用于線(xiàn)時(shí)間減少的方法及設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供用于減少顯示器中的共用線(xiàn)寫(xiě)入時(shí)間的包含編碼于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體上的計(jì)算機(jī)程序的系統(tǒng)、方法及設(shè)備。在一個(gè)方面中,共用線(xiàn)寫(xiě)入波形形狀至少部分地基于給定共用線(xiàn)距分段驅(qū)動(dòng)器電路的距離。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于線(xiàn)時(shí)間減少的方法及設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到顯示設(shè)備的系統(tǒng)及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]機(jī)電系統(tǒng)(EMS)包含具有電元件及機(jī)械元件、激活器、轉(zhuǎn)換器、傳感器、光學(xué)組件(例如,鏡及光學(xué)膜層)以及電子器件的裝置。機(jī)電系統(tǒng)可以多種規(guī)模制造,包含但不限于微米級(jí)及納米級(jí)。舉例來(lái)說(shuō),微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包含具有介于從約一微米到數(shù)百微米或更大的范圍內(nèi)的大小的結(jié)構(gòu)。納米機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包含具有小于一微米的大小(舉例來(lái)說(shuō),包含小于數(shù)百納米的大小)的結(jié)構(gòu)??墒褂贸练e、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉襯底及/或所沉積材料層的部分或者添加若干層以形成電裝置及機(jī)電裝置的其它微機(jī)械加工工藝來(lái)形成機(jī)電元件。
[0003]一種類(lèi)型的機(jī)電系統(tǒng)裝置稱(chēng)作干涉式調(diào)制器(IMOD)。如本文中所使用,術(shù)語(yǔ)干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器是指一種使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實(shí)施方案中,干涉式調(diào)制器可包含一對(duì)導(dǎo)電板,所述對(duì)導(dǎo)電板中的一者或兩者可全部或部分地透明及/或反射且能夠在施加適當(dāng)電信號(hào)時(shí)相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在一實(shí)施方案中,一個(gè)板可包含沉積于襯底上的固定層,而另一板可包含通過(guò)氣隙與所述固定層分離的反射薄膜。一個(gè)板相對(duì)于另一板的位置可改變?nèi)肷溆诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。干涉式調(diào)制器裝置具有廣泛應(yīng)用范圍,且預(yù)測(cè)用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品及形成新產(chǎn)品,尤其是具有顯示能力的那些產(chǎn)品。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有數(shù)個(gè)創(chuàng)新性方面,所述方面中的任何單個(gè)方面均不單獨(dú)地決定本文中所揭示的合意的屬性。
[0005]本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的一個(gè)創(chuàng)新性方面可實(shí)施于一種更新顯示器的方法中。所述顯示器包含布置成若干共用線(xiàn)及分段線(xiàn)的多個(gè)顯示元件,且通過(guò)將數(shù)據(jù)提供到所述分段線(xiàn)中的每一者及通過(guò)將寫(xiě)入窗內(nèi)的波形施加到相應(yīng)共用線(xiàn)來(lái)更新所述相應(yīng)共用線(xiàn)中的所述顯示元件。所述方法可包含在與特定共用線(xiàn)相關(guān)聯(lián)的寫(xiě)入窗內(nèi)產(chǎn)生波形,其中所述波形的形狀至少部分地基于所述特定共用線(xiàn)相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器電路的位置。所述方法可通過(guò)將所述波形施加到所述特定共用線(xiàn)而繼續(xù)。所述寫(xiě)入窗內(nèi)的所述波形的所述形狀可包含具有第一持續(xù)時(shí)間的前邊沿、具有第二持續(xù)時(shí)間的尋址脈沖及具有第三持續(xù)時(shí)間的后邊沿。針對(duì)所述顯示器的所有共用線(xiàn),所述第一、第二及第三持續(xù)時(shí)間的和可為恒定的。針對(duì)所述顯示器的至少一些共用線(xiàn),所述第一、第二及第三持續(xù)時(shí)間的和可為不同的。
[0006]在另一方面中,一種顯示設(shè)備可包含:一組分段線(xiàn);分段線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路,其經(jīng)配置以在一系列寫(xiě)入窗期間將數(shù)據(jù)信號(hào)施加到所述組分段線(xiàn);一組共用線(xiàn),其中的至少一些共用線(xiàn)距所述分段線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路具有不同距離;及共用線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路,其經(jīng)配置以在所述系列寫(xiě)入窗中的不同寫(xiě)入窗期間將寫(xiě)入波形順序地施加到所述組共用線(xiàn)中的不同共用線(xiàn)。所述共用線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路可經(jīng)配置以將特定形狀的寫(xiě)入波形施加到所述組共用線(xiàn)中的一共用線(xiàn),且所述形狀可至少部分地基于所述共用線(xiàn)相對(duì)于所述分段驅(qū)動(dòng)器電路的位置。所述共用線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路可經(jīng)配置以取決于所述共用線(xiàn)相對(duì)于所述分段驅(qū)動(dòng)器電路的所述位置而將尋址脈沖定位于所述寫(xiě)入窗內(nèi)。
[0007]在另一方面中,一種顯示設(shè)備可包含:一組分段線(xiàn);分段驅(qū)動(dòng)器,其經(jīng)配置以在一系列寫(xiě)入窗期間將數(shù)據(jù)信號(hào)施加到所述組分段線(xiàn);一組共用線(xiàn),其中的至少一些共用線(xiàn)距分段線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路具有不同距離;及用于在所述系列寫(xiě)入窗中的一個(gè)寫(xiě)入窗期間將特定形狀的寫(xiě)入波形施加到所述組共用線(xiàn)中的一共用線(xiàn)的裝置,其中所述形狀至少部分地基于所述共用線(xiàn)相對(duì)于所述分段驅(qū)動(dòng)器電路的位置。
[0008]在另一方面中,揭示一種其上已存儲(chǔ)有指令的計(jì)算機(jī)可讀媒體,所述指令在由處理電路執(zhí)行時(shí)致使顯示器驅(qū)動(dòng)器電路:在與特定共用線(xiàn)相關(guān)聯(lián)的寫(xiě)入窗內(nèi)產(chǎn)生波形,其中所述波形的形狀至少部分地基于所述特定共用線(xiàn)相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器電路的位置;及將所述波形施加到所述特定共用線(xiàn)。
[0009]另一創(chuàng)新性方面還可實(shí)施于一種更新顯示器的方法中。所述顯示器包含布置成若干共用線(xiàn)及分段線(xiàn)的多個(gè)顯示元件。通過(guò)將數(shù)據(jù)提供到所述分段線(xiàn)中的每一者及通過(guò)將寫(xiě)入窗內(nèi)的波形施加到特定共用線(xiàn)來(lái)更新所述特定共用線(xiàn)中的所述顯示元件。所述方法可包含在與特定共用線(xiàn)相關(guān)聯(lián)的寫(xiě)入窗內(nèi)產(chǎn)生波形,其中所述波形的形狀至少部分地基于分段驅(qū)動(dòng)器電路與所述特定共用線(xiàn)之間的信號(hào)行進(jìn)時(shí)間。所述方法可通過(guò)將所述波形施加到所述特定共用線(xiàn)而繼續(xù)。所述寫(xiě)入窗內(nèi)的所述波形的所述形狀可包含具有第一持續(xù)時(shí)間的前邊沿、具有第二持續(xù)時(shí)間的尋址脈沖及具有第三持續(xù)時(shí)間的后邊沿。所述第一持續(xù)時(shí)間可隨增加共用線(xiàn)與分段線(xiàn)之間的距離而增加。所述第三持續(xù)時(shí)間可隨增加共用線(xiàn)與分段驅(qū)動(dòng)器電路之間的距離而減少。
[0010]所附圖式及下文的說(shuō)明中陳述本說(shuō)明書(shū)中所描述的標(biāo)的物的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方案的細(xì)節(jié)。依據(jù)說(shuō)明、圖式及權(quán)利要求書(shū),其它特征、方面及優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。注意,以下圖的相對(duì)尺寸可能未按比例繪制。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1展示描繪干涉式調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)鄰近像素的等軸視圖的實(shí)例。
[0012]圖2展示圖解說(shuō)明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。
[0013]圖3展示圖解說(shuō)明圖1的干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置對(duì)所施加電壓的圖式的實(shí)例。
[0014]圖4展示圖解說(shuō)明在施加各種共用電壓及分段電壓時(shí)干涉式調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的實(shí)例。
[0015]圖5A展示圖解說(shuō)明圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖式的實(shí)例。
[0016]圖5B展示可用以寫(xiě)入圖5A中所圖解說(shuō)明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共用信號(hào)及分段信號(hào)的時(shí)序圖的實(shí)例。[0017]圖6A展示圖1的干涉式調(diào)制器顯示器的部分截面的實(shí)例。
[0018]圖6B到6E展示干涉式調(diào)制器的變化的實(shí)施方案的截面的實(shí)例。
[0019]圖7展示圖解說(shuō)明干涉式調(diào)制器的制造工藝的流程圖的實(shí)例。
[0020]圖8A到SE展示制作干涉式調(diào)制器的方法中的各個(gè)階段的截面示意性圖解的實(shí)例。
[0021]圖9是圖解說(shuō)明顯示系統(tǒng)的若干部分的實(shí)施方案的實(shí)例性系統(tǒng)框圖。
[0022]圖10是用于顯示系統(tǒng)中的共用波形及分段波形的實(shí)例性實(shí)施方案的圖解。
[0023]圖11是實(shí)例性顯示系統(tǒng)中的不同共用線(xiàn)波形時(shí)序參數(shù)的時(shí)序性質(zhì)的圖解。
[0024]圖12是實(shí)例性顯示系統(tǒng)中的不同共用線(xiàn)波形時(shí)序參數(shù)的時(shí)序性質(zhì)的另一圖解。
[0025]圖13A圖解說(shuō)明足夠長(zhǎng)以包含顯示器陣列的所有共用線(xiàn)的最大前邊沿及后邊沿參數(shù)的實(shí)例性寫(xiě)入窗。
[0026]圖13B到13C是在寫(xiě)入到顯示器時(shí)的線(xiàn)時(shí)間期間的共用線(xiàn)上的寫(xiě)入啟用脈沖的變化的位置的實(shí)例的圖解。
[0027]圖14是依據(jù)共用線(xiàn)位置修改尋址脈沖的實(shí)例性實(shí)施方案的流程圖。
[0028]圖15A及15B展示圖解說(shuō)明包含多個(gè)干涉式調(diào)制器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。
