專利名稱：一種tft陣列基板及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種TFT陣列基板及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及液晶顯示器的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板及液晶顯示器。
背景技術(shù)：
[0002]在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)制造工藝中，TFT陣列基板需要與集成電路或者柔性電路板進(jìn)行粘合，將驅(qū)動信號傳輸?shù)交屣@示區(qū)。[0003]目前的TFT-IXD制造中，由于基板尺寸的減小，外圍區(qū)域布線的空間越來越小，遂逐漸采用柵、數(shù)據(jù)兩層金屬線傳輸驅(qū)動信號。如圖1所示，TFT基板10的焊墊區(qū)域11上設(shè)有柵線層金屬引線12、柵線層金屬粘接區(qū)13 ；數(shù)據(jù)層金屬引線14和導(dǎo)電粘接區(qū)15。但如圖2所示，當(dāng)TFT陣列基板10和集成電路或者柔性電路板20進(jìn)行粘合時，由于柵線層金屬粘接區(qū)13與導(dǎo)電粘接區(qū)15位于不同層，其結(jié)構(gòu)厚度的不同使得在粘合工藝過程中容易形成段差，導(dǎo)致導(dǎo)電膠粒子30與柵線層金屬粘接區(qū)13易產(chǎn)生接觸不良，使得驅(qū)動信號不能傳輸?shù)交屣@示區(qū)，產(chǎn)生畫面不良的現(xiàn)象。實用新型內(nèi)容[0004]本實用新型的實施例提供一種TFT陣列基板及液晶顯示器，以解決在焊墊區(qū)域上，因柵、數(shù)據(jù)兩層金屬的段差而造成的粘合不良問題。[0005]為達(dá)到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案[0006]提供一種TFT陣列基板，依次包括柵線層、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線層、第二絕緣層和透明導(dǎo)電層；所述TFT陣列基板的焊墊區(qū)域包括位于數(shù)據(jù)線層的數(shù)據(jù)層金屬引線和與所述數(shù)據(jù)層金屬引線連接的第一導(dǎo)電粘接區(qū)，以及位于柵線層的柵線層金屬引線，其特征在于， 焊墊區(qū)域還包括位于數(shù)據(jù)線層的第二導(dǎo)電粘接區(qū)，所述柵線層金屬引線與所述數(shù)據(jù)層的第二導(dǎo)電粘接區(qū)電連接，其中，所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)與所述數(shù)據(jù)層金屬引線及第一導(dǎo)電粘接區(qū)不相接觸。[0007]所述柵線層金屬引線上方的第一絕緣層、第二絕緣層設(shè)有露出所述柵線層金屬引線的第一過孔；[0008]所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)上方的所述第二絕緣層設(shè)有露出所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)的第二過孔；[0009]所述第一過孔和所述第二過孔通過所述透明導(dǎo)電層連接。[0010]所述第一導(dǎo)電粘接區(qū)與所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)的上面全部覆蓋有所述透明導(dǎo)電層。[0011]所述第一導(dǎo)電粘接區(qū)和所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)均至少有一部分未覆蓋所述透明導(dǎo)電層。[0012]所述柵線層金屬引線上方的第一絕緣層設(shè)有露出所述柵線層金屬引線的過孔；[0013]所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)覆蓋所述過孔，通過所述過孔與所述柵線層金屬弓I線連接。[0014]提供一種液晶顯示器包含以上所述的TFT陣列基板。[0015]本實用新型實施例提供的TFT陣列基板以及液晶顯示器，在基板焊墊區(qū)域上，將柵線層金屬引線與第二導(dǎo)電粘接區(qū)連接，使得該柵線層金屬引線的粘合區(qū)域-第二導(dǎo)電粘接區(qū)，與數(shù)據(jù)層金屬引線的粘合區(qū)域-第一導(dǎo)電粘接區(qū)位于同一層，因而解決了柵、數(shù)據(jù)兩層金屬因段差而造成的粘合不良問題，從而使驅(qū)動信號能夠正常傳輸?shù)交屣@示區(qū)，避免產(chǎn)生畫面不良的現(xiàn)象。
