用于工藝優(yōu)化的相位調(diào)諧的技術(shù)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了用于確定將光刻掩模的定相區(qū)制造得多么厚或多么深的技術(shù)。一個示例性實(shí)施例提供了一種方法，其包括：提供包括第一測試集的第一掩模布局設(shè)計(jì)，并提供包括第二測試集的第二掩模布局設(shè)計(jì)，其中第二測試集大于第一測試集；針對一系列相位深度/厚度模擬在第一測試集中的感興趣結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸離焦，并基于模擬的結(jié)果來選擇初始優(yōu)選掩模相位深度/厚度；以及產(chǎn)生在初始優(yōu)選相位深度/厚度下的快速厚掩模模型(FTM)，并使用FTM校正第二掩模布局設(shè)計(jì)的第二測試集，從而提供優(yōu)化掩模布局設(shè)計(jì)?？蓪?shí)施具有優(yōu)化掩模布局設(shè)計(jì)的掩模來給出最佳圖案化。
【專利說明】用于工藝優(yōu)化的相位調(diào)諧的技術(shù)
【背景技術(shù)】
[0001]如已知的，當(dāng)制造集成電路時，一般使用光刻法。該工藝通常包括在半導(dǎo)體晶片的表面上涂覆光致抗蝕劑層，以及接著照射光穿過具有期望圖案的掩模并將光聚焦到光敏光致抗蝕劑中。掩模一般具有鉻的不透光(不透明)區(qū)和石英的透光(透明)區(qū)。然后來自光源(例如紫外或深紫外光等)并經(jīng)由光學(xué)透鏡系統(tǒng)聚焦的輻射被施加到掩模。在任何這樣的情況下，光穿過透明掩模區(qū)并暴露光致抗蝕劑層的相應(yīng)區(qū)，且被不透明掩模區(qū)阻擋以維持光致抗蝕劑層的其它部分不暴露。根據(jù)所使用的特定工藝，可接著移除光致抗蝕劑層的被暴露或未暴露區(qū)，從而將圖案化的抗蝕劑層留在晶片上，這轉(zhuǎn)而允許晶片的隨后處理，例如蝕刻、沉積和其它典型半導(dǎo)體工藝。
[0002]使能具有相對好的對比度的較小的最小器件尺寸的一種常規(guī)技術(shù)通常被稱為交替相移掩模(APSM)。APSM利用由于光穿過兩個相鄰的透明掩模區(qū)而引起的破壞性干涉來在光致抗蝕劑層上建立未暴露區(qū)域。簡言之，穿過并離開透明掩模區(qū)的光波的相位是掩模厚度的函數(shù)，所以相鄰掩模區(qū)的掩模厚度可被選擇性地改變，使得從那些相鄰區(qū)離開的光是異相的，這引起破壞性干涉(例如，其中從一個相鄰區(qū)離開的光波具有與從另一相鄰區(qū)離開的光波的相位異相的相位，且該波因此彼此抵消或否則產(chǎn)生減小的振幅的組合波)。因?yàn)楣庵驴刮g劑材料對光的強(qiáng)度是有響應(yīng)的，未暴露區(qū)域?qū)⒃诠庵驴刮g劑層上在不同厚度的透明區(qū)是相鄰的地方形成。其它掩模技術(shù)(例如無鉻相移光刻法(CPL))也可用于在穿過掩模的一 些部分的光相對于穿過掩模的其它部分的光之間引入相位偏移。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0003]圖1a和Ib示意性示出配置有定相掩模特征的CPL掩模。
[0004]圖2a示意性示出典型光刻工具。
[0005]圖2b示意性示出圖2a所示的光刻工具的示例性掩模的自上而下視圖。
[0006]圖2c示意性示出示例性襯底的自上而下視圖，該襯底在其上具有根據(jù)圖2b所示的掩模而圖案化的光致抗蝕劑層。
[0007]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于對光刻掩模進(jìn)行相位調(diào)諧以用于工藝優(yōu)化的方法。
[0008]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的給定掩模布局的各種特征的關(guān)鍵尺寸(CD)離焦(through focus)的模擬結(jié)果。
[0009]圖5a和5b每個分別示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的對兩個相位深度的大布局測試集的離焦分析的概述，其中每個點(diǎn)代表布局中的一個特征，X軸是離在目標(biāo)散焦處的CD的正散焦⑶偏差，而I軸是離在目標(biāo)散焦處的⑶的負(fù)散焦⑶偏差。
[0010]圖6a和6b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示探究可用的設(shè)計(jì)規(guī)則空間的多個布局的大測試集的例子。
[0011]圖6c示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的可由模擬程序在合理量的時間內(nèi)準(zhǔn)確地處理的小測試集的例子。[0012]圖7示出計(jì)算系統(tǒng)，其實(shí)施有使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例優(yōu)化的光刻掩模而形成的一個或多個集成電路結(jié)構(gòu)或器件。
【具體實(shí)施方式】
[0013]提供了用于確定將光刻掩模的定相區(qū)制造得多么厚或多么深的技術(shù)。所述技術(shù)可用于給出最佳圖案化。雖然可在形成任何光刻掩模時使用所述技術(shù)，它們當(dāng)所蝕刻的掩模特征或膜的尺寸以暴露系統(tǒng)的光的波長的規(guī)模(或更小)時和當(dāng)亞分辨率輔助特征存在時是特別有用的。
[0014]一般概沭
[0015]如前面解釋的，存在各種光刻掩模技術(shù)，例如CPL和APSM，其中將整個掩模中的相位差用于提高空間圖像質(zhì)量。在這樣的情況下，通過蝕刻石英或通過添加膜來設(shè)計(jì)掩模，以便在穿過掩模的一些部分的光相對于穿過掩模的其它部分的光之間引入相位差。在各種波之間的破壞性干涉提高了空間圖像對比度。當(dāng)定相特征的尺寸與暴露系統(tǒng)的光的波長比較是大的且光源是相干的時，估計(jì)最大化空間圖像對比度所必需的所需的石英蝕刻深度或施加膜的厚度通常很簡單。在這樣的情況下，膜和石英的光學(xué)特性可用于計(jì)算將在相位延遲光和非延遲光之間引入180ο相位偏移的膜厚度或蝕刻深度。然而對于很多掩模布局,所蝕刻的掩模特征或膜的尺寸以光的波長的規(guī)?；蚋?，且當(dāng)定相亞分辨率輔助特征存在時，由于例如大量衍射出現(xiàn)、在緊密間隔的相位邊緣之間的交互作用和歸因于三維掩模效應(yīng)的焦點(diǎn)移動，這樣的相位計(jì)算不再是有效的。此外，因?yàn)橐恍┫嘁萍夹g(shù)(例如CPL)使用強(qiáng)離軸照明，光以大的傾斜角撞擊在掩模上，這使得難以通過簡單的方式來確定最佳相位深度。