[0029]在各個(gè)圖式中,相同元件符號(hào)及名稱(chēng)指示相同元件。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下說(shuō)明涉及用于描述本發(fā)明的創(chuàng)新性方面的目的的特定實(shí)施方案。然而,所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于認(rèn)識(shí)到,本文中的教示可以多種不同方式應(yīng)用。所描述的實(shí)施方案可實(shí)施于可經(jīng)配置以顯示圖像(無(wú)論是運(yùn)動(dòng)圖像(例如,視頻)還是靜止(stationary)圖像(例如,靜態(tài)(still)圖像),且無(wú)論是文本圖像、圖形圖像還是圖片圖像)的任何裝置或系統(tǒng)中。更明確地說(shuō),本發(fā)明預(yù)期,所描述的實(shí)施方案可包含于以下多種電子裝置中或與其相關(guān)聯(lián),例如但不限于:移動(dòng)電話(huà)、具備多媒體因特網(wǎng)能力的蜂窩式電話(huà)、移動(dòng)電視接收器、無(wú)線(xiàn)裝置、智能電話(huà)、Bluetooth?裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無(wú)線(xiàn)電子郵件接收器、手持式或便攜式計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記型計(jì)算機(jī)、智能上網(wǎng)本、平板計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描儀、傳真裝置、GPS接收器/導(dǎo)航器、攝像機(jī)、MP3播放器、攝錄像機(jī)、游戲控制臺(tái)、腕表、時(shí)鐘、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子讀取裝置(即,電子讀取器)、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車(chē)顯示器(包含里程表及速度表顯示器等)、駕駛艙控制件及/或顯示器、攝像機(jī)景物顯示器(例如,車(chē)輛中的后視攝像機(jī)的顯示器)、電子相片、電子告示牌或標(biāo)牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、卡式記錄器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無(wú)線(xiàn)電器件、便攜式存儲(chǔ)器芯片、洗衣機(jī)、干衣機(jī)、洗衣機(jī)/干衣機(jī)、停車(chē)計(jì)時(shí)器、封裝(例如,在機(jī)電系統(tǒng)(EMS)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)及非MEMS應(yīng)用中)、美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如,一件珠寶上的圖像顯示器)及多種EMS裝置。本文中的教示還可用于非顯示器應(yīng)用中,例如但不限于電子切換裝置、射頻濾波器、傳感器、加速度計(jì)、陀螺儀、運(yùn)動(dòng)感測(cè)裝置、磁力計(jì)、用于消費(fèi)型電子器件的慣性組件、消費(fèi)型電子器件產(chǎn)品的部分、變?nèi)萜?、液晶裝置、電泳裝置、驅(qū)動(dòng)方案、制造工藝及電子測(cè)試裝備。因此,所述教示并不打算限于僅在圖中描繪的實(shí)施方案,而是具有廣泛適用性,如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于了解。[0031]本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物涉及在幀寫(xiě)入過(guò)程期間改變施加到顯示設(shè)備的共用線(xiàn)的寫(xiě)入波形的形狀。明確地說(shuō),取決于正寫(xiě)入的共用線(xiàn)相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器電路的位置而修改給定線(xiàn)時(shí)間內(nèi)的波形的形狀。
[0032]本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的特定實(shí)施方案可經(jīng)實(shí)施以在將線(xiàn)寫(xiě)入到顯示器陣列時(shí)實(shí)現(xiàn)線(xiàn)時(shí)間的減少。此減少用于寫(xiě)入幀的時(shí)間,從而允許在顯示全運(yùn)動(dòng)視頻時(shí)及在其中顯示內(nèi)容的快速改變?yōu)楹弦獾钠渌樾沃酗@示器更新得較快。舉例來(lái)說(shuō),慢幀速率遭受例如傾斜及橡皮筋效應(yīng)(rubberbanding)等運(yùn)動(dòng)假影。移動(dòng)到右側(cè)的垂直線(xiàn)將看似向右側(cè)傾斜(如“/”),而移動(dòng)到左側(cè)的垂直線(xiàn)將看似“\”。文本向下滾動(dòng)將看似被壓縮;文本向上滾動(dòng)將看似被拉伸。此為更新頂部線(xiàn)時(shí)與更新底部線(xiàn)時(shí)之間的時(shí)間差的結(jié)果。當(dāng)眼睛集成這些更新時(shí),將時(shí)間延遲解釋為所描述的運(yùn)動(dòng)假影。較快幀速率減少頂部與底部之間的時(shí)間差且減少這些假影。
[0033]所描述的實(shí)施方案可適用的適合EMS或MEMS裝置的實(shí)例為反射顯示裝置。反射顯示裝置可并入有干涉式調(diào)制器(MOD)以使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光。IMOD可包含:吸收體;反射體,其可相對(duì)于所述吸收體移動(dòng);及光學(xué)諧振腔,其界定于所述吸收體與所述反射體之間。所述反射體可移動(dòng)到兩個(gè)或兩個(gè)以上不同位置,此可改變所述光學(xué)諧振腔的大小且借此影響所述干涉式調(diào)制器的反射比。頂OD的反射光譜可形成相當(dāng)寬闊光譜帶,所述光譜帶可跨越可見(jiàn)波長(zhǎng)移位以產(chǎn)生不同顏色??赏ㄟ^(guò)改變光學(xué)諧振腔的厚度來(lái)調(diào)整光譜帶的位置。一種改變光學(xué)諧振腔的方式是通過(guò)改變反射體的位置。
[0034]圖1展示描繪干涉式調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)鄰近像素的等軸視圖的實(shí)例。所述IMOD顯示裝置包含一個(gè)或一個(gè)以上干涉式MEMS顯示元件。在這些裝置中,MEMS顯示元件的像素可處于亮狀態(tài)或暗狀態(tài)中。在亮(“經(jīng)松弛”、“開(kāi)通”或“接通”)狀態(tài)中,所述顯示元件將入射可見(jiàn)光的大部分反射(例如)到用戶(hù)。相反地,在暗(“經(jīng)激活”、“關(guān)閉”或“關(guān)斷”)狀態(tài)中,所述顯示元件幾乎不反射入射可見(jiàn)光。在一些實(shí)施方案中,可將接通與關(guān)斷狀態(tài)的光反射性質(zhì)顛倒。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在特定波長(zhǎng)下反射,從而除黑色及白色之外還允許彩色顯示。
[0035]IMOD顯示裝置可包含一行/列IMOD陣列。每一 IMOD可包含定位于彼此相距可變且可控制距離處以形成氣隙(還稱(chēng)為光學(xué)間隙或腔)的一對(duì)反射層(即,可移動(dòng)反射層及固定部分反射層)。所述可移動(dòng)反射層可在至少兩個(gè)位置之間移動(dòng)。在第一位置(即,經(jīng)松弛位置)中,所述可移動(dòng)反射層可定位于與所述固定部分反射層相距相對(duì)大距離處。在第二位置(即,經(jīng)激活位置)中,所述可移動(dòng)反射層可定位于較靠近所述部分反射層處。取決于可移動(dòng)反射層的位置,從所述兩個(gè)層反射的入射光可相長(zhǎng)或相消地干涉,從而產(chǎn)生每一像素的總體反射或非反射狀態(tài)。在一些實(shí)施方案中,IMOD可在不被激活時(shí)處于反射狀態(tài)中,從而反射在可見(jiàn)光譜內(nèi)的光,且可在不被激活時(shí)處于暗狀態(tài)中,從而吸收及/或相消地干涉在可見(jiàn)范圍內(nèi)的光。然而,在一些其它實(shí)施方案中,IMOD可在不被激活時(shí)處于暗狀態(tài)中且在被激活時(shí)處于反射狀態(tài)中。在一些實(shí)施方案中,所施加電壓的引入可驅(qū)動(dòng)像素改變狀態(tài)。在一些其它實(shí)施方案中,所施加電荷可驅(qū)動(dòng)像素改變狀態(tài)。
[0036]圖1中所描繪的像素陣列的一部分包含兩個(gè)鄰近干涉式調(diào)制器12。在左側(cè)的IM0D12(如所圖解說(shuō)明)中,將可移動(dòng)反射層14圖解說(shuō)明為處于與光學(xué)堆疊16相距預(yù)定距離處的經(jīng)松弛位置中,所述光學(xué)堆疊包含部分反射層??缭阶髠?cè)的M0D12施加的電壓Vtl不足以致使可移動(dòng)反射層14的激活。在右側(cè)的IM0D12中,將可移動(dòng)反射層14圖解說(shuō)明為處于接近或鄰近光學(xué)堆疊16的經(jīng)激活位置中??缭接覀?cè)的IM0D12施加的電壓Vbias足以將可移動(dòng)反射層14維持在經(jīng)激活位置中。
[0037]在圖1中,用指示入射于像素12上的光的箭頭13及從左側(cè)的像素12反射的光15大體圖解說(shuō)明像素12的反射性質(zhì)。雖然未詳細(xì)地圖解說(shuō)明,但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解,入射于像素12上的光13的大部分將朝向光學(xué)堆疊16透射穿過(guò)透明襯底20。入射于光學(xué)堆疊16上的光的一部分將透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的部分反射層,且一部分將往回反射穿過(guò)透明襯底20。光13的透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的部分將在可移動(dòng)反射層14處往回反射朝向(且穿過(guò))透明襯底20。從光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動(dòng)反射層14反射的光之間的干涉(相長(zhǎng)性的或相消性的)將確定從像素12反射的光15的波長(zhǎng)。
[0038]光學(xué)堆疊16可包含單個(gè)層或數(shù)個(gè)層。所述層可包含電極層、部分反射與部分透射層及透明電介質(zhì)層中的一者或一者以上。在一些實(shí)施方案中,光學(xué)堆疊16為導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的,且可(舉例來(lái)說(shuō))通過(guò)將上述層中的一者或一者以上沉積到透明襯底20上而制作。所述電極層可由多種材料形成,例如各種金屬(舉例來(lái)說(shuō),氧化銦錫(ΙΤ0))。所述部分反射層可由部分反射的多種材料形成,例如各種金屬(例如鉻(Cr))、半導(dǎo)體及電介質(zhì)。所述部分反射層可由一個(gè)或一個(gè)以上材料層形成,且所述層中的每一者可由單個(gè)材料或材料組合形成。在一些實(shí)施方案中,光學(xué)堆疊16可包含充當(dāng)光學(xué)吸收體及電導(dǎo)體兩者的單個(gè)半透明厚度的金屬或半導(dǎo)體,而不同更導(dǎo)電層或部分(例如,光學(xué)堆疊16或IMOD的其它結(jié)構(gòu)的不同更導(dǎo)電層或部分)可用以在IMOD像素之間用總線(xiàn)傳送(bus)信號(hào)。光學(xué)堆疊16還可包含覆蓋一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電層或?qū)щ?光學(xué)吸收層的一個(gè)或一個(gè)以上絕緣層或電介質(zhì)層。
[0039]在一些實(shí)施方案中,光學(xué)堆疊16的所述層可圖案化為若干平行條帶,且可如下文進(jìn)一步描述形成顯示裝置中的行電極。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解,術(shù)語(yǔ)“圖案化”在本文中用以指遮蔽以及蝕刻工藝。在一些實(shí)施方案中,可將高導(dǎo)電及高反射材料(例如,鋁(Al)用于可移動(dòng)反射層14,且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極。可移動(dòng)反射層14可形成為用以形成沉積于柱18及在柱18之間沉積的介入犧牲材料的頂部上的列的一(或若干)所沉積金屬層的一系列平行條帶(正交于光學(xué)堆疊16的行電極)。當(dāng)蝕刻掉所述犧牲材料時(shí),可在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間形成經(jīng)界定間隙19或光學(xué)腔。在一些實(shí)施方案中,柱18之間的間隔可為大約Ium到lOOOum,而間隙19可小于10,000埃(人)。
[0040]在一些實(shí)施方案中,MOD的每一像素(無(wú)論處于經(jīng)激活狀態(tài)還是經(jīng)松弛狀態(tài)中)基本上為由固定反射層及移動(dòng)反射層形成的電容器。當(dāng)不施加電壓時(shí),可移動(dòng)反射層14保持處于機(jī)械松弛狀態(tài)中,如圖1中左側(cè)的像素12所圖解說(shuō)明,其中在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間存在間隙19。然而,當(dāng)將電位差(電壓)施加到選定行及列中的至少一者時(shí),在對(duì)應(yīng)像素處形成于行電極與列電極的交叉處的電容器變?yōu)閹щ?,且靜電力將所述電極拉到一起。如果所施加的電壓超過(guò)閾值,那么可移動(dòng)反射層14可變形且移動(dòng)而接近或抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(未展示)可防止短路且控制層14與16之間的分離距離,如圖1中右側(cè)的經(jīng)激活像素12所圖解說(shuō)明。不管所施加電位差的極性如何,行為均相同。雖然在一些例子中可將陣列中的一系列像素稱(chēng)為“行”或“列”,但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)易于理解,將一個(gè)方向稱(chēng)為一“行”且將另一方向稱(chēng)為一“列”是任意的。重申地,在一些定向中,可將行視為列,且將列視為行。此外,顯示元件可均勻地布置成正交的行與列(“陣列”),或布置成非線(xiàn)性配置(舉例來(lái)說(shuō))從而相對(duì)于彼此具有特定位置偏移(“馬賽克”)。術(shù)語(yǔ)“陣列”及“馬賽克”可指代任一配置。因此,雖然將顯示器稱(chēng)為包含“陣列”或“馬賽克”,但在任何例子中,元件本身無(wú)需彼此正交地布置或安置成均勻分布,而是可包含具有不對(duì)稱(chēng)形狀及不均勻分布式元件的布置。
