng)度一致。在圖4B中，分別比較突光材料 Baa 995S12N2: Eu。.。。5 (410)、Baa99S12N2 = Euacil (420)、Baa98S12N2: Euaci2 (430)及Baa97S12N2:Euatl3(440)的放射波長(zhǎng)。在相同放射強(qiáng)度下，Baa97S12N2 = Euatl3(440)具有最長(zhǎng)的放射波長(zhǎng)，而Baa 995S12N2 = Euacici5GlO)的放射波長(zhǎng)為最短，且波長(zhǎng)依序?yàn)锽a。.97Si02N2:EuO- 03(440) >Ba0.98Si02N2:Eu0.02 (430) >Ba0 99Si02N2: Eu0 01 (420) >Ba0 995Si02N2: Eu0 005 (4 1 0)。由圖4B的結(jié)果可知，銪(Eu)元素的攙雜含量愈高，熒光材料的放射波長(zhǎng)愈長(zhǎng)。
[0077]表2為歸納根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的熒光材料的CIE坐標(biāo)。
[0078]
銪含量(Eu，%) Ix軸|?$5
0Γδ0.08370.3984
TTo0.07940.4155
?700.07880.4388
Γ00.08080.4623
[0079]圖5為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的熒光材料的CIE坐標(biāo)圖。在圖5中，分別繪示突光材料 Baa 995S12N2:Eua005 ( 5 1 0)、Ba0.99Si02N2:Euaoi (520)、Baa98S12N2:Eua02 (530)及Ba0 97S12N2IEu0 03 (540)的 CIE 坐標(biāo)。由于 Baa 995S12N2 = Euatltl5 (510)具有最短的放射波長(zhǎng)，所以其CIE坐標(biāo)距離Rec.709標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光坐標(biāo)最近；而Ba0 97S12N2: Eu0 03 (540)的放射波長(zhǎng)最長(zhǎng)，所以其CIE坐標(biāo)距離Rec.709標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光坐標(biāo)最遠(yuǎn)。然而，相較于其它實(shí)施例的熒光材料，Baa97S12N2 = Euatl3具有最大的放射強(qiáng)度，故選擇其做為調(diào)控藍(lán)色光源的靛色熒光材料。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，靛色熒光材料的化學(xué)式亦可為Baa 974Si02N2: Eu0.026。
[0080]圖6A為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的投影裝置600的示意圖。在圖6A中，投影裝置600包含供光裝置610、光路轉(zhuǎn)換裝置620、光調(diào)節(jié)器630以及投影鏡片640。其中供光裝置610包含單色光源611及熒光層612。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，熒光層612的厚度為約50?300微米。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，突光材料于突光層612中的固含量為約5-30重量百分比。
[0081]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，供光裝置610a的熒光層612a形成于單色光源611的出光面613上。其中熒光層可涂布于單色光源611的出光面613的內(nèi)側(cè)、外側(cè)或其組合，如圖6B所示。
[0082]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，供光裝置610b的熒光層612b形成于色輪614上，且色輪614設(shè)置于單色光源611的出光路徑上，如圖6C所示。
[0083]在本發(fā)明的一最佳實(shí)施例中，靛色熒光材料Baa 974S12N2 = Euatl26用于調(diào)控波長(zhǎng)455納米的藍(lán)色光源，其中熒光層的厚度為50微米，且熒光材料的固含量為10重量百分比。通過上述熒光層條件，可將藍(lán)光坐標(biāo)由(0.13，0.03)調(diào)控為(0.14，0.05)，此結(jié)果已接近Rec.709的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光。
[0084]圖7A為根據(jù)本發(fā)明的最佳實(shí)施例所繪示的經(jīng)熒光層調(diào)控的藍(lán)光與Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光的CIE坐標(biāo)；而圖7B為傳統(tǒng)藍(lán)色光源與本發(fā)明的最佳實(shí)施例的經(jīng)熒光層調(diào)控的藍(lán)色光源的影像。由圖7A的CIE坐標(biāo)可知，經(jīng)熒光層所調(diào)控的藍(lán)光710已趨近于Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光720。且相較于傳統(tǒng)波長(zhǎng)445納米的藍(lán)色光源，利用本發(fā)明的一實(shí)施例所提供的方法所得到的藍(lán)色光源較接近Rec.709所規(guī)范的藍(lán)色光源。在圖7B中，相較于一般波長(zhǎng)445納米的藍(lán)色光源(左圖)，本發(fā)明的最佳實(shí)施例所提供的藍(lán)色光源(右圖)將傳統(tǒng)波長(zhǎng)445納米的藍(lán)色光源透過熒光層，調(diào)控出光波長(zhǎng)且得到接近Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)色光源。
[0085]通過本發(fā)明的一實(shí)施例所提供的方法，將單色光源的第一色光照射在熒光層上，令透射出第二色光及殘余的第一色光。并且第二色光與殘余的第一色光直接混合成第三色光。如此一來，便不需要設(shè)置額外的濾鏡，可減少濾鏡的成本，以及不需改變?cè)就队把b置的光源的光路設(shè)計(jì)。值得注意的是，通過上述方法，可有效地調(diào)控第三色光達(dá)到預(yù)設(shè)的波長(zhǎng)范圍，舉例來說，可使藍(lán)色光源接近Rec.709所規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光坐標(biāo)。
[0086]雖然本發(fā)明的實(shí)施例已揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以后附的申請(qǐng)專利范圍所界定為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于調(diào)控投影裝置的出光波長(zhǎng)的方法，包含下列步驟: 提供一單色光源，其發(fā)出一第一色光； 形成一熒光層于該單色光源的出光路徑上，令該第一色光透射該熒光層； 該熒光層轉(zhuǎn)換部份該第一色光成為一第二色光，并且放射殘余的該第一色光，其中該第二色光的波長(zhǎng)大于該第一色光的波長(zhǎng)；以及 混合殘余的該第一色光與該第二色光，以產(chǎn)生一第三色光，其中該第三色光的波長(zhǎng)介于該第一、第二色光之間，且通過調(diào)整殘余的該第一色光與該第二色光的光瓦強(qiáng)度比例，調(diào)控該第三色光的波長(zhǎng)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該投影裝置包含一供光裝置、一光路轉(zhuǎn)換裝置、一光調(diào)節(jié)器、以及一投影鏡片，其中該供光裝置包含該單色光源及該熒光層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該供光裝置的該熒光層形成于該單色光源的出光面上。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該供光裝置的該熒光層形成于一色輪上，且設(shè)置該色輪于該單色光源的出光路徑上。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該單色光源為紅色光源、綠色光源或藍(lán)色光源。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該單色光源為藍(lán)色光源，其波長(zhǎng)為約440?450納米。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該熒光層包含一熒光材料，其化學(xué)通式為BahSi2O2N2:Eux，其中 x 為 0.001 ?I。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該熒光層包含一熒光材料，其化學(xué)通式為BahSi2O2N2:Eux，其中 x 為 0.005 ?0.03。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該熒光層包含一熒光材料，其化學(xué)通式為BahSi2O2N2:Eux，其中 x 為 0.02 ?0.03。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該熒光材料的放射波長(zhǎng)為約480?495納米。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該熒光層的厚度為約50?300微米。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，該突光材料于該突光層中的固含量為約5?30重量百分比。
【文檔編號(hào)】G03B21/14GK104141926SQ201310164483
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2013年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月7日
【發(fā)明者】陳韋廷, 范哲豪, 劉如熹, 張克蘇, 陳琪, 周彥伊 申請(qǐng)人:臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司