專利名稱：陣列基板、顯示裝置、電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板、顯示裝置、電子器件。
背景技術(shù)：
目前大尺寸TV產(chǎn)品及3D產(chǎn)品是顯示領(lǐng)域的發(fā)展趨勢，然而要想實現(xiàn)大尺寸TV產(chǎn)品及3D產(chǎn)品的開發(fā)，必須解決高頻率驅(qū)動引起的充電時間縮短的問題。如產(chǎn)品驅(qū)動頻率從60Hz提高至120Hz甚至是240Hz，則對于每個亞像素而言，充電時間會縮短為原來的1/2，甚至1/4，這對于亞像素的充電率會有嚴重的影響。目前為了保證亞像素的充電率，通常的解決辦法是增加溝道的W/L(寬長比)，來 提高充電電流值(1。 )，從而在充電時間縮短的情況下也能達到目標充電率。但是溝道的W/L的増加會引起顯示面板開ロ率的降低，影響顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板、顯示裝置、電子器件，能夠在不影響顯示效果的情況下滿足亞像素的充電率要求。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下一方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板上設(shè)置有多個排列成矩陣的亞像素、多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，相鄰兩行亞像素之間設(shè)有一條掃描線，每一行亞像素對應(yīng)ー掃描線，每ー亞像素包括一與本行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接的充電TFT以及與所述充電TFT相對應(yīng)的像素電極，其中，每ー亞像素還包括ー預(yù)充電TFT以及與所述預(yù)充電TFT相對應(yīng)的像素電極，所述預(yù)充電TFT與上一行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接。上述方案中，所述預(yù)充電TFT用于在上一行亞像素對應(yīng)的掃描線輸入電壓信號吋，為所述預(yù)充電TFT對應(yīng)的亞像素充電。上述方案中，所述預(yù)充電TFT溝道的寬長比等于所述充電TFT的溝道的寬長比。上述方案中，所述預(yù)充電TFT溝道的寬長比小于所述充電TFT的溝道的寬長比。上述方案中，所述預(yù)充電TFT溝道的寬長比為所述充電TFT的溝道的寬長比的1/2。本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。本發(fā)明實施例還提供了 ー種電子器件，包括如上所述的顯示裝置。本發(fā)明的實施例具有以下有益效果上述方案中，每ー亞像素除包括與本行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接的充電TFT夕卜，還包括一預(yù)充電TFT，該預(yù)充電TFT與上一行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接，這樣在上一行亞像素充電時，可以利用預(yù)充電TFT為本行亞像素進行預(yù)充電,從而在有限的充電時間內(nèi)滿足亞像素充電率的要求，解決了高頻產(chǎn)品常見的充電不足問題。


圖I為本發(fā)明實施例一的陣列基板的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例ニ的陣列基板的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例三的陣列基板的像素結(jié)構(gòu)示意 圖；圖4為本發(fā)明實施例四的陣列基板的像素結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。本發(fā)明的實施例針對現(xiàn)有高頻產(chǎn)品常見的充電不足的問題，提供一種陣列基板、顯示裝置、電子器件，能夠在不影響顯示效果的情況下滿足亞像素的充電率要求?，F(xiàn)有技術(shù)中對于高頻產(chǎn)品而言，若產(chǎn)品驅(qū)動頻率從60Hz提高至120Hz甚至是240Hz，則對于每個亞像素而言，充電時間會縮短為原來的1/2，甚至1/4，這對于亞像素的充電率會有嚴重的影響。此外，當(dāng)某ー亞像素發(fā)生DO (data open，數(shù)據(jù)線斷開)或者DGS(date gate short,數(shù)據(jù)線柵線短路)等不良的情況下，由于充電時間縮短導(dǎo)致TFT充電效率下降，一般采取的措施是通過修補或者直接切掉使相應(yīng)的亞像素呈現(xiàn)暗點狀態(tài)，這樣會對顯示面板的畫面品質(zhì)產(chǎn)生影響。