專利名稱：顯示面板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ー種顯示面板、所述顯示面板的制作方法以及包括所述顯示面板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著顯示器制造技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器技術(shù)發(fā)展迅速，已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)的顯像管顯示器而成為未來平板顯示器的主流。在液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域中，TFT-IXD (ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)以其大尺寸、高度集成、功能強(qiáng)大、エ藝靈活、低成本等優(yōu)勢而廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、電腦、手機(jī)等領(lǐng)域。其中，TN (Twisted Nematic,扭曲向列技術(shù))顯示面板由于具有低廉的生產(chǎn)成本而成為目前應(yīng)用最廣泛的入門級(jí)液晶顯示面板，并且在市面上主流的中低端液晶顯示器中 被廣泛使用。TN顯示面板是由陣列基板(即TFT基板)和彩膜基板(即CF基板)對(duì)盒組裝并灌注液晶制成。一般的，所述陣列基板上形成有柵線(即掃描線)圖形、數(shù)據(jù)線(即信號(hào)線)圖形、TFT圖形、過孔圖形以及像素電極(即顯示電極)圖形，其中，多根柵線及多根數(shù)據(jù)線交叉定義若干個(gè)像素単元，每個(gè)像素単元均包括ー個(gè)TFT元件(包括柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極)及ー個(gè)像素電極；所述彩膜基板上形成有黑矩陣(BM)圖形、RGB圖形以及公共電極圖形等。所述陣列基板中的像素電極通過柵線、數(shù)據(jù)線、TFT以及過孔等共同作用，用于儲(chǔ)存電荷并與彩膜基板中的公共電極之間形成電場，以驅(qū)動(dòng)位于像素電極與公共電極之間的液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而顯示不同的圖像。具體的，所述柵線進(jìn)行逐行掃描時(shí)，數(shù)據(jù)線依次給被掃描行的像素單元中的像素電極充電，掃描結(jié)束后該行的像素電極將保持所充電荷直至下一幀該行被再次掃描吋。數(shù)據(jù)線的電壓在ー幀內(nèi)不斷變化，用于為各行的像素電極充電。如圖I所示，為了避免像素電極8與數(shù)據(jù)線10之間發(fā)生電容耦合，像素電極的圖形一般與數(shù)據(jù)線的圖形相隔一段距離，因此像素電極8與數(shù)據(jù)線10之間、公共電極13與數(shù)據(jù)線10之間會(huì)形成電場。由于數(shù)據(jù)線依次給各掃描行的像素電極充電時(shí)，其本身的電壓會(huì)不斷變化，導(dǎo)致像素電極與數(shù)據(jù)線之間的電場的電壓差以及公共電極與數(shù)據(jù)線之間的電場的電壓差也不斷變化，且像素電極與數(shù)據(jù)線之間的電場、以及公共電極與數(shù)據(jù)線之間的電場的電壓差的RMS (Root Mean Square，均方根)值處于中間狀態(tài)而非極值，導(dǎo)致每根數(shù)據(jù)線的上方及兩側(cè)的液晶分子無法有效偏轉(zhuǎn)，對(duì)于常白模式的顯示面板來說，由于所述RMS值無法處于極大值，會(huì)導(dǎo)致每根數(shù)據(jù)線的上方及兩側(cè)的液晶分子無法偏轉(zhuǎn)至直立態(tài)(相對(duì)于基板);對(duì)于常黑模式的顯示面板來說，由于所述RMS值無法處于極小值，會(huì)導(dǎo)致每根數(shù)據(jù)線的上方及兩側(cè)的液晶分子無法偏轉(zhuǎn)至水平狀態(tài)(相對(duì)于基板)，因而，使得無論是常白模式的顯示面板還是常黑模式的顯示面板進(jìn)行暗態(tài)檢查時(shí)，在側(cè)視或按壓的情況下極易發(fā)生漏光，形成畫質(zhì)不良。
為克服上述缺陷，現(xiàn)有技術(shù)中一般會(huì)采用增加彩膜基板中的黑矩陣的寬度的方法避免或減輕漏光，但是這種方法勢必會(huì)降低単元像素的開ロ率