[0016]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的TFT陣列基板的焊點區(qū)域示意圖；[0018]圖2為圖1在A-A方向的截面圖；[0019]圖3為本實用新型實施例提供的TFT陣列基板的焊點區(qū)域示意圖；[0020]圖4為圖3在B-B方向的截面圖；[0021]圖5為圖3在C-C方向的截面圖；[0022]圖6為本實用新型另一實施例提供的TFT陣列基板的焊點區(qū)域示意圖；[0023]圖7為圖6在D-D方向的截面圖。[0024]符號說明[0025]10,TFT陣列基板；11、焊墊區(qū)域；12、柵線層金屬引線；14、數(shù)據(jù)層金屬引線；15、第一導(dǎo)電粘接區(qū)；16、第二導(dǎo)電粘接區(qū)；17、第一絕緣層；18、第二絕緣層；19、透明導(dǎo)電層；20、 集成電路或者柔性電路板；30、導(dǎo)電膠粒子；131、過孔；132、過孔；133、過孔；134、過孔。
具體實施方式
[0026]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。[0027]下面以圖3、4、5對本實用新型實施例提供的TFT陣列基板進(jìn)行說明。其中，圖3 為本實用新型實施例提供的TFT陣列基板的焊墊區(qū)域示意圖；圖4為圖3的B-B方向的截面圖；圖5為圖3在C-C方向的截面圖。[0028]如圖3所示，TFT陣列基板10依次包括柵線層、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線層、第二絕緣層和透明導(dǎo)電層。該TFT陣列基板10的焊墊區(qū)域11包括位于數(shù)據(jù)線層的數(shù)據(jù)層金屬引線 14和與數(shù)據(jù)層金屬引線14連接的第一導(dǎo)電粘接區(qū)15，以及位于柵線層的柵線層金屬引線 12，焊墊區(qū)域還包括位于數(shù)據(jù)線層的第二導(dǎo)電粘接區(qū)16，其中，位于柵線層的柵線層金屬引線12與位于數(shù)據(jù)層第二導(dǎo)電粘接區(qū)16電連接，且該第二導(dǎo)電粘接區(qū)16與數(shù)據(jù)層金屬引線 14及第一導(dǎo)電粘接區(qū)15不相接觸。[0029]其中，該第一導(dǎo)電粘接區(qū)15與該第二導(dǎo)電粘接區(qū)16的上面全部覆蓋有透明導(dǎo)電層19，如此都通過透明導(dǎo)電層19可防止出現(xiàn)段差。當(dāng)然為防止出現(xiàn)段差，也可以使所述第一導(dǎo)電粘接區(qū)和所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)均有一部分未覆蓋所述透明導(dǎo)電層。這樣，如圖4所示，當(dāng)TFT陣列基板10與集成電路或者柔性電路板20進(jìn)行粘合工藝時，由于第一導(dǎo)電粘接區(qū)15和第二導(dǎo)電粘接區(qū)16位于同一層，即均位于第一絕緣層17之上，具有相同的結(jié)構(gòu)厚度，因此消除了因結(jié)構(gòu)厚度不同而形成的段差。此時，導(dǎo)電膠粒子30能夠很好地與第一導(dǎo)電粘接區(qū)15和第二導(dǎo)電粘接區(qū)16相接觸，避免了粘合不良現(xiàn)象的出現(xiàn)，保證驅(qū)動信號能夠傳輸?shù)交屣@示區(qū)。[0030]柵線層金屬引線12與第二導(dǎo)電粘接區(qū)16連接，具體可以如圖5所示，利用構(gòu)圖工藝處理在形成TFT陣列區(qū)域柵線的同時在TFT陣列基板10的焊墊區(qū)域11上形成柵線層金屬引線12。在TFT陣列基板10上涂布第一絕緣層(柵絕緣層)17。利用構(gòu)圖工藝處理在形成TFT陣列區(qū)域數(shù)據(jù)線的同時在TFT陣列基板10的焊墊區(qū)域11上形成第二導(dǎo)電粘接區(qū) 16。在TFT陣列基板10上涂布第二絕緣層(鈍化層)18。在第二導(dǎo)電粘接區(qū)16形成露出該第二導(dǎo)電粘接區(qū)16的過孔132，以及露出柵線層金屬引線12 —部分的過孔131。利用構(gòu)圖工藝處理在形成TFT陣列區(qū)域像素電極的同時在TFT陣列基板10的焊墊區(qū)域11上的過孔131、132上形成透明導(dǎo)電層19。這樣，位于柵線層的柵線層金屬引線12就與位于數(shù)據(jù)線層的第二導(dǎo)電粘接區(qū)16實現(xiàn)連接。[0031]此時，該透明導(dǎo)電層19不僅起到了連接?xùn)啪€層金屬引線12與第二導(dǎo)電粘接區(qū)16 的作用，也起到了保護(hù)第二導(dǎo)電粘接區(qū)16的作用，使其不會受到腐蝕。[0032]下面參照附圖6、7對本實用新型提供的另一 TFT陣列基板進(jìn)行說明。圖6為本實施例提供的TFT陣列基板的焊墊區(qū)域示意圖；圖7為圖6的D-D方向的截面圖。本實施例的基板結(jié)構(gòu)與上一實施例的基板結(jié)構(gòu)基本相同，只是柵線層金屬引線12與第二導(dǎo)電粘接區(qū)16連接方式不同。[0033]具體的，利用構(gòu)圖工藝處理在形成TFT陣列區(qū)域柵線的同時在TFT陣列基板10的焊墊區(qū)域11上形成柵線層金屬引線12。在TFT陣列基板10上涂布第一絕緣層(柵絕緣層)17。在該第一絕緣層17上，形成露出柵線層金屬引線12—部分區(qū)域的過孔133。利用構(gòu)圖工藝處理在形成TFT陣列區(qū)域數(shù)據(jù)線的同時在TFT陣列基板10的焊墊區(qū)域11上形成第二導(dǎo)電粘接區(qū)16，該第二導(dǎo)電粘接區(qū)16覆蓋過孔133，通過該過孔133與柵線層金屬引線12連接。