[0041]圖2展示圖解說(shuō)明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。所述電子裝置包含可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件模塊的處理器21。除執(zhí)行操作系統(tǒng)之外,處理器21還可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件應(yīng)用程序,包含網(wǎng)頁(yè)瀏覽器、電話(huà)應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。
[0042]處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動(dòng)器22通信。陣列驅(qū)動(dòng)器22可包含將信號(hào)提供到(舉例來(lái)說(shuō))顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動(dòng)器電路24及列驅(qū)動(dòng)器電路26。圖2中的線(xiàn)1-1展示圖1中所圖解說(shuō)明的IMOD顯示裝置的截面。雖然為了清晰起見(jiàn),圖2圖解說(shuō)明3X3IM0D陣列,但顯示器陣列30可含有極大數(shù)目個(gè)MOD且可在行中具有與在列中不同數(shù)目個(gè)M0D,且反之亦然。
[0043]圖3展示圖解說(shuō)明圖1的干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置對(duì)所施加電壓的圖式的實(shí)例。對(duì)于MEMS干涉式調(diào)制器,行/列(即,共用/分段)寫(xiě)入程序可利用如圖3中所圖解說(shuō)明的這些裝置的滯后性質(zhì)。干涉式調(diào)制器可使用(在一個(gè)實(shí)例性實(shí)施方案中)約10伏電位差來(lái)致使可移動(dòng)反射層(或鏡)從經(jīng)松弛狀態(tài)改變?yōu)榻?jīng)激活狀態(tài)。當(dāng)電壓從所述值減小時(shí),所述可移動(dòng)反射層在電壓降回到(在此實(shí)例中)10伏以下時(shí)維持其狀態(tài),然而,所述可移動(dòng)反射層在電壓降到2伏以下之前不完全松弛。因此,如圖3中所展示,在此實(shí)例中存在大約3伏到7伏的電壓范圍,在所述電壓范圍內(nèi)存在所施加電壓窗,在所述窗內(nèi)裝置穩(wěn)定地處于經(jīng)松弛狀態(tài)或經(jīng)激活狀態(tài)中。所述窗在本文中稱(chēng)為“滯后窗”或“穩(wěn)定窗”。對(duì)于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列30,行/列寫(xiě)入程序可經(jīng)設(shè)計(jì)以一次尋址一個(gè)或一個(gè)以上行,使得在對(duì)給定行的尋址期間,所尋址行中的將被激活的像素暴露于(在此實(shí)例中)約10伏的電壓差,且將被松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在尋址之后,所述像素可暴露于穩(wěn)定狀態(tài)或大約5伏(在此實(shí)例中)的偏置電壓差,使得其保持處于先前選通狀態(tài)中。在此實(shí)例中,在被尋址之后,每一像素經(jīng)受在約3伏到7伏的“穩(wěn)定窗”內(nèi)的電位差。此滯后性質(zhì)特征使像素設(shè)計(jì)(例如,圖1中所圖解說(shuō)明的像素設(shè)計(jì))能夠在相同所施加電壓條件下保持穩(wěn)定在經(jīng)激活或經(jīng)松弛預(yù)存在狀態(tài)中。由于每一頂OD像素(無(wú)論是處于經(jīng)激活狀態(tài)還是經(jīng)松弛狀態(tài)中)基本上為由固定反射層及移動(dòng)反射層形成的電容器,因此可在所述滯后窗內(nèi)的穩(wěn)定電壓下保持此穩(wěn)定狀態(tài)而實(shí)質(zhì)上不消耗或損失電力。此外,基本上,如果所施加電壓電位保持實(shí)質(zhì)上固定,那么有極少或沒(méi)有電流流動(dòng)到IMOD像素中。
[0044]在一些實(shí)施方案中,可通過(guò)根據(jù)給定行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果存在)沿所述組列電極以“分段”電壓的形式施加數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)形成圖像的幀??梢来螌ぶ逢嚵械拿恳恍校沟靡淮我粋€(gè)行地寫(xiě)入所述幀。為將所要數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一行中的像素,可將對(duì)應(yīng)于第一行中的像素的所要狀態(tài)的分段電壓施加于列電極上,且可將呈特定“共用”電壓或信號(hào)的形式的第一行脈沖施加到第一行電極。接著,可使所述組分段電壓改變以對(duì)應(yīng)于第二行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果存在),且可將第二共用電壓施加到第二行電極。在一些實(shí)施方案中,第一行中的像素不受沿列電極施加的分段電壓的改變影響,且在第一共用電壓行脈沖期間保持處于其已被設(shè)定的狀態(tài)中??砂错樞蚍绞綄?duì)整個(gè)行系列或另一選擇是對(duì)整個(gè)列系列重復(fù)此過(guò)程以產(chǎn)生圖像幀??赏ㄟ^(guò)以某一所要數(shù)目個(gè)幀/秒的速度連續(xù)重復(fù)此過(guò)程來(lái)用新圖像數(shù)據(jù)刷新及/或更新所述幀。
[0045]跨越每一像素所施加的分段信號(hào)與共用信號(hào)的組合(即,跨越每一像素的電位差)確定每一像素的所得狀態(tài)。圖4展示圖解說(shuō)明在施加各種共用電壓及分段電壓時(shí)干涉式調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的實(shí)例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解,可將“分段”電壓施加到列電極或行電極,且可將“共用”電壓施加到列電極或行電極中的另一者。
[0046]如圖4中(以及圖5B中所展示的時(shí)序圖中)所圖解說(shuō)明,當(dāng)沿共用線(xiàn)施加釋放電壓VC.時(shí),將使沿所述共用線(xiàn)的所有干涉式調(diào)制器元件置于經(jīng)松弛狀態(tài)(另一選擇是,稱(chēng)為經(jīng)釋放狀態(tài)或未經(jīng)激活狀態(tài))中,而不管沿分段線(xiàn)所施加的電壓(即,高分段電壓VSH&低分段電壓VSJ如何。明確地說(shuō),當(dāng)沿共用線(xiàn)施加釋放電壓VC.時(shí),在沿調(diào)制器像素的對(duì)應(yīng)分段線(xiàn)施加高分段電壓VSh及低分段電壓V&的兩種情況下,跨越所述像素的電位電壓(另一選擇是,稱(chēng)為像素電壓)在松弛窗(參見(jiàn)圖3,還稱(chēng)為釋放窗)內(nèi)。
[0047]當(dāng)將保持電壓(例如,高保持電壓VCmiui或低保持電壓VCmD J施加于共用線(xiàn)上時(shí),干涉式調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒定。舉例來(lái)說(shuō),經(jīng)松弛MOD將保持處于經(jīng)松弛位置中,且經(jīng)激活MOD將保持處于經(jīng)激活位置中??蛇x擇所述保持電壓使得在沿對(duì)應(yīng)分段線(xiàn)施加高分段電壓VSh及低分段電壓V&的兩種情況下,像素電壓將保持在穩(wěn)定窗內(nèi)。因此,分段電壓擺幅(即,高VSh與低分段電壓乂&之間的差)小于正穩(wěn)定窗或負(fù)穩(wěn)定窗的寬度。
[0048]當(dāng)將尋址電壓或激活電壓(例如,高尋址電壓VCadd H或低尋址電壓VCadd J施加于共用線(xiàn)上時(shí),可通過(guò)沿相應(yīng)分段線(xiàn)施加分段電壓來(lái)將數(shù)據(jù)選擇性地寫(xiě)入到沿所述共用線(xiàn)的調(diào)制器??蛇x擇分段電壓使得激活取決于所施加的分段電壓。當(dāng)沿共用線(xiàn)施加尋址電壓時(shí),施加一個(gè)分段電壓將導(dǎo)致像素電壓在穩(wěn)定窗內(nèi),從而致使像素保持未經(jīng)激活。相比之下,施加另一個(gè)分段電壓將導(dǎo)致像素電壓超出所述穩(wěn)定窗,從而導(dǎo)致像素的激活。致使激活的特定分段電壓可取決于使用了 哪 一個(gè)尋址電壓而變化。在一些實(shí)施方案中,當(dāng)沿共用線(xiàn)施加高尋址電壓VCadd H時(shí),施加高分段電壓VSh可致使調(diào)制器保持處于其當(dāng)前位置中,而施加低分段電壓可致使所述調(diào)制器激活。作為推論,當(dāng)施加低尋址電壓VCadi^時(shí),分段電壓的效應(yīng)可為相反的,其中高分段電壓VSh致使所述調(diào)制器激活且低分段電壓V&對(duì)所述調(diào)制器的狀態(tài)無(wú)影響(即,保持穩(wěn)定)。
[0049]在一些實(shí)施方案中,可使用跨越調(diào)制器產(chǎn)生相同極性電位差的保持電壓、尋址電壓及分段電壓。在一些其它實(shí)施方案中,可使用按時(shí)間使調(diào)制器的電位差的極性交替的信號(hào)??缭秸{(diào)制器的極性的交替(即,寫(xiě)入程序的極性的交替)可減少或抑制在單個(gè)極性的重復(fù)寫(xiě)入操作之后可能發(fā)生的電荷積累。
[0050]圖5A展示圖解說(shuō)明圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖式的實(shí)例。圖5B展示可用以寫(xiě)入圖5A中所圖解說(shuō)明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共用信號(hào)及分段信號(hào)的時(shí)序圖的實(shí)例。可將所述信號(hào)施加到類(lèi)似于圖2的陣列的3X3陣列,此將最終導(dǎo)致圖5A中所圖解說(shuō)明的線(xiàn)時(shí)間60e顯示布置。圖5A中的經(jīng)激活調(diào)制器處于暗狀態(tài)中(即,其中所反射光的實(shí)質(zhì)部分在可見(jiàn)光譜之外),從而導(dǎo)致呈現(xiàn)給(舉例來(lái)說(shuō))觀看者的暗外觀。在寫(xiě)入圖5A中所圖解說(shuō)明的幀之前,像素可處于任何狀態(tài)中,但圖5B的時(shí)序圖中所圖解說(shuō)明的寫(xiě)入程序假設(shè),在第一線(xiàn)時(shí)間60a之前,每一調(diào)制器均被釋放且駐存于未經(jīng)激活狀態(tài)中。
[0051]在第一線(xiàn)時(shí)間60a期間:將釋放電壓70施加于共用線(xiàn)I上;施加于共用線(xiàn)2上的電壓以高保持電壓72開(kāi)始且移動(dòng)到釋放電壓70 ;且沿共用線(xiàn)3施加低保持電壓76。因此,沿共用線(xiàn)I的調(diào)制器(共用1,分段1)、(1,2)及(1,3)在第一線(xiàn)時(shí)間60a的持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持處于經(jīng)松弛狀態(tài)或未經(jīng)激活狀態(tài)中,沿共用線(xiàn)2的調(diào)制器(2,I)、(2,2)及(2,3)將移動(dòng)到經(jīng)松弛狀態(tài),且沿共用線(xiàn)3的調(diào)制器(3,I)、(3,2)及(3,3)將保持處于其先前狀態(tài)中。參考圖4,沿分段線(xiàn)1、2及3施加的分段電壓將對(duì)干涉式調(diào)制器的狀態(tài)無(wú)影響,這是因?yàn)樵诰€(xiàn)時(shí)間60a期間,共用線(xiàn)1、2或3全部不暴露于致使激活的電壓電平(即,VCeel-松弛及VCmilL-穩(wěn)定)。
[0052]在第二線(xiàn)時(shí)間60b期間,共用線(xiàn)I上的電壓移動(dòng)到高保持電壓72,且由于無(wú)尋址電壓或激活電壓施加于共用線(xiàn)I上,因此不管所施加的分段電壓如何,沿共用線(xiàn)I的所有調(diào)制器均保持處于經(jīng)松弛狀態(tài)中。沿共用線(xiàn)2的調(diào)制器因施加釋放電壓70而保持處于經(jīng)松弛狀態(tài)中,且當(dāng)沿共用線(xiàn)3的電壓移動(dòng)到釋放電壓70時(shí),沿共用線(xiàn)3的調(diào)制器(3,I)、(3,2)? (3,3)將松弛。
[0053]在第三線(xiàn)時(shí)間60c期間,通過(guò)將高尋址電壓74施加于共用線(xiàn)I上來(lái)尋址共用線(xiàn)I。由于在施加此尋址電壓期間沿分段線(xiàn)I及2施加低分段電壓64,因此跨越調(diào)制器(1,I)及
(1.2)的像素電壓大于調(diào)制器的正穩(wěn)定窗的高端(即,電壓差超過(guò)預(yù)定閾值),且使調(diào)制器(1,1)及(1,2)激活。相反地,由于沿分段線(xiàn)3施加高分段電壓62,因此跨越調(diào)制器(1,3)的像素電壓小于調(diào)制器(1,1)及(1,2)的像素電壓,且保持在調(diào)制器的正穩(wěn)定窗內(nèi);調(diào)制器
