專利名稱：一種新型的利用曝光后烘烤的opc模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢驗(yàn)光刻工藝的方法，尤其涉及一種新型的利用曝光后烘烤的 OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法。
背景技術(shù)：
在先進(jìn)光刻工藝中，曝光后烘烤(Post Exposure Bake，簡稱PEB)是一個(gè)十分重要的步驟。烘烤溫度的變化會(huì)影響最終成像的光刻特征尺寸，稱為曝光后烘烤敏感度(PEB knsitivity)。在新建立光刻工藝時(shí)，需要對(duì)該項(xiàng)影響程度做出評(píng)估?，F(xiàn)存做法是改變曝光后烘烤的溫度，選擇一個(gè)或多個(gè)所關(guān)心的特征尺寸，進(jìn)行電子顯微鏡下的線寬量測(cè)，這樣可以觀測(cè)到一個(gè)或多個(gè)特征尺寸在曝光后烘烤溫度發(fā)生偏移時(shí)的尺寸變化。但是對(duì)于潛在的在整個(gè)版圖中可能產(chǎn)生的光刻缺陷和光刻規(guī)則錯(cuò)誤，則無法檢測(cè)到。發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種利用曝光后烘烤的光學(xué)臨近效應(yīng)模型(0PC模型)檢驗(yàn)光刻工藝的方法，通過建立曝光后不同烘烤溫度下的OPC模型，可以確定在溫度不同時(shí)光刻后圖形所產(chǎn)生的變化，并且通過與原有設(shè)計(jì)圖形進(jìn)行對(duì)比計(jì)算，從而預(yù)先確定了溫度變化可能引起的光刻圖形的變化缺陷，并可據(jù)此數(shù)據(jù)，重新確定光刻工藝條件，不斷完善光刻工藝。
本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法，其中，包括以下步驟 建立光刻工藝，確定光刻工藝條件； 采集原始光刻版圖數(shù)據(jù)；確定一烘烤上限溫度，在襯底上涂抹一層光刻膠并對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、烘烤， 采集光刻膠曝光后在上限溫度條件下烘烤所獲得的光刻圖形的數(shù)據(jù)，建立第一 OPC模型；確定一烘烤下限溫度，在襯底上涂抹一層所述光刻膠對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、烘烤，采集光刻膠曝光后在下限溫度條件下烘烤所獲得的光刻圖形的數(shù)據(jù)，建立第二 OPC模型；利用原始光刻版圖數(shù)據(jù)，分別對(duì)所述第一 OPC模型、所述第二 OPC模型進(jìn)行光刻規(guī)則檢查，并確定原始光刻版圖數(shù)據(jù)是否存在光刻缺陷。
上述的新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法，其中，所述曝光后烘烤的上限溫度、下限溫度分別是正常的烘烤溫度上下浮動(dòng)10°c。
上述的新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝方法，其中，在所述建立光刻工藝步驟中，所述確定工藝條件包括預(yù)先確定一曝光后烘烤所需的溫度值。
與已有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明通過建立基于不同曝光后烘烤溫度的對(duì)應(yīng)OPC模型即對(duì)可能產(chǎn)生的曝光后烘烤溫度上限建立一個(gè)OPC模型；對(duì)可能產(chǎn)生的曝光后烘烤溫度下限建立一個(gè)OPC模型。然后通過對(duì)整個(gè)版圖利用這兩組OPC模型進(jìn)行仿真和光刻規(guī)則檢查(LRC)，可以檢測(cè)到，在整個(gè)版圖區(qū)域，在可能發(fā)生的曝光后烘烤溫度發(fā)生變化時(shí)，光刻特征尺寸變化范圍是否超過要求或有無特定的光刻缺陷產(chǎn)生。
并且，根據(jù)所確定的缺陷變化不斷地矯正光刻工藝條件，使光刻條件及所選取的光刻膠的曝光后烘烤靈敏度(PEB knsitivity)處在最佳條件，增大了光刻工藝窗口，確保了在光刻設(shè)備曝光后烘烤溫度發(fā)生異常時(shí)，對(duì)光刻特征尺寸不會(huì)產(chǎn)生大的影響及產(chǎn)生影響良率的光刻缺陷。對(duì)光刻曝光后烘烤溫度變化產(chǎn)生的光刻缺陷，依照本方法建立溫度變化后的OPC模型，可以成功在光刻規(guī)則檢查中被檢測(cè)到。


