專利名稱：一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體的快速發(fā)展，55nm制程及以下工藝，業(yè)界均勻采用浸沒式(i_ersion)光刻機(jī)。由于i_ersion光刻機(jī)在曝光時(shí)會(huì)用純水以提高分辨率,而使用純水曝光時(shí)會(huì)引入更多的粒子(particles),其來源主要在娃片邊緣時(shí)娃片背面的particles。這是由于曝光時(shí)的particles來源主要是曝光在硅片邊緣時(shí)引入的，曝光時(shí)引入的particle主要是曝光到娃片的邊緣(wafer edge)時(shí)，由于純水會(huì)擴(kuò)散到wafer背面；由于通常wafer背面是particle的主要來源，因此該particle會(huì)被純水帶到wafer正面而影響曝光質(zhì)量。如圖1中所示，圖1中包括一硅片1，該硅片包括多個(gè)晶圓(wafer) 2，傳統(tǒng)掃描路徑結(jié)構(gòu)是從wafer頂部以“S”型曝光，但該掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)由于過早曝光到waferedge位子,從而引入particle,這樣會(huì)引起再接下來的曝光過程中一直受到particle的影響從而使得第一排一下的dies均受到純水中particles的影響,使得wafer因曝光問題引起產(chǎn)品良率低下。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述存在的問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)。該硅片中的晶圓分為兩個(gè)區(qū)域，并且該兩個(gè)區(qū)域?yàn)槁菪龗呙韫ぷ髀窂浇Y(jié)構(gòu)，以確保硅片的絕大部分位置免受particles影響，以達(dá)到曝光質(zhì)量從而提升產(chǎn)品良率。本實(shí)用新型的目的是通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:—種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，包括:娃片，所述娃片置于浸沒式光刻機(jī)的曝光鏡頭下方，其特征在于，所述硅片包括多個(gè)晶圓，所述多個(gè)晶圓還包括底部抗反射層和光刻膠；所述多個(gè)晶圓包括中心掃描路徑區(qū)域的晶圓和外圍掃描路徑區(qū)域的晶圓，所述中心掃描路徑區(qū)域和所述外圍掃描路徑區(qū)域均為螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。上述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，在所述硅片和所述曝光鏡頭之間充滿了液體。上述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，所述液體為純水。上述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，在所述光刻膠的表面還包括頂部涂層。上述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，所述中心掃描路徑區(qū)域?yàn)槟鏁r(shí)針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)，所述外圍掃描路徑區(qū)域?yàn)轫槙r(shí)針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。與已有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于:將硅片上的晶圓劃分成兩個(gè)掃描路徑區(qū)域，且將該兩個(gè)掃描路徑區(qū)域設(shè)定為螺旋掃描工作結(jié)構(gòu)，從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片上的晶圓依次進(jìn)行曝光，通過該方式，避免了由于過早曝光到wafer edge位子,從而引入particles,使得其它晶圓受到污染進(jìn)而影響到以后的曝光過程。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑工作結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中的一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合原理圖和具體操作實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。參看圖2中所示，本實(shí)用新型的一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)具體包括:硅片I，所述硅片包括多個(gè)晶圓2，在硅片I的襯底表面包括底部抗反射層(圖中未標(biāo)示)、光刻膠(圖中未標(biāo)示);為了防止浸沒式光刻膠的揮發(fā)物對(duì)光刻機(jī)鏡頭損傷，還可以在所述光刻膠的表面還包括一層頂部涂層(圖中未標(biāo)示)，該頂部涂層是可以完全溶解在顯影液體中的疏水涂層。頂部涂層還可以是一層頂部抗反射涂層(TARC)，其被涂布在光刻膠的表面的，用于減少光的反射的物質(zhì)。將硅片I置于光刻機(jī)的晶圓掃描工作臺(tái)上，并利用Chuck (卡盤)，對(duì)硅片I進(jìn)行真空吸附，在曝光過程中，將娃片I置于光刻機(jī)的曝光鏡頭下方，在娃片I和曝光鏡頭之間充滿了液體，最佳地，該液體是純水，純水可以減小對(duì)光刻膠穩(wěn)定性影響的同時(shí)，增大鏡頭的數(shù)值孔徑，從而很好地實(shí)現(xiàn)光刻效果。在曝光前，對(duì)光刻機(jī)的掃描路徑進(jìn)行劃分，將硅片I上的晶圓劃分為中心掃描路徑區(qū)域21和外圍掃描路徑區(qū)域22，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，將該中心掃描路徑區(qū)域21中的中心位置定義為掃描的起始位置，以螺旋方式進(jìn)行掃描，并且外圍掃描路徑區(qū)域22也以螺旋方式進(jìn)行掃描直至到硅片的邊緣。如圖2中所示，在中心掃描路徑區(qū)域21中的工作結(jié)構(gòu)是以所述硅片的中心位置為起始位置，在中心掃描以逆時(shí)針的螺旋擴(kuò)張的方式進(jìn)行掃描，在外圍掃描路徑區(qū)域22中則以順時(shí)針的螺旋工作路徑對(duì)位于外圍掃描路徑區(qū)域22中的晶圓進(jìn)行曝光。通過以上實(shí)施方式，避免了由于過早曝光到wafer edge位子，從而引入particles，使得其它晶圓受到污染進(jìn)而影響到以后的曝光過程。以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但本實(shí)用新型并不限制于以上描述的具體實(shí)施例，其只是作為范例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何等同修改和替代也都在本實(shí)用新型的范疇之中。因此，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍下所作出的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，包括:娃片，所述娃片置于浸沒式光刻機(jī)的曝光鏡頭下方，其特征在于，所述硅片包括多個(gè)晶圓，所述多個(gè)晶圓還包括底部抗反射層和光刻膠；所述多個(gè)晶圓包括中心掃描路徑區(qū)域的晶圓和外圍掃描路徑區(qū)域的晶圓，所述中心掃描路徑區(qū)域和所述外圍掃描路徑區(qū)域均為螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述硅片和所述曝光鏡頭之間充滿了液體。
3.如權(quán)利要求2所述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述液體為純水。
4.如權(quán)利要求1所述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述光刻膠的表面還包括頂部涂層。
5.如權(quán)利要求1所述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中心掃描路徑區(qū)域?yàn)槟鏁r(shí)針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)，所述外圍掃描路徑區(qū)域?yàn)轫槙r(shí)針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，包括一硅片，所述硅片置于浸沒式光刻機(jī)的曝光鏡頭下方，其特征在于，所述硅片包括多個(gè)晶圓，所述多個(gè)晶圓還包括底部抗反射層和光刻膠；所述多個(gè)晶圓包括中心掃描路徑區(qū)域的晶圓和外圍掃描路徑區(qū)域的晶圓，所述中心掃描路徑區(qū)域和所述外圍掃描路徑區(qū)域均為螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型將待曝光的硅片中的晶圓分為兩個(gè)區(qū)域，并且該兩個(gè)區(qū)域?yàn)槁菪龗呙韫ぷ髀窂浇Y(jié)構(gòu)，以確保硅片的絕大部分位置免受particles影響，以達(dá)到曝光質(zhì)量從而提升產(chǎn)品良率。
文檔編號(hào)G03F7/20GK202975590SQ20122051066
公開日2013年6月5日 申請日期2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月21日
發(fā)明者蔡恩靜 申請人:上海華力微電子有限公司