專利名稱：一種液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種廣視角液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用到透明電極材料，目前，TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)廠商均采用高溫鍍ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)膜的方法制 造透明電極，但是這種制造透明電極的方法需要復(fù)雜的加熱設(shè)備，此種加熱設(shè)備的成本較高，導(dǎo)致液晶顯示器的制造成本較高，而且，ITO膜內(nèi)部的灰塵較多，因此，采用ITO膜制造得到的透明電極內(nèi)的灰塵較多，提高產(chǎn)品的良率受到制約。

實用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問題，本申請實施例提供一種液晶顯示器，以降低液晶顯示器中的透明電極的制作成本，提高液晶顯示器的良率，技術(shù)方案如下一種液晶顯示器，包括第一基板、第二基板，以及設(shè)置在所述上第一基板和所述第二基板之間的液晶層，其中所述第一基板上的具有防靜電層，且該防靜電層為銦鋅氧化物IZO膜；所述第二基板上由下至上依次設(shè)置有柵極層、柵極絕緣層、有源層、像素電極、源漏層、絕緣保護層以及公共電極，其中，所述像素電極、公共電極為銦鋅氧化物IZO電極；優(yōu)選的，所述第一、第二基板均為玻璃基板。優(yōu)選的，所述有源層的材質(zhì)為非晶硅。優(yōu)選的，所述柵極層的材質(zhì)為金屬。優(yōu)選的，所述源漏層的材質(zhì)為金屬。 優(yōu)選的，所述絕緣層保護層的材質(zhì)為氮化硅。由以上本申請實施例提供的技術(shù)方案可見，該液晶顯示器采用IZO膜制造透明電極及設(shè)置在第一基板上的防靜電層，所述透明電極可以是設(shè)置在第二基板上的像素電極和公共電極。由于IZO膜是采用低溫成膜技術(shù)得到的，因此，不需要使用復(fù)雜的加熱裝置，從而降低了設(shè)備成本，進而降低了液晶顯示器的制造成本，而且，由于IZO膜內(nèi)的雜質(zhì)較少，因而采用IZO膜制造得到的透明電極的雜質(zhì)較少，提高了透明電極的透過率，進而提高了液晶顯不器的良率。

為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本申請實施例一種液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；[0015]圖2為本申請實施例一種下玻璃基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當屬于本申請保護的范圍。請參見圖I和圖2，圖I為本申請實施例提供的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本申請實施例提供的下玻璃基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該液晶顯示器主要包括第一基板100、第二基板200、液晶層300，其中第一基板100的上表面設(shè)置有防靜電層101，該防靜電層的材質(zhì)為IZO膜，且該防靜電層通過導(dǎo)電金屬102與第二基板200電連接。第一基板100的下表面上設(shè)置有黑色矩陣 103。具體的，第一基板100和第二基板200均為玻璃基板。具體參見圖2，第二基板200的上表面上設(shè)置有柵極層201，設(shè)置在所述柵極層201，以及未設(shè)置柵極層201的下玻璃基板200上的柵極絕緣層202，設(shè)置在所述柵極絕緣層202上的有源層203，設(shè)置在所述有源層203上的源漏層204，該源漏層上設(shè)置有絕緣保護層205，且源漏層204被絕緣保護層205分割成左右兩部分，其中位于圖2左半部分的是源極層206，位于圖2右半部分的是漏極層207，在漏極層和柵極絕緣層之間設(shè)置有像素電極層208，且像素電極層與漏極層207電連接。在絕緣保護層205上設(shè)置有公共電極209。其中，所述像素電極層208和公共電極209均采用透明電極材料制成，即采用IZO膜低溫成膜技術(shù)制得。具體的，柵極層201和源漏層204采用低電阻的導(dǎo)電金屬制成，有源層204可以通過非晶硅實現(xiàn)。所述絕緣層保護層205和柵極絕緣層202均可以采用絕緣材料實現(xiàn)，優(yōu)選的采用氮化硅實現(xiàn)。本實施例提供的液晶顯示器的防靜電層、公共電極、像素電極均采用IZO膜制成，由于IZO膜采用低溫成膜技術(shù)得到，因此，不需要使用復(fù)雜的加熱裝置，從而降低了設(shè)備成本，進而降低了液晶顯示器的制造成本，而且，由于IZO膜內(nèi)的雜質(zhì)較少，因而采用IZO膜制造得到的透明電極的灰塵比采用ITO膜制造的透明電極的灰塵至少減少了 20%，提高了透明電極的透過率，進而提高了液晶顯示器的良率。而且，由于IZO膜的微觀結(jié)構(gòu)很均勻，因此，采用IZO膜制作的公共電極的線條更加細小，從而提高了公共電極的精細度，提高液晶顯示器的性能；采用IZO膜制作防靜電層時，由于IZO膜內(nèi)的銦、鋅、氧三種元素的相互作用，使得該防靜電層的透過率較高、電阻低、抗腐蝕能力強、抗劃傷能力強。以上所述僅是本申請的具體實施方式
，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本申請的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種液晶顯示器，包括第一基板、第二基板，以及設(shè)置在所述上第一基板和所述第二基板之間的液晶層，其特征在于 所述第一基板上的具有防靜電層，且該防靜電層為銦鋅氧化物IZO膜； 所述第二基板上由下至上依次設(shè)置有柵極層、柵極絕緣層、有源層、像素電極、源漏層、絕緣保護層以及公共電極，其中，所述像素電極、公共電極為銦鋅氧化物IZO電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示器，其特征在于，所述第一、第二基板均為玻璃基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示器，其特征在于，所述有源層的材質(zhì)為非晶硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的廣視角液晶顯示器，其特征在于，所述柵極層的材質(zhì)為金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的廣視角液晶顯示器，其特征在于，所述源漏層的材質(zhì)為金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的廣視角液晶顯示器，其特征在于，所述絕緣層保護層的材質(zhì)為氮化硅。
專利摘要本申請公開了一種液晶顯示器，包括第一基板、第二基板，以及設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層。所述第二基板上的像素電極和公共電極，以及所述第一基板上的防靜電層，均采用IZO膜實現(xiàn)。由于IZO膜是采用低溫成膜技術(shù)得到的，因此，不需要使用復(fù)雜的加熱裝置，從而降低了設(shè)備成本，進而降低了液晶顯示器的制造成本，而且，由于IZO膜內(nèi)的雜質(zhì)較少，因而采用IZO膜制造得到的透明電極的雜質(zhì)較少，提高了透明電極的透過率，進而提高了液晶顯示器的良率。
文檔編號G02F1/1343GK202453618SQ201220059349
公開日2012年9月26日 申請日期2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月22日
發(fā)明者于春崎, 任思雨, 何基強, 李建, 李建華, 胡君文, 謝凡 申請人:信利半導(dǎo)體有限公司