發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述缺陷，提供一種能夠消除側(cè)視或按壓時(shí)產(chǎn)生漏光缺陷的顯示面板、所述顯示面板的制作方法以及包括所述顯示面板的顯示裝置。解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是所述顯示面板包括陣列基板與彩膜基板，所述陣列基板包括多根數(shù)據(jù)線，所述彩膜基板包括公共電極，其中，所述陣列基板還包括屏蔽電極，其設(shè)置在所述多根數(shù)據(jù)線上方，且所述屏蔽電極與公共電極之間形成電場以使得所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線之間，以使得所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線互不導(dǎo)通。優(yōu)選的是，所述顯示面板采用常白模式的顯示面板，所述屏蔽電極相對(duì)公共電極處于低電位以使得屏蔽電極與公共電極之間形成強(qiáng)電場；或者，所述顯示面板采用常黑模式的顯示面板，所述屏蔽電極與公共電極的電位相等或相差不大以使得屏蔽電極與公共電極之間無電場或形成弱電場。優(yōu)選的是，所述顯示面板采用常白模式的顯示面板，所述屏蔽電極采用多個(gè)，所述陣列基板還包括多根柵線，所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，每個(gè)屏蔽電極均設(shè)置在相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與所述相鄰兩根柵線中的任一相連。優(yōu)選的是，所述顯示面板采用常黑模式的顯示面板，所述陣列基板還包括多根柵線及多根公共電極線，所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，所述多根公共電極線分別與所述公共電極相連，且每根公共電極線均與一根柵線平行設(shè)置；所述屏蔽電極采用ー個(gè)，該屏蔽電極與多根公共電極線中的任ー相連；或者，所述屏蔽電極采用多個(gè)，每個(gè)屏蔽電極均設(shè)置在相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與相鄰的ー根公共電極線相連；或者，所述屏蔽電極采用多個(gè)，每個(gè)屏蔽電極均設(shè)置在一根數(shù)據(jù)線的上方，且與多根公共電極線中的任一相連。本發(fā)明同時(shí)提供ー種包括上述顯示面板的顯示裝置。本發(fā)明還提供一種顯示面板的制作方法，包括制作陣列基板與彩膜基板的步驟，所述制作陣列基板的步驟中包括制作多根數(shù)據(jù)線的圖形的步驟，所述制作彩膜基板的步驟中包括制作公共電極的圖形的步驟，其中，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作屏蔽電極的圖形的步驟，并使屏蔽電極位于多根數(shù)據(jù)線上方，且與公共電極之間形成電場以使得所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。優(yōu)選的是，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作絕緣層的圖形的步驟，所制作的絕緣層位于屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線之間，以使得所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線互不導(dǎo)通。優(yōu)選的是，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作多根柵線的圖形的步驟，并使所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置；在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，所制作的屏蔽電極為多個(gè)，使每個(gè)屏蔽電極均位于相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與所述相鄰兩根柵線中的任一相連。優(yōu)選的是，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作多根柵線及多根公共電極線的步驟，并使所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，使所述多根公共電極線分別與所述公共電極相連，且每根公共電極線均與一根柵線平行設(shè)置；在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，所制作的屏蔽電極為ー個(gè)，使該屏蔽電極與多根公共電極線中的任ー相連；或者，在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，所制作的屏蔽電極為多個(gè)，使每個(gè)屏蔽電極均位于相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與相鄰的ー根公共電極線相連；或者，在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，所制作的屏蔽電極為多個(gè)，使每個(gè)屏蔽電極均位于ー根數(shù)據(jù)線上方，且與多根公共電極線中的任一相連。