本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，陣列基板上設(shè)置有多個排列成矩陣的亞像素、多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，相鄰兩行亞像素之間設(shè)有一條掃描線，每一行亞像素對應(yīng)ー掃描線，每ー亞像素包括一與本行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接的充電TFT以及與充電TFT相對應(yīng)的像素電極，其中，每ー亞像素還包括一預(yù)充電TFT以及與預(yù)充電TFT相對應(yīng)的像素電極，預(yù)充電TFT與上一行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接。上述方案中，預(yù)充電TFT用于在上一行亞像素對應(yīng)的掃描線輸入電壓信號時,為預(yù)充電TFT對應(yīng)的亞像素充電。比如在第一行亞像素對應(yīng)的掃描線輸入正極性的電壓信號時，可以為第一行極性為正的亞像素充電，另外還可以通過預(yù)充電TFT為第二行極性為正的亞像素進行預(yù)充電；在第一行亞像素對應(yīng)的掃描線輸入負極性的電壓信號時，可以為第一行極性為負的亞像素充電，另外還可以通過預(yù)充電TFT為第二行極性為負的亞像素進行預(yù)充電。這樣第二行的亞像素所具有的電荷包含有兩個部分，第一部分是由上一行亞像素充電過程中對其進行的預(yù)充電得到；第二部分是在此亞像素正常充電過程中得到的，因此，雖然高頻產(chǎn)品的充電時間縮短了，仍可以在有限的充電時間內(nèi)達到充電率目標。并且在像素結(jié)構(gòu)存在不良時，此亞像素還具有一定的電荷，能夠提聞畫面品質(zhì)。上述方案中，預(yù)充電TFT溝道的寬長比可以等于充電TFT的溝道的寬長比嗎，還可以小于充電TFT的溝道的寬長比，具體地，預(yù)充電TFT溝道的寬長比可以為充電TFT的溝道的寬長比的1/2。下面結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明的陣列基板進行詳細介紹實施例一如圖I所示為本實施例的陣列基板的的像素結(jié)構(gòu)，從圖I可以看出，陣列基板上同一行亞像素中，相鄰亞像素的極性相反；陣列基板上同一列亞像素中，相鄰亞像素的極性相漢。對于圖I中間的亞像素P22來說，包括一與本行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接的充電TFT12以及與充電TFT12相對應(yīng)的像素電極，其中，亞像素P22還包括一預(yù)充電TFTlI以及與預(yù)充電TFTll相對應(yīng)的像素電極，預(yù)充電TFTll與上一行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接。由圖I可以看出，亞像素Pll位于亞像素P22的上一行，且與亞像素P22的極性相同，這樣當(dāng)亞像素Pll與亞像素P22之間的掃描線輸入極性為正的電壓信號吋，TFTlO可以為亞像素Pll進行正常充電，同時T FTll可以為亞像素P22進行預(yù)充電。當(dāng)下ー幀信號到來，亞像素P22與亞像素P31之間的掃描線輸入極性為正的電壓信號吋，TFT12可以為亞像素P22進行正常充電，同時TFT15可以為亞像素P31進行預(yù)充電。這樣亞像素P22所具有的電荷包含有兩個部分，第一部分是由上一行亞像素充電過程中TFTll對其進行的預(yù)充電得到；第二部分是在此亞像素正常充電過程中TFT12進行正常充電得到，因此，雖然高頻產(chǎn)品的充電時間縮短了，仍可以在有限的充電時間內(nèi)達到充電率目標。并且在像素結(jié)構(gòu)存在不良時，使得亞像素還具有一定的電荷，能夠提聞畫面品質(zhì)。對于陣列基板中最左側(cè)的亞像素而言，比如P11，也可以為其設(shè)置預(yù)充電TFT，在有效顯示區(qū)域之外的Du_y (虛擬)像素進行充電時，利用設(shè)置的預(yù)充電TFT為其進行預(yù)充電。同理，當(dāng)亞像素Pll與亞像素P22之間的掃描線輸入極性為負的電壓信號吋，TFT13可以為亞像素P12進行正常充電，同時TFT14可以為亞像素P23進行預(yù)充電。