專(zhuān)利名稱(chēng)：陣列基板及液晶顯示裝置的制作方法
陣列基板及液晶顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的液晶顯示裝置的陣列基板上設(shè)有多個(gè)像素電極，這些像素電極用于產(chǎn)生電場(chǎng)，以對(duì)液晶分子施加作用力，從而改變液晶分子的偏向。其中，像素電極上設(shè)置有至少兩個(gè)主干電極以及多個(gè)條狀電極，該兩個(gè)主干電極相互垂直，這些條狀電極與主干電極成一定的角度設(shè)置。當(dāng)像素電極上的條狀電極通電時(shí)，分布在像素電極邊緣區(qū)域的電荷的密度與分布在像素電極中部區(qū)域的電荷的密度有較大的差別，即，分布在條狀電極上遠(yuǎn)離兩個(gè)主干電極的一端的電荷的密度大于分布在條狀電極上其它部分的電荷的密度，導(dǎo)致像素電極的邊緣區(qū)域?qū)σ壕Х肿赢a(chǎn)生的作用力的大小、方向與像素電極中部區(qū)域?qū)σ壕Х肿赢a(chǎn)生的作用力的大小、方向均不同，因此，在像素電極的邊緣區(qū)域，液晶分子會(huì)出現(xiàn)排列紊亂的現(xiàn)象，降低了液晶顯示裝置的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種陣列基板，其能防止液晶分子在像素電極的邊緣區(qū)域出現(xiàn)偏向紊亂的現(xiàn)象，降低液晶顯示裝置的顯示效果。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)、 像素電極，所述像素電極包括至少一條狀電極和至少一主干電極，所述陣列基板還包括一公共電極，所述公共電極上定義有第一區(qū)域，所述第一區(qū)域?yàn)樗鱿袼仉姌O在所述公共電極所在平面上的投影；及第二區(qū)域，所述第二區(qū)域靠近所述第一區(qū)域的至少一側(cè)邊；所述公共電極在所述第二區(qū)域上設(shè)有至少一開(kāi)口。在上述陣列基板中，所述開(kāi)口的位置為在所述第二區(qū)域上靠近像素電極的邊緣處。在上述陣列基板中，所述第二區(qū)域處在所述第一區(qū)域的四周。在上述陣列基板中，所述開(kāi)口的深度小于或等于所述公共電極的厚度。在上述陣列基板中，所述開(kāi)口的中心與一所述條狀電極在公共電極所在的平面上的投影共線(xiàn)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種液晶顯示裝置，其能防止液晶分子在像素電極的邊緣區(qū)域出現(xiàn)偏向紊亂的現(xiàn)象，降低液晶顯示裝置的顯示效果。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置，包括背光源、陣列基板、彩色濾光片基板；所述陣列基板包括薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)；所述陣列基板還包括一像素電極，所述像素電極包括至少一條狀電極和至少一主干電極；一公共電極，所述公共電極上定義有第一區(qū)域，所述第一區(qū)域?yàn)樗鱿袼仉姌O在所述公共電極所在平面上的投影； 及第二區(qū)域，所述第二區(qū)域靠近所述第一區(qū)域的至少一側(cè)邊；所述公共電極在所述第二區(qū)域上設(shè)有至少一開(kāi)口。
在上述液晶顯示裝置中，所述開(kāi)口的位置為在所述第二區(qū)域上靠近像素電極的邊緣處。在上述液晶顯示裝置中，所述第二區(qū)域處在所述第一區(qū)域的四周。在上述液晶顯示裝置中，所述開(kāi)口的深度小于或等于所述公共電極的厚度。在上述液晶顯示裝置中，所述開(kāi)口的中心與一所述條狀電極在公共電極所在的平面上的投影共線(xiàn)。本發(fā)明相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，由于在公共電極上靠近像素電極的區(qū)域邊緣處設(shè)有開(kāi)口， 并且該開(kāi)口的位置設(shè)置于像素電極的四周邊緣附近，該開(kāi)口的開(kāi)口方向設(shè)置于公共電極上面向像素電極的一面或背對(duì)像素電極的一面，該開(kāi)口的內(nèi)壁會(huì)聚集電荷，因此該開(kāi)口與條狀電極遠(yuǎn)離主干電極的一端之間會(huì)形成一電場(chǎng)，另外，由于該開(kāi)口具有一深度，該深度小于或等于公共電極的厚度，可以根據(jù)對(duì)液晶分子施加的作用力的大小和方向來(lái)設(shè)置該開(kāi)口的開(kāi)口方向以及深度，從而調(diào)整開(kāi)口內(nèi)壁上聚集的電荷的數(shù)量，進(jìn)而調(diào)整開(kāi)口與條狀電極遠(yuǎn)離主干電極的一端之間的電場(chǎng)，調(diào)整對(duì)像素電極邊緣處液晶分子的排列，使得處在像素電極邊緣處的液晶分子的取向與像素電極除邊緣處以外的部位(中部區(qū)域)的液晶分子的取向大致相同，防止液晶分子在像素電極的邊緣區(qū)域出現(xiàn)偏向紊亂的現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的顯示效果。