液晶顯示面板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其包括上基板、下基板以及設(shè)置在上基板與下基板間的液晶層，下基板包括復(fù)數(shù)個掃描線與復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線相交所劃分成的復(fù)數(shù)個像素單元和連接掃描線與數(shù)據(jù)線的復(fù)數(shù)個開關(guān)單元，以及復(fù)數(shù)個公共電極線，像素單元包括第一透明電極層、第二透明電極層以及第三透明電極層，其中，第一透明電極層，設(shè)置于第二透明電極層的下方，第一透明電極層與第二透明電極層之間設(shè)置有第一間隔層，以使兩者形成第一存儲電容；第三透明電極層，設(shè)置于第二透明電極層的上方，第三透明電極層與第二透明電極層之間設(shè)置有第二間隔層，以使兩者形成第二存儲電容。本發(fā)明使得面板的總存儲電容值得到了提高，有效減緩了饋通電壓對顯示畫質(zhì)的影響。
【專利說明】液晶顯示面板及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示面板制造領(lǐng)域，尤其是一種能夠有效提高存儲電容來削弱饋 通效應(yīng)的液晶顯示面板及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，在面板制造領(lǐng)域，超視角高清晰技術(shù)(AHVA)已經(jīng)是一項家喻戶曉的技術(shù)，由 于此種面板技術(shù)具有近乎無色偏的有益特征，其已廣泛的被應(yīng)用于手機、平板電腦，甚至是 更大屏幕的監(jiān)視器與家用電視屏上，此外，也使得越來越多的面板制造商投入了大量的人 力和資金資源來進一步的開發(fā)這個技術(shù)。
[0003] 基于超視角高清晰這一面板技術(shù)，其現(xiàn)階段主要的研發(fā)方向是高解析度以及高像 素密度（PPI)的視網(wǎng)膜技術(shù)，不過，雖然具有高解析度及高像素密度優(yōu)勢的視網(wǎng)膜技術(shù)可以 帶給人們超高質(zhì)感的畫面圖像，但是在技術(shù)面其也存在一些弊端。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù) 中液晶顯示面板驅(qū)動電路的等效電路圖，此液晶顯示面板100包含掃描驅(qū)動單元111、數(shù)據(jù) 驅(qū)動單元112、復(fù)數(shù)條掃描線121和復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線122,此復(fù)數(shù)條掃描線121和數(shù)據(jù)線122 處于不同層，以形成空間上相交(兩者不相互導(dǎo)通)，從而劃分出復(fù)數(shù)個像素單元130,每一 個像素單元130包括了薄膜晶體管12 3、液晶電容127和存儲電容128,該液晶電容127是 由像素電極124與公共電極125形成的，其中，液晶電容127與存儲電容128是并聯(lián)的。此 夕卜，該薄膜晶體管123包括連接至掃描驅(qū)動單元111的柵極1231、連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動單元112 的源極1232以及連接至像素電極124的漏極1233。
[0004] 當(dāng)液晶顯示面板100工作時，施加電壓至像素電極124和公共電極125,液晶電容 就會形成施加到液晶層的電場，此時，液晶分子的偏轉(zhuǎn)方向就會隨著施加的像素電壓而改 變，從而控制通過液晶層的光通過率，進而控制液晶顯示面板各個像素單元的亮度。為了獲 得較佳的顯示效果，則需要維持一定的像素電壓，即像素電極124與公共電極125之間的電 壓。
[0005] 請結(jié)合圖1參考圖2,為圖1所示液晶顯示面板的驅(qū)動波形的示意圖。當(dāng)驅(qū)動液 晶顯示面板100工作時，掃描驅(qū)動單元111通過掃描線121施加掃描信號Vg至薄膜晶體管 123的柵極1231，施加公共電壓信號Vcoin至公共電極125,數(shù)據(jù)驅(qū)動單元112通過數(shù)據(jù)線 12 2施加數(shù)據(jù)信號Vs至薄膜晶體管U3的源極1232,在每一幀時間段內(nèi)，公共電極125的 電位維持一定值不變。當(dāng)掃描信號Vg處于高電平時，薄膜晶體管123被開啟；當(dāng)掃描信號 Vg處于低電平時，薄膜晶體管123被關(guān)閉，從薄膜晶體管123被開啟之間到被關(guān)閉的后一段 時間內(nèi)，源極123 2會維持一高于公共電極125的電位不變(其中，在一些時段中源極1232 會維持一低于公共電極125的電位不變，此種情況常見于現(xiàn)有技術(shù)中，故不在此贅述)，當(dāng)薄 膜晶體管123被開啟時，漏極1233的電位即開始上升直到與源極1232的電位相等，以使得 與漏極1233電性連接的像素電極124與公共電極125之間維持一定電壓。
