專利名稱：橫向排列的像素結(jié)構(gòu)、液晶顯示裝置及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置及其制作方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid crystal disLlay, LCD)是目前被廣泛應(yīng)用的一種平面顯示器。一般的，IXD的顯示區(qū)域包含多個(gè)主像素區(qū)，每個(gè)主像素區(qū)包括三個(gè)子像素區(qū)，每個(gè)子像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有一個(gè)薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)和像素電極(PixelElectiOde)，此薄膜晶體管為開關(guān)組件。通常，在3D顯示中，為了避免因縱向排列的光柵格子的阻擋而導(dǎo)致的顯示顏色的偏離和色差，通常將各顏色的子像素區(qū)橫向排列，目前的像素橫向排列方式包括以下幾種:單柵極驅(qū)動(dòng)的豎屏橫用的像素橫向排列方式、雙柵極驅(qū)動(dòng)的像素橫向排列方式和三柵極驅(qū)動(dòng)的像素橫向排列方式?，F(xiàn)有技術(shù)中，無論采用哪種橫向排列方式的像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置，其中存儲(chǔ)電容均是由像素電極與公共電極交疊形成，具體的，如圖1所示，以三柵極驅(qū)動(dòng)的像素橫向排列方式為例，在TFT陣列基板上的每個(gè)主像素區(qū)包括縱向依次排列的三個(gè)子像素區(qū)，每個(gè)子像素區(qū)內(nèi)具有一個(gè)TFT，每一列的TFT的源極通過一條縱向的數(shù)據(jù)線相連，每一行的TFT的柵極通過一柵極線相連，每個(gè)TFT的漏極分別與其所在的子像素區(qū)的像素電極相連，每個(gè)子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容由該子像素區(qū)的像素電極與位于該子像素區(qū)的公共電極引線com和遮光線交疊形成。如圖1所示，子像素區(qū)Rll的存儲(chǔ)電容由該子像素區(qū)的像素電極11與公共電極引線coml和遮光線12交疊形成。綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)，除去兩個(gè)主像素區(qū)之間的公共電極引線(以下簡(jiǎn)稱公共線)外，每一條柵極線或數(shù)據(jù)線的相鄰位置都設(shè)置有一條公共線和相應(yīng)的遮光線，所述遮光線用于遮住柵極線和公共線間的間隙部分，這必然會(huì)導(dǎo)致液晶顯示裝置的開口率降低。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)、液晶顯示裝置及其制作方法，可應(yīng)用于共平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching,簡(jiǎn)稱IPS)、邊緣場(chǎng)開關(guān)(Fringe Field Swithing,簡(jiǎn)稱 FFS)或扭曲向列型(Twisted Nematic,簡(jiǎn)稱 TN)驅(qū)動(dòng)模式的液晶顯示裝置，較現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示裝置，減少了公共電極引線和遮光線，提高了液晶顯示裝置的開口率。為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，包括:由沿第一方向相鄰的兩個(gè)主像素區(qū)組成的像素單元，其中，每個(gè)主像素區(qū)分別包括沿第二方向依次排列的第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)、第三子像素區(qū)，所述第一方向與所述第二方向基本垂直；六個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)內(nèi)；設(shè)置于每個(gè)子像素區(qū)內(nèi)且與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，所述像素電極覆蓋在子像素區(qū)的透光區(qū)上；平行于所述第一方向，且分別設(shè)置于每個(gè)主像素區(qū)內(nèi)的相鄰兩個(gè)子像素區(qū)之間的兩條柵極線；平行于所述第二方向，且分別設(shè)置于所述像素單元的兩個(gè)主像素區(qū)之間或者設(shè)置于兩個(gè)主像素區(qū)之外三條數(shù)據(jù)線；平行于所述柵極線的一條像素公共線，該像素公共線與第一子像素區(qū)的像素電極部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接，并且，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接；第二子像素區(qū)的像素電極和與其對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線對(duì)側(cè)的柵極線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；第三子像素區(qū)的像素電極與下一像素單元的像素公共線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容，所述下一像素單元為在第二方向上與本像素單元的第三子像素區(qū)緊鄰的像素單元。本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種液晶顯示裝置，包括:第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層；其中，所述第一基板上包括: 以上所述的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，所述像素單元呈陣列式重復(fù)排列；平行于所述柵極線的一條邊緣公共線，位于所述第一基板未設(shè)置像素公共線的一邊，與該邊緣公共線緊鄰的第三子像素區(qū)的像素電極與該邊緣公共線部分交疊，形成該第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容。