[0016]因此且根據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施例，提供了用于確定將光刻掩模的定相區(qū)制造得多厚或多深以便給出最佳圖案化并允許相位技術(shù)的完全利用的技術(shù)。可例如在集成電路設(shè)計(jì)的制造中使用的一個或多個相位優(yōu)化光刻掩模中實(shí)施所述技術(shù)。按照本公開，很多應(yīng)用將是明顯的。
[0017]圖1a和Ib示出示例性無鉻相位光刻(CPL)定相掩模特征。CPL是使用無鉻掩模特征來定義電路特征的光刻技術(shù)。這些掩模特征一般提供O相移或pi相移，并可通過將石英襯底蝕刻到與在暴露平臺的照明波長下的180°相移對應(yīng)的深度或通過將相移層添加在石英襯底上以便提供在暴露平臺的照明波長下的180°相移來形成這些掩模特征。圖1a示出示例性CPL掩模的透視圖和透明圖，且圖1b示出該掩模的自上而下視圖。如可看到的，確定相位的參數(shù)是石英中的蝕刻深度。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該深度可被改變或否則被調(diào)諧以優(yōu)化在成像晶片級處的空間圖像對比度。
[0018]圖2a示意性示出典型光刻工具，其也可被稱為微光刻工具或掃描儀或暴露系統(tǒng)。如可看到的，該工具通常包括光源、有效地對光進(jìn)行圖案化的掩模和將圖案化的光聚焦到包括襯底的成像平面上的投影光學(xué)器件，該襯底在其上具有一層光致抗蝕劑。圖2b示意性示出可與工具一起使用的示例性掩模配置的自上而下視圖，且圖2c示意性示出示例性襯底的自上而下視圖，該襯底在其上具有根據(jù)圖2b所示的掩模而圖案化的一層光致抗蝕劑。
[0019]這樣的工具一般使用用于光源的單色光來將掩模的圖案(有時被稱為分劃板)傳送到被涂覆在襯底(例如硅晶片或其它適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體襯底)上的光敏光致抗蝕劑。對于很多應(yīng)用，光致抗蝕劑中的開口的尺寸需要被控制到非常高的容限。在這樣的情況下，可控制工具在工作時所在的條件以最小化在光致抗蝕劑中的特征的所測量的尺寸(有時被稱為關(guān)鍵尺寸或⑶，如圖2c所示)與期望尺寸(有時被稱為目標(biāo)尺寸)之間的誤差。這是在將被依次討論的圖5a和5b中標(biāo)出的誤差。
[0020]導(dǎo)致這個⑶偏差的在工具上的變化的一個源是工具的焦點(diǎn)控制。被聚焦到襯底上的光致抗蝕劑中的掩模結(jié)構(gòu)的圖像具有有限的焦深。當(dāng)焦點(diǎn)從最佳焦點(diǎn)偏離時，CD從目標(biāo)⑶偏離，直到抗蝕劑不再是敞開的。因此，工藝的參數(shù)(例如掩模、掃描儀設(shè)置、光致抗蝕劑和其它這樣的可控制因素)可被選擇，以使得針對在晶片上同時成像的所有結(jié)構(gòu)來最小化離目標(biāo)的CD偏差。被成像的結(jié)構(gòu)的數(shù)量可極大地改變，且可以在例如一到幾或數(shù)十或數(shù)百或數(shù)千或數(shù)百萬或甚至數(shù)十億的范圍內(nèi)。
[0021]在半導(dǎo)體工業(yè)中使用的很多掩模是所謂的二進(jìn)制掩模。二進(jìn)制掩模是阻擋光或允許它通過的掩模。例如，對于使用正色調(diào)抗蝕劑(其中光暴露導(dǎo)致抗蝕劑移除的抗蝕劑)，掩模主要由在被開口穿孔的石英掩模襯底上的不透明材料組成，在該開口處光被允許穿過以暴露光致抗蝕劑并在它中打開孔。因?yàn)樵诓煌该鞑牧现械拈_口一般與用于成像的光的波長一樣小或比該波長小，存在大量衍射和折射，這使預(yù)測光致抗蝕劑中的光剖面(空間圖像)看來像什么變得很難。計(jì)算上非常密集的軟件可用于在光穿過掩模中的小特征和它們的側(cè)壁以在襯底成像平面處建立圖像時準(zhǔn)確地預(yù)測光如何衍射和折射。在沒有這樣的準(zhǔn)確軟件的情況下，將很難知道將掩模中的開口制造得多大以在所需的嚴(yán)格容限內(nèi)在所需CD下得到抗蝕劑開口。
[0022]存在被稱為相移掩模的另一類較不廣泛使用的掩模類型，相移掩模使用在穿過掩模的相鄰部分的光之間的相位差來在光致抗蝕劑中建立期望空間圖像。這些掩模類型的例子是APSM、CPL和線端相移掩模(LEPSM)。與二進(jìn)制掩模不同，這些掩模具有在不透明材料中的第三類型的開口，其允許光通過，但與穿過掩模中的標(biāo)準(zhǔn)光致抗蝕劑開口的光相比，引入對光的180°的相移。當(dāng)來自這兩種類型的開口的光在晶片平面處干涉時，破壞性干涉可能產(chǎn)生更好的空間圖像對比度(其通常指從亮區(qū)域到暗區(qū)域的過渡的銳度)，且因此提高給定布局的特征的關(guān)鍵尺寸的控制。在這個意義上，精確相位差可被選擇或否則被調(diào)諧以實(shí)現(xiàn)最佳成像。如果相位差太小或太大，則破壞性干涉將不明顯，且相移的全部益處將不實(shí)現(xiàn)或否則將產(chǎn)生次最優(yōu)成像。
[0023] 可通過將透明石英(或其它透光區(qū))蝕刻到如參考圖1a和Ib討論的相應(yīng)的深度而產(chǎn)生期望相移。這個深度直接與所引入的相位有關(guān)，并可被精確地控制，如按照本公開將清楚的那樣。此外，因?yàn)檫@些凹坑或平臺(通常，定相掩模特征)的尺寸與光的波長相比是小的，且因?yàn)樵跍喜刍蚱脚_中存在側(cè)壁以使光衍射，所以理解溝槽必須在掩模中多深(或掩模上的平臺必須多高)以提供最佳總對比度通常并不簡單。確定最佳深度的唯一方式是在掃描儀上完成各種深度和各種焦點(diǎn)設(shè)置的計(jì)算上非常密集的模擬以找出哪個提供最佳空間圖像對比度。根據(jù)掩模復(fù)雜性，完成這樣的計(jì)算可能是高度不實(shí)際的，如果不是不可能的話。例如并假設(shè)具有數(shù)百萬個特征的掩?？杀灰詳?shù)百萬個不同的配置來組織，則解決一個掩模和一組掃描儀條件將花費(fèi)數(shù)年。給定當(dāng)前的商業(yè)發(fā)展周期和進(jìn)行魯棒商業(yè)的現(xiàn)實(shí)，需要快得多(大約數(shù)天或數(shù)星期或可能數(shù)月)完成這樣的模擬。本發(fā)明的各種實(shí)施例提供用于優(yōu)化掩模蝕刻深度以針對給定的一組掃描儀條件提供在掩模上的數(shù)百萬結(jié)構(gòu)的最佳成像的技術(shù)。[0024]通