(1.3)因此保持經(jīng)松弛。此外,在線(xiàn)時(shí)間60c期間,沿共用線(xiàn)2的電壓減少到低保持電壓76,且沿共用線(xiàn)3的電壓保持處于釋放電壓70,從而使沿共用線(xiàn)2及3的調(diào)制器處于經(jīng)松弛位置中。
[0054]在第四線(xiàn)時(shí)間60d期間,共用線(xiàn)I上的電壓返回到高保持電壓72,從而使沿共用線(xiàn)I的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)中。將共用線(xiàn)2上的電壓減少到低尋址電壓78。由于沿分段線(xiàn)2施加高分段電壓62,因此跨越調(diào)制器(2,2)的像素電壓低于所述調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定窗的低端,從而致使調(diào)制器(2,2)激活。相反地,由于沿分段線(xiàn)I及3施加低分段電壓64,因此調(diào)制器(2,I)及(2,3)保持處于經(jīng)松弛位置中。共用線(xiàn)3上的電壓增加到高保持電壓72,從而使沿共用線(xiàn)3的調(diào)制器處于經(jīng)松弛狀態(tài)中。
[0055]最后,在第五線(xiàn)時(shí)間60e期間,共用線(xiàn)I上的電壓保持處于高保持電壓72,且共用線(xiàn)2上的電壓保持處于低保持電壓76,從而使沿共用線(xiàn)I及2的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)中。共用線(xiàn)3上的電壓增加到高尋址電壓74以尋址沿共用線(xiàn)3的調(diào)制器。由于將低分段電壓64施加于分段線(xiàn)2及3上,因此調(diào)制器(3,2)及(3,3)激活,而沿分段線(xiàn)I所施加的高分段電壓62致使調(diào)制器(3,I)保持處于經(jīng)松弛位置中。因此,在第五線(xiàn)時(shí)間60e結(jié)束時(shí),3X3像素陣列處于圖5A中所展示的狀態(tài)中,且只要沿共用線(xiàn)施加保持電壓,所述像素陣列即將保持處于所述狀態(tài)中,而不管在正尋址沿其它共用線(xiàn)(未展示)的調(diào)制器時(shí)可能發(fā)生的分段電壓的變化如何。
[0056]在圖5B的時(shí)序圖中,給定寫(xiě)入程序(B卩,線(xiàn)時(shí)間60a到60e)可包含高保持與尋址電壓或低保持與尋址電壓的使用。一旦針對(duì)給定共用線(xiàn)的寫(xiě)入程序已完成(且將共用電壓設(shè)定為具有與激活電壓相同的極性的保持電壓),像素電壓即保持在給定穩(wěn)定窗內(nèi),且不通過(guò)松弛窗,直到將釋放電壓施加于所述共用線(xiàn)上。此外,由于每一調(diào)制器作為所述寫(xiě)入程序的一部分在尋址調(diào)制器之前被釋放,因此調(diào)制器的激活時(shí)間而非釋放時(shí)間可確定線(xiàn)時(shí)間。具體來(lái)說(shuō),在其中調(diào)制器的釋放時(shí)間大于激活時(shí)間的實(shí)施方案中,可在長(zhǎng)于單個(gè)線(xiàn)時(shí)間的時(shí)間內(nèi)施加釋放電壓,如圖5B中所描繪。在一些其它實(shí)施方案中,沿共用線(xiàn)或分段線(xiàn)所施加的電壓可變化以計(jì)及不同調(diào)制器(例如,不同顏色的調(diào)制器)的激活電壓及釋放電壓的變化。
[0057]根據(jù)上文所陳述的原理操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛地變化。舉例來(lái)說(shuō),圖6A到6E展示包含可移動(dòng)反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器的變化的實(shí)施方案的截面的實(shí)例。圖6A展示圖1的干涉式調(diào)制器顯示器的部分截面的實(shí)例,其中金屬材料條帶(即,可移動(dòng)反射層14)沉積于從襯底20正交延伸的支撐件18上。在圖6B中,每一IMOD的可移動(dòng)反射層14在形狀上為大體正方形或矩形且于拐角處或接近拐角處在系鏈32上附接到支撐件。在圖6C中,可移動(dòng)反射層14在形狀上為大體正方形或矩形且從可變形層34懸吊,所述可變形層可包含柔性金屬??勺冃螌?4可圍繞可移動(dòng)反射層14的外圍直接或間接連接到襯底20。這些連接在本文中稱(chēng)為支撐柱。圖6C中所展示的實(shí)施方案具有從將可移動(dòng)反射層14的光學(xué)功能與其機(jī)械功能(由可變形層34實(shí)施)解耦得到的額外益處。此解耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料與用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料彼此獨(dú)立地優(yōu)化。
[0058]圖6D展不其中可移動(dòng)反射層14包含反射子層14a的IMOD的另一實(shí)例??梢苿?dòng)反射層14擱置于支撐結(jié)構(gòu)(例如,支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動(dòng)反射層14與下部固定電極(即,所圖解說(shuō)明IMOD中的光學(xué)堆疊16的一部分)的分離,使得(舉例來(lái)說(shuō))在可移動(dòng)反射層14處于經(jīng)松弛位置中時(shí),在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間形成間隙19。可移動(dòng)反射層14還可包含導(dǎo)電層14c及支撐層14b,所述導(dǎo)電層可經(jīng)配置以充當(dāng)電極。在此實(shí)例中,導(dǎo)電層14c安置于支撐層14b的遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)上且反射子層14a安置于支撐層14b的接近于襯底20的另一側(cè)上。在一些實(shí)施方案中,反射子層14a可為導(dǎo)電的且可安置于支撐層14b與光學(xué)堆疊16之間。支撐層14b可包含電介質(zhì)材料(舉例來(lái)說(shuō),氧氮化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))的一個(gè)或一個(gè)以上層。在一些實(shí)施方案中,支撐層14b可為層堆疊,例如(舉例來(lái)說(shuō))Si02/Si0N/Si02三層堆疊。反射子層14a及導(dǎo)電層14c中的任一者或兩者可包含(舉例來(lái)說(shuō))具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金或另一反射金屬材料。在電介質(zhì)支撐層14b上方及下方采用導(dǎo)電層14a、14c可平衡應(yīng)力且提供增強(qiáng)的導(dǎo)電性。在一些實(shí)施方案中,出于多種設(shè)計(jì)目的,例如實(shí)現(xiàn)可移動(dòng)反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力分布概況,可由不同材料形成反射子層14a及導(dǎo)電層14c。
[0059]如圖6D中所圖解說(shuō)明,一些實(shí)施方案還可包含黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學(xué)非作用區(qū)域(例如,在像素之間或在柱18下方)中以吸收周?chē)饣螂s散光。黑色掩模結(jié)構(gòu)23還可通過(guò)抑制光從顯示器的非作用部分反射或透射穿過(guò)顯示器的非作用部分來(lái)改進(jìn)顯示裝置的光學(xué)性質(zhì),借此增加對(duì)比率。另外,黑色掩模結(jié)構(gòu)23可為導(dǎo)電的且經(jīng)配置以用作電總線(xiàn)層。在一些實(shí)施方案中,可將行電極連接到黑色掩模結(jié)構(gòu)23以減小經(jīng)連接行電極的電阻??墒褂枚喾N方法來(lái)形成黑色掩模結(jié)構(gòu)23,包含沉積及圖案化技術(shù)。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可包含一個(gè)或一個(gè)以上層。舉例來(lái)說(shuō),在一些實(shí)施方案中,黑色掩模結(jié)構(gòu)23包含充當(dāng)光學(xué)吸收體的鑰-鉻(MoCr)層、一層及充當(dāng)反射體及總線(xiàn)層的鋁合金,其分別具有介于約30 A到80人、500 A到丨000 A及500 A到60()() A的范圍內(nèi)的厚度??墒褂枚喾N技術(shù)來(lái)圖案化所述一個(gè)或一個(gè)以上層,包含光學(xué)光刻及干式蝕刻,包含(舉例來(lái)說(shuō))用于MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4)及/或氧氣(O2),及用于鋁合金層的氯氣(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些實(shí)施方案中,黑色掩模23可為標(biāo)準(zhǔn)具或干涉式堆疊結(jié)構(gòu)。在此些干涉式堆疊黑色掩模結(jié)構(gòu)23中,導(dǎo)電吸收體可用以在每一行或列的光學(xué)堆疊16中的下部固定電極之間發(fā)射或總線(xiàn)信號(hào)。在一些實(shí)施方案中,間隔件層35可用以將吸收體層16a與黑色掩模23中的導(dǎo)電層大體電隔離。
[0060]圖6E展示其中可移動(dòng)反射層14為自支撐的MOD的另一實(shí)例。與圖6D相比,圖6E的實(shí)施方案不包含支撐柱18。而是,可移動(dòng)反射層14在多個(gè)位置處接觸下伏光學(xué)堆疊16,且可移動(dòng)反射層14的曲率提供足夠的支撐,使得可移動(dòng)反射層14在跨越干涉式調(diào)制器的電壓不足以致使激活時(shí)返回到圖6E的未經(jīng)激活位置。為了清晰起見(jiàn),此處展示包含光學(xué)吸收體16a及電介質(zhì)16b的光學(xué)堆疊16,所述光學(xué)堆疊可含有多個(gè)若干不同層。在一些實(shí)施方案中,光學(xué)吸收體16a可既充當(dāng)固定電極又充當(dāng)部分反射層。在一些實(shí)施方案中,光學(xué)吸收體16a為比可移動(dòng)反射層14薄的數(shù)量級(jí)(為所述可移動(dòng)反射層的十分之一或十分之一以下)。在一些實(shí)施方案中,光學(xué)吸收體16a比反射子層14a薄。
[0061 ] 在例如圖6A到6E中所展示的那些實(shí)施方案等實(shí)施方案中,IMOD用作直視式裝置,其中從透明襯底20的前側(cè)(即,與其上布置有調(diào)制器的側(cè)相對(duì)的側(cè))觀看圖像。在這些實(shí)施方案中,可對(duì)裝置的背部部分(即,顯示裝置的在可移動(dòng)反射層14后面的任何部分,包含(舉例來(lái)說(shuō))圖6C中所圖解說(shuō)明的可變形層34)進(jìn)行配置及操作而不對(duì)顯示裝置的圖像質(zhì)量造成沖擊或負(fù)面影響,這是因?yàn)榉瓷鋵?4光學(xué)地屏蔽所述裝置的那些部分。舉例來(lái)說(shuō),在一些實(shí)施方案中,可在可移動(dòng)反射層14后面包含總線(xiàn)結(jié)構(gòu)(未圖解說(shuō)明),所述總線(xiàn)結(jié)構(gòu)提供將調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機(jī)電性質(zhì)(例如,電壓尋址與由此尋址所引起的移動(dòng))分離的能力。另外,圖6A到6E的實(shí)施方案可簡(jiǎn)化處理(例如,(舉例來(lái)說(shuō))圖案化)。
[0062]圖7展示圖解說(shuō)明干涉式調(diào)制器的制造工藝80的流程圖的實(shí)例,且圖8A到SE展示此制造工藝80的對(duì)應(yīng)階段的截面示意性圖解的實(shí)例。在一些實(shí)施方案中,制造工藝80可經(jīng)實(shí)施以制造機(jī)電系統(tǒng)裝置,例如圖1及6中所圖解說(shuō)明的一般類(lèi)型的干涉式調(diào)制器。機(jī)電系統(tǒng)裝置的制造還可包含圖7中未展示的其它框。參考圖1、6及7,工藝80在框82處以在襯底20上方形成光學(xué)堆疊16開(kāi)始。圖8A圖解說(shuō)明在襯底20上方形成的此光學(xué)堆疊16。襯底20可為透明襯底(例如,玻璃或塑料),其可為柔性的或相對(duì)堅(jiān)硬且不易彎曲的,且可能已經(jīng)歷先前制備工藝(例如,清潔)以促進(jìn)光學(xué)堆疊16的有效形成。如上文所論述,光學(xué)堆疊16可為導(dǎo)電的,部分透明且部分反射的且可(舉例來(lái)說(shuō))通過(guò)將具有所要性質(zhì)的一個(gè)或一個(gè)以上層沉積到透明襯底20上而制作。在圖8A中,光學(xué)堆疊16包含具有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu),但在一些其它實(shí)施方案中可包含更多或更少的子層。在一些實(shí)施方案中,子層16a、16b中的一者可經(jīng)配置以具有光學(xué)吸收及導(dǎo)電性質(zhì)兩者,例如,組合式導(dǎo)體/吸收體子層16a。另外,子層16a、16b中的一者或一者以上可圖案化成若干平行條帶,且可形成顯示裝置中的行電極??赏ㄟ^(guò)遮蔽及蝕刻工藝或此項(xiàng)技術(shù)中已知的另一適合工藝來(lái)執(zhí)行此圖案化。在一些實(shí)施方案中,子層16a、16b中的一者可為絕緣或電介質(zhì)層,例如沉積于一個(gè)或一個(gè)以上金屬層(例如,一個(gè)或一個(gè)以上反射及/或?qū)щ妼?上方的子層16b。另夕卜,可將光學(xué)堆疊16圖案化成形成顯示器的行的個(gè)別且平行條帶。注意,圖8A到SE并非按比例繪制。舉例來(lái)說(shuō),在一些實(shí)施方案中,光學(xué)堆疊的子層中的一者(光學(xué)吸收層)可為極薄的,但在圖8A到8E中子層16a、16b展示為有些厚。
