專(zhuān)利名稱(chēng)：光模塊及其光模塊芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光纖通信技木，尤其涉及一種光模塊及其光模塊芯片。
背景技術(shù)：
目前的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)以及國(guó)際市場(chǎng)，高帶寬、高速率和多種業(yè)務(wù)融合的光纖通信方向已經(jīng)開(kāi)始應(yīng)用；在眾多的解決方案中，光纖到戶(hù)(FTTH)的出現(xiàn)便被認(rèn)為是寬帶接入的終極解決方案。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)已經(jīng)大面積應(yīng)用。而在FTTH眾多方案中，其中PON (無(wú)源光網(wǎng)絡(luò))又備受關(guān)注，成為了目前主流的光接入方式。目前PON的網(wǎng)絡(luò)鋪設(shè)越來(lái)越多。光模塊作為PON網(wǎng)絡(luò)的核心部件，其價(jià)格壓力也日益増大。目前，現(xiàn)有技術(shù)的光模塊中通常包括激光發(fā)射単元和激光接收單元，激光接收·單元包括ROSA (Receiver Optical Subassembly,光接收組件)和限幅放大電路,激光接收單元包括TOSA及其激光驅(qū)動(dòng)電路；或者光模塊中包括BOSA (Bidirectional OpticalSubassembly,雙向光組件)，BOSA可以進(jìn)行激光發(fā)射和接收。ROSA、或者BOSA中通常包括有光電ニ極管和TIA。所述光電ニ極管具體可以是應(yīng)用于GPON網(wǎng)絡(luò)的光模塊中的APD (Avalanche Photo Diode，雪崩光電ニ極管)，也可以是應(yīng)用于EPON網(wǎng)絡(luò)的光模塊中的PIN光電ニ極管(在P、N結(jié)之間加進(jìn)ー個(gè)接近本征材料的I區(qū)，形成PIN結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體光電探測(cè)器)。光電ニ極管探測(cè)到光信號(hào)后會(huì)輸出相應(yīng)的響應(yīng)電流Ipd,TIA (Tranimpedance Amplifier,跨阻放大器)將輸出相應(yīng)的差分電信號(hào)；該差分信號(hào)被送到限幅放大器，限幅放大器輸出相應(yīng)的電信號(hào)。T0SA、或者BOSA中通常包括有激光發(fā)射光源，激光發(fā)射光源的激光驅(qū)動(dòng)電路接收到電信號(hào)后，根據(jù)接收的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)激光發(fā)射光源發(fā)射特定波長(zhǎng)的激光。此外，目前的光模塊普遍具有數(shù)字診斷功能，行業(yè)內(nèi)方案大多采用發(fā)射和接收ー體的芯片，另外配合ー個(gè)通用單片機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)字診斷功能；而且，光模塊中還需要具有ー個(gè)為光電ニ極管(APD)升壓的芯片用于控制光電ニ極管(APD)兩端電壓，以及監(jiān)控光電ニ極管(APD)電流的電路。如果要滿(mǎn)足光模塊的應(yīng)用，單片機(jī)最低也要8位以上、帶高精度AD和DA、帶內(nèi)部溫度傳感器等等。目前市面要滿(mǎn)足以上要求的單片機(jī)選型范圍較小，價(jià)格居高不下，占據(jù)了光?？煨酒桨赋杀镜?0%至50%。因此，現(xiàn)有技術(shù)的光模塊成本較高，有降低成本的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供了 ー種光模塊及其光模塊芯片，用以降低光模塊成本。根據(jù)本發(fā)明的ー個(gè)方面，提供了ー種光模塊，包括光模塊芯片、激光發(fā)射光源、光電ニ極管和跨阻放大器TIA ；其中，所述光模塊芯片中集成了微控器、激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路；所述微控器通過(guò)內(nèi)部總線與所述激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路通信，用以控制所述激光驅(qū)動(dòng)電路和限幅放大電路；所述光電ニ極管和TIA相連，所述TIA的電信號(hào)輸出端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳與所述限幅放大電路的電信號(hào)輸入端相連，所述限幅放大電路對(duì)其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)進(jìn)行限幅放大，限幅放大后的電信號(hào)從所述限幅放大電路的電信號(hào)輸出端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳輸出；所述激光驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳與所述激光發(fā)射光源相連，所述激光驅(qū)動(dòng)電路的電信號(hào)輸入端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳接收到電信號(hào)，根據(jù)從其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)激光發(fā)射光源發(fā)射激光。