優(yōu)選的是，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作像素電極的圖形的步驟，所述屏蔽電極的圖形與像素電極的圖形在同一次構(gòu)圖エ藝中完成，且所述屏蔽電極的圖形與像素電極的圖形互不重合；所述屏蔽電極與像素電極的材質(zhì)相同。有益效果I)本發(fā)明所述顯示面板在數(shù)據(jù)線上方設(shè)置了屏蔽電極，對(duì)于常白模式的顯示面板來說，使屏蔽電極與公共電極之間形成強(qiáng)電場，則位于屏蔽電極上方及兩側(cè)的液晶分子能夠有效偏轉(zhuǎn)至直立態(tài)(相對(duì)于基板)，使得屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光；對(duì)于常黑模式的顯示面板來說，使屏蔽電極與公共電極之間無電場或形成弱電場，則位于屏蔽電極上方及兩側(cè)的液晶分子能夠有效偏轉(zhuǎn)至水平態(tài)(相對(duì)于基板)，使得屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光；故本發(fā)明所述顯示面板克服了現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板(包括常白模式和常黑模式的顯示面板)在側(cè)視或按壓的情況下極易發(fā)生漏光的缺陷；同吋，由于克服了漏光的缺陷，因此還可以進(jìn)ー步減小黑矩陣的寬度，從而能夠提高像素単元的開ロ率。2)本發(fā)明所述顯示面板中的屏蔽電極與像素電極的材質(zhì)相同，且二者在同一次構(gòu)圖エ藝中完成，即可以在制作所述像素電極的圖形的同時(shí)制作出屏蔽電極的圖形。因此在解決漏光問題的同時(shí)，所述顯示面板相對(duì)于現(xiàn)有的制作過程而言既沒有増加成本、エ藝，也沒有改變其多層結(jié)構(gòu)的材質(zhì)。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的工作原理示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例I中顯示面板的工作原理示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例I中完成第一次構(gòu)圖エ藝之后的陣列基板的截面圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例I中進(jìn)行第二次構(gòu)圖エ藝過程中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；其中圖4 Ca)為在圖I所示基板上依次沉積了柵極絕緣薄膜、半導(dǎo)體薄膜、歐姆接觸薄膜、源漏金屬薄膜之后的陣列基板的截面圖；圖4 (b)為在圖4 Ca)所示基板上沉積了光刻膠、對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影后的陣列基板的截面圖；圖4 (C)為對(duì)圖4 (b)所示基板完成第一次刻蝕之后的陣列基板的截面圖；圖4 Cd)為對(duì)圖4 (C)所示基板完成光刻膠灰化之后的陣列基板的截面圖4 (e)為對(duì)圖4 (d)所示基板完成第二次刻蝕之后的陣列基板的截面圖；圖4 Cf)為將圖4 Ce)所示基板完成光刻膠剝離之后的陣列基板的截面圖；圖4 (g)為完成第二次構(gòu)圖エ藝之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例I中完成第三次構(gòu)圖エ藝之后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；其中圖5 Ca)為完成第三次構(gòu)圖エ藝之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5 (b)為圖5 (a)中A-A向的截面圖；
圖6為本發(fā)明實(shí)施例I中完成第四次構(gòu)圖エ藝之后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；其中圖6 Ca)為完成第四次構(gòu)圖エ藝之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6 (b)為圖6 (a)中A-A向的截面圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例I中陣列基板的制作方法的流程示意圖。圖中1 —基板；2a —柵電極；2b —柵線；3 —柵極絕緣層；4 —?dú)W姆接觸層；5 —半導(dǎo)體層；6a —源電極；6b —漏電極；7 —鈍化層；8 —像素電極；9 一光刻膠；10 —數(shù)據(jù)線；11 ー屏蔽電極；12 —液晶分子；13 —公共電極；14 一第一過孔；15 —第二過孔。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明所述顯示面板、所述顯示面板的制作方法以及包括所述顯示面板的顯示裝置作進(jìn)ー步詳細(xì)描述。