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下

圖I為本發(fā)明的陣列基板的局部示意圖；圖2為圖I中的A-A’截面的第一個(gè)實(shí)施例的局部示意圖；圖3為圖I中的A-A’截面的第二個(gè)實(shí)施例的局部示意圖。
具體實(shí)施方式
以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。參考圖1，圖I為本發(fā)明的陣列基板的局部示意圖。本發(fā)明的陣列基板包括柵極線(xiàn) 103、數(shù)據(jù)線(xiàn)101、薄膜晶體管102、像素電極109、公共電極203 (如圖2和3所示)。像素電極109上設(shè)有兩個(gè)相互垂直的主干電極107和多個(gè)條狀電極104，這些條狀電極104的一端與主干電極107相連，另一端朝向遠(yuǎn)離主干電極107的方向。公共電極203上設(shè)有兩個(gè)區(qū)域，分別記為第一區(qū)域105和第二區(qū)域106，第一區(qū)域105和第二區(qū)域106共面，均在公共電極203所在的平面上，并且不重疊。該第一區(qū)域105與該像素電極109所在的位置對(duì)應(yīng)，具體地，該第一區(qū)域105為像素電極109的外圍輪廓在公共電極203所在平面上的投影，該第一區(qū)域105的形狀、面積與像素電極109的外圍輪廓的形狀、面積一致，該外圍輪廓是指多個(gè)條狀電極104的遠(yuǎn)離主干電極107的一端的端點(diǎn)連成的形狀。該第二區(qū)域106與第一區(qū)域105相鄰，具體地，該第二區(qū)域106靠近該第一區(qū)域106的至少一側(cè)邊，該第二區(qū)域106 可以對(duì)稱(chēng)地設(shè)置于該第一區(qū)域105的兩側(cè)，或者，該第二區(qū)域106三面圍繞該第一區(qū)域105， 或者，該第二區(qū)域106四面包圍該第一區(qū)域105。該第二區(qū)域106上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口 108，該開(kāi)口 108的形狀為矩形、圓形、三角形或其它任意形狀。該開(kāi)口 108的位置面向一個(gè)條狀電極104遠(yuǎn)離主干電極107的一端，即，該開(kāi)口 108的中心與一個(gè)條狀電極104在公共電極 203所在的平面上的投影共線(xiàn)(虛線(xiàn)110)。參考圖2，圖2為圖I中的A-A’截面的第一個(gè)實(shí)施例的局部示意圖。在本實(shí)施例中，玻璃基板204、公共電極203、絕緣層202、像素電極109(條狀電極104)和鈍化層201依先后次序?qū)盈B組合為一體。公共電極203的第二區(qū)域106上設(shè)有開(kāi)口 108，該開(kāi)口 108的位置為在第二區(qū)域106上靠近像素電極109 (條狀電極104)的邊緣處。具體地，該開(kāi)口 108 設(shè)置在面向一個(gè)條狀電極104的遠(yuǎn)離主干電極107的一端的位置上，即，該開(kāi)口 108的中心與一個(gè)條狀電極104在公共電極203所在的平面上的投影共線(xiàn)(直線(xiàn)110)。該開(kāi)口 108設(shè)置在公共電極203面向像素電極109 (條狀電極104)的一面上并具有一第一預(yù)定深度hl， 該第一預(yù)定深度hi小于或等于公共電極203的厚度H。參考圖3，圖3為圖I中的A-A’截面的第二個(gè)實(shí)施例的局部示意圖。在本實(shí)施例中，玻璃基板204、公共電極203、絕緣層202、像素電極109(條狀電極104)和鈍化層201依先后次序?qū)盈B組合為一體。公共電極203的第二區(qū)域106上設(shè)有開(kāi)口 108，該開(kāi)口 108的位置為在第二區(qū)域106上靠近像素電極109 (條狀電極104)的邊緣處。