本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種以上液晶顯示裝置的制作方法，包括:提供第一基板；在所述第一基板上形成相互平行的多個(gè)柵極線、多個(gè)像素公共線和一條邊緣公共線，所述多個(gè)柵極線、多個(gè)像素公共線和一條邊緣公共線在同一光刻步驟中形成，且形成在同一導(dǎo)電層，其中，所述邊緣公共線位于所述第一基板未設(shè)置像素公共線的一邊，與該邊緣公共線緊鄰的第三子像素區(qū)的像素電極與該邊緣公共線部分交疊，形成該第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；在所述多個(gè)柵極線、多個(gè)像素公共線和一條邊緣公共線表面上形成第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層表面上形成半導(dǎo)體層，在所述半導(dǎo)體層表面上多個(gè)相互平行的數(shù)據(jù)線；在所述數(shù)據(jù)線表面上形成第二介質(zhì)層，在位于薄膜晶體管的漏極表面上的第二介質(zhì)層區(qū)域形成通孔；在所述第二介質(zhì)層上方形成像素電極，所述像素電極通過所述通孔與薄膜晶體管的漏極電連接；其中，所述像素單元中第一子像素區(qū)的像素電極與本像素單元的像素公共線部分交疊，形成第一子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；所述第二子像素區(qū)的像素電極和與其對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線對(duì)側(cè)的柵極線部分交疊，形成第二子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；所述第三子像素區(qū)的像素電極與下一像素單元的像素公共線部分交疊，形成第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容，所述下一像素單元為在第二方向上與本像素單元的第三子像素區(qū)緊鄰的像素單元。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置，可應(yīng)用于IPS、FFS或TN驅(qū)動(dòng)模式的液晶顯示裝置，在一個(gè)像素單元中，較現(xiàn)有技術(shù)減少了兩根公共線，即僅保留沿?cái)?shù)據(jù)線方向排列的每2個(gè)像素單元之間的公共線，本發(fā)明實(shí)施例中第二子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容主要由該子像素區(qū)的像素電極與非該子像素區(qū)的柵極線交疊形成，第一子像素區(qū)和第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容由該子像素區(qū)的像素電極與靠近該子像素區(qū)的公共線交疊形成，從而可以省略柵極線相鄰位置的公共線和遮光線，由于省略了遮光線并減少了公共線的數(shù)量，同時(shí)減少了遮光區(qū)域的面積，從而提高了液晶顯示裝置的開口率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的三柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)A-A’區(qū)域的剖面圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)B-B’區(qū)域的剖面圖；圖7是現(xiàn)有技術(shù)中采用TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的采用TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)圖；圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的采用FFS驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示裝置的開口率較低，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)這種問題的原因在于，現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示裝置中，每一條柵極線或數(shù)據(jù)線的相鄰位置都設(shè)置有一條公共電極引線和相應(yīng)的遮光線，即公共線和遮光線過多，必然會(huì)導(dǎo)致液晶顯示裝置的開口率降低。液晶顯示裝置的工作模式主要分為常白模式和常黑模式，TN型液晶顯示裝置采用常白模式，這種液晶顯示裝置控制液晶分子的電極分布在兩片基板上，施加的電場(chǎng)方向是垂直于基板的，未施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子平行基板配向方向，入射光可透過偏光片，屏幕顯示為白屏，第一基板和第二基板的配向方向成90°交叉配置(上下偏光片也成90度設(shè)置)，施加電場(chǎng)后液晶分子向垂直于基板方向運(yùn)動(dòng)；IPS或FFS型的液晶顯示裝置采用常黑模式，其電場(chǎng)方向是水平的，液晶分子在電場(chǎng)的作用下，平行于基板進(jìn)行扭轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，并且液晶分子平行基板配向，一般情況下，底層偏光片的偏光軸與液晶分子的配像相同，上層偏光片的偏光軸與之成90°，未施加電場(chǎng)時(shí)，入射光無法通過上層偏光片，使屏幕呈現(xiàn)不透光的黑屏狀態(tài)(即“常黑模式”)，施加電場(chǎng)后，液晶分子會(huì)扭轉(zhuǎn)，改變?nèi)肷涔庑羞M(jìn)的方向，使入射光可通過上層偏光片，呈現(xiàn)透光狀態(tài)。本發(fā)明實(shí)施例公開的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置，可應(yīng)用于IPS、FFS或TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置,該像素結(jié)構(gòu)包括:由沿第一方向相鄰的兩個(gè)主像素區(qū)組成的像素單元，其中，每個(gè)主像素區(qū)分別包括沿第二方向依次排列的第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)、第三子像素區(qū)，所述第一方向與所述第二方向基本垂直；六個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)內(nèi)；設(shè)置于每個(gè)子像素區(qū)內(nèi)且與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，所述像素電極覆蓋在子像素區(qū)的透