進(jìn)ー步，所述光模塊還包括光電ニ極管電壓控制電路；以及，所述光模塊芯片中還集成了 PWM輸出控制電路，所述微控器通過(guò)內(nèi)部總線與所述PWM輸出控制電路通信；以及，所述微控器中內(nèi)置了 ADC器件；所述光電ニ極管電壓控制電路中包括FET管、電阻R1-R5、ニ極管D1、電容Cl ； 其中,Cl與連接于R3的一端與光電ニ極管的陽(yáng)極之間,R3的另一端與所述光電ニ極管的陰極相連；Rl與R2串聯(lián)，R1、R2的串聯(lián)電路與Cl并聯(lián)；Dl的陰極與Cl和R3的連接點(diǎn)相連；R4跨接于FET管的柵極與漏極之間，F(xiàn)ET管的源極通過(guò)R5與電源相連，且FET管的源極與Dl的陽(yáng)極相連；所述微控器的一個(gè)電壓輸入端連接到Rl與R2的連接點(diǎn)，通過(guò)其ADC器件檢測(cè)Rl或R2的分壓；所述微控器根據(jù)其檢測(cè)的電壓輸入端上的電壓，通過(guò)內(nèi)部總線控制所述PWM輸出控制電路輸出相應(yīng)占空比的PWM波，該P(yáng)WM波通過(guò)所述PWM輸出控制電路的PWM輸出端輸出到FET管的柵極。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)方面，還提供了一種光模塊芯片，包括微控器、激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路；其中，所述微控器通過(guò)內(nèi)部總線與所述激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路通信，用以控制所述激光驅(qū)動(dòng)電路和限幅放大電路；所述限幅放大電路的電信號(hào)輸入端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳與TIA的電信號(hào)輸出端相連；其中，所述TIA與光電ニ極管相連，所述光電ニ極管用以探測(cè)激光并產(chǎn)生相應(yīng)電流；所述限幅放大電路對(duì)其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)進(jìn)行限幅放大，限幅放大后的電信號(hào)從所述限幅放大電路的電信號(hào)輸出端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳輸出；所述激光驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳與激光發(fā)射光源相連，所述激光驅(qū)動(dòng)電路的電信號(hào)輸入端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳接收到電信號(hào)，根據(jù)從其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)激光發(fā)射光源發(fā)射激光。進(jìn)一歩，所述芯片還包括PWM輸出控制電路，所述微控器通過(guò)內(nèi)部總線與所述PWM輸出控制電路通信；以及，所述微控器中內(nèi)置了 ADC器件；所述微控器的一個(gè)電壓輸入端與光電ニ極管電壓控制電路相連；其中，所述光電ニ極管電壓控制電路包括FET管、電阻R1-R5、ニ極管Dl、電容Cl ；
其中，Cl與連接于R3的一端與光電ニ極管的陽(yáng)極之間，R3的另一端與所述光電ニ極管的陰極相連；Rl與R2串聯(lián)，R1、R2的串聯(lián)電路與Cl并聯(lián)；Dl的陰極與Cl和R3的連接點(diǎn)相連；R4跨接于FET管的柵極與漏極之間，F(xiàn)ET管的源極通過(guò)R5與電源相連，且FET管的源極與Dl的陽(yáng)極相連；所述微控器的一個(gè)電壓輸入端具體連接到Rl與R2的連接點(diǎn)，通過(guò)其ADC器件檢測(cè)Rl或R2的分壓；所述微控器根據(jù)其檢測(cè)的電壓輸入端上的電壓，通過(guò)內(nèi)部總線控制所述PWM輸出控制電路輸出相應(yīng)占空比的PWM波，該P(yáng)WM波通過(guò)所述PWM輸出控制電路的PWM輸出端輸 出到FET管的柵極。本發(fā)明實(shí)施例提供的光模塊由于將光模塊中通常比不可少的電路，如激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路、PWM輸出控制電路和微控制器集成到該光模塊芯片中，從而減少光模塊中的芯片和元件的數(shù)量,大大降低了光模塊的成本；而且，由于集成度高,還可大大節(jié)約光模塊的電路空間，減少電路間的干擾。進(jìn)一歩，實(shí)施例提供的光模塊還對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中控制光電ニ極管的升壓的電路進(jìn)行了改進(jìn)，一部分集成到光模塊芯片中，另一部分控制電路在光模塊芯片外，可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)節(jié)阻值、電容值等。