所述顯示面板包括陣列基板與彩膜基板，所述陣列基板包括多根數(shù)據(jù)線，所述彩膜基板包括公共電極，其中，所述陣列基板還包括屏蔽電極，其設(shè)置在所述多根數(shù)據(jù)線上方，且所述屏蔽電極與公共電極之間形成電場以使得所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。所述顯示裝置采用上述的顯示面板。所述顯示面板的制作方法包括制作陣列基板與彩膜基板的步驟，所述制作陣列基板的步驟中包括制作多根數(shù)據(jù)線的圖形的步驟，所述制作彩膜基板的步驟中包括制作公共電極的圖形的步驟，其中，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作屏蔽電極的圖形的步驟，并使屏蔽電極位于多根數(shù)據(jù)線上方，且與公共電極之間形成電場以使得所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。實(shí)施例I :本實(shí)施例中，所述顯示面板采用常白模式的顯示面板，即顯示面板在不施加電壓(像素電極與公共電極之間無電場或形成弱電場)時(shí)，液晶分子對(duì)應(yīng)的顯示面板的有效顯示區(qū)域(顯示面板通常可劃分為兩部分，即有效顯示區(qū)域與外圍區(qū)域)透光；在施加電壓(像素電極與公共電極之間形成強(qiáng)電場)時(shí)，液晶分子對(duì)應(yīng)的顯示面板的有效顯示區(qū)域不透光。本實(shí)施例中，所述顯示面板包括陣列基板與彩膜基板；所述陣列基板包括多根柵線、多根數(shù)據(jù)線、多根公共電極線，所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，每根公共電極線均與一根柵線平行設(shè)置；所述彩膜基板包括公共電極。其中，陣列基板中還包括有屏蔽電極，其設(shè)置在所述多根數(shù)據(jù)線上方，所述屏蔽電極與公共電極之間形成電場以使得所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。優(yōu)選所述屏蔽電極設(shè)置在所述多根數(shù)據(jù)線正上方。
本實(shí)施例中，所述屏蔽電極相對(duì)公共電極處于低電位，從而使得屏蔽電極與公共電極之間形成強(qiáng)電場。由于本實(shí)施例中所述顯示面板采用常白模式的顯示面板，若屏蔽電極相對(duì)公共電極處于低電位(所述低電位一般為-7v -10v)，則可使屏蔽電極與公共電極(公共電極的電位是固定的，一般為5f7v)之間形成強(qiáng)電場，該強(qiáng)電場可驅(qū)動(dòng)所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的液晶分子一直保持直立狀態(tài)，以使所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域(即有效顯示區(qū)域)不透光，即可以使屏蔽電極與顯示面板中處于低電位的元件相連；而在整個(gè)顯示面板顯示ー幀圖像的掃描時(shí)間內(nèi)(如顯示裝置的屏幕刷新頻率為60Hz，則ー幀圖像的掃描時(shí)間為17ms),由于姆一行像素對(duì)應(yīng)的柵線只有在該行的掃描時(shí)間內(nèi)處于高電位(與公共電極的電位相差不大或無電位差)，而在其余的非掃描時(shí)間內(nèi)相對(duì)公共電極來說均處于低電位，因此將屏蔽電極與柵線相連可保證屏蔽電極在絕大多數(shù)時(shí)間內(nèi)相對(duì)公共電極處于低電位。因而，本實(shí)施例中，優(yōu)選所述屏蔽電極采用多個(gè)，每個(gè)屏蔽電極均設(shè)置在相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與所述相鄰兩根柵線中的任ー相連，以使得所述屏蔽電極處于低 電位。本實(shí)施例中，所述陣列基板還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線之間，以使得所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線互不導(dǎo)通。如圖2所示，所述顯示面板由于在數(shù)據(jù)線10上方設(shè)置了屏蔽電極11，使得分別與像素電極8和公共電極13形成電場的不是數(shù)據(jù)線10而是屏蔽電極11，且對(duì)于常白模式的顯示面板來說，使屏蔽電極11與公共電極13之間形成強(qiáng)電場，則可使得位于屏蔽電極11上方及兩側(cè)的液晶分子能夠有效偏轉(zhuǎn)至直立態(tài)(相對(duì)于基板)，并使得屏蔽電極11對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光，也就使得數(shù)據(jù)線10對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光，因而克服了現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板在側(cè)視或按壓的情況下極易發(fā)生漏光的缺陷。