光區(qū)上；平行于所述第一方向，且分別設(shè)置于每個(gè)主像素區(qū)內(nèi)的相鄰兩個(gè)子像素區(qū)之間的兩條柵極線；平行于所述第二方向，且分別設(shè)置于所述像素單元的兩個(gè)主像素區(qū)之間或者設(shè)置于兩個(gè)主像素區(qū)之外三條數(shù)據(jù)線；平行于所述柵極線的一條像素公共線，該像素公共線與第一子像素區(qū)的像素電極部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接，并且，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接；第二子像素區(qū)的像素電極與和與其對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線對(duì)側(cè)的柵極線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；
第三子像素區(qū)的像素電極與下一像素單元的像素公共線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容，所述下一像素單元為在第二方向上與本像素單元的第三子像素區(qū)緊鄰的像素單元。本發(fā)明實(shí)施例中在一個(gè)像素單元中，較現(xiàn)有技術(shù)減少了兩根公共線，即僅保留沿?cái)?shù)據(jù)線方向排列的每2個(gè)像素單元之間的公共線，本發(fā)明實(shí)施例中第二子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容主要由該子像素區(qū)的像素電極與非該子像素區(qū)的柵極線交疊形成，第一子像素區(qū)和第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容由該子像素區(qū)的像素電極與靠近該子像素區(qū)的公共線交疊形成，從而可以省略柵極線相鄰位置的公共線和遮光線，由于省略了遮光線并減少了公共線的數(shù)量，同時(shí)減少了遮光區(qū)域的面積，從而提高了液晶顯示裝置的開口率。以上是本申請(qǐng)的核心思想，為了使本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案更加清楚，如下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述:本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于IPS、FFS或TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，該像素結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，該像素結(jié)構(gòu)包括:沿第一方向相鄰的兩個(gè)主像素區(qū)，即第一主像素區(qū)Zl和第二主像素區(qū)Z2，兩個(gè)主像素區(qū)為一個(gè)像素單元，其中，每個(gè)主像素區(qū)分別包括沿第二方向依次排列的第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)、第三子像素區(qū)，即一個(gè)像素單元中共有6個(gè)子像素區(qū)，即子像素區(qū)LI 1-L13和L21-L23，其中，所述第一方向與所述第二方向基本垂直，優(yōu)選的，本實(shí)施例中的第一方向?yàn)槠叫杏跂艠O線的方向，第二方向?yàn)槠叫杏跀?shù)據(jù)線的方向；六個(gè)薄膜晶體管T11-T13和T21-T23，分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)內(nèi)，即每個(gè)子像素區(qū)內(nèi)均設(shè)置有一個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管均包括源極、漏極和柵極；六個(gè)像素電極P11-P13和P21-P23，每個(gè)像素電極覆蓋在對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)的透光區(qū)上，且分別與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極電連接；兩條柵極線，即第一柵極線Gl和第二柵極線G2，分別設(shè)置于每個(gè)主像素區(qū)內(nèi)的相鄰兩個(gè)子像素區(qū)之間，相對(duì)于第一主像素區(qū)Z1，本實(shí)施例中第一柵極線Gl設(shè)置于子像素區(qū)Lll和L12之間，第二柵極線G2設(shè)置于子像素區(qū)L12和L13之間；三條數(shù)據(jù)線，即順序排列的第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3，三條數(shù)據(jù)線分別設(shè)置于所述像素單元的兩個(gè)主像素區(qū)之間或者設(shè)置于兩個(gè)主像素區(qū)之外；平行于所述柵極線的一條像素公共線coml，該像素公共線coml與第一子像素區(qū)Lll和L21的像素電極部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接，并且，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接；第二子像素區(qū)L12和L22的像素電極與未同該子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線部分交疊，即，第二子像素區(qū)L12和L22的像素電極和與其對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線對(duì)側(cè)的柵極線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；第三子像素區(qū)L13和L23的像素電極與下一像素單元的像素公共線(如圖2中的com2)部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容，所述下一像素單元為在第二方向上與本像素單元的第三子像素區(qū)緊鄰的像素單元。根據(jù)以上描述可知，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)，在一個(gè)像素單元中，僅有一根公共線，較現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元去掉了所有的遮光線以及2根公共線，也就是說，本實(shí)施例僅保留了沿?cái)?shù)據(jù)線方向排列的每2個(gè)像素單元之間的公共線，即第一子像素區(qū)和第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容由公共線與像素電極部分交疊形成，第二子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容由柵極線與像素電極部分交疊形成。