[0063]工藝80在框84處以在光學(xué)堆疊16上方形成犧牲層25繼續(xù)。稍后移除犧牲層25 (參見(jiàn)框90)以形成腔19且因此在圖1中所圖解說(shuō)明的所得干涉式調(diào)制器12中未展示犧牲層25。圖SB圖解說(shuō)明包含形成于光學(xué)堆疊16上方的犧牲層25的經(jīng)部分制作的裝置。在光學(xué)堆疊16上方形成犧牲層25可包含以選定的厚度沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料(例如,鑰(Mo)或非晶硅(a-Si))以在隨后移除之后提供具有所要設(shè)計(jì)大小的間隙或腔19 (還參見(jiàn)圖1及SE)。可使用例如物理氣相沉積(PVD,其包含例如濺鍍等許多不同技術(shù))、等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積(熱CVD)或旋涂等沉積技術(shù)來(lái)實(shí)施犧牲材料的沉積。
[0064]工藝80在框86處以形成支撐結(jié)構(gòu)(例如,圖1、6及8C中所圖解說(shuō)明的柱18)繼續(xù)。形成柱18可包含以下步驟:圖案化犧牲層25以形成支撐結(jié)構(gòu)孔口,接著使用例如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂的沉積方法來(lái)將材料(例如,聚合物或無(wú)機(jī)材料,例如氧化硅)沉積到所述孔口中以形成柱18。在一些實(shí)施方案中,形成于犧牲層中的支撐結(jié)構(gòu)孔口可延伸穿過(guò)犧牲層25及光學(xué)堆疊16兩者到達(dá)下伏襯底20,使得柱18的下部端接觸襯底20,如圖6A中所圖解說(shuō)明。另一選擇是,如圖8C中所描繪,形成于犧牲層25中的孔口可延伸穿過(guò)犧牲層25,但不穿過(guò)光學(xué)堆疊16。舉例來(lái)說(shuō),圖SE圖解說(shuō)明支撐柱18的下部端與光學(xué)堆疊16的上部表面接觸。可通過(guò)將支撐結(jié)構(gòu)材料層沉積于犧牲層25上方且圖案化支撐結(jié)構(gòu)材料的位于遠(yuǎn)離犧牲層25中的孔口處的部分來(lái)形成柱18或其它支撐結(jié)構(gòu)。支撐結(jié)構(gòu)可位于所述孔口內(nèi)(如圖8C中所圖解說(shuō)明),但還可至少部分地延伸于犧牲層25的一部分上方。如上文所提及,對(duì)犧牲層25及/或支撐柱18的圖案化可通過(guò)圖案化及蝕刻工藝執(zhí)行,但還可通過(guò)替代蝕刻方法執(zhí)行。
[0065]工藝80在框88處以形成可移動(dòng)反射層或薄膜(例如,圖1、6及8D中所圖解說(shuō)明的可移動(dòng)反射層14)繼續(xù)??赏ㄟ^(guò)采用一個(gè)或一個(gè)以上沉積步驟(包含(舉例來(lái)說(shuō))反射層(例如,鋁、鋁合金或其它反射層)沉積)以及一個(gè)或一個(gè)以上圖案化、遮蔽及/或蝕刻步驟來(lái)形成可移動(dòng)反射層14??梢苿?dòng)反射層14可為導(dǎo)電的且稱(chēng)為導(dǎo)電層。在一些實(shí)施方案中,可移動(dòng)反射層14可包含如圖8D中所展示的多個(gè)子層14a、14b、14c。在一些實(shí)施方案中,所述子層中的一者或一者以上(例如,子層14a、14c)可包含針對(duì)其光學(xué)性質(zhì)選擇的高反射子層,且另一子層14b可包含針對(duì)其機(jī)械性質(zhì)選擇的機(jī)械子層。由于犧牲層25仍存在于框88處所形成的經(jīng)部分制作的干涉式調(diào)制器中,因此可移動(dòng)反射層14在此階段處通常是不可移動(dòng)的。含有犧牲層25的經(jīng)部分制作的MOD在本文中還可稱(chēng)為“未經(jīng)釋放” MOD。如上文連同圖1所描述,可將可移動(dòng)反射層14圖案化成形成顯示器的列的個(gè)別且平行條帶。
[0066]工藝80在框90處以形成腔(例如,圖1、6及8E中所圖解說(shuō)明的腔19)繼續(xù)??赏ㄟ^(guò)將犧牲材料25(在框84處沉積)暴露于蝕刻劑來(lái)形成腔19。舉例來(lái)說(shuō),可通過(guò)干式化學(xué)蝕刻、通過(guò)將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸汽蝕刻劑(例如,從固態(tài)XeF2得到的蒸汽)達(dá)有效地移除所要材料量的一段時(shí)間來(lái)移除可蝕刻犧牲材料(例如,Mo或非晶Si)。通常相對(duì)于環(huán)繞腔19的結(jié)構(gòu)選擇性地移除犧牲材料。還可使用其它蝕刻方法,例如濕式蝕刻及/或等離子體蝕刻。由于在框90期間移除犧牲層25,因此在此階段之后可移動(dòng)反射層14通常為可移動(dòng)的。在移除犧牲材料25之后,所得經(jīng)完全或部分制作的IMOD在本文中可稱(chēng)為“經(jīng)釋放” MOD。
[0067]本文中所揭示的實(shí)施方案中的一些實(shí)施方案涉及一種用于更新顯示器(包含無(wú)源矩陣IMOD顯示器,例如上文所描述的那些及其它無(wú)源矩陣顯示器)的設(shè)備及方法。在一個(gè)特定實(shí)施方案中,提供用于減少線(xiàn)時(shí)間的設(shè)備。如本文中所描述,在一個(gè)方面中,可通過(guò)在寫(xiě)入窗期間將顯示數(shù)據(jù)從分段驅(qū)動(dòng)器供應(yīng)到多個(gè)分段線(xiàn)來(lái)更新顯示器中的顯示元件線(xiàn)。在所述寫(xiě)入窗期間,還通過(guò)共用線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器將寫(xiě)入啟用波形施加到與所述顯示元件線(xiàn)相關(guān)聯(lián)的共用線(xiàn)。一般來(lái)說(shuō),可選擇寫(xiě)入窗的持續(xù)時(shí)間及寫(xiě)入啟用波形的形狀以便確保顯示元件的正確操作。舉例來(lái)說(shuō),寫(xiě)入窗的持續(xù)時(shí)間及寫(xiě)入啟用波形的形狀可經(jīng)配置以使得分段線(xiàn)電壓與共用線(xiàn)電壓重疊達(dá)足以使顯示元件準(zhǔn)許準(zhǔn)確操作的時(shí)間。在一些實(shí)施方案中,對(duì)于顯示器中的每一顯示元件線(xiàn),寫(xiě)入窗的長(zhǎng)度及寫(xiě)入啟用波形的形狀可為一致的。然而,如本文中所描述,基于顯示器中的線(xiàn)的位置改變寫(xiě)入窗的長(zhǎng)度及寫(xiě)入啟用波形的形狀可為有利的。通過(guò)如此做,可減少顯示器的線(xiàn)刷新時(shí)間且顯示器的幀速率可對(duì)應(yīng)地增加。本文中描述用于以此方式減少時(shí)間線(xiàn)的顯示系統(tǒng)的實(shí)施方案。
[0068]圖9是圖解說(shuō)明顯示系統(tǒng)的若干部分的實(shí)施方案的框圖。顯示器1000可類(lèi)似于上文關(guān)于圖2、5及6所描述的顯示器。顯示器1000包含顯示面板1005、多個(gè)顯示元件1006、多個(gè)共用線(xiàn)1010、共用線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器1015、多個(gè)分段線(xiàn)1020及分段驅(qū)動(dòng)器1025。顯示面板1005包含多個(gè)顯示元件1006。顯示元件1006在面板1005上布置為多個(gè)行及列。每一顯示元件1006行對(duì)應(yīng)于多個(gè)共用線(xiàn)1010中的一者。類(lèi)似地,每一顯示元件1006列對(duì)應(yīng)于多個(gè)分段線(xiàn)1020中的一者。上文關(guān)于圖1到5更詳細(xì)地描述顯示元件的操作。一般來(lái)說(shuō),在更新期間,通過(guò)分段線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器1025將對(duì)應(yīng)于欲顯示于顯示器1000上的數(shù)據(jù)線(xiàn)的電壓電平驅(qū)動(dòng)到多個(gè)分段線(xiàn)1020上。一旦已將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到分段線(xiàn)1020上,共用線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器1015即將寫(xiě)入啟用波形驅(qū)動(dòng)到共用線(xiàn)1010中的選定一者(舉例來(lái)說(shuō),共用線(xiàn)1009)上。以此方式,根據(jù)分段線(xiàn)1020上的數(shù)據(jù)操縱或更新對(duì)應(yīng)于共用線(xiàn)1009的行中的顯示元件1006。明確地說(shuō),共用線(xiàn)1009上的寫(xiě)入啟用波形與分段線(xiàn)1020上的顯示數(shù)據(jù)的組合致使對(duì)應(yīng)于共用線(xiàn)1009的行中的個(gè)別顯示元件1006激活,如關(guān)于圖5B所描述。同時(shí),不影響其它行中的顯示元件1006。接著,通過(guò)分段線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器1025將新數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到分段線(xiàn)1020上,且可將寫(xiě)入啟用波形驅(qū)動(dòng)到不同共用線(xiàn)上。以此方式,可逐行更新整個(gè)顯示面板1005。
[0069]圖10是用于顯示系統(tǒng)中的共用波形及分段波形的實(shí)施方案的圖解。在圖10中,圖解說(shuō)明例如上文還參考圖5B所展示及描述的共用線(xiàn)波形1110。還以1120圖解說(shuō)明分段電壓波形,其中將高分段電壓1122或低分段電壓1124施加到每一分段線(xiàn)。如上文所描述,在線(xiàn)時(shí)間1126期間,波形1110所施加到的共用線(xiàn)將使圖像數(shù)據(jù)寫(xiě)入到其。沿接收以1110圖解說(shuō)明的電壓波形的共用線(xiàn),接收低分段電壓1124的顯示元件將在施加所述波形的尋址電壓1130時(shí)在線(xiàn)時(shí)間1126期間激活,而接收高分段電壓1122的顯示元件將保持于在共用線(xiàn)波形1110的較早釋放階段1128期間其所置于的經(jīng)釋放狀態(tài)中。
[0070]為確保顯示器1000的適當(dāng)操作,可精確控制分段線(xiàn)1020上的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)與共用線(xiàn)1010上的寫(xiě)入啟用波形的相對(duì)時(shí)序。舉例來(lái)說(shuō),驅(qū)動(dòng)器控制器經(jīng)配置以使尋址電壓1130的持續(xù)時(shí)間足夠長(zhǎng)以確保顯示元件1006按照既定計(jì)劃在此周期期間激活。此為圖10的周期T2。另外,驅(qū)動(dòng)器控制器29可經(jīng)配置以確保分段線(xiàn)1020上的數(shù)據(jù)信號(hào)在線(xiàn)時(shí)間開(kāi)始(表示為1132)處的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變之后在施加尋址電壓1130之前穩(wěn)定處于其既定值。此為圖10中所圖解說(shuō)明的時(shí)間周期Tl且可稱(chēng)為寫(xiě)入波形的“前邊沿”。此外,驅(qū)動(dòng)器控制器可經(jīng)配置以確保尋址電壓1130在線(xiàn)時(shí)間結(jié)束(表示為1134)之前重新安定到保持電壓電平。此為圖10中所圖解說(shuō)明的時(shí)間周期T3且可稱(chēng)為寫(xiě)入波形的“后邊沿”。
[0071]往回參考圖9,可注意,不同共用線(xiàn)1010位于距分段驅(qū)動(dòng)器1025不同的距離處。舉例來(lái)說(shuō),共用線(xiàn)1009比共用線(xiàn)1011更靠近分段驅(qū)動(dòng)器。距分段驅(qū)動(dòng)器的此距離差異導(dǎo)致在分段電壓于不同距離的線(xiàn)處轉(zhuǎn)變期間分段電壓的不同時(shí)序行為。當(dāng)分段驅(qū)動(dòng)器改變分段線(xiàn)的狀態(tài)時(shí),所述改變首先在最接近分段驅(qū)動(dòng)器電路的共用線(xiàn)處出現(xiàn)。沿分段線(xiàn)長(zhǎng)度存在充足阻抗使得電壓的上升時(shí)間在顯示器的遠(yuǎn)離分段驅(qū)動(dòng)器的遠(yuǎn)端處較長(zhǎng)。由于此原因,對(duì)于較遠(yuǎn)離分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)來(lái)說(shuō),圖10的波形的前邊沿(時(shí)間Tl)較長(zhǎng)可為有用的。另外,由于對(duì)于較靠近于分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)來(lái)說(shuō)分段轉(zhuǎn)變發(fā)生得較快,因此對(duì)于較靠近于分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)來(lái)說(shuō),圖10的波形的后邊沿(時(shí)間T3)較長(zhǎng)可為有用的。尋址時(shí)間T2可獨(dú)立于相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)位置,這是因?yàn)樵诖酥芷谄陂g分段電壓在線(xiàn)時(shí)間轉(zhuǎn)變之間為安定且穩(wěn)定的。