本實(shí)施例同時(shí)提供ー種包括上述顯示面板的顯示裝置。本實(shí)施例同時(shí)還提供ー種上述顯示面板的制作方法，包括制作陣列基板與彩膜基板的步驟。所述制作彩膜基板的步驟中包括制作公共電極的圖形的步驟；所述制作陣列基板的步驟中包括制作多根柵線、多根數(shù)據(jù)線、多根公共電極線以及像素電極的圖形的步驟，并使所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，使所述多根公共電極線分別與所述公共電極相連，且每根公共電極線均與一根柵線平行設(shè)置，其中，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作屏蔽電極的圖形的步驟，并使屏蔽電極位于多根數(shù)據(jù)線上方，且能與公共電極之間形成電場以使得所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。優(yōu)選在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，所制作的屏蔽電極為多個(gè)，并使每個(gè)屏蔽電極均位于相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與所述相鄰兩根柵線中的任ー相連，以使得所述屏蔽電極與公共電極之間形成強(qiáng)電場，從而使得屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。優(yōu)選所述制作陣列基板的步驟中還可包括制作絕緣層的圖形的步驟，所制作的絕緣層位于屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線之間，以使得所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線互不導(dǎo)通。優(yōu)選所述屏蔽電極的圖形與像素電極的圖形在同一次構(gòu)圖エ藝中完成，且所述屏蔽電極的圖形與像素電極的圖形互不重合；所述屏蔽電極與像素電極的材質(zhì)相同。故本發(fā)明所述制作顯示面板的方法相對(duì)于現(xiàn)有的制作方法而言既沒有増加成本、エ藝，也沒有改變其多層結(jié)構(gòu)的材質(zhì)。
如圖3-7所示，本實(shí)施例中所述顯示面板的制作方法具體為slOl.在基板I上通過第一次構(gòu)圖エ藝形成柵電極2a、柵線2b以及模擬柵線(即dummy柵線，圖中未示出)的圖形。具體的，如圖3所示，在基板I上沉積柵金屬薄膜，然后在其上涂敷ー層光刻膠，采用掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影。其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成柵電極2a、柵線2b及模擬柵線的圖形的區(qū)域，再對(duì)暴露出來的柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，最后通過光刻膠剝離エ藝將所述光刻膠剝離，形成柵電極2a、柵線2b及模擬柵線的圖形。sl02.在完成步驟SlOl的基板上通過 第二次構(gòu)圖エ藝形成柵極絕緣層3、歐姆接觸層4、半導(dǎo)體層5、源電極6a、漏電極6b以及數(shù)據(jù)線10的圖形。本步驟中，所述柵極絕緣層3、歐姆接觸層4、半導(dǎo)體層5、源電極6a、漏電極6b以及數(shù)據(jù)線10的圖形是采用多步刻蝕エ藝(狹縫光刻エ藝的核心エ藝之一)在一次構(gòu)圖エ藝中形成的。具體的，所述步驟sl02包括如下步驟S102-1.如圖4 Ca)所示，在完成步驟slOl的基板上依次沉積柵極絕緣薄膜、歐姆接觸薄膜、半導(dǎo)體薄膜以及源漏金屬薄膜，此時(shí)也形成了柵極絕緣層3。S102-2.如圖4(b)所示，在完成步驟S102-1的基板上涂敷ー層光刻膠9，采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠9進(jìn)行曝光、顯影，使得位于柵電極2a正上方的光刻膠的厚度比位于柵電極2a兩側(cè)的光刻膠的厚度薄。S102-3.如圖4 (C)所示，對(duì)完成步驟sl02_2的基板進(jìn)行第一次刻蝕，形成歐姆接觸層4與半導(dǎo)體層5的圖形。S102-4.如圖4 (d)所示，對(duì)完成步驟S102-3的基板上的光刻膠進(jìn)行灰化處理直至露出所述歐姆接觸層4中間的部分。由于位于柵電極2a正上方的光刻膠的厚度比位于柵電極2a兩側(cè)的光刻膠的厚度薄，因此對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理時(shí)，位于柵電極2a正上方的光刻膠被完全灰化掉后，位于柵電極2a兩側(cè)的光刻膠還保留有一定厚度，而歐姆接觸層4位于柵電極2a的正上方，故露出了所述歐姆接觸層4中間的部分。S102-5.