在TFT陣列基板10上涂布第二絕緣層(鈍化層)18。在第二導(dǎo)電粘接區(qū)16形成露出該第二導(dǎo)電粘接區(qū)16的過孔134。利用構(gòu)圖工藝處理在形成TFT陣列區(qū)域像素電極的同時在TFT陣列基板10的焊墊區(qū)域11上的過孔14上形成透明導(dǎo)電層19。[0034]此時，主要是起保護(hù)第二導(dǎo)電粘接區(qū)16的作用，使其不會受到腐蝕。[0035]本實用新型實施例提供的TFT陣列基板，在基板焊墊區(qū)域上，將柵線層金屬引線與第二導(dǎo)電粘接區(qū)連接，使得該柵線層金屬引線的粘合區(qū)域-第二導(dǎo)電粘接區(qū)，與數(shù)據(jù)層金屬引線的粘合區(qū)域-第一導(dǎo)電粘接區(qū)位于同一層，因而解決了柵、數(shù)據(jù)兩層金屬因段差而造成的粘合不良問題，從而使驅(qū)動信號能夠正常傳輸?shù)交屣@示區(qū)，避免產(chǎn)生畫面不良的現(xiàn)象。[0036]需要說明的是，以上實施例的焊墊區(qū)域11既可以為數(shù)據(jù)線焊點區(qū)域，也可以為柵線焊點區(qū)域。[0037]本實用新型實施例提供的液晶顯示器，可以包含以上任一實施例中的TFT陣列基板。且該基板的具體結(jié)構(gòu)與上述實施例相同。[0038] 以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種TFT陣列基板，依次包括柵線層、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線層、第二絕緣層和透明導(dǎo)電層；所述TFT陣列基板的焊墊區(qū)域包括位于數(shù)據(jù)線層的數(shù)據(jù)層金屬引線和與所述數(shù)據(jù)層金屬引線連接的第一導(dǎo)電粘接區(qū)，以及位于柵線層的柵線層金屬引線，其特征在于，焊墊區(qū)域還包括位于數(shù)據(jù)線層的第二導(dǎo)電粘接區(qū)，所述柵線層金屬引線與所述數(shù)據(jù)層的第二導(dǎo)電粘接區(qū)電連接，其中，所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)與所述數(shù)據(jù)層金屬引線及第一導(dǎo)電粘接區(qū)不相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述柵線層金屬引線上方的第一絕緣層、第二絕緣層設(shè)有露出所述柵線層金屬引線的第一過孔；所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)上方的所述第二絕緣層設(shè)有露出所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)的第二過孔；所述第一過孔和所述第二過孔通過所述透明導(dǎo)電層連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電粘接區(qū)與所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)的上面全部覆蓋有所述透明導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電粘接區(qū)和所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)均至少有一部分未覆蓋所述透明導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述柵線層金屬引線上方的第一絕緣層設(shè)有露出所述柵線層金屬引線的過孔； 所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)覆蓋所述過孔，通過所述過孔與所述柵線層金屬引線連接。
6.一種液晶顯示器，其特征在于，所述液晶顯示器包括權(quán)利要求1至5任一所述的TFT 陣列基板。
專利摘要本實用新型實施例提供的TFT陣列基板以及液晶顯示器，涉及液晶顯示器的制造領(lǐng)域，解決了在焊墊區(qū)域上，因柵、數(shù)據(jù)兩層金屬的段差而造成的粘合不良問題。該TFT陣列基板，依次包括柵線層、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線層、第二絕緣層和透明導(dǎo)電層；所述TFT陣列基板的焊墊區(qū)域包括位于數(shù)據(jù)線層的數(shù)據(jù)層金屬引線和與所述數(shù)據(jù)層金屬引線連接的第一導(dǎo)電粘接區(qū)，以及位于柵線層的柵線層金屬引線，位于所述柵線層的所述柵線層金屬引線與位于所述數(shù)據(jù)層的第二導(dǎo)電粘接區(qū)連接，其中，所述第二導(dǎo)電粘接區(qū)與所述數(shù)據(jù)層金屬引線、第一導(dǎo)電粘接區(qū)不相接觸。本實用新型用于液晶顯示器制造。
文檔編號G02F1/1362GK202307895SQ201120403479
公開日2012年7月4日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月21日
發(fā)明者時凌云, 李鑫, 王章濤 申請人:北京京東方光電科技有限公司