[0072]圖11中圖解說(shuō)明這些關(guān)系,其中圖11是顯示系統(tǒng)中的不同共用線(xiàn)波形時(shí)序參數(shù)的時(shí)序性質(zhì)的圖解。在此圖中,較靠近于分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)在左側(cè)。如此圖中所展示,T2的時(shí)間(由線(xiàn)1220表示)跨越陣列為恒定的。對(duì)于較遠(yuǎn)離分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)來(lái)說(shuō),前邊沿Tl (由線(xiàn)1230表示)展示為增加的。對(duì)于較遠(yuǎn)離分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)來(lái)說(shuō),后邊沿T3(由線(xiàn)1240表示)展示為減少的。
[0073]按慣例,針對(duì)跨越陣列的每一共用線(xiàn)使用相同前邊沿時(shí)間及后邊沿時(shí)間。在這些實(shí)施方案中,用于每一共用線(xiàn)的前邊沿為展示為圖11上的點(diǎn)1254處的Tl的值的總體最大前邊沿(基于最遠(yuǎn)共用線(xiàn))。此外,用于每一共用線(xiàn)的后邊沿為展示為圖11上的點(diǎn)1252處的Τ3的值的總體最大后邊沿(基于最近共用線(xiàn))。因此,用于這些常規(guī)實(shí)施方案中的總線(xiàn)時(shí)間為max (Tl) +T2+max (T3)。然而,此導(dǎo)致不必要長(zhǎng)的線(xiàn)時(shí)間,這是因?yàn)閷?duì)于給定共用線(xiàn)來(lái)說(shuō)提供額外前邊沿、后邊沿或此兩者。如果對(duì)于每一共用線(xiàn)來(lái)說(shuō),寫(xiě)入窗內(nèi)的共用線(xiàn)寫(xiě)入波形的形狀至少部分地基于顯示器中的特定共用線(xiàn)相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器的位置,那么可移除此所浪費(fèi)線(xiàn)時(shí)間。
[0074]圖12中圖解說(shuō)明潛在線(xiàn)時(shí)間減少,其中圖12是顯示系統(tǒng)中的不同共用線(xiàn)波形時(shí)序參數(shù)的時(shí)序性質(zhì)的另一圖解?,F(xiàn)在參考圖12,線(xiàn)1320圖解說(shuō)明max(Tl)+T2+max(T3)的按慣例使用的線(xiàn)時(shí)間。如果邊沿時(shí)間與共用線(xiàn)位置之間的關(guān)系為線(xiàn)性的(如圖11中所展示),那么可如下文所陳述確定總共N個(gè)線(xiàn)當(dāng)中的第η共用線(xiàn)距分段驅(qū)動(dòng)器的最小前邊沿、后邊沿及尋址時(shí)間:
[0075](I)最小前邊沿=Tl (n) = (l_n/N) XTl(l) + (n/N) XTl(N)
[0076](2)尋址周期=T2
[0077](3)最小后邊沿=T3(n) = (1_η/Ν) ΧΤ3(1) + (η/Ν) ΧΤ3(Ν)
[0078]隨相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)位置而變的最小線(xiàn)時(shí)間為這三個(gè)值的和,且在本文中表示為L(zhǎng)TMIN (η):
[0079](4) LTMIN (η) = (l_n/N) (T3 (I) +Tl (I)) + (η/Ν) (Τ3 (N) +Tl (N)) +Τ2
[0080]此線(xiàn)時(shí)間為η (共用線(xiàn)位置)的線(xiàn)性函數(shù)。隨η而變的此最小線(xiàn)時(shí)間在圖12中表示為線(xiàn)1330。此方程式在η處于相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器最近或最遠(yuǎn)共用線(xiàn)(η = I或N)時(shí)具有最大值且在η處于另一端(η = N或I)時(shí)具有最小值。哪一端為最大值取決于Tl (η)及Τ3(η)的相對(duì)斜率。此表示為圖12的線(xiàn)1340,且在本文中表示為max (LTMIN)。
[0081]現(xiàn)在將參考圖13A到13C。圖13A圖解說(shuō)明其中寫(xiě)入窗足夠長(zhǎng)以包含顯示器陣列的所有共用線(xiàn)的最大前邊沿及后邊沿參數(shù)的常規(guī)寫(xiě)入過(guò)程。如上文所論述,在每一寫(xiě)入窗(還稱(chēng)為線(xiàn)時(shí)間)中提供最大前邊沿及最大后邊沿。將尋址脈沖一致地定位于寫(xiě)入窗的相同位置處。
[0082]圖13B到13C圖解說(shuō)明在寫(xiě)入到顯示器時(shí)的線(xiàn)時(shí)間期間的共用線(xiàn)上的寫(xiě)入啟用脈沖的變化的位置。首先參考圖13B,在這些實(shí)施方案中,前邊沿隨距分段驅(qū)動(dòng)器的距離而增力口,且后邊沿隨距分段驅(qū)動(dòng)器的距離而減少。如果在共用線(xiàn)較遠(yuǎn)離分段驅(qū)動(dòng)器時(shí)使尋址電壓周期T2在寫(xiě)入窗中移位得較遲,那么可跨越顯示器陣列的所有共用線(xiàn)使用如圖13B中所展示的較短(與圖13A相比)寫(xiě)入窗,這是因?yàn)橄恍┻^(guò)量前邊沿及后邊沿時(shí)間。此增加顯示器可展現(xiàn)的最大幀速率。在圖13B的實(shí)施方案中,方程式4的最大值用作所有共用線(xiàn)的線(xiàn)時(shí)間,所述線(xiàn)時(shí)間為展示為圖12的線(xiàn)1340的值max(LTMIN)。
[0083]在一個(gè)實(shí)施方案中,隨共用線(xiàn)位置而變的前邊沿、后邊沿及尋址周期可定義如下:
[0084](5)前邊沿=Tl (n) +1/2 (max (LTMIN) -Tl (η) -Τ2-Τ3 (η))
[0085](6)尋址周期=T2
[0086](7)后邊沿=T3 (η) +1/2 (max (LTMIN) -Tl (η) -Τ2-Τ3 (η))
[0087]其中Tl (η)如上文在方程式I中所給出,且Τ3 (η)如上文在方程式3中所給出。因此,在給出η的值且給出距分段驅(qū)動(dòng)器最近及最遠(yuǎn)共用線(xiàn)處的前邊沿及后邊沿時(shí)間的情況下,可定義寫(xiě)入窗中的尋址脈沖的位置。方程式5、6及7共計(jì)所有η的max (LTMIN),但方程式5的值隨增加的η而增加,且方程式7的值隨增加的η而減少,從而產(chǎn)生圖13Β中所圖解說(shuō)明的寫(xiě)入窗內(nèi)的移位尋址脈沖。
[0088]圖13Β的實(shí)施方案在寫(xiě)入顯示器陣列的所有共用線(xiàn)時(shí)使用恒定持續(xù)時(shí)間寫(xiě)入窗。圖13C中所圖解說(shuō)明的另一實(shí)施方案使用隨距分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)距離而在持續(xù)時(shí)間上改變的寫(xiě)入窗。在此實(shí)施方案中,LTMIN(n)或?qū)嵸|(zhì)上接近于此值的某物可用作每一共用線(xiàn)η的寫(xiě)入窗。當(dāng)正尋址的共用線(xiàn)較遠(yuǎn)離分段驅(qū)動(dòng)器移動(dòng)時(shí),寫(xiě)入窗持續(xù)時(shí)間基于圖12的線(xiàn)1330。在此實(shí)施方案中,隨共用線(xiàn)位置而變的前邊沿、后邊沿及尋址周期可定義如下:
[0089](8)前邊沿=Tl (η)
[0090](9)尋址周期=Τ2
[0091](10)后邊沿=Τ3(η)
[0092]其中Tl (η)如上文在方程式I中所給出,且Τ3 (η)如上文在方程式3中所給出。如同上文的方程式5及7,方程式8隨增加的η而增加,且方程式10隨增加的η而減少。然而,方程式8、9及10的和并非關(guān)于η恒定,且因此寫(xiě)入窗持續(xù)時(shí)間取決于正尋址的共用線(xiàn)的位置而改變。此允許幀寫(xiě)入時(shí)間的額外減少,這是因?yàn)榭稍诒萴ax(LTMIN)短的時(shí)間周期中寫(xiě)入到許多共用線(xiàn)。
[0093]在上文的說(shuō)明中,將前邊沿時(shí)間Tl及后邊沿時(shí)間T3視為η的函數(shù)。Τ2為η的函數(shù)而非如上文所假設(shè)為常數(shù)也是可能的。另外,雖然時(shí)間Tl及Τ3模型化為η的線(xiàn)性函數(shù),但任何或所有Tl、T2或T3對(duì)η的相依性可為非線(xiàn)性的。
[0094]一般來(lái)說(shuō),本文中所描述的實(shí)施方案使用取決于將尋址脈沖施加到其的共用線(xiàn)相對(duì)于陣列的分段驅(qū)動(dòng)器的位置而修改寫(xiě)入窗中的尋址脈沖的形狀的原理。此位置相依性是有用的,這是因?yàn)閷?duì)于許多陣列來(lái)說(shuō),到特定共用線(xiàn)的分段信號(hào)行進(jìn)時(shí)間將取決于分段驅(qū)動(dòng)器與共用線(xiàn)之間的距離。在一些情形中,從分段驅(qū)動(dòng)器到共用線(xiàn)的信號(hào)行進(jìn)時(shí)間取決于陣列的某一其它物理特性(例如,共用線(xiàn)定向、分段線(xiàn)材料或形狀沿分段線(xiàn)改變等)是可能的。因此,在一些方面中,尋址脈沖的形狀可至少部分地基于到共用線(xiàn)的信號(hào)行進(jìn)時(shí)間及/或基于陣列的除共用線(xiàn)位置或距離之外的一個(gè)或一個(gè)以上物理特性。圖14中圖解說(shuō)明位置相依方法,所述圖式是依據(jù)共用線(xiàn)位置修改尋址脈沖的實(shí)施方案的流程圖。在此實(shí)施方案中,在框1410處產(chǎn)生波形??舍槍?duì)波形特定寫(xiě)入窗產(chǎn)生波形。波形的形狀至少部分地基于共用線(xiàn)相對(duì)于陣列的分段驅(qū)動(dòng)器的位置。在框1420處,將特定波形施加到所述位置中的共用線(xiàn)。通常,產(chǎn)生與施加將同時(shí)發(fā)生,但情形可能并非總是如此。如上文所論述,特定形狀可包含具有至少部分地取決于共用線(xiàn)相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器的位置的在寫(xiě)入窗內(nèi)的位置的尋址脈沖。
[0095]圖15Α及15Β展示圖解說(shuō)明包含多個(gè)干涉式調(diào)制器的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。舉例來(lái)說(shuō),顯示裝置40可為智能電話(huà)、蜂窩式或移動(dòng)電話(huà)。然而,顯示裝置40的相同組件或其稍微變化形式還圖解說(shuō)明例如電視、平板計(jì)算機(jī)、電子閱讀器、手持式裝置及便攜式媒體播放器等各種類(lèi)型的顯示裝置。
[0096]顯示裝置40包含殼體41、顯示器30、天線(xiàn)43、揚(yáng)聲器45、輸入裝置48及麥克風(fēng)46。殼體41可由多種制造工藝(包含注射模制及真空成型)中的任一者形成。另外,殼體41可由多種材料中的任一者制成,所述材料包含但不限于塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。殼體41可包含可與具有不同顏色或含有不同標(biāo)志、圖片或符號(hào)的其它可移除部分互換的可移除部分(未展示)。
[0097]顯示器30可為多種顯示器中的任一者,包含雙穩(wěn)態(tài)顯示器或模擬顯示器,如本文中所描述。顯示器30還可經(jīng)配置以包含平板顯示器(例如,等離子體、EL、0LED、STNIXD或TFT IXD)或非平板顯示器(例如,CRT或其它管裝置)。另外,顯示器30可包含干涉式調(diào)制器顯示器,如本文中所描述。
[0098]圖15B中示意性地圖解說(shuō)明顯示裝置40的組件。顯示裝置40包含殼體41且可包含至少部分地圍封于其中的額外組件。舉例來(lái)說(shuō),顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口 27,所述網(wǎng)絡(luò)接口包含耦合到收發(fā)器47的天線(xiàn)43。收發(fā)器47連接到處理器21,所述處理器連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(hào)(例如,對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚(yáng)聲器45及麥克風(fēng)46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅(qū)動(dòng)器控制器29。驅(qū)動(dòng)器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動(dòng)器22,所述陣列驅(qū)動(dòng)器又耦合到顯示器陣列30。在一些實(shí)施方案中,電力供應(yīng)器50可將電力提供到特定顯示裝置40設(shè)計(jì)中的實(shí)質(zhì)上所有組件。
