專利名稱：邊緣場(chǎng)開關(guān)模式液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及液晶顯示裝置，更具體地講，涉及邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)原理是基于液晶的光學(xué)各向異性和偏振。具有細(xì)長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的液晶表現(xiàn)出分子排列的方向性，因此可以通過人為地向液晶施加電場(chǎng)來控制它們分子取向的方向。因此，如果任意地控制液晶的分子排列方向，則液晶的分子排列可能改變，并且由于光學(xué)各向異性，光在液晶的分子排列方向上折射，以呈現(xiàn)圖像信息。目前，有源矩陣型液晶顯示裝置(AM-1XD;下文中，簡(jiǎn)稱為“液晶顯示裝置”)已經(jīng)由于它的分辨率和視頻實(shí)現(xiàn)能力而被廣泛使用，在該液晶顯示裝置中，薄膜晶體管和連接薄膜晶體管的像素電極被布置成矩陣形式。液晶顯示裝置可以包括濾色器基板(即，上基板)，其形成有公共電極；陣列基板(即，下基板)，其形成有像素電極；以及液晶，其填充在上基板和下基板之間，其中，通過沿著垂直方向施加在公共電極和像素電極之間的電場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)液晶，從而具有優(yōu)異的透射率和開口率。然而，通過沿著垂直方向施加的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶的缺點(diǎn)在于，提供了不充分視角特性。因此，新近已提出了用于克服上述缺點(diǎn)的利用面內(nèi)切換的液晶驅(qū)動(dòng)方法，并且利用面內(nèi)切換的液晶驅(qū)動(dòng)方法具有優(yōu)異的視角特性。這種面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置可以包括彼此面對(duì)的濾色器基板和陣列基板以及置于濾色器基板和陣列基板之間的液晶層。分別針對(duì)陣列基板上的透明絕緣基板上限定的多個(gè)像素，設(shè)置薄膜晶體管、公共電極和像素電極。此外，公共電極和像素電極被構(gòu)造成在同一基板上彼此平行地分開。另外，濾色器基板可以包括黑底，其處于與透明絕緣基板上的選通線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的部分；以及濾色器，其對(duì)應(yīng)于像素。此外，由公共電極和像素電極之間的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層。在這種情形下，公共電極和像素電極由透明電極形成，用于確保亮度。因此，已提出用于將亮度增強(qiáng)效應(yīng)最大化的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)技術(shù)。FFS技術(shù)允許以精確的方式控制液晶，從而得到高對(duì)比度而沒有色移。將參照?qǐng)D1至圖3描述根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的制造邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的方法。圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的示意性平面圖。圖2是示出圖1的“A”部分的放大平面圖，并且示意性示出在考慮粘結(jié)余量(bongdingmargin)的情況下用于覆蓋漏接觸孔部分的黑底(BM)。圖3是沿著圖1的II1-1II線的示意性剖視圖，并且示出邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板可以包括多條選通線13，其在透明絕緣基板11上沿著一個(gè)方向延伸，相互平行地分開；多條數(shù)據(jù)線21，其與選通線13交叉，在交叉的區(qū)域中限定像素區(qū)；薄膜晶體管(T)，其設(shè)置在選通線13和數(shù)據(jù)線21的交叉處，并且由沿著垂直方向從選通線13延伸的柵電極13a、柵絕緣層15、有源層17、源電極23和漏電極25制成；感光亞克力(photo aery I)層29，其形成在包括薄膜晶體管(T)的基板的正面上；公共電極33，其在感光亞克力層29上形成有大面積；鈍化層35，其形成在包括公共電極33的感光亞克力層29上，暴露出漏電極25 ；以及多個(gè)像素電極37，其形成在鈍化層35上，以電連接到漏電極25，如圖1至圖3中所示。在這種情形下，具有大面積的公共電極33位于 像素區(qū)的正面上，與選通線13和數(shù)據(jù)線21分開一定間隔。此外，多個(gè)桿形像素電極37位于公共電極33上，鈍化層35置于多個(gè)桿形像素電極37和公共電極33之間。在這種情形下，公共電極33和多個(gè)像素電極37由透明導(dǎo)電材料氧化銦錫(ITO)形成。另外，像素電極37通過感光亞克力層29上形成的漏接觸孔31電連接到漏電極25。此外，如圖2和圖3中所示，在濾色器基板41上沉積濾色器層45和黑底43，黑底43位于濾色器層45之間，用于阻擋光的透射，濾色器基板41與形成有公共電極33和多個(gè)像素電極37的絕緣基板11分開并與之粘結(jié)。在這種情形下，如圖1中所示，黑底43可以形成在濾色器基板41上，與包括選通線13和數(shù)據(jù)線21的漏接觸孔31相對(duì)應(yīng)的一部分。此外，如圖3中所示，液晶層51可以形成在彼此粘結(jié)的濾色器基板41和絕緣基板11之間。如上所述，在現(xiàn)有技術(shù)中，可使用感光亞克力層來減小寄生電容。然而，漏接觸孔31應(yīng)該被形成為將像素電極37和薄膜晶體管T的漏電極25連接到感光亞克力層，并且在形成漏接觸孔31期間，在漏接觸孔31的外周形成液晶向錯(cuò)區(qū)(liquid crystal disclination region)孑L 從而造成光泄露。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了防止由于漏接觸孔31外周形成液晶向錯(cuò)區(qū)而造成光泄露，應(yīng)該使用黑底43覆蓋漏接觸孔31的所有外周部分，因此，可以減少其開口區(qū)，即，可減小透射區(qū)的面積，從而降低了像素的透射率。具體地講，如圖2中所示，應(yīng)該用黑底43覆蓋包括漏接觸孔31的開口區(qū)的一部分，此時(shí)要考慮到讓粘結(jié)余量達(dá)到足以防止如圖2中所示的漏接觸孔31形成的液晶向錯(cuò)區(qū)所造成的光泄露的區(qū)域(Al)，因此，像素的透射區(qū)會(huì)減小所述區(qū)域那么多，從而一定程度地降低透射率。

發(fā)明內(nèi)容