本發(fā)明中，對于預(yù)充電TFT而言，其溝道的W/L (寬長比)值的大小可以與正常充電用的TFT相同，也可以根據(jù)所需要預(yù)充電的大小而設(shè)計具有不同W/L值的TFT。本實施例中，預(yù)充電TFT溝道的W/L與正常充電用TFT溝道的W/L相等。本實施例的陣列基板中，預(yù)充電TFT用于在上一行亞像素對應(yīng)的掃描線輸入電壓信號時，為預(yù)充電TFT對應(yīng)的亞像素充電。通過本實施例的技術(shù)方案，雖然高頻產(chǎn)品的充電時間縮短了，仍可以在有限的充電時間內(nèi)達到充電率目標。并且在像素結(jié)構(gòu)存在不良吋，此亞像素還具有一定的電荷，能夠提聞畫面品質(zhì)。實施例ニ如圖2所示為本實施例的陣列基板的的像素結(jié)構(gòu)，從圖2可以看出，陣列基板上同一行亞像素中，相鄰亞像素的極性相反；陣列基板上同一列亞像素中，相鄰亞像素的極性相漢。對于圖2中間的亞像素P22來說，包括一與本行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接的充電TFT22以及與充電TFT22相對應(yīng)的像素電極，其中，亞像素P22還包括一預(yù)充電TFT21以及與預(yù)充電TFT21相對應(yīng)的像素電極，預(yù)充電TFT21與上一行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接。由圖2可以看出，亞像素Pll位于亞像素P22的上一行，且與亞像素P22的極性相同，這樣當(dāng)亞像素Pll與亞像素P22之間的掃描線輸入極性為正的電壓信號吋，TFT21可以為亞像素Pll進行正常充電，同時TFT21可以為亞像素P22進行預(yù)充電。當(dāng)下ー幀信號到來，亞像素P22與亞像素P31之間的掃描線輸入極性為正的電壓信號吋，TFT22可以為亞像素P22進行正常充電，同時TFT25可以為亞像素P31進行預(yù)充電。這樣亞像素P22所具有的電荷包含有兩個部分，第一部分是由上一行亞像素充電過程中TFT21對其進行的預(yù)充電得到；第二部分是在此亞像素正常充電過程中TFT22進行正常充電得到，因此，雖然高頻產(chǎn)品的充電時間縮短了，仍可以在有限的充電時間內(nèi)達到充電率目標。并且在像素結(jié)構(gòu)存在不良時，使得亞像素還具有一定的電荷，能夠提聞畫面品質(zhì)。對于陣列基板中最左側(cè)的亞像素而言，比如P11，也可以為其設(shè)置預(yù)充電TFT，在有效顯示區(qū)域之外的Du_y (虛擬)像素進行充電時，利用設(shè)置的預(yù)充電TFT為其進行預(yù)充電。同理，當(dāng)亞像素Pll與亞像素P22之間的掃描線輸入極性為負的電壓信號吋，TFT23可以為亞像素P12進行正常充電，同時TFT24可以為亞像素P23進行預(yù)充電。 本發(fā)明中，對于預(yù)充電TFT而言，其溝道的W/L (寬長比)值的大小可以與正常充電用的TFT相同，也可以根據(jù)所需要預(yù)充電的大小而設(shè)計具有不同W/L值的TFT。本實施例中，預(yù)充電TFT溝道的W/L可以為正常充電用TFT溝道的W/L的1/2。本實施例的陣列基板中，預(yù)充電TFT用于在上一行亞像素對應(yīng)的掃描線輸入電壓信號時，為預(yù)充電TFT對應(yīng)的亞像素充電。通過本實施例的技術(shù)方案，雖然高頻產(chǎn)品的充電時間縮短了，仍可以在有限的充電時間內(nèi)達到充電率目標。并且在像素結(jié)構(gòu)存在不良吋，此亞像素還具有一定的電荷，能夠提聞畫面品質(zhì)。實施例三如圖3所示為本實施例的陣列基板的的像素結(jié)構(gòu)，從圖3可以看出，陣列基板上同一行亞像素中，相鄰亞像素的極性相反；陣列基板上同一列亞像素中，相鄰亞像素的極性相同。對于圖3中間的亞像素P22來說，包括一與本行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接的充電TFT35以及與充電TFT35相對應(yīng)的像素電極，其中，亞像素P22還包括一預(yù)充電TFT33以及與預(yù)充電TFT33相對應(yīng)的像素電極，預(yù)充電TFT33與上一行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接。由圖3可以看出，亞像素P12位于亞像素P22的上一行，且與亞像素P22的極性相同，這樣當(dāng)亞像素P12與亞像素P22之間的掃描線輸入極性為負的電壓信號吋，TFT32可以為亞像素P12進行正常充電，同時TFT33可以為亞像素P22進行預(yù)充電。當(dāng)下ー幀信號到來，亞像素P22與亞像素P31之間的掃描線輸入極性為負的電壓信號吋，TFT35可以為亞像素P22進行正常充電。