具體的，存儲(chǔ)電容的形成方式如圖2所示，圖2中的所述像素單元中的兩個(gè)主像素區(qū)中的第一子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極均與所述第一柵極線相連，即第一子像素區(qū)Lll和L21的薄膜晶體管Tll和T21的柵極均與第一柵極線Gl相連，則第一子像素區(qū)Lll和L21的存儲(chǔ)電容分別由像素電極Pll和P21與本像素單元的像素公共線coml部分交疊形成；第三子像素區(qū)L13和L23的薄膜晶體管T13和T23的柵極均與第二柵極線G2相連，則第三子像素區(qū)L13和L23的存儲(chǔ)電容分別由像素電極P13和P23與下像素單元的像素公共線com2部分交疊形成；第一主像素區(qū)Zl的第二子像素區(qū)L12的薄膜晶體管T12的柵極與所述第一柵極線Gl相連，第二主像素區(qū)Z2的第二子像素區(qū)L22的薄膜晶體管T22的柵極與所述第二柵極線G2相連，因此，所述第一主像素區(qū)的第二子像素區(qū)L12的存儲(chǔ)電容由該子像素區(qū)的像素電極P12與所述第二柵極線G2部分交疊形成，所述第二主像素區(qū)的第二子像素區(qū)L22的存儲(chǔ)電容由該子像素區(qū)的像素電極P22與所述第一柵極線Gl部分交疊形成。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，若將圖2中的像素單元在掃描線方向重復(fù)排列，便出現(xiàn)了圖3中的連接情況，即第一主像素區(qū)Zl的第二子像素區(qū)L12的薄膜晶體管T12的柵極與所述第二柵極線G2相連，第二主像素區(qū)Z2的第二子像素區(qū)L22的薄膜晶體管T22的柵極與所述第一柵極線Gl相連，因此，所述第一主像素區(qū)的第二子像素區(qū)L12的存儲(chǔ)電容由該子像素區(qū)的像素電極P12與所述第一柵極線Gl部分交疊形成，所述第二主像素區(qū)的第二子像素區(qū)L22的存儲(chǔ)電容由該子像素區(qū)的像素電極P22與所述第二柵極線G2部分交疊形成。也就是說，本實(shí)施例中的像素單元的第二主像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極與哪個(gè)柵極線相連，取決于像素單元的定義范圍，本實(shí)施例中對(duì)此不做限定。具體的，以圖2所示的像素結(jié)構(gòu)為例，結(jié)合像素結(jié)構(gòu)的俯視圖和剖面圖對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明，圖4為該像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖5為該像素結(jié)構(gòu)A-A’區(qū)域的剖面圖，圖6為該像素結(jié)構(gòu)B-B’區(qū)域的剖面圖。如圖4和圖5所示，A-A’區(qū)域即為像素電極與柵極線的交疊區(qū)域，如第一主像素區(qū)Zl的第二子像素L12與第三子像素L13交界處，由像素電極P12與第二柵極線G2部分交疊，形成第二子像素L12的存儲(chǔ)電容，或者第二主像素區(qū)Z2的第一子像素L21與第二子像素L22交界處，由像素電極P22與第一柵極線Gl部分交疊，形成第二子像素L22的存儲(chǔ)電容。具體的，A-A’區(qū)域的剖面圖中，由下至上包括:第一基板(圖中未示出)、位于第一基板表面上的柵極線31，位于柵極線31表面上的第一介質(zhì)層32，位于第一介質(zhì)層32表面上的第二介質(zhì)層33，位于第二介質(zhì)層33表面上的像素電極34。本實(shí)施例中的第一基板可以為玻璃基板，像素電極34可以為ITO電極，在制作工藝中，第一介質(zhì)層32和第二介質(zhì)層33之間為數(shù)據(jù)線層，只是在A-A’區(qū)域不存在數(shù)據(jù)線。并且，本實(shí)施例中的A-A’區(qū)域若位于第一主像素區(qū)Zl的第二子像素L12與第三子像素L13交界處，則柵極線31即為第二柵極線G2，像素電極34即為像素電極P12，此時(shí)圖5為A-A’區(qū)域的左視圖；若A-A’區(qū)域位于第二主像素區(qū)Z2的第一子像素L21與第二子像素L22交界處，則柵極線31即為第一柵極線G1，像素電極34即為像素電極22，此時(shí)圖5為A-A’區(qū)域的右視圖。如圖6所示，B-B’區(qū)域即為像素電極與像素公共線的交疊區(qū)域，如第一主像素區(qū)Zl的第三子像素L13與下一像素單元的像素公共線com2交疊區(qū)域。具體的，B-B’區(qū)域的剖面圖中，由下至上包括:第一基板(圖中未示出)、位于第一基板表面上的像素公共線35，位于像素公共線35表面上的第一介質(zhì)層32，位于第一介質(zhì)層32表面上的第二介質(zhì)層33，位于第二介質(zhì)層33表面上的像素電極34。本實(shí)施例中的像素公共線35與圖5中的柵極線31位于同一金屬層上，且二者在同一光刻過程中形成。由于像素公共線35可與位于其兩側(cè)的像素電極交疊形成相應(yīng)子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容，因此像素公共線35的兩側(cè)上方均具有像素電極區(qū)域。理論上，本實(shí)施例中對(duì)三條數(shù)據(jù)線的排列方式也不做具體限定，一般情況下，數(shù)據(jù)線的排列方式可以分為三種情況，具體的，第一種排列方式如圖2和圖3所示，第一主像素區(qū)Zl位于所述第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2之間，所述第二主像素區(qū)Z2位于所述第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3之間；第二種排列方式中，所述第二主像素區(qū)Z2位于第二數(shù)據(jù)線D2與第三數(shù)據(jù)線D3之間，第一主像素區(qū)Zl位于第一數(shù)據(jù)線Dl的外側(cè)，所述第一數(shù)據(jù)線Dl的外側(cè)是第一數(shù)據(jù)線Dl背向第二數(shù)據(jù)線D2的一側(cè)；當(dāng)然，圖8中的排列方式中也可以是第一主像素區(qū)Zl位于第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2之間，第二主像素區(qū)Z2位于第三數(shù)據(jù)線D3的外側(cè)。