[0006] 不過，由于薄膜晶體管I23存在饋通效應(yīng)，即當(dāng)柵極1231被關(guān)閉的瞬間，會使得漏 極12：33的電位相較于源極I 232的電位發(fā)生較大幅度的降低，其降低的電位差即被稱為饋 通電壓，漏極1233的電位變化情形如圖2中Vd的波形所示，由于饋通效應(yīng)產(chǎn)生的饋通電 壓，使得漏極1233的電位降低，從而間接使得像素電極124的電位降低，進而液晶電容127 兩端電壓值即會小于標準的像素電壓。另外，由于像素是由交流信號驅(qū)動的，其正負極性 的偏差通過實際制程后會被放大，進一步的造成饋通電壓的差異，使得像素的光通過率在 正負極性變動下發(fā)生改變。所以，由于饋通效應(yīng)的存在，在薄膜晶體管123關(guān)閉后，液晶顯 示面板100就會出現(xiàn)不同的光通過率，g卩出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象，從而影響整個畫面圖像品質(zhì)。
[0007] 那么，利用視網(wǎng)膜技術(shù)生產(chǎn)的液晶顯示面板同樣面臨著饋通效應(yīng)的負面影響，且 相比于一般的面板，由于利用視網(wǎng)膜技術(shù)生產(chǎn)的液晶顯示面板具有較高的像素密度，即像 素面積較小使得其存儲電容Cst的容量也相對較小，所以這樣的面板更容易引起饋通效應(yīng) 并發(fā)生串?dāng)_（Cross-talk)，甚至是漏電效應(yīng)的惡化。因此，如何在高密度像素的情況下降低 饋通效應(yīng)，是面板制造商一直以來努力想要克服的難題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 為了降低在高像素密度下饋通效應(yīng)給液晶顯示面板帶來的負面效應(yīng)，故本發(fā)明提 供了一種能夠有效提高存儲電容來削弱饋通效應(yīng)的液晶顯示面板及其制造方法。
[0009] 本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板，其包括上基板、下基板以及設(shè)置在該上基板與 該下基板間的液晶層，該下基板包括復(fù)數(shù)個掃描線與復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線相交所劃分成的復(fù)數(shù)個 像素單元和連接該掃描線與該數(shù)據(jù)線的復(fù)數(shù)個開關(guān)單元，以及復(fù)數(shù)個公共電極線，該像素 單元包括第一透明電極層、第二透明電極層以及第三透明電極層，其中，
[0010] 該第一透明電極層，設(shè)置于該第二透明電極層的下方，該第一透明電極層與該第 二透明電極層之間設(shè)置有第一間隔層，以使兩者形成第一存儲電容；
[0011] 該第三透明電極層，設(shè)置于該第二透明電極層的上方，該第三透明電極層與該第 二透明電極層之間設(shè)置有第二間隔層，以使兩者形成第二存儲電容。
[0012] 更進一步的，在所述的液晶顯示面板中該下基板包含第一金屬層和第二金屬層， 該第一金屬層圖案化形成在該下基板上，以形成該復(fù)數(shù)個掃描線與該復(fù)數(shù)個公共電極線； 該第二金屬層圖案化形成在該第一金屬層上方，以形成該復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線，其中，該第一金屬 層與該第二金屬層之間設(shè)置有半導(dǎo)體層，以使得該第一金屬層、該第二金屬層以及該半導(dǎo) 體層形成該開關(guān)單元。
[0013] 作為可選的方案，在所述的液晶顯示面板中該第二透明電極層是公共電極層，該 第一透明電極層和該第三透明電極層是像素電極層，其中，該第二透明電極層連接該公共 電極線以獲得一公共電壓。
[0014] 作為可選的方案，在所述的液晶顯示面板中該第二透明電極層是像素電極層，該 第一透明電極層和該第三透明電極層是公共電極層，其中，該第一透明電極層和該第三透 明電極層連接該公共電極線以獲得一公共電壓。
[0015] 作為可選的方案，在所述的液晶顯示面板中該第一透明電極層設(shè)置于該第一金屬 層與該下基板之間。
[0016] 作為可選的方案，在所述的液晶顯示面板中該第一金屬層與該第二金屬層之間還 設(shè)置有絕緣層，該絕緣層用以間隔該第一金屬層與該第二金屬層，使得兩者不能電性導(dǎo)通。
[0017] 作為可選的方案，在所述的液晶顯示面板中該第一透明電極層設(shè)置于該第一金屬 層與該絕緣層之間。
[0018] 作為可選的方案，在所述的液晶顯示面板中該第二金屬層與該第一透明電極層之 間設(shè)置有第二間隔層。
[0019] 作為可選的方案，在所述的液晶顯示面板中該第一間隔層包含一有機層。
[0020] 作為可選的方案，在所述的液晶顯示面板中該第一間隔層包含有機層和保護層， 該有機層設(shè)置于該保護層與該第二透明電極層之間。
[0021] 作為可選的方案，在所述的液晶顯示面板中該第一透明電極層、該第二透明電極 層及該第三透明電極層由氧化銦錫、氧化錫、氧化銦錫鋅和氧化銦鋅中任意一種材質(zhì)所形 成。
[0022] 除此之外，本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板的制造方法，該液晶顯示面板包括 上基板、下基板以及設(shè)置在該上基板與該下基板間的液晶層，該下基板包括復(fù)數(shù)個掃描線 與復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線相交所劃分成的復(fù)數(shù)個像素單元和連接該掃描線與該數(shù)據(jù)線的復(fù)數(shù)個開 關(guān)單元，以及復(fù)數(shù)個公共電極線，該制造方法包括：
[0023] A，于該下基板上圖案化形成第一金屬層，以形成該復(fù)數(shù)個掃描線與該復(fù)數(shù)個公共 電極線；
[0024] B，先后于該第一金屬層上圖案化形成絕緣層和半導(dǎo)體層；