提供本發(fā)明是為了改善以上問題，并且本發(fā)明的目的在于提供邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置及其制造方法，該液晶顯示裝置能夠使像素的開口區(qū)最大，而不用單獨(dú)形成接觸漏電極的漏接觸孔，從而增大了透射率。為了實(shí)現(xiàn)以上目的，提供了一種邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板，并且所述陣列基板可以包括選通線，其沿著一個(gè)方向形成在所述基板的表面上；數(shù)據(jù)線，其與所述選通線交叉從而限定像素區(qū)；薄膜晶體管，其形成在所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處；絕緣層，其具有開口部分，所述開口部分位于所述薄膜晶體管的上部，用于至少暴露出所述薄膜晶體管的柵極部分；像素電極，其形成在所述絕緣層的上部，并且直接連接到被暴露出的薄膜晶體管；鈍化層，其形成在包括所述像素電極的所述絕緣層的上部；以及多個(gè)公共電極，它們形成在所述鈍化層的上部并且相互分開。為了實(shí)現(xiàn)以上目的，提供了一種制造邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS) AH-1PS模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，并且所述方法可以包括以下步驟在所述基板的表面上，沿著一個(gè)方向形成選通線；在第一基板上形成數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)線與所述選通線交叉從而限定像素區(qū)，并且所述薄膜晶體管位于所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處；形成絕緣層，所述絕緣層具有開口部分，所述開口部分位于所述薄膜晶體管的上部，用于至少暴露出所述薄膜晶體管的柵極部分；形成像素電極，所述像素電極連接到位于所述絕緣層的上部的被暴露出的薄膜晶體管；以及在包括所述像素電極的所述絕緣層的上部形成鈍化層；以及在所述鈍化層的上部，形成相互分開的多個(gè)公共電極。為了實(shí)現(xiàn)以上目的，提供了一種邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板，并且所述陣列基板可以包括選通線，其沿著一個(gè)方向形成在所述基板的表面上；數(shù)據(jù)線，其與所述選通線交叉從而限定像素區(qū)；薄膜晶體管，其形成在所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處；絕緣層，其具有開口部分，所述開口部分位于所述薄膜晶體管的上部，用于暴露出所述薄膜晶體管的源電極和柵極部分；像素電極，其形成在所述絕緣層的上部，并且直接連接到被暴露出的薄膜晶體管；鈍化層，其形成在包括所述像素電極的所述絕緣層的上部；以及多個(gè)公共電極，它們形成在所述鈍化層的上部并且相互分開。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法可以具有以下效果。依照根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法，去除了現(xiàn)有技術(shù)中的被形成為將漏電極電連接到像素電極的漏接觸孔，并且在有機(jī)絕緣層上形成用于暴露出薄膜晶體管上部的開口部分，使得被暴露出的薄膜晶體管和像素電極以直接方式彼此電連接，因此在現(xiàn)有技術(shù)中用于形成漏接觸孔的區(qū)域(即，被黑底覆蓋的區(qū)域)可以用作開口區(qū)以去除現(xiàn)有技術(shù)中造成透射率降低的漏接觸孔形成部分，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比將透射率提高大約20%以上。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以原樣地使用現(xiàn)有技術(shù)中用于減小寄生電容的具有感光性的感光亞克力層，從而降低功耗。


附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且并入本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方式并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的示意性平面圖；圖2是示出圖1的“A”部分的放大平面圖，并且示意性示出在考慮粘結(jié)余量的情況下用于覆蓋漏接觸孔部分的黑底(BM)和漏接觸孔部分；
圖3是沿著圖1的II1-1II線的示意性剖視圖，并且示出邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置；圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的示意性平面圖；圖5是沿著圖4的V-V線的示意性剖視圖，并且示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的AH-1PS模式液晶顯示裝置；圖6A至圖60是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝剖視圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的示意性剖視圖；以及圖8A至圖80是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝剖視圖。
具體實(shí)施例方式下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法。圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的示意性平面圖。圖5作為沿著圖4的V-V線的剖視圖，是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的示意性剖視圖。如圖4和圖5中所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置可以包括選通線103，其沿著一個(gè)方向形成在絕緣基板101的表面上；數(shù)據(jù)線113a，其與選通線103交叉以限定像素區(qū)；薄膜晶體管(T)，其形成在選通線103和數(shù)據(jù)線113a的交叉處；有機(jī)絕緣層117，其具有位于薄膜晶體管(T)上部的開口部分121，用于暴露出薄膜晶體管(T);像素電極123a，其形成在有機(jī)絕緣層117的上部并且直接連接到被暴露出的薄膜晶體管(T);鈍化層127，其形成在包括像素電極123a的有機(jī)絕緣層117的上部；以及多個(gè)公共電極133a，其形成在鈍化層127的上部并且相互分開。在這種情形下，具有大面積的像素電極123a位于像素區(qū)的正面上，與選通線103和數(shù)據(jù)線113a分開一定間隔，并且多個(gè)透明桿形公共電極133a被設(shè)置成在像素電極123a上側(cè)(鈍化層127置于其間)相互以預(yù)定距離分開。此外，如圖5中所示，像素電極123a通過位于薄膜晶體管(T)上部的開口部分121以直接方式電連接到漏電極113c，而沒有單獨(dú)的漏接觸孔。