圖la、lb為本發(fā)明實(shí)施例的光模塊內(nèi)部電路示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的光電ニ極管電壓控制電路圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的電流鏡像電路圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉出優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明。然而，需要說(shuō)明的是，說(shuō)明書(shū)中列出的許多細(xì)節(jié)僅僅是為了使讀者對(duì)本發(fā)明的ー個(gè)或多個(gè)方面有一個(gè)透徹的理解，即便沒(méi)有這些特定的細(xì)節(jié)也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些方面。本申請(qǐng)使用的“模塊”、“系統(tǒng)”等術(shù)語(yǔ)g在包括與計(jì)算機(jī)相關(guān)的實(shí)體，例如但不限于硬件、固件、軟硬件組合、軟件或者執(zhí)行中的軟件。例如，模塊可以是，但并不僅限干處理器上運(yùn)行的進(jìn)程、處理器、對(duì)象、可執(zhí)行程序、執(zhí)行的線程、程序和/或計(jì)算機(jī)。本發(fā)明的發(fā)明人考慮到設(shè)計(jì)ー種光模塊芯片，將光模塊中通常比不可少的電路，如激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路、PWM (Pulse-ffidth Modulation，脈寬調(diào)制)輸出控制電路和微控制器集成到該光模塊芯片中，從而減少光模塊中的芯片和元件的數(shù)量，大大降低了光模塊的成本；而且，由于集成度高，還可大大節(jié)約光模塊的電路空間，減少電路間的干擾。下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案。本發(fā)明實(shí)施例的光模塊，如圖Ia所示，其中包括光模塊芯片101、B0SA102、光電ニ極管電壓控制電路103、存儲(chǔ)器件104?；蛘撸景l(fā)明實(shí)施例的光模塊，如圖Ib所示，其中包括光模塊芯片101、R0SA121、T0SA122、光電ニ極管電壓控制電路103、存儲(chǔ)器件104。其中，B0SA102與現(xiàn)有技術(shù)光模塊的BOSA內(nèi)部結(jié)構(gòu)相同，此處不再贅述；R0SA121、T0SA122分別與現(xiàn)有技術(shù)光模塊中的ROSA、TOSA的內(nèi)部結(jié)構(gòu)相同，此處不再贅述。具體地，光模塊芯片101中集成了微控器131、激光驅(qū)動(dòng)電路132、限幅放大電路133，以及PWM輸出控制電路134。光模塊芯片101中的微控器131通過(guò)內(nèi)部總線，比如IIC總線與激光驅(qū)動(dòng)電路132、限幅放大電路133，以及PWM輸出控制電路134進(jìn)行通信；從而微控器131可以控制激光驅(qū)動(dòng)電路132、限幅放大電路133，以及PWM輸出控制電路134。光模塊芯片101中的微控器131與存儲(chǔ)器件104相連，通過(guò)總線(比如IIC總線)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器件104，向存儲(chǔ)器件104中存入信息，或?qū)⒋鎯?chǔ)器件104中存儲(chǔ)的信息讀出。 光模塊芯片101中的微控器131還可以通過(guò)通信總線與光模塊芯片101外的其它設(shè)備進(jìn)行通信。例如，通過(guò)串行總線或并行總線與其它設(shè)備進(jìn)行通信；從而，微控器131可以接收外部的其它設(shè)備發(fā)送的指令、數(shù)據(jù)，也可以向外部的其它設(shè)備返回?cái)?shù)據(jù)。光模塊芯片101中集成的激光驅(qū)動(dòng)電路132和限幅放大電路133分別與現(xiàn)有技術(shù)中的光模塊中的激光驅(qū)動(dòng)電路和限幅放大電路相同，此處不再贅述。