如圖4 (e)所示，對(duì)完成步驟S102-4的基板進(jìn)行第二次刻蝕，形成源電極6a、漏電極6b與數(shù)據(jù)線10的圖形。S102-6.如圖4 (f)所示，通過光刻膠剝離エ藝將剰余的光刻膠(即位于柵電極2a兩側(cè)的光刻膠)剝離。圖4 Cf)是圖4 (g)中A-A向截面圖。sl03.在完成步驟sl02的基板上通過第三次構(gòu)圖エ藝形成鈍化層7、第一過孔14及第ニ過孔15的圖形；所述第一過孔14位于漏電極6b上方，第二過孔15位于柵線2b上方。需要說明的是，鈍化層7即為前文中提到的位于屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線之間的絕緣層。具體的，如圖5所示，在完成步驟S102的基板上沉積鈍化層薄膜，然后在其上涂敷ー層光刻膠，采用掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成鈍化層7、第一過孔14及第ニ過孔15的圖形的區(qū)域，再對(duì)暴露出來的鈍化層薄膜進(jìn)行刻蝕，最后將所述光刻膠剝離，形成鈍化層7、第一過孔14及第ニ過孔15的圖形。sl04.在完成步驟sl03的基板上通過第四次構(gòu)圖エ藝形成像素電極8與屏蔽電極11的圖形。具體的，如圖6所示，在完成步驟S103的基板上沉積透明像素電極薄膜，然后在其上涂敷ー層光刻膠，采用掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，所述光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成像素電極8與屏蔽電極11的圖形的區(qū)域，再對(duì)暴露出來的透明像素電極薄膜進(jìn)行刻蝕，最后將所述光刻膠剝離，形成像素電極8與屏蔽電極11的圖形；所述像素電極8通過第ー過孔14與漏電極6b連接，所述屏蔽電極11通過第二過孔15與柵線2b連接。從圖6 (a)可以看出，本方法中屏蔽電極11與其相鄰ー側(cè)(定義該側(cè)為左側(cè))的柵線2b通過第二過孔15連接，則步驟slOl中形成的模擬柵線位于最左側(cè)的柵線之外，用于與最左側(cè)的柵線相鄰的屏蔽電極連接；若屏蔽電極11與其相鄰另ー側(cè)的柵線2b通過第二過孔15連接，則步驟slOl中就不需要形成模擬柵線了。
實(shí)施例2:本實(shí)施例中，所述顯示面板采用常黑模式的顯示面板，即顯示面板在不施加電壓(像素電極與公共電極之間無電場或形成弱電場)時(shí)，液晶分子對(duì)應(yīng)的顯示面板的有效顯示區(qū)域不透光；在施加電壓(像素電極與公共電極之間形成強(qiáng)電場)時(shí)，液晶分子對(duì)應(yīng)的顯示面板的有效顯示區(qū)域透光。I)本實(shí)施例中，所述顯示面板與實(shí)施例I中的顯示面板的區(qū)別在于本實(shí)施例中的屏蔽電極與公共電極線相連，從而可保證屏蔽電極的電位與公共電極的電位相等。由于本實(shí)施例中所述顯示面板采用常黑模式的顯示面板，屏蔽電極與公共電極電位相等，則可使屏蔽電極與公共電極之間無電場，并驅(qū)動(dòng)所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的液晶分子一直保持趨于平行排列，且從公共電極處沿-45°方向排列逐步地、均勻地扭曲到像素電極處沿+45°方向的水平排列狀態(tài)(整體扭曲了 90° )，以使所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光，即可以使屏蔽電極與陣列基板中與公共電極同電位的元件相連；由于陣列基板中的所述多根公共電極線與彩膜基板中的公共電極在所述顯示面板的外圍區(qū)域通過導(dǎo)電銀膠或金球連接，因而所述多根公共電極線與公共電極等電位，因此本實(shí)施例中，所述屏蔽電極與公共電極線相連，可保證屏蔽電極與公共電極電位相等。由于每根公共電極線均與一根柵線平行設(shè)置，可知每根數(shù)據(jù)線均與多根公共電極線垂直設(shè)置，且所述屏蔽電極設(shè)置在所述多根數(shù)據(jù)線上方。優(yōu)選所述屏蔽電極設(shè)置在所述多根數(shù)據(jù)線正上方。本實(shí)施例中，所述屏蔽電極可采用ー個(gè)，該屏蔽電極與多根公共電極線中的任一相連，以使得所述屏蔽電極與公共電極電位相等；或者，所述屏蔽電極也可采用多個(gè)，每個(gè)屏蔽電極均設(shè)置在相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與相鄰的ー根公共電極線相連，以使得所述屏蔽電極與公共電極電位相同；或者，所述屏蔽電極還可采用多個(gè)，所述屏蔽電極的數(shù)量與數(shù)據(jù)線的數(shù)量相同，每個(gè)屏蔽電極均設(shè)置在一根數(shù)據(jù)線的上方，且與多根公共電極線中的任ー相連，以使得所述屏蔽電極與公共電極電位相同。