[0025]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于對光刻掩模進(jìn)行相位調(diào)諧以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化的方法?？赏ǔＪ褂矛F(xiàn)有的模擬工具和標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近修正(OPC)技術(shù)來執(zhí)行該方法。此外，這個示例性實(shí)施例使用兩種掩模布局設(shè)計(jì)。第一掩模布局通常在本文被稱為大測試集，而第二掩模布局通常在本文被稱為小測試集?，F(xiàn)在將轉(zhuǎn)而討論這樣的模擬工具和掩模布局的例子。按照本公開，很多變化將是明顯的。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例，在執(zhí)行該方法時可使用兩種類型的現(xiàn)有模擬軟件。所謂的準(zhǔn)確程序使用算法來提供當(dāng)光穿過掩模并聚焦在襯底上時發(fā)生了什么的最準(zhǔn)確模擬。這有時被稱為嚴(yán)格光刻模擬工具(RLST)。通常，RLST被編程或否則配置成有效地提供對穿過給定掩模的光的透射的麥克斯韋方程的嚴(yán)格解，并可因此準(zhǔn)確地捕獲掩模中的不同溝槽深度對成像的影響。與RLST相關(guān)的這個準(zhǔn)確性的代價是在計(jì)算機(jī)上的相對非常長的運(yùn)行時間。如前面解釋的，在給定發(fā)展規(guī)劃的時間約束下準(zhǔn)確地模擬甚至少數(shù)結(jié)構(gòu)也可能是有挑戰(zhàn)性的。根據(jù)一個這樣的實(shí)施例的第二軟件套件或工具是所謂的快速厚掩模模型(FTM)模擬器，其被編程或否則配置成基于掩模場來計(jì)算在成像平面處的圖像剖面。通常，F(xiàn)TM工具是考慮在成像期間出現(xiàn)在掩模處的大部分光學(xué)效應(yīng)的RLST的版本，但數(shù)量級比RLST快。對這個速度的代價是準(zhǔn)確性以及RLST產(chǎn)生用于完成FTM模擬的庫的先期時間。優(yōu)點(diǎn)是，F(xiàn)TM工具可在給定時間內(nèi)考慮比RSLT多得多的類型的結(jié)構(gòu)，使得它可用于確保掩模上的所有特征被正確地成像。再次，特征的數(shù)量范圍可從少數(shù)到數(shù)百萬或甚至數(shù)十億特征，取決于電路設(shè)計(jì)和為給定設(shè)備發(fā)展計(jì)劃分配的時間。除了 RLST和FTM模擬模塊以外且根據(jù)一些示例性實(shí)施例，該方法還使用快速光學(xué)鄰近修正(OPC)軟件，該軟件可使用所產(chǎn)生的FTM來識別現(xiàn)實(shí)布局中的熱點(diǎn)或有問題的設(shè)計(jì)區(qū)域離焦。如將認(rèn)識到的，RLST和FTM模擬模塊以及OPC模塊可在滿足RLST/FTM/0PC工具的最低要求(例如關(guān)于處理器速度、存儲器、操作系統(tǒng)等)的通用計(jì)算機(jī)上被執(zhí)行。如將進(jìn)一步認(rèn)識到的，這些軟件工具中的每個可包括多個模塊或例程， 該多個模塊或例程提供期望計(jì)算功能以及其它典型軟件部件(例如圖形用戶界面和數(shù)據(jù)記錄模塊)。
[0027]如前面指示的，這個示例性實(shí)施例的方法使用兩種掩模布局設(shè)計(jì)。第一掩模布局通常具有執(zhí)行寬范圍的感興趣的給定設(shè)計(jì)規(guī)則空間的各種各樣設(shè)計(jì)(通常在本文被稱為大測試集)。第二掩模布局通常是可最初例如使用工程判斷和設(shè)計(jì)規(guī)則的知識來選擇的小得多的設(shè)計(jì)集合。這個初始測試集小到足以在合理量的時間內(nèi)基于例如根據(jù)給定發(fā)展計(jì)劃時間線所分配的時間由RLST模擬(通常在本文被稱為小測試集)。圖6a和6b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示探究可用的設(shè)計(jì)規(guī)則空間的數(shù)萬個布局的大測試集的例子。圖6c示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的可由RLST在合理量的時間內(nèi)準(zhǔn)確地處理的小測試集的例子。
[0028]現(xiàn)在參考圖2，該方法以以下步驟開始:針對給定的設(shè)計(jì)布局來模擬(301)針對一系列相位深度/厚度在小測試集中的感興趣結(jié)構(gòu)的CD離焦。如前面解釋的，在定相特征被蝕刻的場合，相位深度通常適用，以及在膜或其它材料被沉積或否則逐漸聚積在掩模上以提供定相特征的場合，相位厚度通常適用。通常，小測試集可包括例如每一給定發(fā)展計(jì)劃的在所分配的時間內(nèi)可處理的任何數(shù)量的特征。在一種示例性情況下，包括在小測試集中的特征的數(shù)量在10到1000的范圍內(nèi)。然而注意，所主張的發(fā)明本身并沒有被規(guī)定為限于任何特殊尺寸范圍的測試集。進(jìn)一步注意，不是在給定測試集或設(shè)計(jì)布局內(nèi)的所有結(jié)構(gòu)都需要被分析。例如，在一些示例性實(shí)施例中，針對一系列蝕刻深度或膜厚度，使用RLST模擬在小測試集中的僅僅某些關(guān)鍵/有問題的結(jié)構(gòu)的CD離焦(例如容易受到擠壓的端到端線空間和/或結(jié)構(gòu)和/或其它這樣的有問題的特征)，同時保持布局是相同的。在一些示例性情況中，針對焦點(diǎn)定心、焦深和相位深度/厚度偏斜的空間圖像對比度，分析在所選擇的EOp處的CD和通過關(guān)鍵(或否則選定的)特征的空間圖像切片。其它實(shí)施例可包括額外或不同的分析參數(shù)，如按照本公開將認(rèn)識到的那樣。
[0029]該方法以基于RLST模擬結(jié)果選擇(303)最佳或否則優(yōu)選的掩模相位深度/厚度來繼續(xù)。圖4示出根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的給定掩模布局的各種特征的CD離焦的示例性RLST模擬結(jié)果。特別地，圖4用曲線示出小測試集(例如圖6c所示的示例性小測試集)的RLST結(jié)果，其示出容易受到擠壓的端到端(ETE)空間和/或結(jié)構(gòu)的CD離焦，如圖4所示的曲線中的不同形狀所標(biāo)出和進(jìn)一步表示的那樣。如可進(jìn)一步看到的，當(dāng)相位深度/厚度從235nm改變到175nm(如對圖4所示的每個曲線標(biāo)出的)時，由于曲線的拉平和在兩個結(jié)構(gòu)之間的中心焦點(diǎn)移動的下降，所以總焦深提高了。因此，可選擇給出例如最佳總焦深和總空間圖像質(zhì)量的相位深度/厚度的初始估計(jì)。在圖4所示的示例性測試集中，175nm被選擇為初始最佳相位深度/厚度。如現(xiàn)在將解釋的，針對這個相位深度/厚度來創(chuàng)建快速厚掩模模型(FTM)。