在這種情形下，開口部分121被形成為暴露出薄膜晶體管(T)的溝道區(qū)(參照?qǐng)D6J中的附圖標(biāo)記109a)和漏電極113c的一部分。另一方面，在濾色器基板141上沉積紅色、綠色和藍(lán)色濾色器層145以及位于濾色器層145之間的用于阻擋光的透射的黑底143，濾色器基板141與形成有像素電極123a和多個(gè)公共電極133a的絕緣基板101分開并與之粘結(jié)。在這種情形下，如圖4和圖5中所示，在考慮到與絕緣基板101的粘結(jié)余量的情況下，被黑底143覆蓋的部分被覆蓋的面積會(huì)達(dá)到薄膜晶體管(T)上部的開口部分121那么大。在這種情形下，黑底143覆蓋薄膜晶體管(T)的上部，但是現(xiàn)有技術(shù)中的黑底43應(yīng)該覆蓋在從選通線13突出的漏電極25的上部形成的漏接觸孔區(qū)的上部以及如圖1中所示的薄膜晶體管(T)的上部，覆蓋區(qū)域達(dá)到區(qū)域(Al)，因此在現(xiàn)有技術(shù)中，開口區(qū)可能一定程度地減小。然而，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，如圖4中所示，去除了現(xiàn)有技術(shù)中的漏接觸孔形成區(qū)，因?yàn)楹诘?43只是僅僅覆蓋區(qū)域A2，使得被去除的漏接觸孔形成區(qū)的部分區(qū)域(A3)被作為開口區(qū)用于確保已被黑底143覆蓋的區(qū)域作為開口區(qū)，從而提高了像素的透射率。此外，如圖5中所示，用于相對(duì)于絕緣基板101保持單元間隙的柱狀間隔體147在紅色、綠色和藍(lán)色濾色器層145的上部突出，插入絕緣基板101上形成的薄膜晶體管(T)的上部形成的開口部分121中。另外，在彼此粘結(jié)的濾色器基板141和絕緣基板101之間形成液晶層151，以構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置。通過以上構(gòu)造，多個(gè)公共電極133a向每個(gè)像素供應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)液晶的基準(zhǔn)電壓，即，公共電壓。在每個(gè)像素區(qū)中，多個(gè)公共電極133a與具有大面積的像素電極123a重疊同時(shí)鈍化層127置于其間，以形成邊緣場(chǎng)。以此方式，如果數(shù)據(jù)信號(hào)通過薄膜晶體管(T)被供應(yīng)到像素電極123a，則被供應(yīng)有公共電壓的公共電極133a形成邊緣場(chǎng)，使得在絕緣基板101和濾色器基板141之間沿著水平方向取向的液晶分子由于介電各向異性而旋轉(zhuǎn)，因此穿過像素區(qū)的液晶分子的透光率根據(jù)旋轉(zhuǎn)角度而變化，從而實(shí)現(xiàn)灰度。因此，依照根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有以上構(gòu)造的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置，可以原樣地使用現(xiàn)有技術(shù)中用于減小寄生電容的具有感光性的感光亞克力層，從而降低功耗。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，去除了現(xiàn)有技術(shù)中的被形成為將漏電極電連接到像素電極的漏接觸孔，并且在有機(jī)絕緣層上形成用于暴露出薄膜晶體管上部的開口部分，使得被暴露出的薄膜晶體管和像素電極以直接方式彼此電連接，因此區(qū)域Al中的在現(xiàn)有技術(shù)中用于形成漏接觸孔的部分區(qū)域A3可以被用作開口區(qū)，以去除現(xiàn)有技術(shù)中造成透射率降低的漏接觸孔形成部分，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比將透射率提高大約20%以上。另一方面，以下將參照?qǐng)D6A至圖60描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造具有以上構(gòu)造的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法。圖6A至圖60是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝剖視圖。如圖6A中所示，在透明絕緣基板101上限定包括開關(guān)功能的多個(gè)像素區(qū)，并且通過濺射法，在透明絕緣基板101上沉積第一導(dǎo)電金屬層102。在這種情形下，可以使用從鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鑰(MO)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢化鑰(MoW)、鈦化鑰(MoTi)、鈦化銅/鑰(Cu/MoTi)組成的組中選擇的至少一種作為形成第一導(dǎo)電金屬層102的目標(biāo)材料。接著，在第一導(dǎo)電金屬層102的上部，沉積具有高透射率的光致抗蝕劑，以形成第一感光層105。
隨后,如圖6B中所不,使用曝光掩模,通過光刻處理技術(shù)在第一感光層105上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除第一感光層105，以形成第一感光圖案105a。接著，如圖6C中所示，通過使用第一感光圖案105a作為阻擋層，選擇性蝕刻第一導(dǎo)電金屬層102，以同時(shí)形成選通線103(參照?qǐng)D4)、從選通線103延伸的柵電極103a以及與選通線103分開且平行的公共線。另外，去除第一感光圖案105a，然后在包括柵電極103a的基板101的正面上，形成由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成的柵絕緣層107。接著，在柵絕緣層107上，順序地沉積非晶硅層(a-S1:H)109和含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或p+) 111。此時(shí)，使用化學(xué)汽相沉積(CVD)法沉積非晶硅層(a-S1:H) 109和含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或p+) 111。此時(shí)，可能在柵絕緣層107上形成的是氧化物類材料層如銦鎵鋅氧化物(IGZO)而不是非晶硅層(a-S1:H) 109，并且所述氧化物類材料層應(yīng)用于氧化物薄膜晶體管。隨后，使用濺射法，在包括含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或p+)lll的基板的正面上，沉 積第二導(dǎo)電層113。此時(shí)，第二導(dǎo)電層113可以是單層或多層，并且包括從鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鑰(Mo)、氧化銦錫(ITO)、Cu/ITO、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢化鑰(MoW)、鈦化鑰(MoTi)、鈦化銅/鑰(Cu/MoTi)組成的組中選擇的至少一種作為形成第二導(dǎo)電金屬層113的目標(biāo)材料。