具體地，該開(kāi)口 108 設(shè)置在面向一個(gè)條狀電極104的遠(yuǎn)離主干電極107的一端的位置上，即，該開(kāi)口 108的中心與一個(gè)條狀電極104在公共電極203所在的平面上的投影共線(xiàn)(虛線(xiàn)110)。該開(kāi)口 108設(shè)置在公共電極203背向像素電極109 (條狀電極104)的一面上并具有一第二預(yù)定深度第二預(yù)定深度h2，該第二預(yù)定深度第二預(yù)定深度h2小于或等于公共電極203的厚度H。本發(fā)明的液晶顯示裝置包括背光源、陣列基板、彩色濾光片基板，該背光源、陣列基板和彩色濾光片基板依次疊加 組合為一體。如圖1、2和3所示，該陣列基板包括柵極線(xiàn) 103、數(shù)據(jù)線(xiàn)101、薄膜晶體管102、像素電極109、公共電極203(圖中未示出)。像素電極109 上設(shè)有兩個(gè)相互垂直的主干電極107和多個(gè)條狀電極104，這些條狀電極104的一端與主干電極107相連，另一端朝向遠(yuǎn)離主干電極107的方向。公共電極上設(shè)有兩個(gè)區(qū)域，分別記為第一區(qū)域105和第二區(qū)域106，第一區(qū)域105和第二區(qū)域106共面，均在公共電極所在的平面上，并且不重疊。該第一區(qū)域105與該像素電極109所在的位置對(duì)應(yīng)，具體地，該第一區(qū)域 105為像素電極109的外圍輪廓在公共電極所在平面上的投影，該第一區(qū)域105的形狀、面積與像素電極109的外圍輪廓的形狀、面積一致，該外圍輪廓是指多個(gè)條狀電極104的遠(yuǎn)離主干電極107的一端的端點(diǎn)連成的形狀。該第二區(qū)域106與第一區(qū)域105相鄰，具體地，該第二區(qū)域106靠近該第一區(qū)域106的至少一側(cè)邊，該第二區(qū)域106可以對(duì)稱(chēng)地設(shè)置于該第一區(qū)域105的兩側(cè)，或者，該第二區(qū)域106三面圍繞該第一區(qū)域105，或者，該第二區(qū)域106 四面包圍該第一區(qū)域105。該第二區(qū)域106上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口 108，該開(kāi)口 108的形狀為矩形、圓形、三角形或其它任意形狀。該開(kāi)口的位置面向一個(gè)條狀電極104遠(yuǎn)離主干電極107 的一端，g卩，該開(kāi)口 108的中心與一個(gè)條狀電極104在公共電極203所在的平面上的投影共線(xiàn)(虛線(xiàn)110)。從圖I所示的陣列基板的A-A’截面觀察(如圖2和圖3所示)，陣列基板包括，玻璃基板204、公共電極203、絕緣層202、像素電極109 (條狀電極104)和鈍化層201， 玻璃基板204、公共電極203、絕緣層202、像素電極109 (條狀電極104)和鈍化層201依先后次序?qū)盈B組合為一體。公共電極203的第二區(qū)域106上設(shè)有開(kāi)口 108，該開(kāi)口 108的位置為在第二區(qū)域106上靠近像素電極109 (條狀電極104)的邊緣處。具體地，該開(kāi)口 108設(shè)置在面向一個(gè)條狀電極104的遠(yuǎn)離主干電極107的一端的位置上，即，該開(kāi)口 108的中心與一個(gè)條狀電極104在公共電極203所在的平面上的投影共線(xiàn)(虛線(xiàn)110)。該開(kāi)口 108設(shè)置在公共電極203面向像素電極109 (條狀電極104)的一面上并具有一第一預(yù)定深度hl，該第一預(yù)定深度hi小于或等于公共電極203的厚度H，和/或者，該開(kāi)口 108設(shè)置在公共電極 203背向像素電極109 (條狀電極104)的一面上并具有一第二預(yù)定深度第二預(yù)定深度h2， 該第二預(yù)定深度第二預(yù)定深度h2小于或等于公共電極203的厚度H。