光模塊芯片101中的激光驅(qū)動(dòng)電路132的電信號(hào)輸入端可以從光模塊芯片101之外的電路接收到電信號(hào)，即激光驅(qū)動(dòng)電路132的電信號(hào)輸入端可以通過(guò)光模塊芯片101的外接引腳接收到電信號(hào)；激光驅(qū)動(dòng)電路132通過(guò)光模塊芯片101的外接引腳還與BOSA或TOSA內(nèi)的激光發(fā)射光源相連,激光驅(qū)動(dòng)電路132根據(jù)從其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)激光發(fā)射光源發(fā)射激光。ROSA或TOSA內(nèi)的TIA電信號(hào)輸出端通過(guò)光模塊芯片101的外接引腳與限幅放大電路133的電信號(hào)輸入端相連,限幅放大電路133對(duì)其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)進(jìn)行限幅放大輸出；限幅放大后的電信號(hào)從限幅放大電路133的電信號(hào)輸出端通過(guò)光模塊芯片101的外接引腳輸出到光模塊芯片101之外的電路。光電ニ極管電壓控制電路103的ー種具體電路，如圖2所示，包括FET (FieldEffect Transistor，場(chǎng)效應(yīng)晶體管)管、電阻R1-R5、ニ極管D1、電容Cl ；Cl與連接于R3的一端與光電ニ極管的陽(yáng)極之間，R3的另一端與光電ニ極管的陰極相連；Rl與R2串聯(lián)，R1、R2的串聯(lián)電路與Cl并聯(lián)；Dl的陰極與Cl和R3的連接點(diǎn)相連；R4跨接于FET管的G極(柵極)與D極(漏扱)之間，F(xiàn)ET管的S極(源扱)通過(guò)R5與電源相連，且FET管的S極與Dl的陽(yáng)極相連。光電ニ極管電壓控制電路103和光模塊芯片101中集成的微控器131、PWM輸出控制電路134，實(shí)現(xiàn)BOSA或ROSA內(nèi)的光電ニ極管的升壓控制的原理如下光模塊芯片101中集成的微控器131內(nèi)置有ADCXAnalog to Digital Converter,模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器)器件，可以檢測(cè)模擬電壓值；微控器131的一個(gè)電壓輸入端連接到Rl與R2的連接點(diǎn)(圖2中的ADC點(diǎn))，通過(guò)其ADC器件檢測(cè)Rl或R2的分壓。PWM輸出控制電路134的PWM輸出端與FET管的G極相連，用以控制FET管的通斷。
微控器131根據(jù)其檢測(cè)的電壓輸入端上的電壓，通過(guò)內(nèi)部總線，控制PWM輸出控制電路134輸出相應(yīng)占空比的PWM波，該P(yáng)WM波通過(guò)PWM輸出控制電路134的PWM輸出端，輸出到FET管的G極；從而控制FET管的通斷時(shí)間為特定比值。從圖2可以看出，F(xiàn)ET管導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng)，則Cl積累的電荷越多，則光電ニ極管兩端的電壓則越高，從而達(dá)到為光電ニ極管升壓的作用。因此，微控器131可以通過(guò)控制PWM輸出控制電路134輸出PWM波的占空比，來(lái)控制光電ニ極管兩端的電壓。而微控器131同時(shí)還監(jiān)測(cè)ADC點(diǎn)的電壓，通過(guò)ADC點(diǎn)的電壓反饋，來(lái)控制光電ニ極管兩端的電壓處于ー個(gè)合適的電壓值范圍，從而達(dá)到光電ニ極管的升壓控制的目的。進(jìn)一歩，如果光模塊中還需要ー些功能，比如，接收光的光功率檢測(cè)功能，或者，接收光的光指示功能，則在本發(fā)明實(shí)施例的光模塊中，還可以包括電流鏡像電路和采樣電阻，如圖3所示。電流鏡像電路的輸入電流通路跨接于光電ニ極管的陰極與R3之間，電流鏡像電 路的鏡像電流通路與采樣電阻串聯(lián)，從而采樣電阻上的壓降可以反映鏡像電流的大?。欢R像電流的大小反映光電ニ極管輸出電流的大?。还怆姤藰O管輸出電流的大小反映光電ニ極管接收光的光功率大小。微控器131通過(guò)其另一個(gè)電壓輸入端檢測(cè)采樣電阻上的電壓，從而根據(jù)檢測(cè)的采樣電阻上的電壓可以計(jì)算出光電ニ極管接收光的光功率。進(jìn)一步，本發(fā)明實(shí)施例的光模塊中的微控器131還可內(nèi)置DAC(Digital-to-Analog Converter,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器)器件、溫度傳感器；光模塊芯片101中還可集成參考電壓輸出電路，可以為光模塊中的電路提供參考電壓。本發(fā)明實(shí)施例的光模塊可以是應(yīng)用于PON網(wǎng)絡(luò)中的0LT(0ptical Line Terminal,光線路終端)光模塊，或者ONU (Optical Network Unit，光網(wǎng)絡(luò)單元)光模塊。本發(fā)明實(shí)施例提供的光模塊由于將光模塊中通常比不可少的電路，如激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路、PWM輸出控制電路和微控制器集成到該光模塊芯片中，從而減少光模塊中的芯片和元件的數(shù)量,大大降低了光模塊的成本；而且，由于集成度高,還可大大節(jié)約光模塊的電路空間，減少電路間的干擾。