隨后，在第二導(dǎo)電層113的上部沉積具有高透射率的光致抗蝕劑，以形成第二感光層。接著，使用曝光掩模，通過光刻處理技術(shù)在第二感光層上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除第二感光層，以形成第二感光圖案115。隨后，如圖6E中所示，通過使用第二感光圖案115作為蝕刻掩模，對(duì)第二導(dǎo)電層113進(jìn)行選擇性濕法蝕刻，以限定源電極和漏電極形成區(qū)連同沿著垂直方向(或以垂直間隔)與選通線103交叉的數(shù)據(jù)線113a。接著，如圖6F中所示，通過干法蝕刻處理，順序地蝕刻導(dǎo)電層113中的與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的部分以及數(shù)據(jù)線113a下方的含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或p+)lll和非晶硅層(a-S1:H) 109，以形成歐姆接觸層Illa和有源層109a。此時(shí)，同時(shí)將導(dǎo)電層113中的與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的部分以及數(shù)據(jù)線113a下方的含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或p+) 111和非晶硅層(a-S1:H) 109圖案化，因此將不會(huì)出現(xiàn)有源層殘留(active tail)。隨后，去除第二感光圖案115，然后在包括有源層109a和歐姆接觸層Illa的基板的正面、導(dǎo)電層113中的與源電極和漏電極形成區(qū)相對(duì)應(yīng)的部分以及數(shù)據(jù)線113a上，沉積無機(jī)絕緣層或有機(jī)絕緣層117。此時(shí)，可以將感光亞克力材料或其它表現(xiàn)出感光性的感光有機(jī)絕緣材料用于有機(jī)絕緣層117。此外，因?yàn)楦泄鈦喛肆Ρ憩F(xiàn)出感光性，所以可以執(zhí)行曝光處理，而不用在曝光處理期間形成單獨(dú)的光致抗蝕劑。此外，可以將選自氮化硅(SiNx)和其它無機(jī)絕緣材料的任一種材料用于無機(jī)絕緣層。接著，如圖6G中所示，使用曝光掩模，通過光刻處理技術(shù)在有機(jī)絕緣層117上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除有機(jī)絕緣層117，以形成開口部分121，開口部分121用于暴露出與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層113的上部(或其一部分)。此時(shí)，開口部分121形成于薄膜晶體管(T)的一部分中，S卩，形成在源電極和漏電極形成區(qū)中。此夕卜，通過開口部分121暴露出歐姆接觸層Illa和有源層109a的側(cè)壁(包括與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層113的上部)以及柵絕緣層107的部分上表面。開口部分121暴露出柵電極103a上方的至少柵極部分的上部。隨后，如圖6H中所示，使用濺射法，在包括開口部分121的有機(jī)絕緣層117的上部上，沉積透明導(dǎo)電材料，以形成第一透明導(dǎo)電材料層123。此時(shí)，將選自包括氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料組的任一種復(fù)合目標(biāo)物用作透明導(dǎo)電材料。此外，使第一透明導(dǎo)電材料層123和與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層113的表面以及歐姆接觸層Illa和有源層109a的側(cè)壁直接接觸。接著，在第一透明導(dǎo)電材料層123的上部，沉積具有高透射率的光致抗蝕劑，以形
成第三感光層。隨后，使用曝光掩模，通過光刻處理技術(shù)在第三感光層上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除第三感光層，以形成第三感光圖案125。此時(shí)，第三感光圖案125暴露出與有源層109a的溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層中的用于形成源電極和漏電極的部分。接著，如圖61中所示，通過使用第三感光圖案125作為蝕刻掩模，選擇性蝕刻第一透明導(dǎo)電材料層123，以同時(shí)形成以直接方式電連接到漏電極113c的像素電極123a連同源電極113b和漏電極113c。此時(shí)，像素電極123a通過開口部分121直接接觸歐姆接觸層Illa和有源層109a的側(cè)壁連同漏電極113c。此外，在形成源電極113b和漏電極113c期間，還暴露出歐姆接觸層Illa的介于源電極113b和漏電極113c之間的部分。然后，在包括源電極113b的開口部分121的側(cè)壁上，形成空置(dummy)透明導(dǎo)電層圖案123b。因此，開口部分121暴露出源電極113b的一部分的上部、柵電極103a上方的柵極部分、與溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)的有源層109a、和漏電極113c。隨后，如圖6J中所示，選擇性蝕刻被暴露出的歐姆接觸層Illa的一部分，以暴露出有源層109a的溝道區(qū)。接著，如圖6K中所示，去除第三感光圖案125，然后在包括源電極113b、漏電極113c和像素電極123a的基板的正面上，沉積無機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料，以形成鈍化層127。隨后，如圖6L中所示，使用濺射法，在鈍化層127的上部，沉積透明導(dǎo)電材料，以形成第二透明導(dǎo)電材料層133。此時(shí)，將選自包括氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料組的任一種復(fù)合目標(biāo)物用于第二透明導(dǎo)電材料133。接著，在第二透明導(dǎo)電材料層133的上部上，沉積具有高透射率的光致抗蝕劑，以形成第四感光層135。隨后，如圖6M中所示，使用曝光掩模，通過光刻處理技術(shù)在第四感光層135上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除第四感光層135，以形成第四感光圖案135a。接著，如圖6N中所示，通過使用第四感光圖案135a作為蝕刻掩模，選擇性蝕刻第二透明導(dǎo)電材料層133，以形成相互分開同時(shí)與像素電極123a重疊的多個(gè)公共電極133a。接著，去除剩余的第四感光圖案135a，完成制造根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板的處理。