第三種排列方式中，第一主像素區(qū)Zl位于第一數(shù)據(jù)線Dl的外側(cè)，第二主像素區(qū)Z2位于第三數(shù)據(jù)線D3的外側(cè)，所述第三數(shù)據(jù)線D3的外側(cè)是第三數(shù)據(jù)線D3背向第二數(shù)據(jù)線D2的一側(cè)。在實(shí)際制作過程中，若要實(shí)現(xiàn)第二種和第三種的數(shù)據(jù)線排列方式，由于存在需要跨數(shù)據(jù)線連接的問題，因此需要在數(shù)據(jù)線層表面上再形成一第三介質(zhì)層，并在該介質(zhì)層表面上形成一第三金屬層，通過在第三介質(zhì)層上打孔的方式，通過第三金屬層的連接實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管源極和對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線的跨數(shù)據(jù)線連接，該金屬層可以與像素電極位于同一金屬層。本實(shí)施例中為了簡(jiǎn)化制作工藝，優(yōu)選采用第一種數(shù)據(jù)線排列方式。另外，需要說明的是，對(duì)于采用TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，現(xiàn)有技術(shù)中各子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容由子像素區(qū)的像素電極與相應(yīng)的公共線交疊形成，如圖7所示，為現(xiàn)有技術(shù)中采用TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)圖，圖7中像素單元的形成方式與本實(shí)施例中類似，一個(gè)像素單元包括2個(gè)主像素區(qū)，每個(gè)主像素區(qū)包括3個(gè)子像素區(qū)L1、L2和L3，每個(gè)像素單元中包括3條公共線coml、com2和com3，2條柵極線Gl和G2，其中2條柵極線的一側(cè)各伴隨一條公共線，柵極線和其伴隨的公共線之間具有一定間隙W，間隙W與公共線的寬度近似，間隙W之間被黑色矩陣區(qū)BM覆蓋，并且由于柵極線和公共線均為不透光設(shè)置，從而導(dǎo)致開口率的降低。本實(shí)施例中采用TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)圖如圖8所示，由于在一個(gè)像素單元中省略了 2條公共線，與圖7相比，即去掉了伴隨2條柵極線的公共線com2和com3，一方面減少了公共線com2和com3的不透光區(qū)域，同時(shí)還減少了間隙W處的黑色矩陣區(qū)域，從而較現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示裝置提高了開口率。另外，本實(shí)施例中對(duì)于采用TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，所述子像素區(qū)為長(zhǎng)方形區(qū)域，所述長(zhǎng)方形區(qū)域的長(zhǎng)邊與柵極線平行。而對(duì)于采用IPS或FFS驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，所述像素結(jié)構(gòu)可采用單疇模式、雙疇模式或多疇模式。當(dāng)所述像素結(jié)構(gòu)采用單疇模式時(shí)，所述子像素區(qū)為長(zhǎng)方形區(qū)域，所述長(zhǎng)方形區(qū)域的長(zhǎng)邊與柵極線平行；所述像素結(jié)構(gòu)采用雙疇模式時(shí)，所述子像素區(qū)為人字形區(qū)域，所述像素電極為人字形電極，多疇模式時(shí)的像素電極形狀與常規(guī)液晶顯示裝置的多疇模式類似，這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，對(duì)于采用IPS或FFS驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置而言，采用單疇模式的像素結(jié)構(gòu)時(shí)，電場(chǎng)方向單一，像素區(qū)域內(nèi)的液晶排列方式一致，在某些特定的角度會(huì)出現(xiàn)灰階逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象；而采用雙疇模式或多疇模式的像素結(jié)構(gòu)，電場(chǎng)方向和液晶排列方式具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)，可以改善液晶顯示器在大視角下的灰階逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象，從而提高視角。本實(shí)施例以2個(gè)主像素區(qū)為一個(gè)重復(fù)單位，每個(gè)主像素區(qū)包括三個(gè)子像素區(qū)，優(yōu)選的一種組合為紅色子像素區(qū)R、綠色次像素區(qū)G、藍(lán)色次像素區(qū)B，也就是最小的一個(gè)重復(fù)單位包含6個(gè)次像素區(qū)。一個(gè)最小重復(fù)單位中包括兩個(gè)柵極線，三個(gè)數(shù)據(jù)線，六個(gè)薄膜晶體管，且每條數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)兩個(gè)次像素區(qū)，兩個(gè)次像素區(qū)分別由不同的柵極線控制，采用這種像素結(jié)構(gòu)，對(duì)于分辨率為mXn的屏，其需要的柵極線為2m條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅(qū)動(dòng)時(shí)間縮短為單柵極驅(qū)動(dòng)的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時(shí)普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動(dòng)要求，適于廣泛應(yīng)用，并且，本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)更適合于3D顯示。進(jìn)一步的，本實(shí)施例在一個(gè)像素單元中，較現(xiàn)有技術(shù)減少了兩根公共線，即僅保留沿?cái)?shù)據(jù)線方向排列的每2個(gè)像素單元之間的公共線，本發(fā)明實(shí)施例中某一子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容主要由該子像素區(qū)的像素電極與非該子像素區(qū)的柵極線交疊形成，從而可以省略柵極線相鄰位置的公共線，由于省略了遮光線并減少了公共線的數(shù)量，從而提高了液晶顯示裝置的開口率?