[0025] C，于該半導(dǎo)體層上形成第二金屬層，以形成該復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線；
[0026] D，圖案化形成第一透明電極層；
[0027] E，圖案化形成第一間隔層；
[0028] F，圖案化形成第二透明電極層；
[0029] G，圖案化形成第二間隔層；
[0030] H，圖案化形成第三透明電極層；
[0031] 其中，該第一金屬層、該第二金屬層以及該半導(dǎo)體層形成該開關(guān)單元，該第二透明 電極層與該第一透明電極層、該第三透明電極層分別形成第一存儲電容與第二存儲電容。
[0032] 作為可選的方案，在所述的制造方法中該步驟D與該步驟E之間還包括步驟D1 : 于該第二金屬層上圖案化形成第三間隔層。
[0033] 作為可選的方案，在所述的制造方法中該步驟E中該第一間隔層包含一有機層。
[0034] 作為可選的方案，在所述的制造方法中該步驟D在該步驟A之前執(zhí)行，其中，該步 驟A進一步包括：該第一金屬層圖案化形成于該第一透明電極層上，以使得該第一透明電 極層設(shè)置于該第一金屬層與該下基板之間。
[0035] 作為可選的方案，在所述的制造方法中該步驟D在該步驟A之后與該步驟B之前 執(zhí)行，其中，該步驟D進一步包括：該第一透明電極層圖案化形成于該第一金屬層上，以使 得該一透明電極層設(shè)置與該第一金屬層與該絕緣層之間。
[0036] 作為可選的方案，在所述的制造方法中該步驟E中該第一間隔層包含有機層和保 護層，該有機層設(shè)置于該保護層與該第二透明電極層之間。
[0037] 作為可選的方案，在所述的制造方法中該第二透明電極層是公共電極層，該第一 透明電極層和該第三透明電極層是像素電極層，其中，該步驟F還包括：使得該第二透明電 極層連接該公共電極線以獲得一公共電壓。
[0038] 作為可選的方案，在所述的制造方法中該第二透明電極層是像素電極層，該第一 透明電極層和該桌二透明電極層是公共電極層，其中，該步驟D還包括：使得該第一透明電 極層連接該公共電極線以獲得一公共電壓；該步驟Η還包括：使得該第三透明電極層連接 該公共電極線以獲得一公共電壓。
[0039] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提出的液晶顯示面板或者利用本發(fā)明制造方法制造出的 液晶顯示面板，其相比于現(xiàn)有技術(shù)多了一個存儲電容，使得整個顯示面板的總存儲電容值 得到了提高，此外，又由于新增的電極層都是透明的，所以，本發(fā)明的液晶顯示面板在不影 響開口率的情況下，減緩了饋通電壓對整個面板顯示畫質(zhì)的影響。更值得一提的是，即使在 高像素密度的情況下，本發(fā)明的液晶顯示面板工作時的饋通效應(yīng)也要比現(xiàn)有技術(shù)中的饋通 效應(yīng)要弱，這樣一來，其實質(zhì)上也進一步降低了面板工作時串?dāng)_以及漏電效應(yīng)的發(fā)生概率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0040] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板驅(qū)動電路的等效電路圖；
[0041] 圖2為圖1所示液晶顯示面板的驅(qū)動波形的示意圖；
[0042] 圖3為本發(fā)明一實施例中液晶顯示面板的整體結(jié)構(gòu)圖；
[0043] 圖4Α、4Β為本發(fā)明第一實施例中液晶顯示面板驅(qū)動電路的等效電路圖以及該實 施例中像素單元的俯視結(jié)構(gòu)圖；
[0044] 圖5Α、5Β為圖4Β所示像素單元第一種實施方式中沿ΑΑ'ΒΒ'方向的剖面展開圖；
[0045] 圖6Α、6Β為圖4Β所示像素單元第二種實施方式中沿ΑΑ'、ΒΒ'方向的剖面展開圖；
[0046] 圖7Α、7Β為圖4Β所示像素單元第三種實施方式中沿ΑΑ'、ΒΒ'方向的剖面展開圖；
[0047] 圖8Α、8Β為圖4Β所示像素單元第四種實施方式中沿ΑΑ'、ΒΒ'方向的剖面展開圖；
[0048] 圖9Α、9Β為圖4Β所示像素單元第五種實施方式中沿ΑΑ'、ΒΒ'方向的剖面展開圖；
[0049] 圖10Α、10Β為本發(fā)明第二實施例中液晶顯示面板驅(qū)動電路的等效電路圖以及該 實施例中像素單元的俯視結(jié)構(gòu)圖；
[0050] 圖11Α、11Β為圖10Β所示像素單元一種實施方式中沿cc'、DD'方向的剖面展開 圖；
[0051] 圖12為本發(fā)明該第三實施例中像素單元的俯視結(jié)構(gòu)圖；
[0052] 圖13Α?圖13J為本發(fā)明對應(yīng)第一實施例中液晶顯示面板各層形成步驟的剖面視 圖；
[0053] 圖14為本發(fā)明一實施例中液晶顯示面板的制造流程簡化圖；
[0054] 圖15為本發(fā)明另一實施例中液晶顯示面板的制造流程簡化圖；
[0055] 圖16為本發(fā)明又一實施例中液晶顯示面板的制造流程簡化圖；

【具體實施方式】
[0056] 為使對本發(fā)明的目的、構(gòu)造、特征、及其功能有進一步的了解，茲配合實施例詳細 說明如下。