這樣亞像素P22所具有的電荷包含有兩個部分，第一部分是由上一行亞像素充電過程中TFT33對其進行的預(yù)充電得到；第二部分是在此亞像素正常充電過程中TFT35進行正常充電得到，因此，雖然高頻產(chǎn)品的充電時間縮短了，仍可以在有限的充電時間內(nèi)達到充電率目標。并且在像素結(jié)構(gòu)存在不良時，使得亞像素還具有一定的電荷，能夠提聞畫面品質(zhì)。對于陣列基板中最左側(cè)的亞像素而言，比如P11，也可以為其設(shè)置預(yù)充電TFT，在有效顯示區(qū)域之外的Du_y (虛擬)像素進行充電時，利用設(shè)置的預(yù)充電TFT為其進行預(yù)充電。同理，當(dāng)亞像素P12與亞像素P22之間的掃描線輸入極性為正的電壓信號吋，TFT30可以為亞像素Pll進行正常充電，同時TFT31可以為亞像素P21進行預(yù)充電。當(dāng)下一中貞信號到來，亞像素P22與亞像素P31之間的掃描線輸入極性為正的電壓信號時,TFT34可以為亞像素P21進行正常充電。本發(fā)明中，對于預(yù)充電TFT而言，其溝道的W/L (寬長比)值的大小可以與正常充電用的TFT相同，也可以根據(jù)所需要預(yù)充電的大小而設(shè)計具有不同W/L值的TFT。本實施例中，預(yù)充電TFT溝道的W/L與正常充電用TFT溝道的W/L相等。本實施例的陣列基板中，預(yù)充電TFT用于在上一行亞像素對應(yīng)的掃描線輸入電壓信號時，為預(yù)充電TFT對應(yīng)的亞像素充電。通過本實施例的技術(shù)方案，雖然高頻產(chǎn)品的充電時間縮短了，仍可以在有限的充電時間內(nèi)達到充電率目標。并且在像素結(jié)構(gòu)存在不良吋，此亞像素還具有一定的電荷，能夠提聞畫面品質(zhì)。實施例四如圖4所示為本實施例的陣列基板的的像素結(jié)構(gòu)，從圖4可以看出，陣列基板上同一行亞像素中，相鄰亞像素的極性相反；陣列基板上同一列亞像素中，每隔兩個亞像素極性翻轉(zhuǎn)一次。對于圖4中間的亞像素P22來說，包括一與本行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接的充 電TFT47以及與充電TFT47相對應(yīng)的像素電極，其中，亞像素P22還包括一預(yù)充電TFT43以及與預(yù)充電TFT43相對應(yīng)的像素電極，預(yù)充電TFT43與上一行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接。由圖4可以看出，亞像素P13于亞像素P22的上一行，且與亞像素P22的極性相同，這樣當(dāng)亞像素P13與亞像素P22之間的掃描線輸入極性為正的電壓信號吋，TFT42可以為亞像素P13進行正常充電，同時TFT43可以為亞像素P22進行預(yù)充電。當(dāng)下ー幀信號到來，亞像素P22與亞像素P32之間的掃描線輸入極性為正的電壓信號吋，TFT47可以為亞像素P22進行正常充電，同時TFT49可以為亞像素P32進行預(yù)充電。當(dāng)下ー幀信號到來，TFT48為亞像素P32進行正常充電。這樣亞像素P22所具有的電荷包含有兩個部分，第一部分是由上一行亞像素充電過程中TFT43對其進行的預(yù)充電得到；第二部分是在此亞像素正常充電過程中TFT47進行正常充電得到，因此，雖然高頻產(chǎn)品的充電時間縮短了，仍可以在有限的充電時間內(nèi)達到充電率目標。并且在像素結(jié)構(gòu)存在不良時，使得亞像素還具有一定的電荷，能夠提聞畫面品質(zhì)。對于陣列基板中最左側(cè)的亞像素而言，比如P11，也可以為其設(shè)置預(yù)充電TFT，在有效顯示區(qū)域之外的Du_y (虛擬)像素進行充電時，利用設(shè)置的預(yù)充電TFT為其進行預(yù)充電。同理，當(dāng)亞像素P12與亞像素P22之間的掃描線輸入極性為負的電壓信號吋，TFT40可以為亞像素P12進行正常充電，同時TFT41可以為亞像素P21進行預(yù)充電。當(dāng)下一中貞信號到來，亞像素P21與亞像素P31之間的掃描線輸入極性為負的電壓信號時,TFT44可以為亞像素P21進行正常充電，同時TFT45可以為亞像素P31進行預(yù)充電。當(dāng)下ー幀信號到來，TFT46為亞像素P31進行正常充電。本發(fā)明中，對于預(yù)充電TFT而言，其溝道的W/L (寬長比)值的大小可以與正常充電用的TFT相同，也可以根據(jù)所需要預(yù)充電的大小而設(shè)計具有不同W/L值的TFT。本實施例中，預(yù)充電TFT溝道的W/L與正常充電用TFT溝道的W/L相等。本實施例的陣列基板中，預(yù)充電TFT用于在上一行亞像素對應(yīng)的掃描線輸入電壓信號時，為預(yù)充電TFT對應(yīng)的亞像素充電。通過本實施例的技術(shù)方案，雖然高頻產(chǎn)品的充電時間縮短了，仍可以在有限的充電時間內(nèi)達到充電率目標。并且在像素結(jié)構(gòu)存在不良吋，此亞像素還具有一定的電荷，能夠提聞畫面品質(zhì)。