在本發(fā)明中，由于在公共電極上靠近像素電極109的區(qū)域邊緣處設(shè)有開(kāi)口，并且該開(kāi)口的位置設(shè)置于像素電極109的四周邊緣附近，該開(kāi)口的開(kāi)口方向設(shè)置于公共電極上面向像素電極109的一面或背對(duì)像素電極109的一面，該開(kāi)口的內(nèi)壁會(huì)聚集電荷，因此該開(kāi)口與條狀電極遠(yuǎn)離主干電極的一端之間會(huì)形成一電場(chǎng)，另外，由于該開(kāi)口具有一深度，該深度小于或等于公共電極的厚度，可以根據(jù)對(duì)液晶分子施加的作用力的大小和方向來(lái)設(shè)置該開(kāi)口的開(kāi)口方向以及深度，從而調(diào)整開(kāi)口內(nèi)壁上聚集的電荷的數(shù)量，進(jìn)而調(diào)整開(kāi)口與條狀電極遠(yuǎn)離主干電極的一端之間的電場(chǎng)，調(diào)整對(duì)像素電極109邊緣處液晶分子的排列，使得處在像素電極109邊緣處的液晶分子的取向與像素電極109除邊緣處以外的部位(中部區(qū)域)的液晶分子的取向大致相同，防止液晶分子在像素電極109的邊緣區(qū)域出現(xiàn)偏向紊亂的現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的顯示效果。 綜上所述，雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)、像素電極，所述像素電極包括至少一條狀電極和至少一主干電極，其特征在于，所述陣列基板還包括一公共電極，所述公共電極上定義有第一區(qū)域，所述第一區(qū)域?yàn)樗鱿袼仉姌O在所述公共電極所在平面上的投影；及第二區(qū)域，所述第二區(qū)域靠近所述第一區(qū)域的至少一側(cè)邊；所述公共電極在所述第二區(qū)域上設(shè)有至少一開(kāi)口。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)口的位置為在所述第二區(qū)域上靠近像素電極的邊緣處。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述第二區(qū)域處在所述第一區(qū)域的四周。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)口的深度小于或等于所述公共電極的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)口的中心與一所述條狀電極在公共電極所在的平面上的投影共線(xiàn)。
6.一種液晶顯示裝置，包括背光源、陣列基板、彩色濾光片基板；所述陣列基板包括 薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)；其特征在于，所述陣列基板還包括一像素電極，所述像素電極包括至少一條狀電極和至少一主干電極；一公共電極，所述公共電極上定義有第一區(qū)域，所述第一區(qū)域?yàn)樗鱿袼仉姌O在所述公共電極所在平面上的投影；及第二區(qū)域，所述第二區(qū)域靠近所述第一區(qū)域的至少一側(cè)邊；所述公共電極在所述第二區(qū)域上設(shè)有至少一開(kāi)口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述開(kāi)口的位置為在所述第二區(qū)域上靠近像素電極的邊緣處。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第二區(qū)域處在所述第一區(qū)域的四周。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述開(kāi)口的深度小于或等于所述公共電極的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述開(kāi)口的中心與一所述條狀電極在公共電極所在的平面上的投影共線(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板，包括薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)、像素電極，所述像素電極包括至少一條狀電極和至少一主干電極，所述陣列基板還包括一公共電極，所述公共電極上定義有第一區(qū)域，所述第一區(qū)域?yàn)樗鱿袼仉姌O在所述公共電極所在平面上的投影；及第二區(qū)域，所述第二區(qū)域靠近所述第一區(qū)域的至少一側(cè)邊；所述公共電極在所述第二區(qū)域上設(shè)有至少一開(kāi)口。本發(fā)明還公開(kāi)了一種液晶顯示裝置。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102722055SQ20121018082
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月4日
發(fā)明者楊流洋, 賈沛 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司