[0030]進(jìn)一步參考圖2，該方法以產(chǎn)生(305)在初始最佳/優(yōu)選相位深度/厚度處的快速厚掩模模型(FTM)并接著使用FTM校正(307)大數(shù)據(jù)集以提供第二或否則進(jìn)一步的優(yōu)化布局設(shè)計(jì)來繼續(xù)。
[0031]可接著分析結(jié)果。因此，在這種示例性情況下，該方法以在313處的確定繼續(xù)，該確定基于例如給定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)則集來確定優(yōu)化是否是足夠的。優(yōu)化的期望水平將根據(jù)實(shí)施例而改變。在一些示例性實(shí)施例中，所考慮的參數(shù)包括離焦、對比度和/或掩模誤差增強(qiáng)因子(MEEF)中的一個或多個。例如，圖5a示出對185nm的相位深度的進(jìn)一步優(yōu)化的大布局設(shè)計(jì)測試集的離焦分析的概述，而圖5b示出對205nm的相位深度的該布局設(shè)計(jì)測試集的離焦分析的概述。每個點(diǎn)代表在掩模上的不同結(jié)構(gòu)上的不同CD測量。在這種示例性情況下，報告了數(shù)萬個結(jié)構(gòu)。X軸示出針對固定正散焦設(shè)置(在正方向上相對于最佳焦點(diǎn)離焦的焦點(diǎn)設(shè)置)的離期望目標(biāo)⑶的以納米為單位的⑶偏差。y軸示出針對負(fù)散焦(離焦)設(shè)置的同一 CD誤差。焦點(diǎn)設(shè)置的這個范圍可被選擇，以便捕獲掃描儀被預(yù)期具有的最壞焦點(diǎn)偏差。理想地，所有點(diǎn)將位于點(diǎn)(0nm，0nm)處。這將意味著當(dāng)掃描儀偏移到離焦時，在襯底變化和完美成像時沒有一個CD被保持。實(shí)際上，由于掃描儀的有限焦深，當(dāng)焦點(diǎn)偏移時，CD從目標(biāo)偏移。因此，不是在(0，0)處的一個點(diǎn)，如所示的，提供居中于(0，0)附近的點(diǎn)簇。如將認(rèn)識到的，離(0，0)的偏差越小，焦深就越好。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，目標(biāo)是使該簇在(0，0)周圍盡可能緊密。在這種示例性情況下，圖5a的185nm相位深度/厚度曲線比圖5b的205nm相位深度/厚度曲線具有更緊密的簇。換句話說，最壞情況偏差針對185nm相位深度/厚度針對所有條件(在X軸和I軸方向上)比它們針對205nm相位深度/厚度時的更小。這例如意味著185nm相位深度/厚度提供更好的CD控制并且是在205nm相位深度/厚度上的提高。除了可如圖5a-b中測量或否則分析的CD控制以外，還可針對導(dǎo)致差CD控制(例如如前面解釋的差對比度和MEEF)的其它問題，考慮進(jìn)一步優(yōu)化的大測試集結(jié)果的分析。[0032]如果在313處的這樣的分析推斷出已實(shí)現(xiàn)足夠的優(yōu)化，則該方法結(jié)束且因此提供最佳掩模設(shè)計(jì)(相對于相位深度或相位厚度)。然而，如果在313的分析推斷出還沒有實(shí)現(xiàn)足夠的優(yōu)化，則這個示例性實(shí)施例的方法以識別(309)第二 /優(yōu)化的布局設(shè)計(jì)的次最優(yōu)或否則有問題的特征(例如差空間圖像、移動的焦點(diǎn)、差MEEF或差焦深)繼續(xù)。在一個示例性實(shí)施例中，將OPC工具用于識別具有差空間圖像、移動的焦點(diǎn)、差MEEF或差焦深(如參考圖5a-b討論的)的這樣的有問題的配置。該方法以創(chuàng)建(311)所識別的次最優(yōu)特征的小測試集以提供下一小測試集布局設(shè)計(jì)來繼續(xù)。接著，該方法有效地重復(fù)，但在新的小測試集布局上。因此，該方法以以下步驟繼續(xù):針對一系列相位深度/厚度使用RLST來模擬(301)在新的小測試集布局設(shè)計(jì)中的特征的CD離焦、選擇(303)最佳/優(yōu)選的掩模相位深度/厚度、產(chǎn)生(305)在選定最佳/優(yōu)選的掩模相位深度/厚度處的FTM以及使用最新的FTM來校正(307)大數(shù)據(jù)集以提供進(jìn)一步優(yōu)化的布局設(shè)計(jì)。因此，對與來自307的優(yōu)化的大布局設(shè)計(jì)測試集相關(guān)聯(lián)的熱點(diǎn)特征提出挑戰(zhàn)的小測試集可組合到用在RLST上的小測試集布局設(shè)計(jì)中。可接著將RLST用于模擬例如具有各種蝕刻深度或膜厚度的這個新的小測試集布局的空間圖像。如前面參考圖4討論的，可針對各種掩模偏斜來比較焦點(diǎn)定心、焦深和空間圖像對比度，且可識別新的蝕刻深度或膜厚度。可重復(fù)對新的相位深度/厚度的FTM分析以識別任何新問題結(jié)構(gòu)，且可從問題 結(jié)構(gòu)產(chǎn)生新的小測試集用于在各種掩模偏斜處的RLST分析。在兩次或多次重復(fù)之后，可選擇最終蝕刻深度或膜厚度以提供最佳掩模設(shè)計(jì)。
[0033]示例件系統(tǒng)
[0034]圖7示出計(jì)算系統(tǒng)，其實(shí)施有使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例優(yōu)化的光刻掩模而形成的一個或多個集成電路結(jié)構(gòu)或器件。如可看到的，計(jì)算系統(tǒng)1000容納母板1002。母板1002可包括多個部件(包括但不限于處理器1004和至少一個通信芯片1006)，其中每個部件可物理地和電氣地耦合到母板1002或否則集成在其中。如將認(rèn)識到的，母板1002可例如是任何印刷電路板，不管是主板或安裝在主板上的子板還是設(shè)備1000的唯一板等。根據(jù)其應(yīng)用，計(jì)算系統(tǒng)1000可包括可以或可以不物理地和電氣地耦合到母板1002的一個或多個其它部件。這些其它部件可包括但不限于易失性存儲器(例如DRAM)、非易失性存儲器(例如ROM)、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、加密處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、一個或多個濾波器(例如LC諧振、高通、低通、帶通濾波器)、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)和大容量存儲設(shè)備(例如硬盤驅(qū)動器、光盤(CD)、數(shù)字通用盤(DVD)等)。包括在計(jì)算系統(tǒng)1000中的任何部件可包括使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例優(yōu)化的光刻掩模而形成的一個或多個集成電路結(jié)構(gòu)或特征。這些結(jié)構(gòu)或特征可例如用于實(shí)現(xiàn)晶體管、導(dǎo)電路線或包括小特征的其它電路。在一些實(shí)施例中，多種功能可集成到一個或多個芯片中(例如注意，通信芯片1006可以是處理器1004的部分或以另外方式集成到處理器1004中)。
