專利名稱：一種陣列基板及液晶顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器的制造領域，尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示裝置。
背景技術：
液晶顯示器是目前最廣泛使用的ー種平板顯示器，具有低功耗、外形薄、重量輕以及低驅動電壓等特征。隨著液晶平板顯示技術的發(fā)展，高端液晶顯示器正向著高對比度、增大V-T(電壓-透光率)曲線的梯度、快速響應等方向發(fā)展。VA (Vertical Alignment,垂直配向技術)液晶顯示面板包括對盒成型的陣列基板和彩膜基板，以及在兩基板之間的液晶層；其中，液晶層中液晶分子的排列方式為垂直狀。在不加電壓時，液晶分子垂直于基板表面排列；在通入開啟電壓時，像素電極和公共電極之間產生電場，在電場作用下使得液晶分子旋轉，將轉向與該電場垂直的方向排列，即使得液晶分子的排列方式由垂直態(tài)轉為水平態(tài)，使得一部分光從檢偏器射出，得到亮態(tài)顯示。TBA(Transverse Bend Alignment,橫向彎曲排列的液晶顯示模式)模式是液晶顯示面板中水平電場和垂直電場向混合的一種VA模式。

發(fā)明內容
本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及液晶顯示裝置，具體提供了ー種新型的具體有増大v-T(電壓-透光率)曲線的梯度，對比度，較理想的響應時間等優(yōu)點的四疇電極結構的陣列基板及液晶顯示裝置。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案一種陣列基板，包括柵線、數據線，以及所述柵線和數據線限定的像素単元；其中，所述像素單元中形成有同層設置的像素電極和公共電極；所述公共電極與所述像素電極均為梳狀結構，且所述公共電極的梳齒和所述像素電極的梳齒交替設置；所述梳狀結構的姆ー梳齒由結點分為方向不同的上梳齒和下梳齒，且所有上梳齒相互平行，所有下梳齒相互平行；相鄰的像素電極和公共電極，兩上梳齒間的間距與兩下梳齒間的間距不相等?！N液晶顯示裝置，包括陣列基板，彩膜基板，所述陣列基板為上述陣列基板。本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及液晶顯示裝置，通過將公共電極與像素電極設置為梳狀結構，公共電極的梳齒和像素電極的梳齒交替設置，姆ー梳齒由結點分為上梳齒和下梳齒，所有上梳齒相互平行，所有下梳齒相互平行，并且相鄰的像素電極和公共電極，兩上梳齒間的間距與兩下梳齒間的間距不相等，制作了ー種新型的四疇電極結構，包含了這種新型的四疇電極結構的陣列基板及液晶顯示裝置具有増大v-T(電壓-透光率)曲線的梯度，對比度，較理想的響應時間等優(yōu)點。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素単元的結構示意圖之ー；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素單元的結構示意圖之ニ ；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素単元的結構示意圖之三；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素単元的結構示意圖之四；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素単元的結構示意圖之五；圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素単元的結構示意圖之六；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種不規(guī)則結點與規(guī)則結點在同一條直線上的局部放大示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素単元的結構示意圖之八；圖9為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素単元的結構示意圖之九；圖10為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素単元的結構示意圖之十；圖11為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的像素単元的結構示意圖之十一；圖12為本發(fā)明實施例提供的一種增大V-T (電壓-透光率)曲線的梯度模擬結果的不意圖；圖13為本發(fā)明實施例提供的一種增大灰度級-透過度模擬結果的示意圖；附圖標記10-像素電極，11-公共電極，12-結點，13-上梳齒，14-下梳齒，像素電極的上梳齒-131，公共電極的上梳齒-132，像素電極的下梳齒-141，公共電極的下梳齒-142，兩上梳齒間的間距-151，兩下梳齒間的間距-152，兩個相鄰像素電極的兩上梳齒間的間距-153，兩個相鄰公共電極的兩上梳齒間的間距-154，兩個相鄰像素電極的兩下梳齒間的間距-155，兩個相鄰公共電極的兩下梳齒間的間距-156，規(guī)則結點-16，不規(guī)則結點-17。
具體實施例方式下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，如圖I所示，所述陣列基板包括柵線、數據線，以及所述柵線和數據線限定的像素単元；其中，像素単元中形成有同層設置的像素電極10和公共電極11，公共電極11與像素電極10均為梳狀結構，且公共電極11的梳齒和像素電極10的梳齒交替設置；梳狀結構的姆ー梳齒由結點12分為方向不同的上梳齒13和下梳齒14,且所有上梳齒13 (包括公共電極的上梳齒132和像素電極的上梳齒131)相互平行，所有下梳齒14(包括公共電極的下梳齒142和像素電極的下梳齒141)相互平行。相鄰的像素電極10和公共電極11，兩上梳齒13間的間距151與兩下梳齒14間的間距152不相等。具體的，陣列基板是四疇電極結構，這種四疇電極結構的像素電極10和公共電極11同層設置，并且均為梳狀結構，公共電極11的梳齒和像素電極10的梳齒交替設置，且均由每ー梳齒的結點12將梳齒分為方向不同的上梳齒13和下梳齒14。所有上梳齒13的方向相同，且相互平行；所有下梳齒的方向相同，且相互平行。在每個相鄰的像素電極10和公共電極11中，兩上梳齒13間的間距151與兩下梳齒14間的間距152不相等。需要說明的是，由于公共電極和像素電極為梳齒狀且每ー梳齒由結點分為方向不同的上梳齒和下梳齒，所以像素電極的電極有兩個方向，公共電極的電極有兩個方向，所以為四疇電極。同層是指利用氧化銦錫制成的ー層薄膜，同層設置是針對至少兩種圖案而言的，是指至少兩種圖案設置在同一層薄膜上的結構，具體的，是通過構圖エ藝在同種材料制成的ー層薄膜上形成所述至少兩種圖案。在本發(fā)明實施例中，公共電極的梳狀結構作為一種圖案，像素電極的梳狀結構作為另ー種圖案。 優(yōu)選的，參考圖5所示，兩上梳齒13間的間距151與兩下梳齒14間的間距152不相等具體為兩上梳齒13間的間距151為第一間距值，兩下梳齒14間的間距152為第二間距值；或者，兩上梳齒13間的間距151為第二間距值，兩下梳齒14間的間距152為第一間
距值；其中，第一間距值與第二間距值不相等。具體的，如圖5所示，例如第一間距值為a，第二間距值為b，參考圖2所示，若兩上梳齒13間的間距151為a，則相應的，兩下梳齒14間的間距152為b。若兩上梳齒13間的間距151為b，則相應的，兩下梳齒14間的間距152為a。需要說明的是，a與b為任意不相等的兩個正實數。ー種情況，如圖2所示，兩個相鄰公共電極11的兩上梳齒132間的間距154與兩個相鄰像素電極10的兩上梳齒131間的間距153不相等；兩個相鄰的公共電極11的下梳齒142間的間距156與兩個相鄰像素電極10的下梳齒141間的間距155不相等。具體的，兩個相鄰公共電極11的兩上梳齒132間的間距154是公共電極11和其相鄰的像素電極10的兩上梳齒13間的間距與此像素電極10和其相鄰的另一公共電極11的兩上梳齒13間的間距之和。兩個相鄰像素電極10的兩上梳齒131間的間距153是像素電極10和其相鄰的公共電極11的兩上梳齒13間的間距與此公共電極11和其相鄰的另一像素電極10的兩上梳齒13間的間距之和。相鄰的兩個上梳齒13之間的間距151可以相等，也可以不相等，但是兩個相鄰公共電極11的兩上梳齒132間的間距154與兩個相鄰像素電極10的兩上梳齒131間的間距153不相等。兩個相鄰公共電極11的兩下梳齒142間的間距156是公共電極11和其相鄰的像素電極10的兩下梳齒14間的間距與此像素電極10和其相鄰的另一公共電極11的兩下梳齒14間的間距之和。