圖1是一種新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是一種新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合原理圖和具體操作實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
如圖2所示，本發(fā)明的一種本發(fā)明新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法流程圖，其中，包括以下步驟Sl 建立光刻工藝，確定光刻工藝條件；在此步驟中，根據(jù)光刻的需要，預(yù)先確定光刻的工藝條件參數(shù)，包括預(yù)先確定在正常工藝流程下光刻膠在光刻工藝中曝光后烘烤所需的溫度值。
S2 采集原始光刻版圖數(shù)據(jù)；在此步驟中，確定需要光刻形成的設(shè)計(jì)圖形，采集確定該原始光刻版圖數(shù)據(jù)，所采集的原始光刻版圖數(shù)據(jù)至少包括原始光刻版圖的關(guān)鍵尺寸(CD)等數(shù)據(jù)信息，并且原始光刻版圖為正常生產(chǎn)或流片所用到的掩模板的光刻版圖；S3:確定一烘烤上限溫度，在襯底上涂抹一層光刻膠并對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤的數(shù)據(jù)、仿真，建立第一 OPC模型；在此步驟中，根據(jù)預(yù)先確定的曝光后烘烤所需的溫度值，確定其在烘烤中可能出現(xiàn)的溫度變化的最上限的溫度值，然后以此上限溫度值作為光刻設(shè)備溫度，在此溫度下，在襯底上涂抹光刻膠，并進(jìn)行光刻膠的對(duì)準(zhǔn)、曝光、烘烤、顯影等一系列光刻工藝步驟，得到一光刻圖形，并且在基于上限溫度條件下，采集光刻膠曝光后烘烤所形成的光刻圖形或圖案的至少包括關(guān)鍵尺寸等數(shù)據(jù)信息，仿真建立一個(gè)光學(xué)臨近效應(yīng)模型(0PC模型)——第一 OPC 模型，此時(shí)建立OPC模型所用到的測(cè)試掩模板所包含的光刻版圖的關(guān)鍵尺寸大致上接近正常流片所用到的掩模板的光刻版圖的關(guān)鍵尺寸。在光刻工藝中，一般情況下，光刻膠正常的曝光后烘烤溫度通常在90°c到130°c，而設(shè)備的烘烤溫度的可預(yù)測(cè)偏移量的范圍一般在 +/-10度左右，因而，上限溫度可以選擇在光刻膠進(jìn)行曝光后烘烤的正常溫度的條件下大致浮動(dòng)10°C左右。
S4:確定一烘烤下限溫度，在襯底上涂抹一層光刻膠對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤下限溫度數(shù)據(jù)、仿真，建立第二 OPC模型；在此步驟中，采取和步驟S3中同樣方法，根據(jù)預(yù)先確定的曝光后烘烤所需的溫度值， 確定其在烘烤中可能出現(xiàn)的溫度變化的最下限的溫度值，然后以此下限溫度值作為光刻設(shè)備溫度，在此溫度下，在襯底上涂抹光刻膠，并進(jìn)行光刻膠的對(duì)準(zhǔn)、曝光、烘烤、顯影等一系列光刻工藝步驟，得到另一光刻圖形，并且采及曝光后烘烤的數(shù)據(jù)，仿真建立一個(gè)光學(xué)臨近模型(0PC模型)——第二 OPC模型，與建立第一 OPC模型相同，此時(shí)利用建模所用到的測(cè)試掩模板所包含的光刻版圖的關(guān)鍵尺寸大致上接近正常流片所用到的掩模板的光刻版圖的關(guān)鍵尺寸。而且下限溫度可以選擇在光刻膠進(jìn)行曝光后烘烤的正常溫度的條件下大致浮動(dòng)-10°c左右。
另外，作為其他的選擇方式(但并不加限制)，上、下限溫度可以取0°C 20(TC之間的任意溫度。
S5 利用原始光刻版圖數(shù)據(jù)，分別對(duì)第一 OPC模型、第二 OPC模型進(jìn)行光刻規(guī)則檢查，確定是否存在光刻缺陷，主要是利用這兩組第一、第二 OPC模型對(duì)整個(gè)原始版圖進(jìn)行仿真和光刻規(guī)則檢查，光刻膠曝光后烘烤溫度發(fā)生變化時(shí)，檢測(cè)光刻膠上形成的光刻圖案的光刻特征尺寸變化范圍是否超過要求或有無特定的光刻缺陷產(chǎn)生。