[0057] 請參照圖3,為本發(fā)明一實施例中液晶顯示面板的整體結(jié)構(gòu)圖。本發(fā)明的液晶顯 示面板1000包括上基板1、下基板2以及設(shè)置在上基板1與下基板2之間的液晶層 3,更進 一步的，請參照圖4Α、4Β，分別為本發(fā)明第一實施例中液晶顯示面板驅(qū)動電路的等效電路圖 以及該實施例中像素單元的俯視結(jié)構(gòu)圖。在液晶顯示面板1〇〇〇中，復(fù)數(shù)個掃描線 221和復(fù) 數(shù)個數(shù)據(jù)線222形成在下基板2上，掃描線221和數(shù)據(jù)線222是形成在不同層面上，以絕 緣材料間隔（圖中未示出），且這些掃描線221和數(shù)據(jù)線222相交劃分形成了復(fù)數(shù)個像素單 元230,圖4A是以一個像素單元為例。此外，下基板2還包括了電性連接掃描線 221和數(shù) 據(jù)線222的復(fù)數(shù)個開關(guān)單元223,此開關(guān)單元223優(yōu)選的是薄膜場效應(yīng)晶體管（Thin Film Transistor)。如圖4B所示，下基板2上還形成有公共電極線220,第一透明電極層226'、 第二透明電極層224和第三透明電極層226,關(guān)于此第一透明電極層226'、第二透明電極層 224和第三透明電極層226的層級關(guān)系，在后續(xù)的說明書中會進行具體描述，其中，第一透 明電極層226'、第二透明電極層224及第三透明電極層226是由氧化銦錫、氧化錫、氧化銦 錫鋅和氧化銦鋅中任意一種材質(zhì)所形成的，此外，如下文所述的第一透明電極層、第二透明 電極層及第三透明電極層也可以由上述材質(zhì)中任意一種所形成，故不在下文中贅述。
[0058] 再次參照圖4A，在本實施例中，開關(guān)單元223包括連接至掃描掃描線221的柵極 2231、連接至數(shù)據(jù)線222的源極2232以及連接至第二透明電極層224的漏極2233,其中， 第一透明電極層226'和第三透明電極層226是公共電極層，兩者均電性連接至公共電極線 220以獲得一公共電壓，而第二透明電極層224是像素電極層，用以接收像素電壓。每一個 像素單元 23〇除了包含開關(guān)單元223外，還包括液晶電容227、第一存儲電容229和第二存 儲電容228,且其三者間是并聯(lián)的。需要說明的是，液晶電容227是由第二透明電極層224 與附加電極層225形成，該附加電極層225可以形成在上基板1上，以使得液晶顯示面板 1000工作時，在被施加電壓的第二透明電極層224與附加電極層225之間形成一個垂直電 場，或者該附加電極層225可以形成在下基板2上，以使得液晶顯示面板1000工作時，在被 施加電壓的第二透明電極層224與附加電極層225之間形成一個平面電場，此時，不管在液 晶顯示面板1000中形成的是垂直電場還是平面電場，均可以使得液晶層3中的液晶分子偏 轉(zhuǎn)方向隨著施加到第二透明電極層224上的像素電壓而改變，從而控制通過液晶層3的光 通過率，進而控制液晶顯示面板1000各個像素單元230的亮度。
[0059] -般情況下，由于開關(guān)單元223存在饋通效應(yīng)，即當(dāng)柵極2231被關(guān)閉的瞬間，會 使得漏極2?3的電位相較于源極2232的電位發(fā)生較大幅度的降低，其降低的電位差即被 稱為饋通電壓。另外，由于像素是由交流信號驅(qū)動的，其正負極性的偏差通過實際制程后 會被放大，進一步的造成饋通電壓的差異，使得像素的光通過率在正負極性變動下發(fā)生 改變，進而影響整個顯示畫面品質(zhì)。但由圖4A和上述說明可以看出，本發(fā)明的液晶顯示面 板1000相比于現(xiàn)有技術(shù)多了一個存儲電容，這樣就增大了液晶顯示面板 1000整體存儲電 能的能力，換言之，當(dāng)開關(guān)單元223發(fā)生饋通效應(yīng)時，由于整體存儲電容的容量增大，漏極 2233與源極2232間的饋通電壓就不會像現(xiàn)有技術(shù)中那么大，這樣就有效緩解了驅(qū)動電路 中的饋通效應(yīng)，減小了饋通電壓對畫面品質(zhì)的影響。
[0060]那么，為了更詳細的描述本實施例中液晶顯示面板1000的結(jié)構(gòu)特征，故結(jié)合以下 幾種實施方式來加以說明。
[0061]請參照圖SA、5B，分別為圖4B所示像素單元第一種實施方式中沿AA，、BB，方向的 til面展開圖。在此實施方式中，在下基板200上具有由第一金屬層I圖案化形成的開關(guān)單 元223的柵極2231、公共電極線220以及掃描線221 (未在圖5A、5B中示出），在該第一金 屬層I上方還圖案化形成了第二金屬層Π ，此第二金屬層π實質(zhì)上形成了漏極2233、源極 2232以及數(shù)據(jù)線222,其中，在第一金屬層I與第二金屬層 Π 之間還設(shè)置有半導(dǎo)體層2234 和絕緣層201，這樣，柵極2231、漏極2233、源極2232以及半導(dǎo)體層2234就在空間上形成了 開關(guān)單元223,此外，由于絕緣層201的存在也使得第一金屬層I與第二金屬層Π 不能直接 電性導(dǎo)通，其有效的間隔了掃描線221與數(shù)據(jù)線222,使得兩者在空間上絕緣相交。
[0062]于第一種實施方式中，在第二金屬層II上方圖案化形成有第一透明電極層226，， 且第二金屬層II與第一透明電極層226'之間設(shè)置有第三間隔層202 ;第二透明電極層224 設(shè)置于第一透明電極層的上方，且第一透明電極層226'與第二透明電極層224之間設(shè)置 有第一間隔層203,以使得兩者形成了第一存儲電容229 ;第三透明電極層226設(shè)置于第二 透明電極層224的上方，且第三透明電極層226與第二透明電極層224之間設(shè)置有第二間 隔層204,以使得兩者形成了第二存儲電容228。值得一提的是，第一間隔層203、第二間隔 層204以及第三間隔層均是具有絕緣功能的材質(zhì)制成，且在一些實施例中，第一間隔層 203 可以是有機材質(zhì)制成的，優(yōu)選的，第一間隔層203的厚度可以相對厚些(在實際應(yīng)用中可以 是1微米到3微米之間)，且選用的材質(zhì)也最好是介電系數(shù)較小的，這樣一來，此第一間隔層 203就可以有效的降低第二透明電極層224與第二金屬層II之間產(chǎn)生的電容耦合效應(yīng)，并 進一步減輕由此電容耦合效應(yīng)引起的畫面顯示不良的問題。