兩個相鄰像素電極10的兩下梳齒141間的間距155是像素電極10和其相鄰的公共電極11的兩下梳齒14間的間距與此公共電極11和其相鄰的另一像素電極10的兩下梳齒14間的間距之和。相鄰的兩個下梳齒14間的間距152可以相等，也可以不相等，但是兩個相鄰的公共電極11的下梳齒142間的間距156與兩個相鄰像素電極10的下梳齒141間的間距155不相等。需要說明的是，相鄰的兩個上梳齒之間的間距可以相等也可以不相等，且相鄰的兩個下梳齒間的間距可以相等也可以不相等。優(yōu)選的，參考如圖5所示，所有相鄰上梳齒13間的間距151按照第一間距值，第ニ間距值，第二間距值，第一間距值的循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒14間的間距152按照第二間距值，第一間距值，第一間距值，第二間距值的循環(huán)依次排列。或者，所有相鄰上梳齒13間的間距151按照第一間距值，第一間距值，第二間距值，第二間距值的循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒14間的間距152按照第二間距值，第二間距值，第一間距值，第一間距值的循環(huán)依次排列。具體的，參考圖5所示，根據上述例子，第一間距值為a，第二間距值為b，所有相鄰上梳齒13間的間距151按照a，b，b，a的順序循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒14間的間距152按照b，a，a，b的順序循環(huán)依次排列?；蛘?，所有相鄰上梳齒13間的間距151按照a, a, b，b，的順序循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒14間的間距152按照b，b，a，a，的順序循環(huán)依次排列。下面以所有相鄰上梳齒13間的間距151按照a，b，b，a的順序循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒14間的間距152按照b，a, a, b的順序循環(huán)依次排列為例進行說明，參考圖5所示。在陣列基板的像素單元中的相鄰的公共電極11和像素電極10，最后四個相鄰上梳齒13間的間距151按照a，b，b，a的順序循環(huán)排列到最后ー個相鄰上梳齒13間的間距151可以剛好是個完整的循環(huán)，即最后四個上梳齒13間的間距為a，b，b，a。則相應的，最 后四個相鄰下梳齒14間的間距152按照b，a, a, b的順序循環(huán)排列到最后ー個相鄰下梳齒13間的間距152也是個完整的循環(huán)，即最后四個下梳齒14間的間距為b，a, a, b。當然，最后四個相鄰上梳齒13間的間距151按照a，b，b，a的順序循環(huán)排列到最后ー個相鄰上梳齒13間的間距151可以不是個完整的循環(huán)，即最后四個上梳齒13間的間距為a，a, b，b，或者是b, a, a, b,或者是b, b, a, a ;相應的,最后四個相鄰下梳齒14間的間距152按照b, a, a,b的順序循環(huán)排列到最后ー個相鄰下梳齒13間的間距152也不是ー個完整的循環(huán)，可以是，
b，b，Si，Si，^ /ib，￡ij b，b，Si，/je ￡i，￡i，b，bo需要說明的是，上述按照第一間距值，第二間距值，第二間距值，第一間距值的循環(huán)依次排列是所有相鄰像素電極與公共電極間的兩上梳齒的間距按照第一間距值，第二間距值，第二間距值，第一間距值的順序排列，當這個完整順序排列完成后，就會重新開始從這個完整順序的ー個值開始排列，例如，第一到第四個上梳齒的間距順序為第一間距值，第ニ間距值，第二間距值，第一間距值，則第五到第八個上梳齒的間距順序為第一間距值，第ニ間距值，第二間距值，第一間距值，往后依次重新開始按照第一間距值，第二間距值，第二間距值，第一間距值的順序循環(huán)依次排列。進ー步的，所有結點都為規(guī)則結點16，且所有結點不都在同一條直線上。或者，所有結點分為規(guī)則結點16和不規(guī)則結點17，且所有結點都在同一條直線上。具體的，由于兩上梳齒13間的間距151和兩下梳齒14間的間距152不相等，且兩個相鄰公共電極11的兩上梳齒13間的間距154與兩個相鄰像素電極10的兩上梳齒13間的間距153不相等；兩個相鄰的公共電極11的下梳齒14間的間距156與兩個相鄰像素電極10的下梳齒14間的間距155不相等，所以，所有規(guī)則結點16不都在同一條直線上，如圖3所示。