專利名稱：一種光刻膠清洗液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻膠清洗液。
背景技術(shù)：
在通常的半導(dǎo)體制造工藝中，通過(guò)在一些材料的表面上形成光刻膠的掩膜，曝光后進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，在得到需要的圖形之后，進(jìn)行下一道工序之前，需要?jiǎng)內(nèi)埩舻墓饪棠z。在這個(gè)過(guò)程中要求完全除去不需要的光刻膠，同時(shí)不能腐蝕任何基材。目前，光刻膠清洗液主要由極性有機(jī)溶劑、強(qiáng)堿和/或水等組成，通過(guò)將半導(dǎo)體晶片浸入清洗液中或者利用清洗液沖洗半導(dǎo)體晶片，去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠。如 JP1998239865公開(kāi)了一種清洗液，其組成是四甲基氫氧化銨(TMAH)、二甲基亞砜(DMSO)、1，3’ - 二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。將晶片浸入該清洗液中，于50 100°C下除去金屬和電介質(zhì)基材上的20 μ m以上的光刻膠；其對(duì)半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠，清洗能力不足；US5529887由氫氧化鉀(KOH)、烷基二醇單烷基醚、水溶性氟化物和水等組成堿性清洗液，將晶片浸入該清洗液中，在40 90°C下除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。其對(duì)半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕較高；US5091103公開(kāi)了N-甲基吡咯烷酮、1，2-丙二醇和四甲基氫氧化銨的清洗液，于105 125°C下去除經(jīng)高溫烘焙過(guò)(hard bake)的光刻膠,其特征是不含有水、操作溫度高,一旦清洗液混入水,其對(duì)金屬鋁和銅的腐蝕速率均上升。由此可見(jiàn)，尋找更為有效抑制金屬腐蝕抑制方法和高效的光刻膠去除能力是該類光刻膠清洗液努力改進(jìn)的優(yōu)先方向。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題就是針對(duì)現(xiàn)有的光刻膠清洗液存在的清洗能力不足或者對(duì)晶片圖案和基材腐蝕性較強(qiáng)的缺陷，而提供一種光刻膠清洗能力強(qiáng)且對(duì)半導(dǎo)體晶片圖案和基材腐蝕性較低的光刻膠清洗劑。本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種用于光刻膠清洗的清洗液，該清洗液包含(a)氫氧化鉀、(b)胺醇、(C)季戊四醇、(d)木糖醇、(e)其它助溶劑。其中，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分比含量為O. I 10% ;所述醇胺的質(zhì)量百分比含量為5 40% ;所述季戊四醇的質(zhì)量百分比含量為O. 1-15% ;所述木糖醇的質(zhì)量百分比含量為O. I 10%，所述其它助溶劑為余量。優(yōu)選的，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分比含量為O. I 5% ;所述醇胺的質(zhì)量百分比含量為10-35%;所述季戊四醇的質(zhì)量百分比含量為O. 1-15%;所述木糖醇的質(zhì)量百分比含量為O. I 5%，所述其它助溶劑為余量。本發(fā)明中所述的醇胺為單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、異丙醇胺、2_( 二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一種或幾種。醇胺的存在有利于提高氫氧化鉀和季戊四醇在體系中的溶解度。
本發(fā)明還可以進(jìn)一步含有助溶劑，所述的助溶劑可選自亞砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、吡咯烷酮、醇醚、酰胺中的一種或多種。其中，所述的亞砜較佳的為二甲基亞砜；所述的砜較佳的為環(huán)丁砜；所述的咪唑烷酮較佳的為1，3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的咪唑啉酮較佳的為1，3_ 二甲基-2-咪唑啉酮；所述的吡咯烷酮較佳的為N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-羥乙基吡咯烷酮和N-環(huán)己基吡咯烷酮；所述的酰胺較佳的為二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺；所述的醇醚較佳的為乙二醇醚和丙二醇醚；所述的乙二醇醚較佳的為二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚；所述的丙二醇醚較佳的為二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚。本發(fā)明中的低蝕刻性光刻膠清洗液，可以在室溫至90°C下清洗光刻膠。具體方法如下將含有光刻膠的晶片浸入本發(fā)明中的低蝕刻性的光刻膠清洗劑，在室溫至90°C下浸泡合適的時(shí)間后，取出洗滌后用高純氮?dú)獯蹈?。本發(fā)明的有益效果是 I)采用了醇胺作為溶劑溶解氫氧化鉀和季戊四醇，光刻膠去除能力強(qiáng)；2)對(duì)金屬鋁和銅同時(shí)具有較強(qiáng)的腐蝕抑制能力，對(duì)金屬和非金屬的腐蝕抑制能力強(qiáng)；3)操作溫度較溫和，25°C 90°C，具有較大的操作窗口。
具體實(shí)施例方式下面通過(guò)具體實(shí)施方式
來(lái)進(jìn)一步闡述本發(fā)明。表I實(shí)施例I 20的清洗劑的組分和含量
權(quán)利要求
1.一種光刻膠清洗液，該清洗液包含氫氧化鉀、胺醇、季戊四醇、木糖醇和其它助溶劑。
2.如權(quán)利要求I所述清洗液，其特征在于，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分比含量為O.I 10% ;所述醇胺的質(zhì)量百分比含量為5 40% ;所述季戊四醇的質(zhì)量百分比含量為O.1-15% ;所述木糖醇的質(zhì)量百分比含量為O. I 10%，所述其它助溶劑為余量。
3.如權(quán)利要求2所述清洗液，其特征在于，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分比含量為O.I 5% ;所述醇胺的質(zhì)量百分比含量為10-35% ;所述季戊四醇的質(zhì)量百分比含量為O. 1-15% ；所述木糖醇的質(zhì)量百分比含量為O. I 5%，所述其它助溶劑為余量。
4.如權(quán)利要求I所述清洗液，其特征在于，所述的醇胺為單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇 胺、正丙醇胺、異丙醇胺、2_( 二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一種或幾種。
5.如權(quán)利要求I所述清洗液，其特征在于，所述的助溶劑選自亞砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、吡咯烷酮、醇醚、酰胺中的一種或多種。
6.如權(quán)利要求5所述清洗液，其特征在于，所述的亞砜為二甲基亞砜；所述的砜為環(huán)丁砜；所述的咪唑烷酮為I，3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的咪唑啉酮為I，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的吡咯烷酮為N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-羥乙基吡咯烷酮和N-環(huán)己基吡咯烷酮中的一種或幾種；所述的酰胺為二甲基甲酰胺和/或二甲基乙酰胺；所述的醇醚為乙二醇醚和/或丙二醇醚。
7.如權(quán)利要求6所述清洗液，其特征在于，所述的乙二醇醚為二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚中的一種或幾種；所述的丙二醇醚為二丙二醇單甲醚和/或二丙二醇單乙醚。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種低蝕刻的光刻膠清洗液及其組成。這種低蝕刻的光刻膠清洗液含有(a)氫氧化鉀、(b)胺醇、(c)季戊四醇、(d)木糖醇、(e)其它助溶劑。這種低蝕刻性的光刻膠清洗劑能夠高效的去除半導(dǎo)體晶圓上的光刻膠，同時(shí)對(duì)于基材基本沒(méi)有攻擊如金屬鋁、銅等，在半導(dǎo)體晶圓清洗等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
文檔編號(hào)G03F7/42GK102981376SQ201110259609
公開(kāi)日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2011年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月5日
發(fā)明者孫廣勝, 劉兵, 彭洪修 申請(qǐng)人:安集微電子(上海)有限公司