[0063] 更進一步的，繼續(xù)參照圖5A，絕緣層201和第三間隔層202上形成有通孔2011和 2021，以使得第一透明電極層226'電性連接到公共電極線22〇,同時，如圖可知，第三透明 電極層226與第二透明電極層2M也是通過相同的方式分別電性連接到公共電極線220與 漏極2233上。
[0064] 于本實施例的第二實施方式中，請參照圖6A、6B,分別為圖4B所示像素單元第二 種實施方式中沿AA'、BB'方向的剖面展開圖。與第一實施方式相同的是開關(guān)單元的結(jié)構(gòu)， 同樣的，開關(guān)單元是由第一金屬層I、第二金屬層II (為便于描述的簡潔易懂，此處沿用上 一實施方式中的標號，后續(xù)對金屬層的描述也同樣沿用，故不在后續(xù)贅述。）圖案化形成的 柵極3231、源極3232、漏極3233以及半導(dǎo)體層3234構(gòu)成。與第一實施方式的不同點在于： 在此實施方式中沒有第三間隔層，第一間隔層包括一個有機層303和一個保護層302,第一 透明電極層326'設(shè)置于第二金屬層II與此保護層302之間，且第一透明電極層326,通過 絕緣層 3〇1上的通孔3〇11電性連接至公共電極線32〇,同樣的，第二透明電極層324和第三 透明電極層 326也是通過相同的方式分別電性連接到公共電極線320與漏極3233上。 [0065] 于本實施例的第三實施方式中，請參照圖7A、7B，分別為圖4B所示像素單元第三 種實施方式中沿AA'BB'方向的剖面展開圖。與第一實施方式的不同點在于，在此實施方 式中沒有第三間隔層，故第一透明電極層426'設(shè)置于第二金屬層II與第一間隔層403之 間，且第一間隔層是單一材質(zhì)的層體。
[0066] 于本實施例的第四實施方式中，請參照圖8A、8B，分別為圖4B所示像素單元第四 種實施方式中沿AA'、BB'方向的剖面展開圖。與第二實施方式的不同點在于：第一透明電 極層526'設(shè)置于第一金屬層I與下基板500之間，以使得第一透明電極層526'與由第一 金屬層I圖案化形成的公共電極線530直接電性連接。此外,在該實施方式中第二間隔層 也包括了一個保護層502和一個有機層。
[0067]于本實施例的第五實施方式中，請參照圖9A、9B，分別為圖4B所示像素單元第五 種實施方式中沿AA'BB'方向的剖面展開圖。與第四實施方式的不同點在于：第一透明電 極層620'設(shè)置于第一金屬層I與絕緣層6〇1之間，以使得第一透明電極層 626'與由第一 金屬層I圖案化形成的公共電極線620直接電性連接。
[0068]由本實施例第四實施方式與第五實施方式可知，此兩種實施方式提出的液晶顯示 面板結(jié)構(gòu)相似，不同在于前者中第一透明電極層先于第一金屬層形成于下基板上，而后者 中第一金屬層則先于第一透明電極層形成于下基板上，但如圖8A和9A可以看出，兩種實施 方式中第一透明電極層與由第一金屬層圖案化形成的公共電極線都是直接搭接實現(xiàn)電性 連接的。
[0069]請參照圖10A、10B，分別為本發(fā)明另一實施例中液晶顯示面板驅(qū)動電路的等效電 路圖以及該實施例中像素單元的俯視結(jié)構(gòu)圖。與上一實施例不同的是，第一透明電極層 724'和第三透明電極層724是像素電極層，用以接收像素電壓，而第二透明電極層726是公 共電極層，其電性連接至公共電極線720以獲得一公共電壓。此外，每個像素單元730除了 包含開關(guān)單元723外，還包括液晶電容727、第一存儲電容729和第二存儲電容728,且這三 者之間是并聯(lián)的。同樣需要說明的是，液晶電容727是由第一透明電極層724，、第三透明電 極層724與附加電極層725形成，關(guān)于被施加電壓的第一透明電極層 724,、第三透明電極層 724與附加電極層7?之間如何形成電場的問題，同上一實施例的原理，其可以在液晶顯示 面板中形成垂直電場或者是平面電場，故不在此贅述。
[0070]于本實施例的一實施方式中，請參照圖11A、圖11B，分別為圖10B所示像素單元一 種實施方式中沿CC'、DD'方向的剖面展開圖。相比于上一實施例中的第二實施方式，其兩 者的層級結(jié)構(gòu)是相似的，故在此實施方式中，除了有柵極7231、源極7232、漏極7233以及半 導(dǎo)體層72：34構(gòu)成的開關(guān)單元7 23外，第一間隔層也包括一個有機層703和一個保護層702， 且第一透明電極層724'設(shè)置于第二金屬層II與此保護層702之間，同樣的，第二透明電極 層72e設(shè)置于第一透明電極層 724'的上方，且第一透明電極層724,、第二透明電極層726 與兩者之間設(shè)置的第一間隔層形成了第一存儲電容729 ;第三透明電極層724設(shè)置于第二 透明電極層726的上方，且第三透明電極層724與第二透明電極層 726之間設(shè)置有第二間 隔層704,以使得兩者形成了第二存儲電容7? ;不過，兩實施方式存在著不同點，即由于在 此實施方式中，第一透明電極層724,和第三透明電極層724是像素電極層，而第二透明電 極層726是公共電極層，故第一透明電極層 724,是直接搭接于開關(guān)單元723的漏極7233 上以形成電性連接，而第二透明電極層7洲和第三透明透明電極層724則是第一間隔層與 第一間隔層上的通孔（圖中未標注）來分別與公共電極線 72〇與漏極7233進行電性連接。 [0071]由此可見，本實施方式與上一實施例中的第二實施方式的區(qū)別在于第一透明電極 層、第一透明電極層、第三透明電極層與開關(guān)單元漏極、公共電極線的電性連接關(guān)系不同而 已。同理可證，本實施例還可以有其他幾種實施方式：如第一實施例中的第一實施方式，在 第金屬層Π 與第一透明電極層724,之間還可以設(shè)置有第三間隔層；或如第一實施例中 的^二實施方式，在第二金屬層II與第一透明電極層 724,之間不設(shè)置第三間隔層，且第一 間隔層是單一材質(zhì)的層體。更進一步的，請參照圖丨2,為本發(fā)明第三實施例中像素單元的 俯視結(jié)構(gòu)圖，在此實施例中，第一透明電極層824'可相對于第二實施例中第一透明電極層 724'的面積變小一點(第一透明電極層 824,覆蓋面積不會覆蓋公共電極線82〇的位置)，以 使得第一透明電極層824'可以同第一實施例中的第四或第五實施方式一樣，設(shè)置于下基板 與第一金屬層I之間或者第一金屬層〗與絕緣層之間，但第一透明電極層 824，不與第一金 屬層I電性接觸。因此，如上所述的本實施例的變換結(jié)構(gòu)均可以仿照第一實施例的實施方 式得到，且優(yōu)選的，第一透明電極層面積可做大些以使得第一存儲電容的容值不會太小。
[0072]基于本發(fā)明液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)設(shè)計，本發(fā)明還進一步提出了多種液晶顯示面板 的制造方法，茲配合以下實施例加以說明。
[0073] 請結(jié)合圖5A來參照圖13A至圖1：3J,為本發(fā)明對應(yīng)第一實施例中液晶顯示面板各 層形成步驟的剖面視圖。需要說明的是，為了便于描述，圖13A至圖13J中各元件標號沿用 圖5A、5B中各元件的標號。那么，本實施例提出的制造方法具體包括：
[0074] A，于下基板200上圖案化形成第一金屬層I，以形成柵極2231與公共電極線220 (如圖13A所示）；
[0075] B，于第一金屬層I上圖案化形成絕緣層201 (如圖13B所示）；
[0076] C，對應(yīng)于柵極2231位置圖案化形成半導(dǎo)體層2234 (如圖13C所示）；
[0077] D，于半導(dǎo)體層2234上形成第二金屬層II，以形成源極2232、漏極2233 (如圖13D 所示）以及復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線222 (可參照圖4B和5B);
[0078] E，于第二金屬層II上圖案化形成第三間隔層202 (如圖13E所示）；
[0079] F，于第三間隔層202上圖案化形成第一透明電極層226,（如圖13F所示）；
[0080] G，于第一透明電極層226'上圖案化形成第一間隔層203 (如圖13G所示）；
[0081] H，于第一間隔層203上圖案化形成第二透明電極層224 (如圖13H所示）；
[0082] I，于第二透明電極層224上圖案化形成第二間隔層204 (如圖131所示）；
[0083] J，于第二間隔層204上圖案化形成第三透明電極層226 (如圖13J所示)。
[0084]其中，在本實施例中，第一透明電極層226'和第三透明電極層226都是公共電極 層，兩者均電性連接至公共電極線22〇以獲得一公共電壓，而第二透明電極層224是像素電 極層，用以接收像素電壓。以第一透明電極層 226'為例，為了使其能夠電性連接至公共電 極線220,在絕緣層201與第三間隔層202上需要形成有通孔2011和2021，此通孔2011和 2〇21的形成方式可以是在步驟B與步驟E中分別圖案化形成，也可以是在步驟E中一次圖 案化形成，如果米用后者的方案，即可在整個制程上減小一道光罩的工序。因此，本實施例 也是通過相同的方法使得第二透明電極層 224與第三透明電極層226分別電性連接至柵極 2233和公共電極線220。
[0085]除此之外，在本實施例中，第一間隔層2〇3是有機材質(zhì)或者其他絕緣材質(zhì)制成的 單一層體，但不以此為限，例如第一間隔層也可以是如圖6A所示的包括一層保護層和一層 有機層的雙層結(jié)構(gòu)。值得一提的是，本發(fā)明除了提出這一種液晶顯示面板的制造方法外，還 提出了如下幾種面板制造方法，由于各種制造方式是基于面板結(jié)構(gòu)的不同而不同，即層體 的數(shù)量與各層形成的先后順序不同，所以，以下實施例特以制造流程的簡化圖來加以說明， 關(guān)于層級間的電性連接關(guān)系與材質(zhì)特征方面的說明可參照上述制造方法中的描述或者上 述幾種液晶顯示面板實施例的描述,就不在下文贅述了。
[0086]如圖14所示的，為本發(fā)明一實施例中液晶顯示面板的制造流程簡化圖。在本實施 例中，此液晶顯示面板的制造方法為：
[0087] S0,于下基板上圖案化形成第一金屬層；
[0088] S1，圖案化形成絕緣層；
[0089] S2,圖案化形成半導(dǎo)體層；
[0090] S3,圖案化形成第二金屬層；
[0091] S4,圖案化形成第三間隔層；
[0092] S5,圖案化形成第一透明電極層；
[0093] S6,圖案化形成第一間隔層；
[0094] S7,圖案化形成第二透明電極層；
[0095] S8,圖案化形成第二間隔層；
[0096] S9,圖案化形成第三透明電極層。
[0097]利用此實施例中液晶顯示面板的制造方法，即可以形成如圖5A所示的面板結(jié)構(gòu) 即此實施例實際是上述制造方法的簡化說明。 < '