；诒景l(fā)明上一實(shí)施例提供的上述雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，本發(fā)明另一實(shí)施例還提供一種液晶顯不裝置，包括:第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上包括:上述雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，上述像素單元呈陣列式重復(fù)排列；平行于所述柵極線的一條邊緣公共線，位于所述第一基板未設(shè)置像素公共線的一邊，與該邊緣公共線緊鄰的第三子像素區(qū)的像素電極與該邊緣公共線部分交疊，形成該第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容。本實(shí)施例中第一基板可以是TFT基板，第二基板可以是彩色濾光片(ColorFilter, CF)基板。需要說明的是，根據(jù)采用的驅(qū)動(dòng)方式的不同，該液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)也不同，若為TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，第二基板朝向液晶層的一面上還具有一公共電極層，該公共電極層與位于第一基板上的像素電極間產(chǎn)生電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)液晶的轉(zhuǎn)向；若為IPS驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，則通過位于第一基板上的公共線和像素電極間的電場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)液晶的轉(zhuǎn)向，該公共線一般為不透光的金屬線；若為FFS驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，則除公共線之外，在第一基板上還設(shè)置有公共電極，通過公共電極與像素電極之間的電場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)液晶的轉(zhuǎn)向，該公共電極一般采用透光的ITO材料制作，并且該公共電極可以與像素電極位于同一導(dǎo)電層上，也可以位于不同導(dǎo)電層上，若二者在同一導(dǎo)電層上，則二者相間排列，若二者位于不同導(dǎo)電層上，公共電極和像素電極所在的導(dǎo)電層的位置是可以互換的，這種情況下，公共電極可為一體結(jié)構(gòu)或?yàn)榕c像素電極相間排列的條形電極?；谝陨蠈?shí)施例的像素結(jié)構(gòu)和液晶顯示裝置，本發(fā)明另一實(shí)施例提供了上述液晶顯示裝置的制作方法，具體可參見圖4-圖6，該方法包括以下步驟:步驟1:提供第一基板(圖中未示出)，該第一基板可以為玻璃基板；步驟2:在所述第一基板上形成相互平行的多個(gè)柵極線31、多個(gè)像素公共線35和一條邊緣公共線(圖中未示出)，所述多個(gè)柵極線、多個(gè)像素公共線和一條邊緣公共線在同一光刻步驟中形成，且形成在同一導(dǎo)電層，即第一金屬層，其中，所述邊緣公共線位于所述第一基板未設(shè)置像素公共線的一邊，與該邊緣公共線緊鄰的第三子像素區(qū)的像素電極與該邊緣公共線部分交疊，形成該第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；步驟3:在所述多個(gè)柵極線、多個(gè)像素公共線和一條邊緣公共線表面上形成第一介質(zhì)層32 ；步驟4:在所述第一介質(zhì)層表面上形成半導(dǎo)體層，在所述半導(dǎo)體層表面上多個(gè)相互平行的數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線形成于第二金屬層上，所述半導(dǎo)體層包括硅島等結(jié)構(gòu)，與常規(guī)液晶顯示裝置類似，這里不再詳細(xì)描述；步驟5:在所述數(shù)據(jù)線表面上形成第二介質(zhì)層33，在位于薄膜晶體管的漏極表面上的第二介質(zhì)層區(qū)域形成通孔(圖中未示出)；步驟6:在所述第二介質(zhì)層33上方形成數(shù)據(jù)線和像素電極34，所述像素電極通過所述通孔與薄膜晶體管的漏極電連接，所述像素電極34優(yōu)選為ITO電極；其中，所述像素單元中第一子像素區(qū)的像素電極與本像素單元的像素公共線部分交疊，形成第一子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；所述第二子像素區(qū)的像素電極和與其對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線對(duì)側(cè)的柵極線，即與未同該子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線部分交疊，形成第二子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容；所述第三子像素區(qū)的像素電極與下一像素單元的像素公共線部分交疊，形成第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容，所述下一像素單元為在第二方向上與本像素單元的第三子像素區(qū)緊鄰的像素單元。形成像素電極之后，在第一基板和第二基板之間注入液晶，形成液晶層，之后進(jìn)行外部控制電路的連接，完成液晶顯示裝置的制作，本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制作工藝與常規(guī)工藝相同，不同點(diǎn)僅在于公共線、柵極線和像素電極的分布，對(duì)具體制作工藝這里不再贅述。針對(duì)不同驅(qū)動(dòng)模式的液晶顯示裝置，其制作方法也不同，對(duì)于IPS和TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，陣列基板表面上的上述結(jié)構(gòu)的制作過程類似，不同的只是像素電極的形狀而已。對(duì)于采用FFS驅(qū)動(dòng)方式液晶顯示裝置，需要在IPS結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加一公共電極層，其像素結(jié)構(gòu)圖如圖9所示，對(duì)于公共電極層和像素電極層不在同一導(dǎo)電層上的液晶顯示裝置來說，所述公共電極可以為一體結(jié)構(gòu)的ITO電極或與所述像素電極相間排列的條形電極。