在此步驟中，如圖1所示，根據(jù)光刻工藝的需要，確定光刻規(guī)則檢查條件，利用原始光刻版圖數(shù)據(jù)1即預(yù)先設(shè)計(jì)的圖形，將原始光刻版圖數(shù)據(jù)1與第一 OPC模型2進(jìn)行光刻規(guī)則檢查，從而可以清晰地確定在上限溫度值時(shí)，預(yù)計(jì)的光刻圖形發(fā)生尺寸的變化，并據(jù)此可以判斷該尺寸變化是否超過可接受的范圍或是否產(chǎn)生其他缺陷；同樣的原理和方法，利用原始光刻版圖數(shù)據(jù)1，將此圖形與第二 OPC模型(圖中未標(biāo)示) 進(jìn)行光刻規(guī)則檢查，從而可以清晰地確定在下限溫度值時(shí)，預(yù)計(jì)的光刻圖形發(fā)生尺寸的變化，并據(jù)此可以判斷該尺寸變化是否超過可接受的范圍或是否產(chǎn)生其他缺陷；S6:根據(jù)步驟S5、S6，確定是否有缺陷或尺寸變化，若是，則需要檢測(cè)潛在的受曝光后烘烤影響的版圖，一旦缺陷或尺寸變化存在很嚴(yán)重的問題時(shí)，需要進(jìn)一步調(diào)整溫度；若否， 則工藝驗(yàn)證完成，光刻工藝條件即確定為步驟Sl中所確定的條件。
以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例，其只是作為范例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)該進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作出的均等變換和修改， 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法，其特征在于，包括以下步驟建立光刻工藝，確定光刻工藝條件；采集原始光刻版圖數(shù)據(jù)；確定一烘烤上限溫度，在襯底上涂抹一層光刻膠并對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、烘烤， 采集光刻膠曝光后在上限溫度條件下烘烤所獲得的光刻圖形的數(shù)據(jù)，建立第一 OPC模型；確定一烘烤下限溫度，在襯底上涂抹一層所述光刻膠對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、烘烤，采集光刻膠曝光后在下限溫度條件下烘烤所獲得的光刻圖形的數(shù)據(jù)，建立第二 OPC模型；利用原始光刻版圖數(shù)據(jù)，分別對(duì)所述第一 OPC模型、所述第二 OPC模型進(jìn)行光刻規(guī)則檢查，并確定原始光刻版圖數(shù)據(jù)是否存在光刻缺陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法，其特征在于，所述曝光后烘烤的上限溫度、下限溫度分別是正常的烘烤溫度上下浮動(dòng)10°c。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝方法，其特征在于，在所述建立光刻工藝步驟中，所述確定工藝條件包括預(yù)先確定一曝光后烘烤所需的溫度值。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種新型的利用曝光后烘烤的OPC模型檢驗(yàn)光刻工藝的方法，其中，包括以下步驟建立光刻工藝，確定光刻工藝條件；采集原始光刻版圖數(shù)據(jù)；確定一烘烤上限溫度，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤的數(shù)據(jù)，建立第一OPC模型；確定一烘烤下限溫度，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤下限溫度數(shù)據(jù)，建立第二OPC模型；利用原始光刻版圖數(shù)據(jù)，分別對(duì)所述第一OPC模型、所述第二OPC模型進(jìn)行光刻規(guī)則檢查，確定是否存在光刻缺陷。本發(fā)明通過建立曝光后不同烘烤溫度下的OPC模型，可以確定在溫度不同時(shí)光刻后圖形所產(chǎn)生的變化，一旦缺陷或尺寸變化存在很嚴(yán)重的問題時(shí)，可以進(jìn)一步調(diào)整溫度，確立新的工藝條件。
文檔編號(hào)G03F1/36GK102540773SQ20111025028
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月29日
發(fā)明者張辰明, 魏芳 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司