對(duì)于常黑模式的顯示面板來說，使屏蔽電極與公共電極之間無電場或形成弱電場，則可使得位于屏蔽電極上方及兩側(cè)的液晶分子能夠有效偏轉(zhuǎn)至水平態(tài)(相對(duì)于基板)，并使得屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光，也就使得數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光，因而克服了現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板在側(cè)視或按壓的情況下極易發(fā)生漏光的缺陷。本實(shí)施例中，所述陣列基板還可包括有絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線之間，以使得所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線互不導(dǎo)通。
2)本實(shí)施例中所述顯示面板的制作方法與實(shí)施例I中的制作方法的區(qū)別在于在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，如果制作的屏蔽電極為ー個(gè)，使該屏蔽電極與多根公共電極線中的任ー相連，以使得所述屏蔽電極與公共電極之間無電場，從而使得屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光；或者，在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，如果制作的屏蔽電極為多個(gè)，使每個(gè)屏蔽電極均位于相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與相鄰的ー根公共電極線相連，以使得所述屏蔽電極與公共電極之間無電場，從而使得屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光；或者，在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，如果制作的屏蔽電極為多個(gè)，且所述屏蔽電極的數(shù)量與數(shù)據(jù)線的數(shù)量相同，使每個(gè)屏蔽電極均位于ー根數(shù)據(jù)線上方，且與多根公共電極線中的任ー相連，以使得所述屏蔽電極與公共電極之間無電場，從而使得屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。本實(shí)施例所述顯示面板的具體制作方法與實(shí)施例I的區(qū)別在于在第一次構(gòu)圖エ藝中還同時(shí)形成公共電極線(即Vcom線，圖中未示出)的圖形；在第三次構(gòu)圖エ藝形成鈍化 四次構(gòu)圖エ藝中形成的屏蔽電極11通過第三過孔與公共電極線連接。本實(shí)施例中的其他結(jié)構(gòu)、方法以及作用都與實(shí)施例I相同，這里不再贅述。本發(fā)明所述顯示面板特別適用于像素電極與公共電極位于不同基板上的顯示面板，例如TN型顯示面板以及VA (Vertical Alignment,垂直排列模式)型顯示面板?？梢岳斫獾氖?，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板，包括陣列基板與彩膜基板，所述陣列基板包括多根數(shù)據(jù)線，所述彩膜基板包括公共電極，其特征在于，所述陣列基板還包括屏蔽電極，其設(shè)置在所述多根數(shù)據(jù)線上方，且所述屏蔽電極與公共電極之間形成電場以使得所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示面板，其特征在于，所述陣列基板還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線之間，以使得所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線互不導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的顯示面板，其特征在干， 所述顯示面板采用常白模式的顯示面板，所述屏蔽電極相對(duì)公共電極處于低電位以使得屏蔽電極與公共電極之間形成強(qiáng)電場； 或者，所述顯示面板采用常黑模式的顯示面板，所述屏蔽電極與公共電極的電位相等或相差不大以使得屏蔽電極與公共電極之間無電場或形成弱電場。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板采用常白模式的顯示面板，所述屏蔽電極采用多個(gè)，所述陣列基板還包括多根柵線，所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，每個(gè)屏蔽電極均設(shè)置在相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與所述相鄰兩根柵線中的任一相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板采用常黑模式的顯示面板，所述陣列基板還包括多根柵線及多根公共電極線，所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，所述多根公共電極線分別與所述公共電極相連，且每根公共電極線均與ー根柵線平行設(shè)置； 所述屏蔽電極采用ー個(gè)，該屏蔽電極與多根公共電極線中的任一相連； 或者，所述屏蔽電極采用多個(gè)，每個(gè)屏蔽電極均設(shè)置在相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與相鄰的ー根公共電極線相連； 或者，所述屏蔽電極采用多個(gè)，每個(gè)屏蔽電極均設(shè)置在一根數(shù)據(jù)線的上方，且與多根公共電極線中的任一相連。