除了上述實施例一至四外，對于其它反轉(zhuǎn)方式的像素結(jié)構(gòu)，只要是上下相鄰位置具有相同極性亞像素的陣列基板，均可以采用類似的結(jié)構(gòu)對亞像素進行預(yù)充電。本發(fā)明實施例的陣列基板可以采用常用的陣列基板的制作方法，通過多次構(gòu)圖エ藝制作而成。
本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。具體地，顯示裝置可以為液晶顯示裝置，例如液晶面板、液晶電視、手機、液晶顯示器等，其包括彩膜基板、以及上述實施例中的陣列基板；除了液晶顯示裝置，顯示裝置還可以是其他類型的顯示裝置，比如電子閱讀器等，其不包括彩膜基板，但是包括上述實施例中的陣列基板。本發(fā)明實施例還提供了 ー種電子器件，包括如上所述的顯示裝置。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，所述陣列基板上設(shè)置有多個排列成矩陣的亞像素、多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，相鄰兩行亞像素之間設(shè)有一條掃描線，每一行亞像素對應(yīng)一掃描線，每一亞像素包括一與本行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接的充電TFT以及與所述充電TFT相對應(yīng)的像素電極，其特征在于， 每一亞像素還包括一預(yù)充電TFT以及與所述預(yù)充電TFT相對應(yīng)的像素電極，所述預(yù)充電TFT與上一行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述預(yù)充電TFT用于在上一行亞像素對應(yīng)的掃描線輸入電壓信號時，為所述預(yù)充電TFT對應(yīng)的亞像素充電。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述預(yù)充電TFT溝道的寬長比等于所述充電TFT的溝道的寬長比。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述預(yù)充電TFT溝道的寬長比小于所述充電TFT的溝道的寬長比。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述預(yù)充電TFT溝道的寬長比為所述充電TFT的溝道的寬長比的1/2。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5中任一項所述的陣列基板。
7.一種電子器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求6所述的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示裝置、電子器件，屬于顯示領(lǐng)域。所述陣列基板上設(shè)置有多個排列成矩陣的亞像素、多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，相鄰兩行亞像素之間設(shè)有一條掃描線，每一行亞像素對應(yīng)一掃描線，每一亞像素包括一與本行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接的充電TFT以及與所述充電TFT相對應(yīng)的像素電極，其中，每一亞像素還包括一預(yù)充電TFT以及與所述預(yù)充電TFT相對應(yīng)的像素電極，所述預(yù)充電TFT與上一行亞像素對應(yīng)的掃描線電連接。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠在不影響顯示效果的情況下滿足亞像素的充電率要求。
文檔編號G02F1/1368GK102955313SQ20121046904
公開日2013年3月6日 申請日期2012年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月19日
發(fā)明者劉莎 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司