當然，在滿足上述條件的前提下，將部分結點制作為不規(guī)則的結點17，便可以使得所有結點都在同一條直線上，如圖4所示。例如，根據上述例子，所有相鄰上梳齒13間的間距151按照a，b，b，a的順序循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒14間的間距152按照b，a, a, b的順序循環(huán)依次排列。所有規(guī)則結點可分為三類A，B, C，且這三類結點不在同一條直線上，如圖5所示。當然，在滿足上述條件的前提下，以A類結點的位置為準，將B類結點和C類結點的位置調整到與A類結點的位置在同一條直線上，這時需將B類結點和C類結點制作為不規(guī)則結點，如圖6所示。如圖7所示，不規(guī)則結點17比規(guī)則結點16窄。其中，在此，并不限定必須以A類結點的位置為準，也可以以B類結點的位置或C類結點的位置為準，本發(fā)明實施例對此并不做限定。需要說明的是，規(guī)則結點是公共電極或像素電極的上梳齒或下梳齒的上下寬度一致，沒有凹曲部分。不規(guī)則結點是公共電極或像素電極的上梳齒或下梳齒的上下寬度不一致，有凹曲部分。上述的窄是指因需要將結點所在的公共電極或像素電極的梳齒制作成有凹曲部分的梳齒，窄便指的是此凹曲部分。另一種情況，如圖8所示，相鄰的兩個上梳齒13之間的間距151不相等，且相鄰的兩個下梳齒14間的間距152不相等。 具體的，相鄰的兩個上梳齒13間的間距151是兩個不相等的間距值，并且相鄰的兩個下梳齒14間的間距152也是兩個不相等的間距值。進一步的，如圖9所示，兩個相鄰公共電極11的兩上梳齒13間的間距154與兩個相鄰像素電極10的兩上梳齒13間的間距153相等。兩個相鄰的公共電極11的下梳齒14間的間距156與兩個相鄰像素10電極的下梳齒14間的間距155相等。具體的，相鄰的兩個上梳齒13之間的間距151不相等，但是兩個相鄰公共電極11的兩上梳齒13間的間距154與兩個相鄰像素電極10的兩上梳齒13間的間距153是相等的，相鄰的兩個下梳齒14間的間距152不相等，但是兩個相鄰的公共電極11的下梳齒14間的間距156與兩個相鄰像素10電極的下梳齒14間的間距155是相等的。優(yōu)選的，參考圖9所示，所有相鄰上梳齒13間的間距151按照第一間距值，第二間距值的循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒14間的間距152按照第二間距值，第一間距值的循環(huán)依次排列。具體的，參考圖9所示，根據上述例子，第一間距值為a，第二間距值為b，所有相鄰上梳齒13間的間距151按照a，b的順序循環(huán)依次排列。相應的，所有相鄰下梳齒14間的間距152按照b，a的循環(huán)依次排列。進一步的，所有結點12都為規(guī)則結點16，且所有結點12不都在同一條直線上。或者，所有結點12分為規(guī)則結點16和不規(guī)則結點17，且所有結點12都在同一條直線上。具體的，由于兩上梳齒13間的間距151和兩下梳齒14間的間距152不相等，且兩個相鄰公共電極11的兩上梳齒13間的間距154與兩個相鄰像素電極10的兩上梳齒13間的間距153不相等；兩個相鄰的公共電極11的下梳齒14間的間距156與兩個相鄰像素電極10的下梳齒14間的間距155不相等，所以，所有規(guī)則結點16不都在同一條直線上，如圖10所示。當然，在滿足上述條件的前提下，將部分結點制作為不規(guī)則的結點17，便可以使得所有結點都在同一條直線上，如圖11所示。其中，參考圖7所示，不規(guī)則結點17比規(guī)則結點16窄。本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，具有增大V_T(電壓-透光率)曲線的梯度，對比度，快速的響應時間等優(yōu)點。下面以6/8間隔的電極的模擬結果為例進行說明。其中，6/8間隔表示電極的第一間距值為6，第二間距值為8。具體的，SIMPLE_6_8表示現(xiàn)有技術中的二疇6/8間隔的電極設計，以下簡稱S_6_8。TWSIT_6_8表示本發(fā)明實施例中電極的部分規(guī)則結點和部分不規(guī)則結點在同一條直線上，以下簡稱T_6_8。No_line_6_8表不本發(fā)明實施例中的電極的所有規(guī)則結點不在同一條直線上，以下簡稱N_6_8。提高對比度的模擬結果如下，
權利要求