[0035]通信芯片1006實(shí)現(xiàn)用于來往計(jì)算系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)的傳輸?shù)臒o線通信。術(shù)語“無線”及其派生詞可用于描述可通過通過使用經(jīng)調(diào)制電磁輻射經(jīng)由非固體介質(zhì)來傳遞數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信通道等。該術(shù)語并不暗示相關(guān)的設(shè)備不包含任何線，雖然在一些實(shí)施例中它們可能不包含線。通信芯片1006可實(shí)現(xiàn)若干無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任一個，該無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議包括但不限于W1-Fi (IEEE802.11系列)、WiMAX (IEEE802.16系列)、IEEE802.20、長期演進(jìn)(LTE)、Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙、其派生物以及被指定為3G、4G、5G和更高代的任何其它無線協(xié)議。計(jì)算系統(tǒng)1000可包括多個通信芯片1006。例如，第一通信芯片1006可專用于較短距離無線通信(例如W1-Fi)，而第二通信芯片1006可專用于較長距離無線通信(例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO 等)。
[0036]計(jì)算系統(tǒng)1000的處理器1004包括封裝在處理器1004內(nèi)的集成電路管芯。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，處理器的集成電路管芯包括被實(shí)施有使用具有如前面在本文中不同地描述的優(yōu)化相位深度/厚度的光刻掩模形成的一個或多個集成電路結(jié)構(gòu)或特征的機(jī)載電路。術(shù)語“處理器”可以指處理例如來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可存儲在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或設(shè)備的部分。
[0037]通信芯片1006還可包括封裝在通信芯片1006內(nèi)的集成電路管芯。根據(jù)一些這樣的示例性實(shí)施例，通信芯片的集成電路管芯包括使用如本文描述的優(yōu)化的光刻掩模而形成的一個或多個集成電路結(jié)構(gòu)或特征。如按照本公開將認(rèn)識到的，注意，多標(biāo)準(zhǔn)無線能力可直接集成到處理器1004中(例如其中任何芯片1006的功能集成到處理器1004中，而不是具有單獨(dú)的通信芯片)。進(jìn)一步注意，處理器1004可以是具有這樣的無線能力的芯片組。簡而言之，可使用任何數(shù)量的處理器1004和/或通信芯片1006。同樣，任一個芯片或芯片組可具有集成在其中的多種功能。
[0038]在各種實(shí)施方式中，計(jì)算系統(tǒng)1000可以是膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、智能電話、平板電腦、個人數(shù)字助理(PDA)、超移動PC、移動電話、桌上型計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字照相機(jī)、便攜式音樂播放器或數(shù)字視頻記錄器。在另外的實(shí)施方式中，設(shè)備1000可以是處理數(shù)據(jù)或使用集成電路結(jié)構(gòu)或特征的任何其它電子設(shè)備，使用具有根據(jù)如在本文中描述的本發(fā)明的實(shí)施例優(yōu)化的相位深度/厚度的光刻掩模而形成該集成電路結(jié)構(gòu)或特征。 [0039]按照本公開很多實(shí)施例將是明顯的。一個示例性實(shí)施例提供了用于對光刻掩模進(jìn)行相位調(diào)諧的方法。該方法包括提供包括第一測試集的第一掩模布局設(shè)計(jì)，并提供包括第二測試集的第二掩模布局設(shè)計(jì)，其中第二測試集大于第一測試集。該方法還包括針對一系列相位深度/厚度來模擬在第一測試集中的感興趣結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸離焦，并基于模擬的結(jié)果來選擇初始優(yōu)選的掩模相位深度/厚度。該方法還包括產(chǎn)生在初始優(yōu)選的相位深度/厚度下的快速厚掩模模型(FTM)，并使用FTM校正第二掩模布局設(shè)計(jì)的第二測試集，從而提供優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。在一些情況下，該方法包括確定相位深度/厚度優(yōu)化是否是足夠的。在一些這樣的情況下，響應(yīng)于確定相位深度/厚度優(yōu)化是足夠的，該方法包括提供具有最佳相位深度/厚度的掩模布局設(shè)計(jì)。在其它這樣的情況下，響應(yīng)于相位深度/厚度優(yōu)化是不夠的，該方法還包括識別優(yōu)化掩模布局設(shè)計(jì)的有問題的特征，并創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)。在一些這樣的情況下，該方法還包括針對一系列相位深度/厚度來模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦，并基于模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選的掩模相位深度/厚度。