然后，如圖60中所示，在濾色器基板141上形成黑底層143，黑底層143用于阻擋光進(jìn)入除了像素區(qū)之外的區(qū)域。在這種情形下，黑底143覆蓋薄膜晶體管(T)的上部，但是現(xiàn)有技術(shù)中的黑底43應(yīng)覆蓋從選通線13突出的漏電極25的上部形成的漏接觸孔區(qū)的上部以及如圖1中所示的薄膜晶體管(T)的上部，覆蓋區(qū)域達(dá)到區(qū)域(Al)，因此在現(xiàn)有技術(shù)中，開口區(qū)會(huì)在一定程度上減小。然而，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，去除了現(xiàn)有技術(shù)中的漏接觸孔形成區(qū)，因?yàn)楹诘?43只是僅僅覆蓋區(qū)域A2，使得被去除的漏接觸孔形成區(qū)的部分區(qū)域(A3)被用作開口區(qū)以確保已被黑底143覆蓋的區(qū)域作為開口區(qū)，從而提高了像素的透射率。接著，在包括黑底層143的濾色器基板141上，形成紅色、綠色和藍(lán)色濾色器層145。隨后，在濾色器層145的上部形成柱狀間隔體147，以完成制造濾色器陣列基板的處理，柱狀間隔體147用于保持彼此粘結(jié)的濾色器基板141和絕緣基板101之間的單元間隙。此時(shí)，可以額外地執(zhí)行在濾色器層145的表面上形成取向?qū)拥奶幚?。此外，在濾色器基板141和絕緣基板101彼此粘結(jié)的情形下，柱狀間隔體147插入絕緣基板101上形成的開口部分121中，以防止絕緣基板101在水平方向上松動(dòng)，因此正確地執(zhí)行了粘結(jié)而沒有出現(xiàn)任何扭曲。換句話講，開口部分121起到了固定柱狀間隔體147的作用。隨后，執(zhí)行在濾色器基板141和絕緣基板101之間形成液晶層151的處理，以完成制造根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的處理。另一方面，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的示意性剖視圖。如圖7中所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置可以包括選通線(參照?qǐng)D4中的附圖標(biāo)記103)，其沿著一個(gè)方向形成在絕緣基板201的表面上；數(shù)據(jù)線213a，其與選通線交叉以限定像素區(qū)；薄膜晶體管(T)，其形成在選通線和數(shù)據(jù)線213a的交叉處；有機(jī)絕緣層217，其具有位于薄膜晶體管(T)上部的開口部分221，用于暴露出薄膜晶體管(T);像素電極223a，其形成在有機(jī)絕緣層217的上部并且直接連接到被暴露出的薄膜晶體管(T);鈍化層227，其形成在包括像素電極223a的有機(jī)絕緣層217的上部；以及多個(gè)公共電極233a，其形成在鈍化層227的上部并且相互分開。在這種情形下，具有大面積的像素電極223a位于像素區(qū)的正面上，與選通線和數(shù)據(jù)線213a分開一定間隔，并且多個(gè)透明桿形公共電極233a被設(shè)置成在像素電極223a上側(cè)(鈍化層227置于其間)相互以預(yù)定距離分開。此外，如圖7中所示，像素電極223a通過位于薄膜晶體管(T)上部的開口部分221以直接方式電連接到漏電極213c，而沒有單獨(dú)的漏接觸孔。在這種情形下，開口部分221被形成為暴露薄膜晶體管(T)的溝道區(qū)(參照?qǐng)D8J中的附圖標(biāo)記20%)和漏電極213c的一部分。另一方面，在濾色器基板241上沉積紅色、綠色和藍(lán)色濾色器層245以及位于濾色器層245之間的用于阻擋光的透射的黑底(BM) 243，濾色器基板241與形成有像素電極223a和多個(gè)公共電極233a的絕緣基板201分開并與之粘結(jié)。在這種情形下，在考慮到與絕緣基板201的粘結(jié)余量的情況下，被黑底243覆蓋的部分被覆蓋的面積會(huì)達(dá)到薄膜晶體管(T)上部的開口部分221那么大。
在這種情形下，黑底243覆蓋薄膜晶體管(T)的上部，但是現(xiàn)有技術(shù)中的黑底43應(yīng)該覆蓋在從選通線突出的漏電極的上部形成的漏接觸孔區(qū)的上部以及如圖1中所示的薄膜晶體管(T)的上部，覆蓋區(qū)域達(dá)到區(qū)域(Al)，因此在現(xiàn)有技術(shù)中，開口區(qū)可能一定程度地減小。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，如圖4中所示，去除了現(xiàn)有技術(shù)中的漏接觸孔形成區(qū)，被去除的漏接觸孔形成區(qū)的部分區(qū)域A3被用作開口區(qū)，以確保已被黑底243覆蓋的區(qū)域作為開口區(qū)，從而提高了像素的透射率。此外，如圖7中所示，用于相對(duì)于絕緣基板201保持單元間隙的柱狀間隔體247在紅色、綠色和藍(lán)色濾色器層245的上部突出，插入絕緣基板201上形成的薄膜晶體管(T)的上部形成的開口部分221中。另外，在彼此粘結(jié)的濾色器基板241和絕緣基板201之間形成液晶層251，以構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置。通過以上構(gòu)造，多個(gè)公共電極233a向每個(gè)像素供應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)液晶的基準(zhǔn)電壓，即，公共電壓。在每個(gè)像素區(qū)中，多個(gè)公共電極233a與具有大面積的像素電極223a重疊同時(shí)鈍化層227置于其間，以形成邊緣場(chǎng)。以此方式，如果數(shù)據(jù)信號(hào)通過薄膜晶體管(T)被供應(yīng)到像素電極223a，則被供應(yīng)有公共電壓的公共電極233a形成邊緣場(chǎng)，使得在絕緣基板201和濾色器基板241之間沿著水平方向取向的液晶分子由于介電各向異性而旋轉(zhuǎn)，因此穿過像素區(qū)的液晶分子的透光率根據(jù)旋轉(zhuǎn)角度而變化，從而實(shí)現(xiàn)灰度。因此，依照根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有以上構(gòu)造的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置，可以原樣地使用現(xiàn)有技術(shù)中用于減小寄生電容的具有感光性的感光亞克力層，從而降低功耗。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，去除了現(xiàn)有技術(shù)中的被形成為將漏電極電連接到像素電極的漏接觸孔，并且在有機(jī)絕緣層上形成用于暴露出薄膜晶體管上部的開口部分，使得被暴露出的薄膜晶體管和像素電極以直接方式彼此電連接，因此區(qū)域Al中的在現(xiàn)有技術(shù)中用于形成漏接觸孔的部分區(qū)域A3可以被用作開口區(qū)，以去除現(xiàn)有技術(shù)中造成透射率降低的漏接觸孔形成部分，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比將透射率提高大約20%以上。