[0098]再如圖I5所示的，為本發(fā)明另一實施例中液晶顯示面板的制造流程簡化圖。在本 實施例中，此液晶顯示面板的制造方法為： °
[0099] S10,于下基板上圖案化形成第一金屬層；
[0100] S20，圖案化形成絕緣層；
[0101] S30,圖案化形成半導(dǎo)體層；
[0102] S40,圖案化形成第二金屬層；
[0103] S50,圖案化形成第一透明電極層；
[0104] S60,圖案化形成第一間隔層；
[0105] S70,圖案化形成第二透明電極層；
[0106] S80,圖案化形成第二間隔層；
[0107] S90，圖案化形成第三透明電極層。
[0108]而利用此實施例中液晶顯示面板的制造方法，即可以形成如圖6A或者7A所示的 面板結(jié)構(gòu)，兩者不同點在于此第一間隔層是否是單層結(jié)構(gòu)或者是雙層結(jié)構(gòu)，若是雙層結(jié)構(gòu)， 那么，此第一間隔層就可以是由保護層與有機層組成的雙層結(jié)構(gòu)。
[0109] 又圖16所示的，為本發(fā)明又一實施例中液晶顯示面板的制造流程簡化圖。在本實 施例中，此液晶顯示面板的制造方法為：
[0110] S100,于下基板上圖案化形成第一透明電極層；
[0111] S200,圖案化形成第一金屬層；
[0112] S300，圖案化形成絕緣層；
[0113] S400,圖案化形成半導(dǎo)體層；
[0114] S500，圖案化形成第二金屬層；
[0115] S600,圖案化形成第一間隔層；
[0116] S700,圖案化形成第二透明電極層；
[0117] S800,圖案化形成第二間隔層；
[0118] S900，圖案化形成第三透明電極層。
[0119] 其中，利用此實施例中液晶顯示面板的制造方法，即可以形成如圖8A所示的面板 結(jié)構(gòu)，不過將步驟S100與步驟S200互換順序后，即先于下基板上圖案化形成第一金屬層， 而后在該弟~'金屬層上圖案化形成第一'透明電極層，這樣，就可以形成如圖9A所示的面板 結(jié)構(gòu)。
[0120]需要補充說明的是，如上所述的幾種制造方法中，各層圖案化形成的方式常見于 現(xiàn)有液晶面板的制造方式，例如利用光罩蝕刻的方式來實現(xiàn)各層形成時的圖案化，但不以 、 、 ― 丄U/丄U貝 此=限。此，-間隔層可以是有機材質(zhì)制成的單-層體，也可以是由-層保護層和 組口而成，此外，在:些-實施方式中，第-透明電極層和第三透明電極層是像素電極層，^ 以接收像素電壓，而第一透明電極層是公共電極層，其電性連接至公共電極線以獲得一公 共電壓；在另一些實施方式中，第一透明電極層和第三透明電極層是公共電極層，兩者均電 性連接至公共電極線以獲得一公共電壓，而第二透明電極層是像素電極層，用以接收像素 電壓。
[0121]綜上所述，本發(fā)明提出的液晶顯示面板或者利用本發(fā)明制造方法制造出的液晶顯 示面板，其相比于現(xiàn)有技術(shù)多了一個存儲電容，使得整個顯示面板的總存儲電容值得到了 提高，此外，又由于新增的電極層都是透明的，所以，本發(fā)明的液晶顯示面板在不影響開口 率的情況下，減緩了饋通電壓對整個面板顯示畫質(zhì)的影響。更值得一提的是，即使在高像素 密度的情況下，本發(fā)明的液晶顯示面板工作時的饋通效應(yīng)也要比現(xiàn)有技術(shù)中的饋通效應(yīng)要 弱，這樣一來，其實質(zhì)上也進一步降低了面板工作時串?dāng)_以及漏電效應(yīng)的發(fā)生概率。
[0122] 本發(fā)明已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已掲露的實施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，在不脫離本發(fā)明的精神和 范圍內(nèi)所作的更動與潤飾，均屬本發(fā)明的專利保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種液晶顯示面板，其包括上基板、下基板以及設(shè)置在該上基板與該下基板間的液 晶層，該下基板包括復(fù)數(shù)個掃描線與復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線相交所劃分成的復(fù)數(shù)個像素單元和連接 該掃描線與該數(shù)據(jù)線的復(fù)數(shù)個開關(guān)單元，以及復(fù)數(shù)個公共電極線，其特征在于該像素單元 包括第一透明電極層、第二透明電極層以及第三透明電極層，其中， 該第一透明電極層，設(shè)置于該第二透明電極層的下方，該第一透明電極層與該第二透 明電極層之間設(shè)置有第一間隔層，以使兩者形成第一存儲電容； 該第三透明電極層，設(shè)置于該第二透明電極層的上方，該第三透明電極層與該第二透 明電極層之間設(shè)置有第二間隔層，以使兩者形成第二存儲電容。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于該下基板包含第一金屬層和第二金 屬層，該第一金屬層圖案化形成在該下基板上，以形成該復(fù)數(shù)個掃描線與該復(fù)數(shù)個公共電 極線；該第二金屬層圖案化形成在該第一金屬層上方，以形成該復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線，其中，該第 一金屬層與該第二金屬層之間設(shè)置有半導(dǎo)體層，以使得該第一金屬層、該第二金屬層以及 該半導(dǎo)體層形成該開關(guān)單元。
3. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于該第二透明電極層是公共電極層， 該第一透明電極層和該第三透明電極層是像素電極層，其中，該第二透明電極層連接該公 共電極線以獲得一公共電壓。
4. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于該第二透明電極層是像素電極層， 該第一透明電極層和該第三透明電極層是公共電極層，其中，該第一透明電極層和該第三 透明電極層連接該公共電極線以獲得一公共電壓。
5. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于該第一透明電極層設(shè)置于該第一金 屬層與該下基板之間。
6. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于該第一金屬層與該第二金屬層之間 還設(shè)置有絕緣層，該絕緣層用以間隔該第一金屬層與該第二金屬層,使得兩者不能電性導(dǎo) 通。
7. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于該第一透明電極層設(shè)置于該第一金 屬層與該絕緣層之間。
8. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于該第二金屬層與該第一透明電極層 之間設(shè)置有第三間隔層。
9. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于該第一間隔層包含一有機層。
10. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于該第一間隔層包含有機層和保護 層，該有機層設(shè)置于該保護層與該第二透明電極層之間。
11. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于該第一透明電極層、該第二透明電 極層及該第三透明電極層由氧化銦錫、氧化錫、氧化銦錫鋅和氧化銦鋅中任意一種材質(zhì)所 形成。
12. -種液晶顯不面板的制造方法,該液晶顯不面板包括上基板、下基板以及設(shè)置在 該上基板與該下基板間的液晶層，該下基板包括復(fù)數(shù)個掃描線與復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線相交所劃分 成的復(fù)數(shù)個像素單元和連接該掃描線與該數(shù)據(jù)線的復(fù)數(shù)個開關(guān)單元，以及復(fù)數(shù)個公共電極 線，其特征在于該制造方法包括： A，于該下基板上圖案化形成第一金屬層，以形成該復(fù)數(shù)個掃描線與該復(fù)數(shù)個公共電極 線； B,先后于該第一金屬層上圖案化形成絕緣層和半導(dǎo)體層； C，于該半導(dǎo)體層上形成第二金屬層，以形成該復(fù)數(shù)個數(shù)據(jù)線； D，圖案化形成第一透明電極層； E，圖案化形成第一間隔層； F，圖案化形成第二透明電極層； G，圖案化形成第二間隔層； H，圖案化形成第三透明電極層； 其中，該第一金屬層、該第二金屬層以及該半導(dǎo)體層形成該開關(guān)單元，該第二透明電極 層與該第一透明電極層、該第三透明電極層分別形成第一存儲電容與第二存儲電容。
13. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于該步驟d與該步驟E之間還包括步驟 D1 :于該第二金屬層上圖案化形成第三間隔層。
14. 如權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于該步驟E中該第一間隔層包含一有機 層。
15. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于該步驟D在該步驟A之前執(zhí)行，其中， 該步驟A進一步包括：該第一金屬層圖案化形成于該第一透明電極層上，以使得該第一透 明電極層設(shè)置于該第一金屬層與該下基板之間。
16·如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于該步驟D在該步驟A之后與該步驟B 之前執(zhí)行，其中，該步驟D進一步包括：該第一透明電極層圖案化形成于該第一金屬層上， 以使得該一透明電極層設(shè)置與該第一金屬層與該絕緣層之間。 如權(quán)利要求I2所述的制造方法，其特征在于該步驟E中該第一間隔層包含有機層 和保護層，該有機層設(shè)置于該保護層與該第二透明電極層之間。 1S.如權(quán)利要求12至17中任意一項所述的制造方法，其特征在于該第二透明電極層 是公共電極層，該第一透明電極層和該第三透明電極層是像素電極層，其中，該步驟F還包 括：使得該第二透明電極層連接該公共電極線以獲得一公共電壓。
19.如權(quán)利要求I2至17中任意一項所述的制造方法，其特征在于該第二透明電極層 是像素電極層，該第一透明電極層和該第三透明電極層是公共電極層，其中，該步驟D還包 括：使得該第一透明電極層連接該公共電極線以獲得一公共電壓；該步驟Η還包括·使得該 第三透明電極層連接該公共電極線以獲得一公共電壓。 '
【文檔編號】G02F1/1368GK104142592SQ201310163287
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月7日
【發(fā)明者】朱公勍, 黃書豪, 蘇松宇 申請人:友達光電股份有限公司