進(jìn)一歩，實(shí)施例提供的光模塊還對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中控制光電ニ極管的升壓的電路進(jìn)行了改進(jìn)，一部分集成到光模塊芯片中，另一部分控制電路在光模塊芯片外，可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)節(jié)阻值、電容值等。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分步驟是可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，該程序可以存儲(chǔ)于ー計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，如R0M/RAM、磁碟、光盤(pán)等。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.ー種光模塊，包括光模塊芯片、激光發(fā)射光源、光電ニ極管和跨阻放大器TIA ； 其中，所述光模塊芯片中集成了微控器、激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路；所述微控器通過(guò)內(nèi)部總線與所述激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路通信，用以控制所述激光驅(qū)動(dòng)電路和限幅放大電路； 所述光電ニ極管和TIA相連，所述TIA的電信號(hào)輸出端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳與所述限幅放大電路的電信號(hào)輸入端相連，所述限幅放大電路對(duì)其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)進(jìn)行限幅放大，限幅放大后的電信號(hào)從所述限幅放大電路的電信號(hào)輸出端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳輸出； 所述激光驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳與所述激光發(fā)射光源相連，所述激光驅(qū)動(dòng)電路的電信號(hào)輸入端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳接收到電信號(hào)，根據(jù)從其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)激光發(fā)射光源發(fā)射激光。
2.如權(quán)利要求I所述的光模塊，其特征在于，還包括光電ニ極管電壓控制電路；以及，所述光模塊芯片中還集成了 PWM輸出控制電路，所述微控器通過(guò)內(nèi)部總線與所述PWM輸出控制電路通信；以及，所述微控器中內(nèi)置了 ADC器件； 所述光電ニ極管電壓控制電路中包括FET管、電阻R1-R5、ニ極管D1、電容Cl ； 其中,Cl與連接于R3的一端與光電ニ極管的陽(yáng)極之間,R3的另一端與所述光電ニ極管的陰極相連； Rl與R2串聯(lián)，R1、R2的串聯(lián)電路與Cl并聯(lián)； Dl的陰極與Cl和R3的連接點(diǎn)相連； R4跨接于FET管的柵極與漏極之間，F(xiàn)ET管的源極通過(guò)R5與電源相連，且FET管的源極與Dl的陽(yáng)極相連； 所述微控器的一個(gè)電壓輸入端連接到Rl與R2的連接點(diǎn)，通過(guò)其ADC器件檢測(cè)Rl或R2的分壓； 所述微控器根據(jù)其檢測(cè)的電壓輸入端上的電壓，通過(guò)內(nèi)部總線控制所述PWM輸出控制電路輸出相應(yīng)占空比的PWM波，該P(yáng)WM波通過(guò)所述PWM輸出控制電路的PWM輸出端輸出到FET管的柵極。
3.如權(quán)利要求2所述的光模塊，其特征在于，還包括電流鏡像電路和采樣電阻； 所述電流鏡像電路的輸入電流通路跨接于所述光電ニ極管的陰極與R3之間，所述電流鏡像電路的鏡像電流通路與采樣電阻串聯(lián)； 所述微控器通過(guò)其另一個(gè)電壓輸入端檢測(cè)所述采樣電阻上的電壓，井根據(jù)檢測(cè)的采樣電阻上的電壓計(jì)算出光電ニ極管接收光的光功率。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的光模塊，其特征在于，還包括存儲(chǔ)器件； 所述微控器與存儲(chǔ)器件相連，用以讀取所述存儲(chǔ)器件。
5.如權(quán)利要求4所述的光模塊，其特征在于，所述微控器通過(guò)通信總線與其它設(shè)備進(jìn)行通信，用以接收外部的其它設(shè)備發(fā)送的指令、數(shù)據(jù)，或向外部的其它設(shè)備返回?cái)?shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求4所述的光模塊,其特征在于，所述光模塊芯片中還集成有參考電壓輸出電路。