另一方面，以下將參照?qǐng)D8A至圖80描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的構(gòu)造具有以上構(gòu)造的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法。圖8A至圖80是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝剖視圖。如圖8A中所示，在透明絕緣基板201上限定包括開關(guān)功能的多個(gè)像素區(qū)，并且通過濺射法，在透明絕緣基板201上沉積第一導(dǎo)電金屬層203。在這種情形下，可以使用從鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢化鑰(MoW)、鈦化鑰(MoTi)、鈦化銅/鑰(Cu/MoTi)組成的組中選擇的至少一種作為形成第一導(dǎo)電金屬層203的目標(biāo)材料。接著，在第一導(dǎo)電金屬層203的上部沉積具有高透射率的光致抗蝕劑，以形成第一感光層205。隨后,如圖8B中所不,使用曝光掩模,通過光刻處理技術(shù)在第一感光層205上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除第一感光層205，以形成第一感光圖案205a。接著，如圖SC中所示，通過使用第一感光圖案205a作為阻擋層，選擇性蝕刻第一導(dǎo)電金屬層203，以同時(shí)形成選通線103 (參照?qǐng)D4中的附圖標(biāo)記103)、從選通線延伸的柵電極203a以及與選通線分開且平行的公共線。隨后，去除第一感光圖案205a，然后在包括柵電極203a的基板的正面上，形成由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成的柵絕緣層207。接著，如圖8D中所示，在柵絕緣層207上，順序地沉積非晶硅層(a_S1:H)209和含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或p+)211。此時(shí)，使用化學(xué)汽相沉積(CVD)法沉積非晶硅層(a-S1:H)209和含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或p+) 211。此時(shí)，可能在柵絕緣層207上形成的是氧化物類材料層如銦鎵鋅氧化物(IGZO)而不是非晶硅層(a-S1:H) 209，并且所述氧化物類材料層 應(yīng)用于氧化物薄膜晶體管。隨后，使用濺射法，在包括含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或p+) 211的基板201的正面上，沉積第二導(dǎo)電層213。此時(shí)，從鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢化鑰(MoW)、鈦化鑰(MoTi)、鈦化銅/鑰(Cu/MoTi)組成的組中選擇的至少一種可用于形成第二導(dǎo)電金屬層213的目標(biāo)材料。隨后，在第二導(dǎo)電層213的上部沉積具有高透射率的光致抗蝕劑，以形成第二感光層。接著，使用曝光掩模，通過光刻處理技術(shù)在第二感光層上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除第二感光層，以形成第二感光圖案215。隨后，如圖SE中所示，通過使用第二感光圖案215作為蝕刻掩模，對(duì)第二導(dǎo)電層213進(jìn)行選擇性濕法蝕刻，以限定源電極和漏電極形成區(qū)連同沿著垂直方向(或以垂直間隔)與選通線203交叉的數(shù)據(jù)線213a。接著，如圖8F中所示，通過干法蝕刻處理，順序地蝕刻導(dǎo)電層213中的與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的部分以及數(shù)據(jù)線213a下方的含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或p+)211和非晶硅層(a-S1:H) 209，以形成歐姆接觸層211a和有源層209a。此時(shí)，同時(shí)將導(dǎo)電層213中的與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的部分以及數(shù)據(jù)線213a下方的含有雜質(zhì)的非晶硅層(n+或？+)211和非晶硅層(&-51:10 209圖案化，因此將不會(huì)出現(xiàn)有源層殘留。隨后，去除第二感光圖案215，然后在包括有源層209a和歐姆接觸層211a的基板的正面、導(dǎo)電層213中的與源電極和漏電極形成區(qū)相對(duì)應(yīng)的部分以及數(shù)據(jù)線213a上，沉積無機(jī)絕緣層或有機(jī)絕緣層217。此時(shí)，可以將感光亞克力材料或其它表現(xiàn)出感光性的感光有機(jī)絕緣材料用于有機(jī)絕緣層217。此外，因?yàn)楦泄鈦喛肆Ρ憩F(xiàn)出感光性，所以可以執(zhí)行曝光處理，而不用在曝光處理期間形成單獨(dú)的光致抗蝕劑。此外，可以將選自氮化硅(SiNx)和其它無機(jī)絕緣材料的任一種用于無機(jī)絕緣層。接著，如圖SG中所示，使用曝光掩模，通過光刻處理技術(shù)在有機(jī)絕緣層217上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除有機(jī)絕緣層217，以形成開口部分221，開口部分221用于暴露出與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層213的上部(或其一部分)。此時(shí)，開口部分221形成在薄膜晶體管(T)的一部分中，S卩，形成在源電極和漏電極形成區(qū)中。此夕卜，通過開口部分221暴露歐姆接觸層211a和有源層209a的側(cè)壁(包括與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層213的上部)以及柵絕緣層207的部分上表面。