并且，制作方法上與以上描述不同的是，在所述第二介質(zhì)層上方形成像素電極的過程具體為:在所述第二介質(zhì)層表面上形成由像素電極(如圖中Pixel-1TO所示)、第三介質(zhì)層和公共電極(如圖中COM-1TO所示)組成的疊層；其中，若所述像素電極位于所述第三介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之間，所述公共電極位于所述第三介質(zhì)層表面上，則所述像素電極通過所述通孔與薄膜晶體管的漏極電連接；若所述公共電極位于所述第三介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之間，所述像素電極位于所述第三介質(zhì)層表面上，則在形成所述第三介質(zhì)層后還包括，在位于薄膜晶體管的漏極表面上的第二介質(zhì)層和第三介質(zhì)層區(qū)域形成通孔。在其他實(shí)施例中，像素電極層也可以與數(shù)據(jù)線層之間直接導(dǎo)通，或者二者制作在同一導(dǎo)電層上，并且數(shù)據(jù)線層和公共電極層之間電性連接，具體連接方式可為在顯示區(qū)域外圍通過導(dǎo)線連接數(shù)據(jù)線層和公共電極層。以上是對(duì)像素電極層和公共電極層位于不同導(dǎo)電層上的結(jié)構(gòu)和方法的介紹，對(duì)于采用IPS驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，當(dāng)二者位于同一導(dǎo)電層上時(shí)，在所述第二介質(zhì)層上方形成像素電極的過程具體為:在所述第二介質(zhì)層表面上形成像素電極和公共電極，所述像素電極和公共電極位于同一導(dǎo)電層上且相間排列，所述像素電極通過所述通孔與薄膜晶體管的漏極電連接，所述像素電極和公共電極可均為條狀的ITO電極。本說明書中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 由沿第一方向相鄰的兩個(gè)主像素區(qū)組成的像素單元，其中，每個(gè)主像素區(qū)分別包括沿第二方向依次排列的第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)、第三子像素區(qū)，所述第一方向與所述第二方向基本垂直； 六個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)內(nèi)； 設(shè)置于每個(gè)子像素區(qū)內(nèi)且與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，所述像素電極覆蓋在子像素區(qū)的透光區(qū)上； 平行于所述第一方向，且分別設(shè)置于每個(gè)主像素區(qū)內(nèi)的相鄰兩個(gè)子像素區(qū)之間的兩條柵極線； 平行于所述第二方向，且分別設(shè)置于所述像素單元的兩個(gè)主像素區(qū)之間或者設(shè)置于兩個(gè)主像素區(qū)之外三條數(shù)據(jù)線； 平行于所述柵極線的一條像素公共線，該像素公共線與第一子像素區(qū)的像素電極部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ) 電容； 其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接，并且，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接； 第二子像素區(qū)的像素電極和與其對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線對(duì)側(cè)的柵極線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容； 第三子像素區(qū)的像素電極與下一像素單元的像素公共線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容，所述下一像素單元為在第二方向上與本像素單元的第三子像素區(qū)緊鄰的像素單J Li ο
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，對(duì)于采用TN驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，所述子像素區(qū)為長(zhǎng)方形區(qū)域，所述長(zhǎng)方形區(qū)域的長(zhǎng)邊與柵極線平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，對(duì)于采用IPS或FFS驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，所述像素結(jié)構(gòu)采用單疇模式、雙疇模式或多疇模式。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)采用單疇模式時(shí)，所述子像素區(qū)為長(zhǎng)方形區(qū)域，所述長(zhǎng)方形區(qū)域的長(zhǎng)邊與柵極線平行； 所述像素結(jié)構(gòu)采用雙疇模式時(shí)，所述子像素區(qū)為人字形區(qū)域，所述像素電極為人字形電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，兩條柵極線包括:第一柵極線和第二柵極線；所述兩個(gè)主像素區(qū)包括:第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)； 所述像素單元中的兩個(gè)主像素區(qū)中的第一子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極均與所述第一柵極線相連； 所述第一主像素區(qū)的第二子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極與所述第一柵極線相連，所述第二主像素區(qū)的第二子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極與所述第二柵極線相連，所述第一主像素區(qū)的第二子像素區(qū)的像素電極與所述第二柵極線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容，所述第二主像素區(qū)的第二子像素區(qū)的像素電極與所述第一柵極線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容； 所述像素單元中的兩個(gè)主像素區(qū)中的第三子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極均與所述第二柵極線相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述三條數(shù)據(jù)線包括:順序排列的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線； 所述第一主像素區(qū)位于所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間，所述第二主像素區(qū)位于所述第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線之間。