在一些這樣的情況下，該方法還包括基于模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選的相位深度/厚度處的下一 FTM，并使用下一 FTM進(jìn)一步校正第二掩模布局設(shè)計(jì)的第二測試集，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。在一些這樣的情況下，該方法還包括重復(fù)該確定(分析優(yōu)化)。在一些這樣的情況下，響應(yīng)于相位深度/厚度優(yōu)化仍然是不夠的，該方法還包括:識別進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)的有問題的特征；創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)；針對一系列相位深度/厚度來模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦；基于模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選的掩模相位深度/厚度；基于模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選相位深度/厚度處的下一 FTM ;以及使用下一 FTM進(jìn)一步校正第二掩模布局設(shè)計(jì)的第二測試集，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。在一些特定的示例性情況下，使用嚴(yán)格光刻模擬工具來執(zhí)行模擬關(guān)鍵尺寸，并針對焦點(diǎn)定心、焦深和/或相位深度/厚度偏斜的空間圖像對比度中的至少一個來分析關(guān)鍵尺寸。在一些特定的示例性情況下，第一測試集包括少于1000個感興趣特征，而第二掩模布局設(shè)計(jì)包括多于1000個感興趣特征。按照本公開，很多變化將是明顯的。例如，本發(fā)明的另一實(shí)施例提供使用在這個段落中不同地描述的方法制成的光刻掩模。另一實(shí)施例提供包括掩模的光刻系統(tǒng)。
[0040]本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了用于對光刻掩模進(jìn)行相位調(diào)諧的方法。這個示例性情況包括提供包括第一測試集的第一掩模布局設(shè)計(jì)，并提供包括第二測試集的第二掩模布局設(shè)計(jì)，其中第二測試集大于第一測試集。該方法還包括針對一系列相位深度/厚度來模擬在第一測試集中的感興趣結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸離焦，并基于模擬的結(jié)果來選擇初始優(yōu)選的掩模相位深度/厚度。該方法還包括產(chǎn)生在初始優(yōu)選的相位深度/厚度下的快速厚掩模模型(FTM)，并使用FTM校正第二掩模布局設(shè)計(jì)的第二測試集，從而提供優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。響應(yīng)于確定相位深度/厚度優(yōu)化是足夠的，該方法還包括提供體現(xiàn)最佳相位深度/厚度的掩模。響應(yīng)于確定相位深度/厚度優(yōu)化是不夠的，該方法還包括:識別優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)的有問題的特征；創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)；針對一系列相位深度/厚度模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦；基于模擬在 下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選的掩模相位深度/厚度；基于模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選的相位深度/厚度處的下一 FTM ;使用FTM進(jìn)一步校正第二掩模布局設(shè)計(jì)的第二測試集，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)；以及針對進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)，確定相位深度/厚度優(yōu)化是否是足夠的。另一實(shí)施例提供使用在這個段落中不同地描述的方法制成的光刻掩模。另一實(shí)施例提供包括掩模的光刻系統(tǒng)。
[0041]本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了用于對光刻掩模進(jìn)行相位調(diào)諧的方法。在這個示例性情況中，該方法包括提供包括第一測試集的第一掩模布局設(shè)計(jì)，并提供包括第二測試集的第二掩模布局設(shè)計(jì)，其中第二測試集大于第一測試集。該方法還包括針對一系列相位深度/厚度來模擬在第一測試集中的感興趣結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸離焦，并基于模擬的結(jié)果來選擇初始優(yōu)選的掩模相位深度/厚度。該方法以產(chǎn)生在初始優(yōu)選相位深度/厚度下的快速厚掩模模型(FTM)并使用FTM校正第二掩模布局設(shè)計(jì)的第二測試集來繼續(xù)，從而提供優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。該方法以實(shí)施具有優(yōu)化掩模布局設(shè)計(jì)的光刻掩模來繼續(xù)。在一些情況下，該方法包括確定相位深度/厚度優(yōu)化是否是足夠的。在一些這樣的情況下，響應(yīng)于確定相位深度/厚度優(yōu)化是足夠的，該方法包括提供具有優(yōu)化相位深度/厚度的掩模布局設(shè)計(jì)。在其它這樣的情況下，響應(yīng)于相位深度/厚度優(yōu)化是不夠的，該方法包括識別優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)的有問題的特征，并創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)。在一個這樣的情況下，該方法以針對一系列相位深度/厚度模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦并基于模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選的掩模相位深度/厚度繼續(xù)。