[0099]網(wǎng)絡(luò)接口 27包含天線(xiàn)43及收發(fā)器47,使得顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個(gè)或一個(gè)以上裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有用以緩解(舉例來(lái)說(shuō))處理器21上的數(shù)據(jù)處理負(fù)擔(dān)的一些處理能力。天線(xiàn)43可發(fā)射及接收信號(hào)。在一些實(shí)施方案中,天線(xiàn)43根據(jù)IEEE16.11 標(biāo)準(zhǔn)(包含 IEEE16.ll(a)、(b)或(g))或 IEEE802.11 標(biāo)準(zhǔn)(包含 IEEE802.11a、b、g、n)及其進(jìn)一步實(shí)施方案發(fā)射及接收RF信號(hào)。在一些其它實(shí)施方案中,天線(xiàn)43根據(jù)藍(lán)牙(BLUETOOTH)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號(hào)。在蜂窩式電話(huà)的情形中,天線(xiàn)43經(jīng)設(shè)計(jì)以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時(shí)分多址(TDMA)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、GSM/通用包無(wú)線(xiàn)電服務(wù)(GPRS)、增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、地面中繼式無(wú)線(xiàn)電(TETRA)、寬帶CDMA(W-CDMA)、演進(jìn)式數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、IxEV-DO、EV-DO Rev A,EV-DO Rev B、高速包接入(HSPA)、高速下行鏈路包接入(HSDPA)、高速上行鏈路包接入(HSUPA)、演進(jìn)式高速包接入(HSPA+)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、AMPS或用以在無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)(例如,利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng))內(nèi)通信的其它已知信號(hào)。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線(xiàn)43接收的信號(hào),使得所述信號(hào)可由處理器21接收并進(jìn)一步操縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收的信號(hào),使得可經(jīng)由天線(xiàn)43從顯示裝置40發(fā)射所述信號(hào)。
[0100]在一些實(shí)施方案中,可由接收器替代收發(fā)器47。另外,在一些實(shí)施方案中,可由圖像源替代網(wǎng)絡(luò)接口 27,所述圖像源可存儲(chǔ)或產(chǎn)生欲發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)。處理器21可控制顯示裝置40的總體操作。處理器21從網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源接收數(shù)據(jù)(例如,經(jīng)壓縮圖像數(shù)據(jù))且將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成容易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常是指識(shí)別圖像內(nèi)的每一位置處的圖像特性的信息。舉例來(lái)說(shuō),此些圖像特性可包含顏色、飽和度及灰度級(jí)。
[0101]處理器21可包含微控制器、CPU或用以控制顯示裝置40的操作的邏輯單元。調(diào)節(jié)硬件52可包含用于將信號(hào)發(fā)射到揚(yáng)聲器45及用于從麥克風(fēng)46接收信號(hào)的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為顯示裝置40內(nèi)的離散組件,或可并入于處理器21或其它組件內(nèi)。
[0102]驅(qū)動(dòng)器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28獲取由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù),且可適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交紙D像數(shù)據(jù)以用于高速發(fā)射到陣列驅(qū)動(dòng)器22。在一些實(shí)施方案中,驅(qū)動(dòng)器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成具有類(lèi)似光柵的格式的數(shù)據(jù)流,使得其具有適合于跨越顯示器陣列30進(jìn)行掃描的時(shí)間次序。接著,驅(qū)動(dòng)器控制器29將經(jīng)格式化信息發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。雖然驅(qū)動(dòng)器控制器29 (例如,LCD控制器)經(jīng)常作為獨(dú)立式集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián),但此些控制器可以許多方式實(shí)施。舉例來(lái)說(shuō),控制器可作為硬件嵌入于處理器21中、作為軟件嵌入于處理器21中或以硬件形式與陣列驅(qū)動(dòng)器22完全集成在一起。
[0103]陣列驅(qū)動(dòng)器22可從驅(qū)動(dòng)器控制器29接收經(jīng)格式化信息且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組平行波形,所述組平行波形每秒多次地施加到來(lái)自顯示器的χ-y像素矩陣的數(shù)百條且有時(shí)數(shù)千條(或更多)引線(xiàn)。
[0104]在一些實(shí)施方案中,驅(qū)動(dòng)器控制器29、陣列驅(qū)動(dòng)器22及顯示器陣列30適用于本文中所描述的顯示器類(lèi)型中的任一者。舉例來(lái)說(shuō),驅(qū)動(dòng)器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如,IMOD控制器)。另外,陣列驅(qū)動(dòng)器22可為常規(guī)驅(qū)動(dòng)器或雙穩(wěn)態(tài)顯不器驅(qū)動(dòng)器(例如,IMOD顯不器驅(qū)動(dòng)器)。此外,顯不器陣列30可為常規(guī)顯不器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如,包含IMOD陣列的顯示器)。在一些實(shí)施方案中,驅(qū)動(dòng)器控制器29可與陣列驅(qū)動(dòng)器22集成在一起。此實(shí)施方案可用于高度集成系統(tǒng)中,舉例來(lái)說(shuō),移動(dòng)電話(huà)、便攜式電子裝置、手表及小面積顯示器。
[0105]在一些實(shí)施方案中,輸入裝置48可經(jīng)配置以允許(舉例來(lái)說(shuō))用戶(hù)控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包含小鍵盤(pán)(例如,QWERTY鍵盤(pán)或電話(huà)小鍵盤(pán))、按鈕、開(kāi)關(guān)、搖桿、觸敏式屏幕、與顯示器陣列30集成在一起的觸敏式屏幕或者壓敏或熱敏薄膜。麥克風(fēng)46可配置為顯示裝置40的輸入裝置。在一些實(shí)施方案中,可使用通過(guò)麥克風(fēng)46的語(yǔ)音命令來(lái)控制顯示裝置40的操作。
[0106]電力供應(yīng)器50可包含多種能量存儲(chǔ)裝置。舉例來(lái)說(shuō),電力供應(yīng)器50可為可再充電蓄電池,例如鎳-鎘蓄電池或鋰離子蓄電池。在使用可再充電蓄電池的實(shí)施方案中,所述可再充電蓄電池可為可使用來(lái)自(舉例來(lái)說(shuō))壁式插座或者光伏裝置或陣列的電力充電的。另一選擇是,所述可再充電電池可為可無(wú)線(xiàn)充電的。電力供應(yīng)器50還可為可再生能源、電容器或太陽(yáng)能電池,包含塑料太陽(yáng)能電池及太陽(yáng)能電池涂料。電力供應(yīng)器50還可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。
[0107]在一些實(shí)施方案中,控制可編程性駐存于驅(qū)動(dòng)器控制器29中,所述驅(qū)動(dòng)器控制器可位于電子顯示系統(tǒng)中的數(shù)個(gè)地方中。在一些其它實(shí)施方案中,控制可編程性駐存于陣列驅(qū)動(dòng)器22中。上文所描述的優(yōu)化可以任何數(shù)目個(gè)硬件及/或軟件組件實(shí)施且可以各種配置實(shí)施。
[0108]可將連同本文中所揭示的實(shí)施方案描述的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法步驟實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。已就功能性大體描述了硬件與軟件的可互換性且在上文所描述的各種說(shuō)明性組件、塊、模塊、電路及步驟中圖解說(shuō)明了硬件與軟件的可互換性。此功能性實(shí)施于硬件還是軟件中取決于特定應(yīng)用及強(qiáng)加于總體系統(tǒng)上的設(shè)計(jì)約束。
[0109]可借助通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專(zhuān)用集成電路(ASIC)、場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門(mén)或晶體管邏輯、離散硬件組件或經(jīng)設(shè)計(jì)以執(zhí)行本文中所描述的功能的其任何組合來(lái)實(shí)施或執(zhí)行用以實(shí)施連同本文中所揭示的方面描述的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數(shù)據(jù)處理設(shè)備。通用處理器可為微處理器或任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器還可實(shí)施為計(jì)算裝置的組合,例如,DSP與微處理器、多個(gè)微處理器、連同DSP核心的一個(gè)或一個(gè)以上微處理器或任何其它此配置的組合。在一些實(shí)施方案中,可通過(guò)專(zhuān)用于給定功能的電路來(lái)執(zhí)行特定步驟及方法。
[0110]在一個(gè)或一個(gè)以上方面中,可以硬件、數(shù)字電子電路、計(jì)算機(jī)軟件、固件(包含本說(shuō)明書(shū)中所揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或其任何組合實(shí)施所描述的功能。還可將本說(shuō)明書(shū)中所描述的標(biāo)的物的實(shí)施方案實(shí)施為一個(gè)或一個(gè)以上計(jì)算機(jī)程序,即,編碼于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體上以供由數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或用以控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作的一個(gè)或一個(gè)以上計(jì)算機(jī)程序指令模塊。
[0111]如果以軟件實(shí)施,那么所述功能可存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀媒體上或作為計(jì)算機(jī)可讀媒體上的一個(gè)或一個(gè)以上指令或代碼進(jìn)行發(fā)射。可以可駐存于計(jì)算機(jī)可讀媒體上的處理器可執(zhí)行的軟件模塊實(shí)施本文中所揭示的方法或算法的步驟。計(jì)算機(jī)可讀媒體包含計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體及通信媒體兩者,包含可經(jīng)啟用以將計(jì)算機(jī)程序從一個(gè)地方傳送到另一地方的任何媒體。存儲(chǔ)媒體可為可由計(jì)算機(jī)存取的任何可用媒體。通過(guò)舉例而并非限制的方式,此計(jì)算機(jī)可讀媒體可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光學(xué)磁盤(pán)存儲(chǔ)器、磁盤(pán)存儲(chǔ)器或其它磁性存儲(chǔ)裝置或者可用以用指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式存儲(chǔ)所要程序代碼且可由計(jì)算機(jī)存取的任何其它媒體。此外,可將任何連接適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)作計(jì)算機(jī)可讀媒體。如本文中所使用,磁盤(pán)及光盤(pán)包含光盤(pán)(CD)、激光光盤(pán)、光學(xué)光盤(pán)、數(shù)字多功能光盤(pán)(DVD)、軟磁盤(pán)及藍(lán)光光盤(pán),其中磁盤(pán)通常磁性地復(fù)制數(shù)據(jù)而光盤(pán)用激光光學(xué)地復(fù)制數(shù)據(jù)。上文的組合也可包含于計(jì)算機(jī)可讀媒體的范圍內(nèi)。另外,方法或算法的操作可駐存為可并入到計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中的機(jī)器可讀媒體及計(jì)算機(jī)可讀媒體上的一個(gè)或任何代碼及指令組合或集合。
[0112]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可易于明了對(duì)本發(fā)明中所描述的實(shí)施方案的各種修改,且本文中所定義的類(lèi)屬原理可適用于其它實(shí)施方案,此不背離本發(fā)明的精神或范圍。因此,權(quán)利要求書(shū)并不打算限于本文中所展示的實(shí)施方案,而是被授予與本文中所揭示的本發(fā)明、原理及新穎特征相一致的最廣泛范圍。詞語(yǔ)“示范性”在本文中專(zhuān)用以意指“充當(dāng)實(shí)例、例子或圖解”。在本文中描述為“示范性”的任何實(shí)施方案未必解釋為比其它可能性或?qū)嵤┓桨父鼉?yōu)選或更有利。另外,所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)易于了解,術(shù)語(yǔ)“上部”及“下部”有時(shí)用于便于描述圖,且指示對(duì)應(yīng)于圖在適當(dāng)定向的頁(yè)面上的定向的相對(duì)位置,且可不反映如所實(shí)施的IMOD的適當(dāng)定向。