7.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括: 第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層； 其中，所述第一基板上包括: 權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，所述像素單元呈陣列式重復(fù)排列； 平行于所述柵極線的一條邊緣公共線，位于所述第一基板未設(shè)置像素公共線的一邊，與該邊緣公共線緊鄰的第三子像素區(qū)的像素電極與該邊緣公共線部分交疊，形成該第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容。
8.—種如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括: 提供第一基板； 在所述第一基板上形成相互平行的多個(gè)柵極線、多個(gè)像素公共線和一條邊緣公共線，所述多個(gè)柵極線、多個(gè)像素公共線和一條邊緣公共線在同一光刻步驟中形成，且形成在同一導(dǎo)電層，其中，所述邊緣公共線位于所述第一基板未設(shè)置像素公共線的一邊，與該邊緣公共線緊鄰的第三子像素區(qū)的像素電極與該邊緣公共線部分交疊，形成該第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容； 在所述多個(gè)柵極線、多個(gè)像素公共線和一條邊緣公共線表面上形成第一介質(zhì)層； 在所述第一介質(zhì)層表面上形成半導(dǎo)體層，在所述半導(dǎo)體層表面上多個(gè)相互平行的數(shù)據(jù)線.在所述數(shù)據(jù)線表面上形成第二介質(zhì)層，在位于薄膜晶體管的漏極表面上的第二介質(zhì)層區(qū)域形成通孔； 在所述第二介質(zhì)層上方形成像素電極，所述像素電極通過所述通孔與薄膜晶體管的漏極電連接； 其中，所述像素單元中第一子像素區(qū)的像素電極與本像素單元的像素公共線部分交疊，形成第一子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容； 所述第二子像素區(qū)的像素電極和與其對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線對(duì)側(cè)的柵極線部分交疊，形成第二子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容； 所述第三子像素區(qū)的像素電極與下一像素單元的像素公共線部分交疊，形成第三子像素區(qū)的存儲(chǔ)電容，所述下一像素單元為在第二方向上與本像素單元的第三子像素區(qū)緊鄰的像素單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，對(duì)于采用FFS驅(qū)動(dòng)方式液晶顯示裝置，在所述第二介質(zhì)層上方形成像素電極的過程具體為:在所述第二介質(zhì)層表面上形成由像素電極、第三介質(zhì)層和公共電極組成的疊層； 其中，若所述像素電極位于所述第三介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之間，所述公共電極位于所述第三介質(zhì)層表面上，則所述像素電極通過所述通孔與薄膜晶體管的漏極電連接； 若所述公共電極位于所述第三介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之間，所述像素電極位于所述第三介質(zhì)層表面上，則在形成所述第三介質(zhì)層后還包括，在位于薄膜晶體管的漏極表面上的第二介質(zhì)層和第三介質(zhì)層區(qū)域形成通孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述公共電極為一體結(jié)構(gòu)的ITO電極或與所述像素電極相間排列的條形電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，對(duì)于采用IPS驅(qū)動(dòng)方式液晶顯示裝置，在所述第二介質(zhì)層上方形成像素電極的過程具體為: 在所述第二介質(zhì)層表面上形成像素電極和公共電極，所述像素電極和公共電極位于同一導(dǎo)電層上且相間排列，所述像素電極通過所述通孔與薄膜晶體管的漏極電連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)、液晶顯示裝置及其制作方法，該像素結(jié)構(gòu)的每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接；第一子像素區(qū)的像素電極與像素公共線部分交疊，形成存儲(chǔ)電容；第二子像素區(qū)的像素電極和與其對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線對(duì)側(cè)的柵極線部分交疊，形成存儲(chǔ)電容；第三子像素區(qū)的像素電極與下一像素單元的像素公共線部分交疊，形成存儲(chǔ)電容。本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)在一個(gè)像素單元中，較現(xiàn)有技術(shù)減少了兩根公共線，減少了遮光區(qū)域的面積，提高了液晶顯示裝置的開口率。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK103176320SQ20111043686
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2011年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月22日
發(fā)明者簡(jiǎn)守甫, 夏志強(qiáng), 曹兆鏗 申請(qǐng)人:上海中航光電子有限公司