6.一種顯示裝置，包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板采用權(quán)利要求1-5中任一所述的顯示面板。
7.—種顯示面板的制作方法，包括制作陣列基板與彩膜基板的步驟，所述制作陣列基板的步驟中包括制作多根數(shù)據(jù)線的圖形的步驟，所述制作彩膜基板的步驟中包括制作公共電極的圖形的步驟，其特征在于，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作屏蔽電極的圖形的步驟，并使屏蔽電極位于所述多根數(shù)據(jù)線上方，且能與公共電極之間形成電場以使得所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作絕緣層的圖形的步驟，所制作的絕緣層位于屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線之間，以使得所述屏蔽電極與多根數(shù)據(jù)線互不導(dǎo)通。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作多根柵線的圖形的步驟，并使所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置；在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，所制作的屏蔽電極為多個(gè)，使每個(gè)屏蔽電極均位于相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與所述相鄰兩根柵線中的任一相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作多根柵線及多根公共電極線的步驟，并使所述多根柵線與所述多根數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，使所述多根公共電極線分別與所述公共電極相連，且每根公共電極線均與一根柵線平行設(shè)置； 在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，所制作的屏蔽電極為ー個(gè)，使該屏蔽電極與多根公共電極線中的任ー相連； 或者，在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，所制作的屏蔽電極為多個(gè)，使每個(gè)屏蔽電極均位于相鄰兩根柵線之間的數(shù)據(jù)線上方，且與相鄰的ー根公共電極線相連； 或者，在制作屏蔽電極的圖形的步驟中，所制作的屏蔽電極為多個(gè)，使每個(gè)屏蔽電極均位于ー根數(shù)據(jù)線上方，且與多根公共電極線中的任一相連。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-10中任一所述的制作方法，其特征在于，所述制作陣列基板的步驟中還包括制作像素電極的圖形的步驟，所述屏蔽電極的圖形與像素電極的圖形在同一次構(gòu)圖エ藝中完成，且所述屏蔽電極的圖形與像素電極的圖形互不重合；所述屏蔽電極與像素電極的材質(zhì)相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示面板，包括陣列基板與彩膜基板，所述陣列基板包括多根數(shù)據(jù)線，所述彩膜基板包括公共電極，所述陣列基板還包括屏蔽電極，其設(shè)置在所述多根數(shù)據(jù)線上方，且所述屏蔽電極與公共電極之間形成電場以使得所述屏蔽電極對(duì)應(yīng)的顯示面板的區(qū)域不透光。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供所述顯示面板的制作方法以及包括所述顯示面板的顯示裝置。本發(fā)明所述顯示面板不但能夠消除側(cè)視或按壓時(shí)會(huì)產(chǎn)生漏光的缺陷，還進(jìn)一步減小了黑矩陣的寬度，從而提高了單元像素的開口率。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK102799033SQ20121026280
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月26日
發(fā)明者林鴻濤, 封賓, 劉家榮 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司