在一個這樣的情況下，該方法以基于模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選相位深度/厚度處的下一 FTM并使用下一 FTM進(jìn)一步校正第二掩模布局設(shè)計(jì)的第二測試集繼續(xù)，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。在一個這樣的情況下，該方法以重復(fù)該確定來繼續(xù)。在一個這樣的情況下，響應(yīng)于相位深度/厚度優(yōu)化仍然是不夠的，該方法還包括:識別進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)的有問題的特征；創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)；針對一系列相位深度/厚度模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦；基于模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選掩模相位深度/厚度；基于模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選相位深度/厚度處的下一 FTM ；以及使用下一 FTM進(jìn)一步校正第二掩模布局設(shè)計(jì)的第二測試集，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。
[0042]為了說明和描述的目的提出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例的前述描述。它并非意圖是窮盡的或?qū)⒈景l(fā)明限制到所公開的精確形式。按照本公開，很多修改和變化是可能的。意圖是本發(fā)明的范圍 并不由這個詳細(xì)說明書限制而更確切地由所附的權(quán)利要求來限制。
【權(quán)利要求】
1.一種用于對光刻掩模進(jìn)行相位調(diào)諧的方法，包括: 提供包括第一測試集的第一掩模布局設(shè)計(jì)； 提供包括第二測試集的第二掩模布局設(shè)計(jì)，其中所述第二測試集大于所述第一測試集; 針對一系列相位深度/厚度來模擬在所述第一測試集中的感興趣結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸離焦； 基于所述模擬的結(jié)果來選擇初始優(yōu)選的掩模相位深度/厚度； 產(chǎn)生在所述初始優(yōu)選的相位深度/厚度處的快速厚掩模模型(FTM);以及使用所述FTM校正所述第二掩模布局設(shè)計(jì)的所述第二測試集，從而提供優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 確定相位深度/厚度優(yōu)化是否是足夠的。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括: 響應(yīng)于確定相位深 度/厚度優(yōu)化是足夠的，提供具有最佳相位深度/厚度的掩模布局設(shè)計(jì)。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，響應(yīng)于相位深度/厚度優(yōu)化是不夠的，該方法還包括: 識別所述優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)的有問題的特征；以及 創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，還包括: 針對一系列相位深度/厚度來模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦；以及 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選的掩模相位深度/厚度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選的相位深度/厚度處的下一 FTM ;以及 使用所述下一 FTM進(jìn)一步校正所述第二掩模布局設(shè)計(jì)的所述第二測試集，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括重復(fù)所述確定。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，響應(yīng)于相位深度/厚度優(yōu)化仍然是不夠的，所述方法還包括: 識別所述進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)的有問題的特征； 創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)；針對一系列相位深度/厚度來模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦； 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選的掩模相位深度/厚度； 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選的相位深度/厚度處的下一 FTM ；以及 使用所述下一 FTM進(jìn)一步校正所述第二掩模布局設(shè)計(jì)的所述第二測試集，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。
9.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，使用嚴(yán)格光刻模擬工具來執(zhí)行模擬關(guān)鍵尺寸，并且針對焦點(diǎn)定心、焦深和/或相位深度/厚度偏斜的空間圖像對比度中的至少一個來分析所述關(guān)鍵尺寸。
10.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第一測試集包括少于1000個感興趣特征，而所述第二掩模布局設(shè)計(jì)包括多于1000個感興趣特征。
11.一種使用前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法制成的光刻掩模。
12.—種包括權(quán)利要求11所述的掩模的光刻系統(tǒng)。