[0113]還可將本說(shuō)明書(shū)中在單獨(dú)實(shí)施方案的上下文中描述的特定特征以組合形式實(shí)施于單個(gè)實(shí)施方案中。相反地,也可將在單個(gè)實(shí)施方案的上下文中描述的各種特征單獨(dú)地或以任何適合子組合的形式實(shí)施于多個(gè)實(shí)施方案中。此外,雖然上文可將特征描述為以特定組合的形式起作用且甚至最初是如此主張的,但在一些情形中,可從所主張的組合去除來(lái)自所述組合的一個(gè)或一個(gè)以上特征,且所主張的組合可針對(duì)子組合或子組合的變化形式。
[0114]類(lèi)似地,盡管在圖式中以特定次序描繪操作,但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)易于認(rèn)識(shí)至IJ,不必以所展示的特定次序或以順序次序執(zhí)行此些操作或執(zhí)行所有所圖解說(shuō)明的操作以實(shí)現(xiàn)合意的結(jié)果。此外,圖式可以流程圖的形式示意性地描繪一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)例性過(guò)程。然而,未描繪的其它操作可并入于示意性地圖解說(shuō)明的實(shí)例性工程中。舉例來(lái)說(shuō),可在所圖解說(shuō)明操作中的任一者之前、之后、同時(shí)或之間執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上額外操作。在特定情形中,多任務(wù)及并行處理可為有利的。此外,上文所描述的實(shí)施方案中的各種系統(tǒng)組件的分離不應(yīng)被理解為需要在所有實(shí)施方案中進(jìn)行此分離,而應(yīng)理解為所描述的程序組件及系統(tǒng)通??梢黄鸺捎趩蝹€(gè)軟件產(chǎn)品中或封裝到多個(gè)軟件產(chǎn)品中。另外,其它實(shí)施方案也屬于所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。在一些情形中,權(quán)利要求書(shū)中所陳述的動(dòng)作可以不同次序執(zhí)行且仍實(shí)現(xiàn)合意的結(jié)果。
【權(quán)利要求】
1.一種更新顯示器的方法,所述顯示器包括布置成若干共用線(xiàn)及分段線(xiàn)的多個(gè)顯示元件,其中通過(guò)將數(shù)據(jù)提供到所述分段線(xiàn)中的每一者及通過(guò)將寫(xiě)入窗內(nèi)的波形施加到相應(yīng)共用線(xiàn)來(lái)更新所述相應(yīng)共用線(xiàn)中的所述顯示元件,所述方法包括: 在與特定共用線(xiàn)相關(guān)聯(lián)的寫(xiě)入窗內(nèi)產(chǎn)生波形,其中所述波形的形狀至少部分地基于所述特定共用線(xiàn)相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器電路的位置;及將所述波形施加到所述特定共用線(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述寫(xiě)入窗內(nèi)的所述波形的所述形狀包括: 前邊沿,其具有第一持續(xù)時(shí)間; 尋址脈沖,其具有第二持續(xù)時(shí)間;及 后邊沿,其具有第三持續(xù)時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中針對(duì)所述顯示器的所有共用線(xiàn),所述第一、第二及第三持續(xù)時(shí)間的和為恒定的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中所述第一持續(xù)時(shí)間隨距所述分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)距離而增加,且其中所述第三持續(xù)時(shí)間隨距所述分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)距離而減少。
5.—種顯不設(shè)備,其包括: 一組分段線(xiàn); 分段線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路,其經(jīng)配置以在一系列寫(xiě)入窗期間將數(shù)據(jù)信號(hào)施加到所述組分段線(xiàn).一組共用線(xiàn),其中的至少一些共用線(xiàn)距所述分段線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路具有不同距離; 共用線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路,其經(jīng)配置以在所述系列寫(xiě)入窗中的不同寫(xiě)入窗期間將寫(xiě)入波形順序地施加到所述組共用線(xiàn)中的不同共用線(xiàn); 其中所述共用線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路經(jīng)配置以將特定形狀的寫(xiě)入波形施加到所述組共用線(xiàn)中的一共用線(xiàn),且其中所述形狀至少部分地基于所述共用線(xiàn)相對(duì)于所述分段驅(qū)動(dòng)器電路的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備,其中所述共用線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路經(jīng)配置以取決于所述共用線(xiàn)相對(duì)于所述分段驅(qū)動(dòng)器電路的所述位置而將尋址脈沖定位于所述寫(xiě)入窗內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備,其進(jìn)一步包括: 處理器,其經(jīng)配置以與顯示器通信,所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù);及 存儲(chǔ)器裝置,其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備,其進(jìn)一步包括經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述分段驅(qū)動(dòng)器電路的控制器及經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器的圖像源模塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備,其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備,其進(jìn)一步包括經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳遞到所述處理器的輸入裝置。
11.一種顯示設(shè)備,其包括: 一組分段線(xiàn); 分段驅(qū)動(dòng)器,其經(jīng)配置以在一系列寫(xiě)入窗期間將數(shù)據(jù)信號(hào)施加到所述組分段線(xiàn);一組共用線(xiàn),其中的至少一些共用線(xiàn)距分段線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器電路具有不同距離; 用于在所述系列寫(xiě)入窗中的一個(gè)寫(xiě)入窗期間將特定形狀的寫(xiě)入波形施加到所述組共用線(xiàn)中的一共用線(xiàn)的裝置,其中所述形狀至少部分地基于所述共用線(xiàn)相對(duì)于所述分段驅(qū)動(dòng)器電路的位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備,其中所述用于施加寫(xiě)入波形的裝置包含用于使共用線(xiàn)尋址脈沖在所述系列寫(xiě)入窗內(nèi)移位的裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備,其中所述寫(xiě)入窗內(nèi)的所述波形的所述形狀包括: 前邊沿,其具有第一持續(xù)時(shí)間; 尋址脈沖,其具有第二持續(xù)時(shí)間 '及 后邊沿,其具有第三持續(xù)時(shí)間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備,其中針對(duì)顯示器的每一共用線(xiàn),所述第二持續(xù)時(shí)間為恒定的。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備,其中所述第一持續(xù)時(shí)間隨距所述分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)距離而增加,且其中所述第三持續(xù)時(shí)間隨距所述分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)距離而減少。
16.一種其上存儲(chǔ)有指令的計(jì)算機(jī)可讀媒體,所述指令在由處理電路執(zhí)行時(shí)致使顯示器驅(qū)動(dòng)器電路: 在與特定共用線(xiàn)相關(guān)聯(lián)的寫(xiě)`入窗內(nèi)產(chǎn)生波形,其中所述波形的形狀至少部分地基于所述特定共用線(xiàn)相對(duì)于分段驅(qū)動(dòng)器電路的位置;及 將所述波形施加到所述特定共用線(xiàn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體,其中所述指令在由處理電路執(zhí)行時(shí)致使所述顯示器驅(qū)動(dòng)器電路將尋址脈沖定位于所述寫(xiě)入窗內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體,其中所述寫(xiě)入窗內(nèi)的所述波形的所述形狀包括: 前邊沿,其具有第一持續(xù)時(shí)間; 尋址脈沖,其具有第二持續(xù)時(shí)間 '及 后邊沿,其具有第三持續(xù)時(shí)間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體,其中針對(duì)顯示器的至少一些共用線(xiàn),所述第一、第二及第三持續(xù)時(shí)間的和為不同的。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體,其中針對(duì)所述顯示器的每一共用線(xiàn),所述第二持續(xù)時(shí)間為恒定的。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體,其中所述第一持續(xù)時(shí)間隨距所述分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)距離而增加。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體,其中所述第三持續(xù)時(shí)間隨距所述分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)距離而減少。
23.一種更新顯示器的方法,所述顯示器包括布置成若干共用線(xiàn)及分段線(xiàn)的多個(gè)顯示元件,其中通過(guò)將數(shù)據(jù)提供到所述分段線(xiàn)中的每一者及通過(guò)將寫(xiě)入窗內(nèi)的波形施加到相應(yīng)共用線(xiàn)來(lái)更新所述相應(yīng)共用線(xiàn)中的所述顯示元件,所述方法包括: 在與特定共用線(xiàn)相關(guān)聯(lián)的寫(xiě)入窗內(nèi)產(chǎn)生波形,其中所述波形的形狀至少部分地基于分段驅(qū)動(dòng)器電路與所述特定共用線(xiàn)之間的信號(hào)行進(jìn)時(shí)間;及 將所述波形施加到所述特定共用線(xiàn)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法,其中所述寫(xiě)入窗內(nèi)的所述波形的所述形狀包括: 前邊沿,其具有第一持續(xù)時(shí)間; 尋址脈沖,其具有第二持續(xù)時(shí)間 '及 后邊沿,其具有第三持續(xù)時(shí)間。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中針對(duì)所述顯示器的所有共用線(xiàn),所述第一、第二及第三持續(xù)時(shí)間的和為恒定的。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中針對(duì)所述顯示器的每一共用線(xiàn),所述第二持續(xù)時(shí)間為恒定的。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中所述第一持續(xù)時(shí)間隨距所述分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)距離而增加。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中所述第三持續(xù)時(shí)間隨距所述分段驅(qū)動(dòng)器的共用線(xiàn)距離而減少。·
【文檔編號(hào)】G02B26/00GK103430080SQ201280013571
【公開(kāi)日】2013年12月4日 申請(qǐng)日期:2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月15日
【發(fā)明者】馬克·M·托多羅夫斯基, 威廉莫斯·約翰尼斯·羅伯托斯·范利爾, 庫(kù)羅什·阿弗拉托尼 申請(qǐng)人:高通Mems科技公司