隨后，如圖8H中所示，使用濺射法，在包括開口部分221的有機(jī)絕緣層217的上部上，沉積透明導(dǎo)電材料，以形成第一透明導(dǎo)電材料層223。此時(shí)，將選自包括氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料組的任一種復(fù)合目標(biāo)物用作透明導(dǎo)電材料。此外，使第一透明導(dǎo)電材料層223和與源電極和漏電極形成區(qū)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層213的表面以及歐姆接觸層211a和有源層209a的側(cè)壁直接接觸。接著，在第一透明導(dǎo)電材料層223的上部上，沉積具有高透射率的光致抗蝕劑，以形成第三感光層。隨后，使用曝光掩模，通過光刻處理技術(shù)在第三感光層上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除第三感光層，以形成第三感光圖案225。此時(shí)，第三感光圖案225暴露出第一透明導(dǎo)電材料層223中除了像素電極形成區(qū)之外的所有部分。接著，如圖81中所示，通過使用第三感光圖案225作為蝕刻掩模，選擇性蝕刻第一透明導(dǎo)電材料層223和第二導(dǎo)電層213的下部，以同時(shí)形成以直接方式電連接到漏電極213c的像素電極223a連同源電極213b和漏電極213c。此時(shí)，像素電極223a通過開口部分221直接接觸歐姆接觸層211a和有源層209a的側(cè)壁連同漏電極213c。此外，在形成源電極213b和漏電極213c期間，還暴露出歐姆接觸層211a的介于源電極213b和漏電極213c之間的部分。然后，還通過蝕刻處理，去除源電極213b的上部和在與源電極213b對(duì)應(yīng)的有機(jī)絕緣層217上覆蓋的透明導(dǎo)電層223的一部分。因此，開口部分221暴露出柵電極203a上方的柵極部分的上部、與溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)的有源層209a和漏電極213c。隨后，如圖8J中所示，通過干法蝕刻處理，選擇性蝕刻被暴露出的歐姆接觸層211a的一部分，以暴露出歐姆接觸層211a下部的有源層209a的溝道區(qū)209b。接著，如圖8K中所示，去除第三感光圖案225，然后在包括源電極213b、漏電極213c和像素電極223a的基板的正面上，沉積無機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料，以形成鈍化層227。隨后，如圖8L中所示，使用濺射法，在鈍化層227的上部上，沉積透明導(dǎo)電材料，以形成第二透明導(dǎo)電材料層233。此時(shí)，將選自包括氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料組的任一種復(fù)合目標(biāo)物用于第二透明導(dǎo)電材料233。接著，在第二透明導(dǎo)電材料層233的上部上，沉積具有高透射率的光致抗蝕劑，以形成第四感光層235。隨后，如圖SM中所示，使用曝光掩模，通過光刻處理技術(shù)在第四感光層235上執(zhí)行曝光處理，然后通過顯影處理選擇性去除第四感光層235，以形成第四感光圖案235a。接著，如圖SN中所示，通過使用第四感光圖案235a作為蝕刻掩模，選擇性蝕刻第二透明導(dǎo)電材料層233，以形成相互分開同時(shí)與像素電極223a重疊的多個(gè)公共電極233a。接著，去除剩余的第四感光圖案235a，完成制造根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的AH-1PS模式液晶顯示裝置的陣列基板的處理。然后，如圖80中所示，在濾色器基板241上形成黑底層243，黑底層243用于阻擋光進(jìn)入除了像素區(qū)之外的區(qū)域。在這種情形下，黑底243覆蓋薄膜晶體管(T)的上部，但是現(xiàn)有技術(shù)中的黑底43應(yīng)覆蓋從選通線13突出的漏電極25的上部形成的漏接觸孔區(qū)的上部以及如圖1中所示的薄膜晶體管(T)的上部，覆蓋區(qū)域達(dá)到區(qū)域Al，因此在現(xiàn)有技術(shù)中，開口區(qū)會(huì)在一定程度上減小。然而，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，去除了現(xiàn)有技術(shù)中的漏接觸孔形成區(qū)，因?yàn)楹诘?43只是僅僅覆蓋區(qū)域A2，使得被去除的漏接觸孔形成區(qū)的部分區(qū)域A3被作為開口區(qū)用于確保已被黑底243覆蓋的區(qū)域作為開口區(qū)，從而提高了像素的透射率。接著，在包括黑底層243的濾色器基板241上，形成紅色、綠色和藍(lán)色濾色器層245。隨后，在濾色器層245的上部形成柱狀間隔體247，以完成制造濾色器陣列基板的處理，柱狀間隔體247用于保持彼此粘結(jié)的濾色器基板241和絕緣基板201之間的單元間隙。此時(shí)，可以額外地執(zhí)行在濾色器層245的表面上形成取向?qū)拥奶幚?。此外，在濾色器基板241和絕緣基板201彼此粘結(jié)的情形下，柱狀間隔體247插入絕緣基板201上形成的開口部分221中，以防止絕緣基板201在水平方向上松動(dòng)，因此正確地執(zhí)行了粘結(jié)而沒有出現(xiàn)任何扭曲。換句話講，開口部分221起到了固定柱狀間隔體247的作用。隨后，執(zhí)行在濾色器基板241和絕緣基板201之間形成液晶層251的處理，以完成制造根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的AH-1PS模式液晶顯示裝置的處理。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置及其構(gòu)造方法可應(yīng)用于在TFT (COT)結(jié)構(gòu)上具有濾色器的液晶顯示裝置。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，去除了現(xiàn)有技術(shù)中被形成為將漏電極電連接到像素電極的漏接觸孔，并且在有機(jī)絕緣層上形成用于暴露出薄膜晶體管上部的開口部分，使得被暴露出的薄膜晶體管和像素電極以直接方式彼此電連接，因此區(qū)域Al中的在現(xiàn)有技術(shù)中用于形成漏接觸孔的部分區(qū)域A3可以用作開口區(qū)，以去除現(xiàn)有技術(shù)中造成透射率降低的漏接觸孔形成部分，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比將透射率提高大約20%以上。此外，依照根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法，可以原樣地使用現(xiàn)有技術(shù)中用于減小寄生電容的具有感光性的感光亞克力層，從而降低功耗。雖然已詳細(xì)描述了本發(fā)明的示例實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以形成其各種修改形式和其它等效實(shí)施方式。