13.一種用于對光刻掩模進(jìn)行相位調(diào)諧的方法，包括: 提供包括第一測試集的第一掩模布局設(shè)計(jì)； 提供包括第二測試集的第二掩模布局設(shè)計(jì)，其中所述第二測試集大于所述第一測試集; 針對一系列相位深度/厚度來模擬在所述第一測試集中的感興趣結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸離焦； 基于所述模擬的結(jié)果來選擇初始優(yōu)選的掩模相位深度/厚度； 產(chǎn)生在所述初始優(yōu)選的相位深度/厚度處的快速厚掩模模型(FTM)； 使用所述FTM校正所述第二掩模布局設(shè)計(jì)的所述第二測試集，從而提供優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)； 響應(yīng)于確定相位深度/厚度優(yōu)化是足夠的，提供體現(xiàn)最佳相位深度/厚度的掩模；以及 響應(yīng)于相位深度/厚度優(yōu)化是不夠的: 識別所述優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)的有問題的特征； 創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)；針對一系列相位深度/厚度來模擬在下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦； 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選的掩模相位深度/厚度； 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選相位深度/厚度處的下一 FTM ； 使用所述FTM進(jìn)一步校正所述第二掩模布局設(shè)計(jì)的所述第二測試集，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)；以及 針對所述進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)，來確定相位深度/厚度優(yōu)化是否是足夠的。
14.一種使用權(quán)利要求13所述的方法制成的光刻掩模。
15.—種包括權(quán)利要求14所述的掩模的光刻系統(tǒng)。
16.—種用于對光刻掩模進(jìn)行相位調(diào)諧的方法,包括: 提供包括第一測試集的第一掩模布局設(shè)計(jì)； 提供包括第二測試集的第二掩模布局設(shè)計(jì)，其中所述第二測試集大于所述第一測試集；針對一系列相位深度/厚度來模擬在所述第一測試集中的感興趣結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸離焦； 基于所述模擬的結(jié)果來選擇初始優(yōu)選的掩模相位深度/厚度； 產(chǎn)生在所述初始優(yōu)選相位深度/厚度處的快速厚掩模模型(FTM)； 使用所述FTM校正所述第二掩模布局設(shè)計(jì)的所述第二測試集，從而提供優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)；以及 實(shí)施具有所述優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)的光刻掩模。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括: 確定相位深度/厚度優(yōu)化是否是足夠的。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括: 響應(yīng)于確定相位深度/厚度優(yōu)化是足夠的，提供具有最佳相位深度/厚度的掩模布局設(shè)計(jì)。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，響應(yīng)于相位深度/厚度優(yōu)化是不夠的，該方法還包括: 識別所述優(yōu)化的掩模布局 設(shè)計(jì)的有問題的特征；以及 創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括: 針對一系列相位深度/厚度來模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦；以及 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選的掩模相位深度/厚度。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括: 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選的相位深度/厚度處的下一 FTM ；以及 使用所述下一 FTM進(jìn)一步校正所述第二掩模布局設(shè)計(jì)的所述第二測試集，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括重復(fù)所述確定。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，響應(yīng)于相位深度/厚度優(yōu)化仍然是不夠的，該方法還包括: 識別所述進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)的有問題的特征； 創(chuàng)建所識別的有問題的特征的下一小測試集以提供下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)；針對一系列相位深度/厚度來模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦； 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來選擇下一優(yōu)選的掩模相位深度/厚度； 基于模擬在所述下一小測試集掩模布局設(shè)計(jì)中的特征的關(guān)鍵尺寸離焦的結(jié)果來產(chǎn)生在所選擇的下一優(yōu)選的相位深度/厚度處的下一 FTM ；以及 使用所述下一 FTM進(jìn)一步校正所述第二掩模布局設(shè)計(jì)的所述第二測試集，從而提供進(jìn)一步優(yōu)化的掩模布局設(shè)計(jì)。
【文檔編號】G03F1/36GK104025255SQ201180076081
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月30日
【發(fā)明者】P·A·尼許斯, S·O·奧加都, S·希瓦庫馬, S·鄭 申請人:英特爾公司