1.一種陣列基板，包括柵線、數據線，以及所述柵線和數據線限定的像素單元；其中，所述像素單元中形成有同層設置的像素電極和公共電極；其特征在于，所述公共電極與所述像素電極均為梳狀結構，且所述公共電極的梳齒和所述像素電極的梳齒交替設置；所述梳狀結構的每一梳齒由結點分為方向不同的上梳齒和下梳齒，且所有上梳齒相互平行，所有下梳齒相互平行； 相鄰的像素電極和公共電極，兩上梳齒間的間距與兩下梳齒間的間距不相等。
2.根據權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，兩個相鄰公共電極的兩上梳齒間的間距與兩個相鄰像素電極的兩上梳齒間的間距不相等；兩個相鄰的公共電極的下梳齒間的間距與兩個相鄰像素電極的下梳齒間的間距不相等。
3.根據權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，相鄰的兩個上梳齒之間的間距不相等，且相鄰的兩個下梳齒間的間距不相等。
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，兩個相鄰公共電極的兩上梳齒間的間距與兩個相鄰像素電極的兩上梳齒間的間距相等；兩個相鄰的公共電極的下梳齒間的間距與兩個相鄰像素電極的下梳齒間的間距相等。
5.根據權利要求I 4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述兩上梳齒間的間距與兩下梳齒間的間距不相等具體為所述兩上梳齒間的間距為第一間距值，所述兩下梳齒間的間距為第二間距值；或者，所述兩上梳齒間的間距為第二間距值，所述兩下梳齒間的間距為第一間距值；其中，所述第一間距值與第二間距值不相等。
6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所有相鄰上梳齒間的間距按照第一間距值，第二間距值，第二間距值，第一間距值的循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒間的間距按照第二間距值，第一間距值，第一間距值，第二間距值的循環(huán)依次排列；或者，所有相鄰上梳齒間的間距按照第一間距值，第一間距值，第二間距值，第二間距值的循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒間的間距按照第二間距值，第二間距值，第一間距值，第一間距值的循環(huán)依次排列。
7.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所有相鄰上梳齒間的間距按照第一間距值，第二間距值的循環(huán)依次排列，相應的，所有相鄰下梳齒間的間距按照第二間距值，第一間距值的循環(huán)依次排列。
8.根據權利要求I 4、6 7任一項所述的陣列基板，其特征在于，所有結點都為規(guī)則結點，且所有結點不都在同一條直線上；或者， 所有結點分為規(guī)則結點和不規(guī)則結點，且所有結點都在同一條直線上。
9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述不規(guī)則結點比所述規(guī)則結點窄。
10.一種液晶顯示裝置，包括陣列基板，彩膜基板，其特征在于，所述陣列基板為權利要求I 9任一項所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及液晶顯示裝置，涉及液晶顯示器的制造領域，實現(xiàn)了一種新型的具體有增大V-T曲線的梯度，對比度，較理想的響應時間等優(yōu)點的四疇電極結構的陣列基板及液晶顯示裝置。所述陣列基板包括柵線、數據線，以及所述柵線和數據線限定的像素單元；其中，所述像素單元中形成有同層設置的像素電極和公共電極；所述公共電極與所述像素電極均為梳狀結構，且所述公共電極的梳齒和所述像素電極的梳齒交替設置；所述梳狀結構的每一梳齒由結點分為方向不同的上梳齒和下梳齒，且所有上梳齒相互平行，所有下梳齒相互平行；相鄰的像素電極和公共電極，兩上梳齒間的間距與兩下梳齒間的間距不相等。本發(fā)明實施例適用于液晶顯示器的生產。
文檔編號G02F1/1343GK102629061SQ201210047869
公開日2012年8月8日 申請日期2012年2月27日 優(yōu)先權日2012年2月27日
發(fā)明者李明超, 柳在健, 魯姣明 申請人:京東方科技集團股份有限公司