因此，本發(fā)明的范圍不限于實(shí)施方式，本領(lǐng)域的技術(shù)人員使用所附權(quán)利要求書中定義的本發(fā)明的基本構(gòu)思對(duì)其進(jìn)行的各種修改和改進(jìn)將落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括基板；選通線，其沿著一個(gè)方向形成在所述基板的表面上；數(shù)據(jù)線，其形成在所述第一基板上，并且與所述選通線交叉從而限定像素區(qū)；薄膜晶體管，其形成在所述基板上，并且形成在所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處； 絕緣層，其具有開口部分，所述開口部分位于所述薄膜晶體管的上部，用于至少暴露出所述薄膜晶體管的柵極部分；像素電極，其形成在所述絕緣層的上部，并且連接到被暴露出的薄膜晶體管；鈍化層，其形成在包括所述像素電極的所述絕緣層的上部；以及多個(gè)公共電極，它們形成在所述鈍化層的上部并且相互分開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述開口部分暴露出構(gòu)成所述薄膜晶體管的源電極、柵極部分、與溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)的有源層、和漏電極的上部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述開口部分完全暴露出所述漏電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述源電極和所述漏電極是ITO形成的單層或銅和ITO形成的多層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置還包括形成在所述開口部分的側(cè)壁上并位于所述源電極上的空置透明導(dǎo)電層圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述像素電極直接接觸所述漏電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，以具有導(dǎo)電金屬層的單層結(jié)構(gòu)或具有導(dǎo)電金屬層和透明導(dǎo)電層的雙層結(jié)構(gòu)形成源電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，以從包括具有感光性的感光亞克力層的有機(jī)絕緣材料和包括氮化娃層的無機(jī)絕緣材料中選擇的任一種材料形成所述絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置還包括液晶層，其形成在所述基板和另一個(gè)基板之間，黑底、濾色器層和柱狀間隔體形成在所述另一個(gè)基板上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其中，所述柱狀間隔體位于所述開口部分內(nèi)，插入所述開口部分中。
11.一種制造液晶顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟提供基板；在所述基板的表面上，沿著一個(gè)方向形成選通線；在所述基板上形成數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)線與所述選通線交叉從而限定像素區(qū)，并且所述薄膜晶體管位于所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處；形成絕緣層，所述絕緣層具有開口部分，所述開口部分位于所述薄膜晶體管的上部，用于至少暴露出所述薄膜晶體管的柵極部分；形成像素電極，所述像素電極通過所述絕緣層的上部的所述開口部分連接到被暴露出的薄膜晶體管；在包括所述像素電極的所述絕緣層的上部，形成鈍化層；以及在所述鈍化層的上部，形成相互分開的多個(gè)公共電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，該方法還包括以下步驟在第二基板上，形成黑底、濾色器層和柱狀間隔體；以及在所述第一基板和所述第二基板之間設(shè)置液晶層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述開口部分暴露出構(gòu)成所述薄膜晶體管的源電極和漏電極的上部、歐姆接觸層和有源層的側(cè)壁、以及與溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)的歐姆接觸層的上部。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述像素電極直接接觸歐姆接觸層和有源層的側(cè)壁連同漏電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，源電極和漏電極是ITO形成的單層或銅和ITO 形成的多層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，以從包括具有感光性的感光亞克力層的有機(jī)絕緣材料和包括氮化娃層的無機(jī)絕緣材料中選擇的任一種材料形成所述絕緣層。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述柱狀間隔體位于所述開口部分內(nèi)，插入所述開口部分中。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在形成所述像素電極的過程中，連同所述像素電極一起同時(shí)形成空置圖案。
19.一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括基板；選通線，其沿著一個(gè)方向形成在所述基板的表面上；數(shù)據(jù)線，其形成在所述第一基板上，并且與所述選通線交叉從而限定像素區(qū)；薄膜晶體管，其形成在所述基板上，并且形成在所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處； 絕緣層，其具有開口部分，所述開口部分位于所述薄膜晶體管的上部，用于暴露出所述薄膜晶體管的源電極和柵極部分；像素電極，其形成在所述絕緣層的上部，并且連接到被暴露出的薄膜晶體管；鈍化層，其形成在包括所述像素電極的所述絕緣層的上部；以及多個(gè)公共電極，它們形成在所述鈍化層的上部并且相互分開。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其中，所述開口部分還暴露出與溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)的有源層的上部、以及構(gòu)成所述薄膜晶體管的漏電極。
全文摘要
本發(fā)明討論了邊緣場(chǎng)開關(guān)模式液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法，由此該裝置包括選通線，其沿著一個(gè)方向形成在第一基板的表面上；數(shù)據(jù)線，其形成在所述第一基板上，并且與所述選通線交叉從而限定像素區(qū)；薄膜晶體管，其形成在第一基板上，并且形成在所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處；絕緣層，其具有開口部分，所述開口部分位于所述薄膜晶體管的上部，用于至少暴露出所述薄膜晶體管的柵極部分；像素電極，其形成在所述絕緣層的上部，并且連接到被暴露出的薄膜晶體管；鈍化層，其形成在所述絕緣層的上部；以及多個(gè)公共電極，它們形成在所述鈍化層的上部并且相互分開。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102998863SQ20121033003
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月9日
發(fā)明者崔昇圭, 李仙花, 申東秀, 李哲煥, 樸原根 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司