7.如權(quán)利要求4所述的光模塊，其特征在于，所述微控器中內(nèi)置有DAC器件、溫度傳感器。
8.如權(quán)利要求4所述的光模塊,其特征在于,所述激光發(fā)射光源封裝于TOSA中,所述光電ニ極管和TIA封裝于ROSA中；或者， 所述激光發(fā)射光源、光電ニ極管和TIA封裝于BOSA中。
9.一種光模塊芯片，包括微控器、激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路； 其中，所述微控器通過(guò)內(nèi)部總線與所述激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路通信，用以控制所述激光驅(qū)動(dòng)電路和限幅放大電路； 所述限幅放大電路的電信號(hào)輸入端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳與TIA的電信號(hào)輸出端相連；其中，所述TIA與光電ニ極管相連，所述光電ニ極管用以探測(cè)激光并產(chǎn)生相應(yīng)電流；所述限幅放大電路對(duì)其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)進(jìn)行限幅放大，限幅放大后的電信號(hào)從所述限幅放大電路的電信號(hào)輸出端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳輸出； 所述激光驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳與激光發(fā)射光源相連，所述激光驅(qū)動(dòng)電路的電信號(hào)輸入端通過(guò)所述光模塊芯片的外接引腳接收到電信號(hào)，根據(jù)從其電信號(hào)輸入端輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)激光發(fā)射光源發(fā)射激光。
10.如權(quán)利要求9所述的芯片，其特征在于，還包括PWM輸出控制電路，所述微控器通過(guò)內(nèi)部總線與所述PWM輸出控制電路通信；以及，所述微控器中內(nèi)置了 ADC器件； 所述微控器的一個(gè)電壓輸入端與光電ニ極管電壓控制電路相連； 其中，所述光電ニ極管電壓控制電路包括=FET管、電阻R1-R5、ニ極管Dl、電容Cl ; 其中,Cl與連接于R3的一端與光電ニ極管的陽(yáng)極之間,R3的另一端與所述光電ニ極管的陰極相連； Rl與R2串聯(lián)，R1、R2的串聯(lián)電路與Cl并聯(lián)； Dl的陰極與Cl和R3的連接點(diǎn)相連； R4跨接于FET管的柵極與漏極之間，F(xiàn)ET管的源極通過(guò)R5與電源相連，且FET管的源極與Dl的陽(yáng)極相連； 所述微控器的一個(gè)電壓輸入端具體連接到Rl與R2的連接點(diǎn)，通過(guò)其ADC器件檢測(cè)Rl或R2的分壓； 所述微控器根據(jù)其檢測(cè)的電壓輸入端上的電壓，通過(guò)內(nèi)部總線控制所述PWM輸出控制電路輸出相應(yīng)占空比的PWM波，該P(yáng)WM波通過(guò)所述PWM輸出控制電路的PWM輸出端輸出到FET管的柵極。
11.如權(quán)利要求10所述的芯片，其特征在于，還包括參考電壓輸出電路。
12.如權(quán)利要求9-11任一所述的芯片，其特征在于，所述微控器中內(nèi)置有DAC器件、溫度傳感器；以及 所述微控器通過(guò)通信總線與其它設(shè)備進(jìn)行通信，用以接收外部的其它設(shè)備發(fā)送的指令、數(shù)據(jù)，或向外部的其它設(shè)備返回?cái)?shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種光模塊及其光模塊芯片，所述光模塊包括光模塊芯片、激光發(fā)射光源、光電二極管和跨阻放大器TIA；其中，所述光模塊芯片中集成了微控器、激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路；所述微控器通過(guò)內(nèi)部總線與所述激光驅(qū)動(dòng)電路、限幅放大電路通信，用以控制所述激光驅(qū)動(dòng)電路和限幅放大電路。由于將光模塊中通常比不可少的電路，集成到該光模塊芯片中，從而減少光模塊中的芯片和元件的數(shù)量，大大降低了光模塊的成本；而且，由于集成度高，還可大大節(jié)約光模塊的電路空間，減少電路間的干擾。
文檔編號(hào)G02B6/42GK102843190SQ20121027715
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月6日
發(fā)明者鄭龍, 張華 申請(qǐng)人:青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司